Разрезы тройной системы бинарный

Рис. 60. Изотермические разрезы в тройной системе с двойным химическим соединением АВ и бинарным сечением АВ—С

Наиболее важным вопросом является нахождение системы бинарных разрезов. Это достигается изучением равновесия по вертикальным сечениям, проходящим через линии, соединяющие на концентрационном треугольнике составы двух наиболее выраженных химических соединений в двойных системах и фигуративные точки чистых компонентов. Все это будут разрезы с постоянным отношением по крайней мере двух из реагирующих веществ. Другой тип разрезов — изоконцентраты, т. е. разрезы с постоянным содержанием одного из компонентов и, следовательно, постоянным содержанием суммы двух других компонентов. Частным случаем такого рода разрезов являются линии, соединяющие составы двух соединений с одинаковой химической формулой. Изоконцентраты особенно удобны для выявления характера влияния на равновесие двойной системы добавок третьего компонента. Они также отражают влияние образования химического соединения в какой-либо двойной системе на свойства тройной системы в поле третьего нейтрального компонента. [c.69]

В тройной системе возможны реакции различного типа. Их протекание, как мы видели в предыдущем разделе, отражается характером всех элементов диаграммы состояния — поверхностью первичного выделения фазы, линиями моновариантного равновесия выделения двух фаз, системой бинарных разрезов, а также диаграммами состав—свойство. [c.89]

Во многих тройных системах обнаруживается непрерывный ряд твердых растворов между двойными соединениями. Это бывает, когда соединения изоморфны, имеют один общий компонент и одинаковый характер химической связи. Большой материал, освещающий экспериментальные исследования по этому вопросу, приведен в монографии Корнилова [374], посвященной диаграммам состояния железных сплавов. Например, в системе Ре—Сг—V [375] разрез с 50 ат.% Ге — бинарный, образован двумя соединениями РеСг и РеУ (рис. 55, а). Для диаграммы твердости и в закаленном, и в отожженном состоянии наблюдаются пологие диаграммы, характерные для твердых растворов (рис. 55, б). Однако для закаленных сплавов выпуклость кривых состав—свойство обращена к оси состава. [c.93]

Полученные цифровые данные сведены в табл. 4 и изображены на рис. 6. Как показывает этот рисунок, проекции изотерм данной тройной системы действительно пересекаются, причем точка пересечения отвечает содержанию 9.6% воды и попадает на разрез бинарной смеси, состава 73% хинолина и 27 /о анилина. Таким образом, трехкомпонентная система хинолин—вода—анилин подтверждает случай 1,в. [c.775]

Как показывают общий вид диаграммы плавкости (рис. 47, а) и изотермы фазового распределения (рис. 47, б), особенностью системы А1—Mg—Zn является отсутствие в полной мере бинарных сечений, что связано с преимущественным участием в равновесии бертоллидов — фаз р и у системы А1— и тройной фазы Т системы А1—Mg—Zn. Поле первичной кристаллизации последней системы занимает большую часть концентрационного треугольника. Фаза Т дает псевдобинарные разрезы с алюминием, магнием и большинством соединений двойных систем. [c.80]

Реакция вытеснения (замещения). Из реакций вытеснения наиболее типичны в конденсированных системах металлургические реакции осаждения того или другого металла. Согласно ряду активностей, каждый вышестоящий металл вытесняет из соли нижестоящий металл. Выражением этого является бинарный разрез — стабильное сечение тройной или более сложной системы. От степеней стабильности этого разреза зависят степень сдвига равновесия и выход реакции, а следовательно, чистота получаемого металла. Минимальное, так сказать законное , количество примесей определяется составом двойной эвтектики в случае сплавов, расположенных на бинарном сечении, или тройной — на любом другом произвольном сечении. Примеси, входящие в состав двойных и тройных эвтектик, подлежат удалению отгонкой, избирательным окислением (выжиганием), электролитическим осаждением и др. [c.157]

Остановимся еще на линии S . С одной стороны, она отвечает двойной системе S—С, а с другой — разрезу (или сечению) тройной системы А—В—С. Такие разрезы тройной системы, которые представляют собой двойные системы, называются квазибинарными разрезами, или квазибинар-ными сечениями. Слово квази означает как будто , как бы следовательно, квазибинарное сечение — это как бы бинарное, т. е. как бы двойное сечение. На самом ж деле оно является вовсе не как бы двойным, а настоящим двойным сечением, поэтому правильнее было бы называть такие сечения не квазибинарными, а просто бинарными. Однако термин квазибинарное сечение уже настолько укоренился, что трудно заменить его другим- [c.204]

При наличии в бинарных системах, кроме фаз Лавеса, соединений с другой кристаллической структурой, более термодинамически устойчивых, возможны случаи, когда две бинарные фазы Лавеса не будут находиться в равновесии друг с другом. Возможно, такой случай наблюдается в системе Ъг— НГ— N1 [26], гдена разрезе при 66,7 ат.% N1 тройных соединений со структурой фаз Лавеса не обнаружено, хотя в двойных системах 2г— N1 и НГ — N1 обнаружены фазы Лавеса со структурой П8]. Вопрос о фазе Лавеса 2гЫ12 в тройных системах с участием этой фазы требует дополнительного исследования и обсуждения, поскольку очень часто эта фаза не обнаруживается в соответствующих системах, например 2г—№ [6]. [c.174]

Метод термографического исследования описан ранее [ ]. При исследовании тройной системы, как и при исследовании бинарных, содержащих СгС1з1 ], наблюдаются большие переохлаждения, в связи с чем поверхность ликвидуса выявлялась нами по кривым нагревания. Результаты исследования тройной системы и ее бинарных разрезов представлены в табл. 1 — 3 и на рис. 1—5. При построении рис. 1 использованы данные для двой ных систем, полученные в работах [ > [c.140]

Тройная система Аз—Зе—Оа по псевдобинарному разрезу /пОаАз—(1—т) ОагЗез была изучена в работе [145]. Авторы пришли к заключению, что система Аз—Зе—Оа представляет собой ряд твердых растворов замещения. В зависимости от соотношения бинарных компонентов в этой системе получен целый ряд новых кристаллических полупроводниковых материалов с электропроводностью, изменяющейся в широких пределах [146]. [c.102]

Системы — — где Л -2п, Сс1, Hg В -М, Р, Аз, 5Ь, В1 С — О, 5, 5е, Те, в литературе не описаны. Имеются лишь отрывочные и часто противоречивые сведения, носящие препаративный характер, о возможности получения некоторых соединений этих систем как солей тиокислот [3,6—11], а также теоретические предпосылки для получения тройных соединений типа А ВгС г , А Сэ , А ВгСе как аналогов бинарных соединений, родственных цинковой обманке [4]. Однако исследование разреза 2п5—АззЗд тройной системы 2п—Аз—5, на котором расположены и соединения указанных типов, не привело к их получению при синтезах из лигатур и элементарных компонентов [13]. Отрицательные результаты получены и нами при исследовании разрезов 2п5—РаЗд, С(15—Р255 синтезами из элементарных компонентов и лигатур. [c.235]

Трехкомпонентная система изучалась политермическими разрезами через ее призму. Всего было сделано 6 разрезов, идущих с ребра воды на грань двойной системы бензойная кислота—салициловая кислота с содержанием последней 20, 40, 60, 77, 6 и 80%. Полученные цифровые данные собраны в таблице некоторые из разрезов изображены на рис. 1, а, б, в. Начиная от двухкомпонентной системы бензойная кислота-вода до разреза б, политермы имеют стабильную кривую расслаивания, все более приближающуюся к кривой кристаллизации. В разрезе б они соприкасаются, и от него область расслаивания все глубже переходит в метастабильную область, доходя до двойной системы салициловая кислота—вода. Таким образом, в изучаемой тройной системе действительно осуществляется непрерывный взаимный переход между стабильной и метастабильной областями расслаивания бинарных систем. Как показывает рис. 1, этот переход происходит через точку касания поверхности расслаивания с поверхностью кристаллизации в тройной системе. Разрез с касанием б попадает в гомогенной двойной системе на смесь, содержащую 22.4% бензойной кислоты и 77.6% салициловой кислоты, а точка касания Кр. содержит в нем [c.144]

Линии О / и НК (см. рис. 174) в бинарных системах указывают на равновесие между твердыми растворами А я В, г также А н С соответственно. Легко понять, что в тройной системе каждая из них развивается в поверхность растворимости в твердом состоянии и что изторемическое сечение диаграммы обнаружит двухфазные области, пересеченные конодами точно так же, как в случае ликвидус и солидус. Таким образом, изотермический разрез тройной диаграммы имеет большое значение, так как на нем виден состав фаз, находящихся в равновесии при данной температуре. [c.318]

Рассмотрим подробнее данные о тройных эвтектиках в связп с вопросом о возможности априорной оценки концентрационных областей их расположения по данным о бинарных системах. На рис. 5 в концентрационном треугольнике представлено расположение соединений (точки М), бинарных разрезов, бинарных и тройных эвтектик (точки ешЕ). Напомним, что, согласно развитым ранее [ ] представлениям о факторах, влияюш,их на положение тройных эвтектик в концентрационном треугольнике, эвтектика простой системы или какой-либо подсистемы должна а) располагаться внутри концентрационного треугольника, соответствуют составам отвечаюш их ей бинарных эвтектик или минимумов температур кристаллизации бинарных твердых растворов б) по сравнению с какой-либо бинарной эвтектикой, сопряженной с рассматриваемой тройной, последняя должна быть относительно богаче тем компонентом бинарной эвтектики, который с третьим компонентом образует систему с более выраженными положительными отступлениями от законов идеальных растворов в твердой фазе. [c.143]

Наиболее яркое свое выражение метод третьего компонента находит в области стехиометрических отношений компонентов при переходе от одних соединений к другим, более слон ным. Поскольку состав тройных соединений определяется составом двойных соединений, существование бинарного разреза, проходящего через состав тройного соединения, может указывать на химическую природу двойного соединения, принимающего участие в равновесии АВ + С АВС. Например, как мы видели, существование бинарного разреза ] g—СиХп позволяет рассматривать р-фазу системы Си—2п кат соединенна Си2п, что подтвер кдается появлением хребта поля фазы р, совпадающего с сечением Mg—Си2н, по мере добавления магния и приближения к точке (см. рис. 44). [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология