Новые материалы тугоплавкие

Высокая термостойкость, химическая устойчивость и тугоплавкость ситаллов позволяют использовать их для производства труб, теплообменников и т. д. Использование этого нового материала для изготовления труб является задачей больщого народнохозяйственного значения. [c.227]

При автоэлектронной эмиссии вырывание электронов из катода осуществляется полем. Поэтому напряженность поля в прикатодной области, а значит, и плотность положительного пространственного заряда должны быть еще выше. Соответственно и плотность тока должна быть больше, что возможно лишь при больших плотностях газа и пара. Поэтому образование дуги с холодным катодом связано всегда с испарением материала катода. Образование дуги с автоэлектронной или термоэлектронной эмиссией в каждом отдельном случае зависит от того, какой вид эмиссии при разогреве катода начинается раньше. У тугоплавких металлов испарение материала начинается тогда, когда уже установилась развитая термоэлектронная эмиссия. У материалов с низкой температурой испарения она достигает значительных величин раньше, чем появляется термоэлектронная эмиссия, и поэтому начинает действовать механизм автоэлектронной эмиссии. В анодной области образуется сравнительно мало новых заряженных частиц, и большинство попадающих на анод электронов приходит из области столба дуги. [c.30]

Высокочастотный синтез позволяет нагревать исходные вещества равномерно по всему объему, что обеспечивает равномерность синтезируемого материала и по химическому, и по фазовому составу. Поскольку нагрев — прямой, имеются по крайней мере две возможности регулирования скорости и температуры нагрева регулированием электрической мощности и расхода реагентов. Возможность регулировать температуру по всему объему химически реагирующей нагрузки высокочастотного генератора позволяет регулировать кристаллическую структуру продукта и его морфологию (выгружать в виде рыхлой губки, оплавленного или плавленного блока). Кроме того, прямой способ нагрева при высокочастотном синтезе дает возможность получать продукт, уровень чистоты которого по примесям по крайней мере не ниже чистоты сырья. Это преимущество, как и предыдущие, обеспечивает высокое качество тугоплавкого материала и изготовленных из него керамических изделий, что особенно важно для приложений в атомной энергетике, космической технике и в других новых областях современной техники. [c.410]

Сочетание атомов углерода разных гибридных состояний в единой полимерной структуре порождает множество аморфных форм углерода. Типичным примером аморфного углерода является так называемый стеклоуглерод. В нем беспорядочно связаны между собой структурные фрагменты алмаза, графита и карбина. Его получают термическим разложением некоторых углеродистых веществ. Стеклоуглерод — новый конструкционный материал с уникальными свойствами, не присущими обычным модификациям углерода. Стеклоуглерод тугоплавок (остается в твердом состоянии вплоть до 3700°С), по сравнению с большинством других тугоплавких материалов имеет небольшую плотность (до 1,5 г см ), обладает высокой механической прочностью, электропроводен. Стеклоуглерод весьма устойчив во многих агрессивных средах (расплавленных щелочах и солях, кислотах, окислителях и др.). Изделия из стеклоуглерода самой различной формы (трубки, цилиндры, стаканы и пр.) получают при непосредственном термическом разложении исходных углеродистых веществ, в соответствующих формах или прессованием стеклоуглерода. Уникальные свойства стеклоуглерода позволяют использовать его в атомной энергетике, электрохимических производствах, для изготовления аппаратуры для особо агрессивных сред. Стекловидное углеродистое волокно, обладая низким удельным весом, высокой прочностью на разрыв и повышенной термостойкостью, может найти применение в космонавтике, авиации и других областях. [c.450]

При некоторых процессах, например при получении тугоплавкого Реи , получаемый материал удается расплавить и поддерживать в жидком состоянии только в небольшой зоне у электродов. Здесь очень трудно добиться выпуска продукта из печи, и плавку ведут так называемым блок-процессом. Расплавление происходит в небольшой зоне у электродов, причем расплав быстро затверде1вает. Новые порции шихты, подаваемые в печь, расплавляются, слой за слоем наращивая так называемый блок до заполнения всей шахты печи. После этого печь останавливают, блок извлекают из печи, охлаждают и разделывают, т. е. разбирают и дробят. Годный материал идет по назначению, а не-прореагировавшую и лолурасплавленную шихту возвращают в печь. [c.117]

Его получают термическим разложением некоторых углеродистых веществ. Стеклоуглерод — новый конструкционный материал с уникальными свойствами, не присущими обычньщ модификациям углерода. Стеклоуголерод тугоплавок (остается в твердом состоянии плоть до 3700 °С), по сравнению с большинством других тугоплавких матералов имеет небольшую плотность (до 1,5 г/см ), обладает высокой механической прочностью, электропроводен. Стеклоуглерод весьма устойчив во многих агрессивных средах (расплавленных щелочах и солях, кислотах, окислителях и др.). Изделия из стеклоуглерода самой различной формы (трубки, цилиндры, стаканы и пр.) получают при термическом разложении углеродистых веществ или прессованием стеклоуглерода. Уникальные свойства стеклоуглерода позволяют использовать его в атомной энергетике, электрохимических производствах, при изготовлении аппаратуры для особо агрессивных сред. Стекловидное углеродистое волокно, обладая низкой плотностью, высокой прочностью на разрыв и повышенной термостойкостью, применяется в космонавтике, авиации и других областях. [c.428]

Для удаления кислорода, содержащегося в естественном газе, последний смешивают с веболыиими количествами воздуха и пропускают через пористый тугоплавкий материал при 800° и выше. Смесь газов, содержащую окись углерода и водород (вещества, более реакционноспособные по отношению к кислороду, чем насыщенные углеводороды), смепгивают с новой порцией естественного аза и полученную смесь пропускают над металлическим ката.лизатором (желе- )м или медью) при 400—500°. В этой последней фазе кислород, содержащийся в естественном газе, реагирует с окисью углерода и водорода и таким образом удаляется. При этом процессе удаляется также и.меющийся в естественном газе сероводород. [c.1062]

При применении метода вспышки большое значение имеет выбор материала и конструкции испарителя. Испаритель должен работать при температурах порядка 2000° С без испарения самого вещества испарителя и несильно реагировать с испаряемым веществом. Для этих целей используют плоские ленты тугоплавких металлов, нагреваемые электронной бомбардировкой. При этом испаряемое вещество подается в виде проволоки [114, 257]. Вильсон и Терри [264] испаряли порошки методом вспышки с вольфрамового диска, нагреваемого электронной бомбардировкой. Наиболее общим методом является, однако, испарение из прямовакальных испарителей из тугоплавких металлов. Простейшим испарителем является плоская вольфрамовая лента толщиной 125 мкм, которую можно легко изготовить и заменить для нового эксперимента. Последнее соображение является немаловажным, поскольку вольфрам сплавляется с большинством из веществ, приведенных в табл. 15, и время жизни испарителя ограничено. В случае — соединений, для которых требуются более низкие [c.131]

Рассматривая последние достижения в области тугоплавких волокон, следует упомянуть о новом негорючем органическом материале плутон, полученном фирмой Миннесота Майнинг Ману-фекчеринг Компани . Этот материал отличается от тканей, которым придана огнестойкость химическим путем (например, от целлюлозных тканей) тем, что он под действием пламени пропановой горелки сохраняет гибкость и лишь незначительно теряет прочность. Кроме того, этот материал не плавится, не обладает электропроводностью и не содержит элементарного углерода . [c.234]

При наиболее старом и еще широко используемом методе Бриджмена расплав и растущий кристалл находятся или в тигле (рис. 6.5, а) или в лодочке (рис. 6.5, б). Тигель или лодочка, изготовленные из более тугоплавкого материала, чем вещество кристалла, заполняется поликристаллическим материалом, П02ме-щается в печь и нагревается до температуры выше точки плавления. Затем тигель с расплавом охлаждают так, чтобы кристаллизация начиналась с заостренного конца. Поскольку объем расплава, находящийся в конусообразной части тигля, невелик, то вероятность образования одного центра кристаллизации увеличивается. Дальнейшее охлаждение проводят так, чтобы изотермическая поверхность, близкая к точке плавления вещества, перемещалась от конца тигля вверх через весь расплав. При этом происходит рост зародыша или зародышей, возникших в заостренном конце тигля в результате получается слиток, повторяющий форму и размер тигля. Слиток будет монокристаллическим, если в заостренной части тигля спонтанно образовался единственный зародыш. Чаще возникает несколько зародышей, но при их дальнейшем росте некоторые из них постепенно выклиниваются, и в направлении температурного градиента, совпадающего с осью тигля, растут одно или несколько крупных монокристаллических зерен. Процессы зарождения и роста, по существу, являются неконтролируемыми и зависят от природы и качества изготовления тигля, от формы фронта кристаллизации и всевозможных изменений условий роста. Если расплав хорошо смачивает материал тигля, то в любой момент роста могут возникнуть новые зародыши у стенки тигля, которые нарушают структуру растущего слитка. [c.288]

Соединения индия, галлия, алюминия, бора с азотом, фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом являются интерметаллическими, но, как правило, со строгим атомным соотношением 1 1. Излишек одного из компонентов в расплаве выделяется при затвердевании в виде второй фазы. Эти соединения в совокупности обладают более широкой гаммой полупроводниковых свойств, чем вещества IV группы, и у них наблюдаются новые, прежде неизвестные свойства. Ширина запрещенной зоны этих веществ лежит в пределах от 0,17 (InSb) до 2,25 эв (GaP), что позволяет использовать некоторые из них в высокотемпературных приборах. Арсенид галлия —более перспективный материал для солнечных батарей, чем кремний. Будучи почти таким же тугоплавким, он имеет в полтора раза большую ширину запрещенной зоны и почти в три раза большую подвижность основных носителей тока. Он работает как полупроводник в интервале от минусовых температур до 500°. Это эффективный полупроводниковый источник света для ближней инфракрасной области, а фосфид галлия — для красной и зеленой области спектра. Многое обещают преобразователи солнечной энергии на основе фосфида индия. [c.187]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология