Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Ритчи

    Обсуждается ряд аспектов работы Р. Колингвуда Очерки по метафизике [1940]. Статья А. Ритчи теории вопросов не касается. [c.174]

    Ритчи и Норриш [31] нашли, что ki= 1,7. Однако Поттс и Роллефсон показали, что это значение завышенное, пе согласуется с известными термодинамическими данными [c.301]

    В работах Ритчи, Кинга и Чаппела [109] изучены реакции Н с молекулами Н2, HF, Н2О, NH3 и СН4, когда образуются молекулы водорода и соответствующие ионы (а также реакция Н + СН4 —> [c.68]


    Эскью и Даниэль (1940) нриспособили эту кювету для пленок, растекающихся по поверхности раздела масло — вода, однако оказалось, что она пригодна только для масел, которые тяжелее воды. Просачивание пленки и вытекание жидкости из кюветы можно устранить, заключив ее в подвижное кольцо, которое можно сжимать между подвижными стеклянными барьерами (Брукс и Мак Ритчи, 1961). [c.184]

    Для р-ций стабильных орг. катионов и активир. карбонильных соед. с нуклеофилами хорошая корреляция достигается при помощи ур-ния Ритчи  [c.475]

    По мнению Аллана и Ритчи [108], перегруппировка молекулы с вини.п,-ной концевой группой объясняет образование окиси углерода  [c.89]

    Важный вклад в проблему количественного определения реакционной способности нуклеофилов по отношению к катионам в различных растворителях внесли Ритчи и др. [274, 597]. Они предложили уравнение, которое определяет параметр Л +, описывающий различие в реакционной способности нуклеофилов для двух систем [c.310]

    Остаток после отгонки кристаллизуется. Он состоит главным образом из о-йодметиленбензиламйна (Ритчи, частное сообщение), а потому перед экстрагированием эфиром рекомендуется проводить гидролиз основания Шиффа минеральной кислотой. [c.277]

    Метод осаждения Ритчи используется для определения количества яиц шистосом. В центрифужной пробирке объемом 15 мл смещивают 2 г кала с 10 мл ИХН, закрывают пробкой и встряхивают в течение 30 с. Пробку удаляют и центрифугируют смесь при 2000 об/мин в течение 2 мин. Надосадочную жидкость сливают, к осадку добавляют 10 мл 10%-го раствора формалина, перемешивают и отстаивают 5 мин. К смеси добавляют 3 — 4 мл эфира, пробирку закрывают пробкой, встряхивают, чтобы получить однородную смесь, удаляют пробку и опять центрифугируют в течение 2 мин. После центрифугирования образуется четыре слоя 1) осадок, содержащий яйца шистосом 2) слой формалина 3) слой калового детрита 4) слой эфира. Три верхних слоя удаляют, осадок собирают пастеровской пипеткой, готовят препарат и подсчитывают количество яиц в осадке. Для получения окончательного результата пересчитывают их количество на 1 г кала. [c.375]

    Приведенный здесь расчет был сделан Кеннеди и Ритчи его предполагалось опубликовать в виде статьи в журнале Ind. and Eng. hem. Автор очень обязан Кеннеди за разрешение цитировать эти материалы в настоящей книге. [c.203]

    Ориентированные пленки. Интересным моментом, касающимся пленок, является возможность регулирования ориентации граней кристаллов в них. В ранней работе Бика с сотрудниками [18] было найдено, что присутствие 1 мм инертного газа, нанример аргона, приводило к отложению никелевой пленки с гранями (ПО), расположенными параллельно стеклянной подложке железо в этих условиях ориентировалось плоскостями (П1) но отношению к стеклу. Кристаллы никеля — кубические гранецентрированные, а железо имеет объемноцентрированное кубическое строение кристаллов в каждом из рассматриваемых случаев экспонируемая плоскость является наименее заселенной атомами из тех плоскостей, которые обычно появляются в виде граней кристалла. Эти ориентации были определены электронографически. В дальнейшем Бик и Ритчи [19] показали опытами по адсорбции, что пленка никеля экспонировала к газу плоскости (110), так что ориентация сохранялась по всей толщине пленки Когда пленки наносили в максимально возможном вакууме, электронография и измерения адсорбции показывали, что и к стеклу, и к газу было обращено несколько плоскостей. [c.189]


    Изучение влияния освещения на активность катализаторов в настоящее время представляет особый интерес в связи с развитием электронных п])едставлений в катализе. Экспериментальных данных в этой области очень мало но и те работы, которые проводились в этом направлении, п[ ивели к отрицательным результатам. Исключение представляют работы Шваба [1] и Ритча и Галверта [2], обнаруживших ускоряющее действие света на полупроводниковый катализ. [c.153]

    Проявлялся при работе со смесями, богатыми окисью углерода. Однако механизмы для отмеченных двух серий опытов в разных условиях почти наверняка различны. Эксперименты с фильтрами показали, что в фотокатализе активен свет с длиной волны между 400 и 450 ммк, т. е. в области более длинных волн, чем при обычно принятой границе поглощения 385 ммк. Теренин и Солоницын [113] показали, что то же самое имеет место и для фотодесорбции кислорода, для которой они проследили за уменьщением фотоактивности до 500 ммк. Известно, что присутствие в избытке цинка, так же как подъем температуры [104], приводит к расширению границ поглощения, но причина распространения фотоактивности на видимую область в случае этих порошкообразных образцов окиси цинка пока непонятна. Мы склонны объяснить наличием избыточного цинка тот факт, что фотокатализ, так же как и адсорбционные фотоэффекты, более заметно выражен в случае окиси цинка с добавками лития, чем в случае окиси цинка без добавок или с добавками хрома. Следует упомянуть, что, согласно Ритчи и Калверту [124], прокаленная закись меди, присутствующая в виде тонкого слоя на металлической меди, также проявляет фотокатализ в окислении СО, если производится облучение ультрафиолетовым светом при 25°. Эти авторы отмечают, что добавление серы или сурьмы с образованием твердого раствора приводит к повыщению проводимости окисла, но к уменьшению фотоэффектов, хотя причина выбора именно этих добавок неясна. [c.361]

    Кеннеди, Ритчи и Маккензи [128] изучали фотоэффекты в системе кислород — двуокись титана и указали на протекание Б этом случае фотоадсорбции. Поглощение кислорода при 25° было обратимым и покрытие достигало величины примерно в один монослой. Было найдено, что соблюдается параболический закон и что скорость пропорциональна интенсивности света. Наиболее активным оказалось излучение ртутной дуги при [c.361]

    И что стадия II определяет скорость, следует заключить, что кажущаяся энергия активации реакции включает теплоту адсорбции процесса Ог (газ) = 02 (адс)- Если эта теплота уменьшается с заполнением, то существует возможность того, что для наблюдаемого процесса температурный коэффициент будет отрицательным при низких заполнениях, когда теплота адсорбции больше, и положительным при более высоких заполнениях. Такое направление изменений позволяет объяснить указанное противоречие, так как Ритчи и др. изучали фотоадсорбцию приблизительно при 50 мм давления, в то время как наши исследования были проведены при давлениях ниже 0,05 мм. Соответствие [c.362]

    Это может служить объяснением образования карбоксильных групп при разложении полиэтилентерефталата однако винильные группы в продуктах реакции не были найдены. Аллан и Ритчи [50] обнаружили недавно в продуктах распада этиленбензоата еще два продукта—окись углерода и ацетофе-нон, и предположили, что при повышенных температурах, при которых проводится реакция, винилбензоат претерпевает перегруппировку [c.119]

    В результате удалось показать, что адсорбционная способность поверхности определяется (при прочих равных условиях) концентрацией электронного и дырочного газа на поверхности кристалла. От этой концентрации зависит в то же время относительное содержание на поверхности слабой и прочной форм хемосорбции и тем самым реакционная способность хемосорбированных частиц. Показано, каким образом изменение этой концентрации, происходящее под влиянием освещения, приводит к изменению содержания прочной формы хемосорбции при неизменном содержании слабой формы, которое однозначно фиксируется заданным давлением. Таким путем освещение приводит к изменению относительного содержания на поверхности различных форм хемосорбции и тем самым к изменению адсорбционной способности и вместе с тем каталитической активности поверхности. В конечном счете действие света сводится, как показано, к изменению концентрации свободных валентностей поверхности, ответственных за хемосорбцию и ведущих каталитический процесс. Вычислено относительное изменение адсорбционной способности, как функции относительного изменения концентраций электронного и дырочного газов на поверхности кристалла. Установлены критерии фотоадсорбции и фотодесорбции. Обсуждены различные возможные механизмы поглощения света в кристалле. Кратко рассмотрен также вопрос о механизме фотокаталитических реакций (Шваб [4], Ритчи и Кальверт [5] и др.).  [c.60]

    Этот электрон решетки затем взаимодействует с кислородом согласно механизму, предложенному Гарнером и сотрудниками (см. стр. 325). Одновременное определение поверхности окиси меди, содержащей некоторое количество серы и сурьмы, и измерение электропроводности этих образцов позволили Ритчи и Колверту получить хорошее соответствие между скоростью образования Og на единице поверхности и электропроводностью, зависящей от количества добавленных серы и сурьмы. Они нашли, что максимальная скоррсть образования Og наблюдалась на чистой закиси меди. Полученная кривая электропроводности аналогична кривой скорости образования СО, (рис. 9), причем электропроводность имеет минимальное значение на чистой закиси меди. Авторы пришли к выводу, что при добавлении примесей электропроводимость возрастает, понижая, таким образом, несбалансированность заряда на поверхности, которую (несбалансированность) кристалл может поддерживать в стационарном состоянии. [c.339]


    Таким образом, чем ниже концентрации электронов на поверхности, тем ниже скорость фотохимического окисления. Ритчи и Колверт сообгцают, что они приступили к дополнительным исследованиям, чтобы получить данные, относящиеся к влиянию дефектов решетки на каталитические реакции, протекающие на поверхности. [c.340]

    Термопласты — основа разных быстросохнущих лаков (лаков, высыхающих только вследствие испарения разбавителей), образующих твердые пленки. Отсюда вытекает их относительно большая устойчивость к плесневению. Самые устойчивые смолы — инденовые и кумароновые, а также хлорированный каучук [65], для которых характерно образование твердых пленок, отличающихся малой проницаемостью и большой изоляционной способностью. О сопротивляемости виниловой смолы нет единого мнения. Недей [73] утверждает, что из виниловых смол полистирол и его сополимеры (нанример, с бутадиеном), виниловые сополимеры (сополимер винилхлорида с винилацетатом, сополимер винилхлорида с винилмалеатом), поливинилацетали и акриловые смолы значительно устойчивее к микроорганизмам, чем поли-винилацетат. Причиной этого является малая водостойкость поли-винилацетата. Ритчи [82] считает полистирол и поливинилхлорид устойчивыми смолами, а поливинилацетат — неустойчивой. Майер и Шмидт [66] в результате опытов установили, что поливинилацетат более устойчив, чем полистирол. Разногласия эти можно объяснить различием в методиках испытания (особенно применением различных испытываемых культур) и различным происхождением смолы. [c.150]

    Несколько более сложная, но зато построенная на более прочной физической основе — учете электроотрицательностей атомов мостиковой группировки, — схема априорной оценки рил предложена Загером и Ритчи [167]. Метод введен для оценки р в таких реакционных сериях, в которых отсутствует полярное сопряжение заместителей с реакционным центром. Его дополнительным достоинством является попытка учета влияния реакционной среды на величину р, сделанная в рамках следующего ниже рассмотрения этого вопроса. [c.69]


Смотреть страницы где упоминается термин Ритчи: [c.366]    [c.152]    [c.521]    [c.36]    [c.306]    [c.702]    [c.177]    [c.18]    [c.289]    [c.607]    [c.438]    [c.443]    [c.457]    [c.94]    [c.107]    [c.438]    [c.443]    [c.457]    [c.607]    [c.184]    [c.212]    [c.362]    [c.227]    [c.60]    [c.60]    [c.339]   
Основы химической кинетики (1964) -- [ c.301 ]

Клейкие и связующие вещества (1958) -- [ c.32 , c.300 , c.302 , c.303 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте