Степень пересыщения

Рассмотрим для примера состояние пересыщенного пара. Если в нем отсутствуют какие-нибудь частицы, которые могли бы служить центрами конденсации, то пар можно довести до значительной степени пересыщения без конденсации. Это происходит потому, что очень маленькая капелька жидкости, которая могла бы возникнуть, обладала бы большим давлением насыщенного пара, чем давление насыщенного пара над плоской поверхностью. При незначительном пересыщении пар не был бы насыщенным по отношению к этой капле и последняя стала бы в нем испаряться, а не расти. Если же в паре присутствуют частички пыли, то они могут служить центрами конденсации, и пар [c.360]

Одним из основных вопросов, решаемых при расчете кристаллизаторов, является описание кинетики кристаллизации, состоящей из стадий создания пересыщения, -образований зародышей и роста кристаллов. Она также зависит от перекристаллизации осадка, коалесценции и дробления кристаллов в результате столкновения между собой и со стенками аппарата. На кинетику массовой кристаллизации существенно влияют температура, степень пересыщения раствора, перемешивание, наличие примесей, физикохимические свойства раствора, конструкция аппарата и т. д. Детальное описание явлений и факторов, сопровождающих процессы массовой кристаллизации из растворов и газовых смесей, дано в монографии [17]. Важное значение имеет также описание условий равновесия между сосуществующими фазами (твердое вещество—жидкость, твердое вещество—газ (пар)). На основании условий фазового равновесия в первом приближении возможен выбор необходимого растворителя для процессов кристаллизации, а также перекристаллизации. [c.90]

Образование и рост кристаллов льда в обводненных топливах возможны только в переохлажденной или пересыщенной по отношению к кристаллизующемуся веществу (воде) среде. Степень пересыщения или переохлаждения среды целиком определяется температурой и химическим составом среды. [c.50]

Какие цели преследуют созданием определенных условий при осаждении кристаллических осадков Каковы эти условия Какую роль при осаждении играет а данном случае степень пересыщения раствора относительно осаждае мого сс единения [c.159]

С другой стороны, фазовое перенапряжение должно быть пропорционально степени пересыщения системы и [c.333]

При большой скорости охлаждения раствора уменьшение концентрации в нем парафина не будет успевать за снижением его растворимости, и высокая степень пересыщения, при которой может идти новообразование кристаллических зародышей, будет сохраняться более длительное время до тех пор, пока из раствора не выделится достаточное число кристаллов с развитой поверхностью, обеспечивающей в соответствии с уравнением (6. III) такую скорость снижения концентрации парафина, при которой дальнейшее новообразование зародышей сможет, наконец, прекратиться. Следовательно, при высокой скорости охлаждения из раствора выделится большое число мелких кристаллов. [c.111]

Прн десорбции концентрация растворенного газа в массе жидкости больше, чем у ее поверхности. При этом парциальное давление газа, соответствующее условиям равновесия с основной массой жидкости, выше его парциального давления у поверхности и при определенных условиях может быть даже больше общего давления у поверхности. Напрнмер, воду можно насытить двуокисью углерода при парциальном давлении последней в несколько десятков атмосфер, а затем внезапно уменьшить общее давление до атмосферного. Если, как в этом примере, разность между общим давлением у поверхности и давлением, равновесным с жидкостью, велика (т. е. велика степень пересыщения), то внутри жидкости образуются пузырьки, и большое количество газа будет выделяться, диффундируя к поверхности этих пузырьков. Такой процесс сильно отличается от процессов абсорбции, рассмотренных выше, где величина поверхности контакта фаз определялась исключительно внешними факторами, а не самим абсорбционным процессом. Количественная теория пузырьковой десорбции в настоящее время отсутствует. [c.264]

При умеренной степени пересыщения пузырьки не образуются, и газ десорбируется в результате диффузии к уже существующей поверхности, как это происходит и при абсорбции. Здесь снова следует отметить, что в настоящее время нет способа предсказать максимально допустимую степень пересыщения, при которой не происходит образования пузырьков. Однако, ясно, что, когда величина парциального давления, равновесного с массой жидкости, станет ниже общего давления у поверхности, образования пузырьков уже не будет (при относительно высоком давлении пара над жидкостью это условие следует отнести к сумме парциального давления газа, равновесного с массой жидкости, и давления пара над жидкостью). При этих условиях дальнейшая десорбция будет происходить лишь путем диффузии к обычной поверхности, определяемой внешними [c.264]

Горячий водный раствор вещества X непрерывно поступает в реактор смешения, снабженный холодильником. Интенсивность перемешивания достаточна, для того чтобы получающиеся в результате кристаллы были невелики и концентрация их была одинаковой во всем объеме реакционной смеси и на выходе из аппарата. В аппарате поддерживают стационарное пересыщение и постоянную температуру. Кристаллы зарождаются спонтанно, и скорость кристаллообразования зависит только от степени пересыщения и от температуры. Скорость роста кристаллов, которые с некоторым приближением можно рассматривать как сферические, также зависит только от степени пересыщения и температуры. В частности, линейная скорость роста кристаллов в направлении, перпендикулярном к их поверхности, не зависит от размера кристаллов. [c.132]

Степень пересыщения пара [c.169]

На примере получения кристаллов хромата свинца и фторида кальция найдено, что средний размер кристаллов монотонно уменьшается с возрастанием начальной степени пересыщения, определяемой произведением активностей собственных ионов осадка при этом в присутствии посторонних электролитов средний размер кристаллов практически линейно возрастает с увеличением ионной силы раствора. Для осадков гидроокисей кальция, бария и железа найдены условия получения, обеспечивающие уменьшение их удельного сопротивления. [c.208]

Прогнозирование склонности пластовой воды к выделению отложений гипса (солей вообще) по степени пересыщения С/Снас — качественное. На практике отмечаются случаи выпадения солей С/Снас<1, в частности, при интенсивном выпаривании растворителя у поверхности теплообменников. [c.232]

Испарение воды — восьмой фактор — приводит к прямому повышению концентрации солей и, следовательно, к увеличению степени пересыщения раствора. Этот фактор наиболее сильно сказывается на высокотемпературных промысловых объектах, таких, как погружной электродвигатель, теплообменные аппараты на установках подготовки промысловой продукции и т. д. Интенсивное выпаривание пластовой продукции может происходить и при низких температурах при газлифтном способе добычи нефти, так как [c.234]

В расчетах следует учитывать количество добавляемого ингибитора, так как оно влияет на объем раствора и, следовательно, на степень пересыщения. [c.240]

Различие степени пересыщения может влиять на направление процесса и на вид получаемых конечных продуктов. Так как наиболее устойчивая кристаллическая форма всегда обладает наименьшей растворимостью, то при повышении концентрации раствора прежде всего достигается состояние насыщения (затем пересыщения) именно в отношении этой формы. При дальнейшем повышении концентрации раствор вместе с тем может достигнуть насыщения (и пересыщения) и по отношению к более активным формам. В этих условиях легче могут образовываться кристаллы с различными дефектами структуры или становится возможным образование одной из метастабильных форм или начинается возникновение зародышей новой фазы (или новых фаз). В последнем случае, при возможности выделения вещества в двух кристаллических формах, преобладание той или другой из них в конечном продукте определяется соотношением скоростей процессов, а не термодинамической устойчивости этих форм. [c.361]

Наиболее знакомым примером является вскипание перегретой жидкости. Участок АВ кривой рис. 167) отвечает постепенному повышению степени пересыщения в результате изменения температуры или другим путем. При достижении такой степени пересыщения, при которой имевшиеся инородные частицы становятся способными служить центрами выделения или при которой достигается возможность самопроизвольного возникновения "зародышей новой фазы, процесс начинает протекать с быстро возрастающей скоростью (участок ВС), пока не будет исчерпано имевшееся пересыщение. [c.491]

В то время как лимитирующей стадией образования осадка является процесс на поверхности раздела, растворение осадка и его созревание по Оствальду, вероятно, лимитируются процессами диффузии [11]. Свободная энергия поверхности системы, содержащей частицы осадка различного размера, понижается за счет агломерации или созревания по Оствальду. Мелкие частицы находятся в равновесии с раствором при некоторой степени пересыщения Si, более крупные частицы — при более низкой степени пересыщения 52. В системе устанавливается пересыщение, промежуточное между 5i и S2, что ведет к растворению мелких частиц и дальнейшему росту более крупных. Агломерация является другим путем снижения общей поверхностной энергии. Скорость агломерации зависит от количества частиц и заряда их поверхностей. Для систем, содержащих менее 10 частица/мл, скорость агломерации незначительна даже при отсутствии заряда на частицах, а если заряд поверхностей частиц высок, то агломерации вообще не наблюдается. К числу стабилизируемых таким образом систем принадлежит коллоидный оксид кремния. [c.21]

Рис. 5.6. Зависимость критической степени пересыщения пара от скорости движения.

Степень пересыщения пара в ядре Потока в любом сечении на расстоянии X от входного сечения можно выразить в развернутом виде, используя зависимости (5.61) и (5.79), (5.81) или (5.83). Из (5.61) и (5.83), например, получаем [c.177]

Число зародышей (центров кристаллизации) т связано со степенью пересыщения С/Ср соотношением [c.100]

Необходимым условием для конденсации в объеме является наличие пересыщенного пара. В работе В. П. Дорогого и К. Н. Шабалина [5] приведены экспериментальные данные о снижении критической степени пересыщения ф р, при которой начинается объемная конденсация, с ростом скорости ПГС [c.7]

Продолжительность индукционного периода зависит от способа смешивания реагентов, их чистоты, степени пересыщения и не зависит от метода наблюдения. Критическая степень пересыщения Г] определяется отношением [c.88]

Р. Меры по уменьшению тумана. Склонность к возникновению и распространению тумана можно уменьшить следующими методами обеспечивать низкие степени пересыщения отсутствие пыли, выноса капель и ионов поддерживать перегрев (например, нагревом 117]) поддерживать малыми температурные напоры поддерживать высокой температуру поверхности конденсата обеспечивать малую толщину парогазовой пленкн, дающую небольшое время диффузии (образование тумана занимает время) увеличение турбулентности может, однако, уменьшать критическое пересыщение обеспечивать отсутствие вторичных веществ, которые уменьшают данление пара па капли или поверхностное натяжение предупреждать запотевание, если туман может возникнуть, для исключения уноса конденсата газом или паром, [c.363]

Важнейшим из этих условий является медленное прибавление осадителя, которое необходимо также и для получения более чистого осадка BaS04. Благоприятно сказывается и повышение растворимости осадка в процессе его формирования, так как уменьшается степень пересыщения раствора относительно осаждаемого соединения и оно выпадает в виде более крупных кристаллов. Поэтому при осаждении BaS04 к раствору добавляют небольшое количество соляной кислоты. [c.166]

Для флотационной очистки сточных вод нреимущественно применяют аппараты, в которых высокодиснерсные пузырьки воздуха выделяются из растворов при снижении давления. К таким аппаратам относятся вакуумные, напорные и эрлифт-иые. Напорная флотация наиболее иерснективна для очнстки сточных вод, так как позволяет регулировать степень пересыщения жидкости газом в соответствии с концентрацией ПАВ в сточной воде и требуемой степенью очнстки. [c.220]

По мнению авторов, денрессаторы, будучи веществами поверхностно-активными по отношению к парафину, оказывают тормозящее действие на развитие кристаллов и препятствуют образованию новых кристаллических зародышей. Вследствие этого повышается предельная степень пересыщения растворов парафина в период кристаллизации, не вызывающая появления новых, кристаллических зародышей, что приводит к укрупнению образующихся кристаллических структур и к уменьшению их числа на единицу объема раствора. При этом кристаллообразование начинает идти не в направлении свободного роста протяженных индивидуальных кристаллов, а путем дендритной (агрегатной) кристаллизации с образованием компактных кристаллических скоплений, не спаянных друг с другом в единую кристаллическую сетку и по этой причине не способных иммобилизовывать всю массу раствора, что сказывается в виде понижения температуры застывания данного продукта. [c.19]

По данным [15], переход растворенных солей в кристаллическое состояние и их отложение в призабойной зоне скважины происходят при степени пересыщения С/Снас = 1,01. В работе [10] отмечается, что при таких малых степенях пересыщения в пористых пластах многих месторождений формирование зародышей твердой фазы, например гипса, исключается, так как средний размер пор в 2—4 раза меньше критического радиуса кристаллов Са304-2И20. Но на практике возможно выпадение твердой фазы, так как пористая среда может способствовать образованию зародышей с радиусом меньшим, чем г р. [c.231]

Интенсивность выпадения гипса в осадок зависит от степени пересыщения им пластовой воды С/Снас. При этом фактическая концентрация гипса С равна концентрации того иона (03= +, 80 —), который присутствует в меньщем количестве. Равновесная концентрация раствора (насыщенного) Сна с определяется коэффициентом активности сульфата кальция Ки и концентрацией избыточного иона Сиэб - [c.232]

Не следует думать, что если возможны разные направления изменений данного вещества и образование продуктов, различных по устойчивости, преобладающим всегда будет то направление, которое ведет к наиболее устойчивому состоянию. То или другое направление процесса определяется в первую очередь соотношением скоростей параллельных процессов, а в большинстве случаев скорость зависит не столько от термодинамических параметров процесса, сколько от кинетических факторов. Поэтому очень часто процесс ведет к образованию продукта, который по термодинамической устойчивости занимает промежуточное место между исходными веществами и возможными продуктами взаимодействия, обладающими наибольщей устойчивостью в данных условиях. чЭто наблюдается и в химических реакциях и при фазовых переходах, например когда при кристаллизации из раствора (при достаточной степени пересыщения его) вещество выделяется в кристаллической форме, являющейся метастабильной для данных условий. [c.228]

Контактная стабилизация. В данном случае соленые стоки циркулируют через загруженный контактной массой фильтр, в котором происходит снижение степени пересыщения рассола накипеобразующими компонентами СаСОз и Mg(0H)2 вследствие их частичного осаждения на поверхности контактной массы. Контактная масса фильтра представляет собой зерна известняка. При таком методе весьма важно, чтобы время контакта соленой воды с контактной массой соответствовало скорости кристаллизации накипеобразователей. [c.15]

Морфология образующихся частиц зависит от целого ряда факторов, но наиболее важным является соотношение скоростей их зарожд ения и роста, которые в свою очередь в значительной степени зависят от пересыщения системы. Окончательный размер частиц определяется числом центров кристаллизации и скоростью осаждения вещества. Умеренно растворимые вещества, например карбонаты, обычно осаждаются в виде очень мелких частиц. При медленном, регулируемом росте умеренно растворимых солей можно получать монодисиерсные осадки. При высоких степенях пересыщения первичный критический центр кристаллизации может быть меньше размера элементарной ячейки решетки и начинает расти, не имея упорядоченной кристаллической структуры. Таким путем можно получать аморфные или частично кристаллизованные осадки [И]. При низких степенях пересыщения образуется хорошо сформированный кристаллический осадок, причем форма частиц зависит от структуры кристалла и от процессов, преобладающих на поверхности раздела фаз в ходе роста. На морфологию осадка сильно влияет скорость роста кристаллов. При низких скоростях образуются компактные кристаллы, форма которых соответствует кристаллической структуре. Ионы в растворе вблизи поверхности раздела кристалл — жидкость играют важную роль в модификации формы кристалла. При высоких степенях пересыщения нередко образуются объемистые осадки с дендритными частицами. При еще больших уровнях пересыщения получаются очень мелкие частицы, способные к агломерации или образованию золей. [c.19]

Степень пересыщения, при которой начинается объемная конденсация пара, 5 называется критической и обозначается Фкр. Она зависит от физических свойств пара, его концентрации в смеси и от наличия в парогазовой смеси центров конденсации. Согласно исследованиям Фоль-мера и Флоода [196], величина критической степени пересыщения для различных веществ колеблется в широких пределах (от 2,8 до 12,3). Дорогой и Шабалин [67] экспериментально установили, что величина фкр существенно зависит также от скорости парогазовой смеЬи. [c.169]

Строго говоря, при ф > 1 пар является пересыщенным, при ф = 1 — насыщенным, при ф < 1 — ненасыщенным Однако независимо от этого в дальнейшем величину ф будем ндз ыйзть степенью пересыщения пара. [c.169]

Вычислив по уравнению (5.89) величину Гмакс и подставив ее. в уравнение (5.88), найдем максимально возможную в аппарате степень пересыщения. Если окажется, что фмакс < фкр, то это указывает на отсутствие условий для объемной конденсации пара. При фмакс фкр образование тумана в ядре парогазового потока возможно. [c.178]

Вследствие затруднений, возникающих при выделении из раствора твердой фазы и отложении ее на поверхности имеющихся кристаллов, а также препятствий, мешающих образованию и развитию новых центров кристаллизации, степень пересыщенности [c.91]

Теоретические основы аналитической химии 1987 (1987) -- [ c.126 ]

Теоретические основы типовых процессов химической технологии (1977) -- [ c.483 ]

Технология минеральных удобрений и кислот (1971) -- [ c.59 , c.278 , c.291 ]

Аналитическая химия (1980) -- [ c.236 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (1968) -- [ c.451 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.620 ]

Кристаллизация в химической промышленности (1979) -- [ c.15 , c.92 , c.93 , c.174 ]

Основные процессы технологии минеральных удобрений (1990) -- [ c.45 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология