Барий структура электронных слоев

Общая характеристика подгруппы. Главную подгруппу второй группы составляют следующие элементы бериллий, магний, кальций, стронций, барий, радий. Каждый элемент подгруппы занимает второе место в своем периоде, непосредственно следуя за щелочным металлом. В наружной электронной оболочке их атомов находятся два -электрона пз , щеп — номер периода). Электроны соседнего слоя образуют структуру, характерную для наружного слоя ближайшего инертного газа, и поэтому не могут участвовать в химической связи. Такая структура электронной оболочки допускает проявление только положительной валентности, равной двум. Важнейшие свойства атомов этих элементов и образуемых ими простых тел даны в табл. XV- . [c.224]

За щелочным металлом в каждом периоде следует элемент главной подгруппы II группы периодической системы. Это металлы бериллий, магний, кальций, стронций, барий и радий (табл. 18), Атомы всех этих элементов имеют на внешнем электронном слое два электрона, а не один, как щелочные металлы. В остальном каждый из них повторяет электронную структуру предыдущего щелочного металла. Они могут легко отдавать два валентных электрона, превращаясь в двухзарядные положительные ионы. По химической активности все элементы главной подгруппы II группы, за исключением бериллия, лишь немного уступают щелочным металлам. В ряду напряжений они стоят сразу же за щелочными металлами. Их активность возрастает с ростом радиусов атомов, от бериллия к барию и радию. Если бериллий и магний, покрываясь нерастворимой пленкой окис- [c.251]

Структура группы. Ко II группе относятся металлы бериллий, магний, кальций,стронций, барий, радий, с одной стороны, я цинк, кадмий, ртуть — с другой. Атомы их на внешнем слое содержат по 2 электрона. Поэтому они способны образовать положительно двухвалентные ионы и окислы общей формулы НО. Отрицательные ионы неизвестны. В образовании ионов электроны ближайшего внутреннего слоя не участвуют. [c.410]

Шестой период, как и пpeдыдyш e, начинается с двух й-элементов (цезий и барий), которыми завершается заполнение орбиталей с суммой (п + 1), равной 6. Теперь, в соответствии с правилами Клечковского, должен заполняться подуровень 4/ (тг = 4, = 3) с суммой (п + 1), равной 7, и с наименьшим возможным при этом значении главного квантового числа. На самом же деле у лантана (2 = 57), расположенного непосредственно после бария, появляется не 4/-, а 5 -электрон, так что его электронная структура соответствует формуле 15 25 2р 3з 3р 3 °4й 4р 4с °55 5р 5 б5 . Однако уже у следующего за лантаном элемента церия (2 = 58), действительно, начинается застройка подуровня 4/, на который переходит и единственный 5с -электрон, имевшийся в атоме лантана в соответствии с этим электронная структура атома церия выражается формулой 15 25 2р 3з 3р 3й °45 4р 4 °4/ 55 5р б5 . Таким образом, отступление от второго правила Клечковского, имеющее место у лантана, носит временный характер начиная с церия, происходит последовательное заполнение всех орбиталей 4/-подуровня. Расположенные в этой части шестого периода четырнадцать лантаноидов относятся к f-элементам и близки по свойствам к лантану. Характерной особенностью построения электронных оболочек их атомов является то, что при переходе к последующему /-элементу новый электрон занимает место не во внешнем (га = 6) и не в предшествующем (п = 5), а в еще более глубоко расположенном, третьем снаружи электронном слое (п = 4). [c.69]

Одинаковая структура наружных электронных слоев у атомов элементов подгруппы бериллия обусловливает ряд их общих свойств. Все они в свободном состоянии серебристо-белые металлы, более твердые, чем щелочные металлы. Химически довольно активны. На воздухе окисляются, образуя окислы основного характера состава КО. Взаимодействуя с водой, образуют основания состава К(ОН)а, например Mg(0H)2, Са(ОН)а и т. д., менее растворимые в воде, чем гидроокиси щелочных металлов. Растворимость гидроокисей возрастает в подгруппе от бериллия к радию. В такой же последовательности изменяются основной характер и химическая активность гидроокись бериллия амфотерна, гидроокись бария—сильное основание. [c.356]

Размер кристаллитов бария (/ = 0,02 мк) определен с помощью электронного микроскопа (позже в аналогичном случае найдено I = = 0,04 мк [Л. 98]). Поскольку толшина пленки составляет около 0,06 мк, эти значения не могут быть слишком завышенными. С другой стороны, учитывая плотную структуру и блестящий вид слоя бария, едва ли следует ожидать меньших размеров кристаллитов (I = 0,004 мк принимают, например, для платиновой черни). [c.57]

Металлы П группы по химическим свойствам делятся на две подгруппы 1) главная — подгруппа бериллия в нее входят бериллий, магний, кальций, стронций, барий и радий 2) побочная—подгруппа цинка в нее входят цинк, кадмий и ртуть. Различие между указанными подгруппами связано с различием в структуре второго снаружи электронного слоя этот слой у атомов подгруппы бериллия (кроме самого бериллия) содержит 8 элек-тронов а у атомов подгруппы цинка — 18 (см. таблицу в 8 настоящей главы). В этом отношении наблюдается аналогия с металлами I группы. [c.410]

Наличие в периодах вставных декад приводит к тому, что типичные металлы отделены от типичных неметаллов не 5, а 15 элементами. Вследствие этого соседние элементы в больших периодах (IV и V) отличаются по химическим свойствам гораздо меньше, чем в малых периодах (П и III). В VI периоде вставная декада начинается с лантана. Однако в дальнейшем в атомах четырнадцати элементов от церия по лютеций происходит заполнение 4/ -орбиталей. Только после этого заполняются оставшиеся 5 -орбитали. Таким образом, название декада в этом случае условное, так как от бария до таллия размещается не 10, а 24 элемента. Аналогично построен незавершенный VII период. Для него известны только два элемента вставной декады актиний и курчатовий. Стоящие рядом f-элeмeнты очень мало отличаются друг от друга по химическим свойствам. Это объясняется тем, что различие в электронных структурах [-элементов наблюдается, главным образом, в третьем снаружи электронном слое. [c.36]

В основном состоянии атомы щелочноземельных металлов имеют структуры внешнего электронного слоя типа ns и нульвалентны. Возбуждение их до двухвалентного состояния может идти по схемлм . ns - nsnp или ns ns(n — )d (где п — главное квантовое число внешней оболочки). Как видно из рис. XI1-50, соответствующие энергетические уровни расположены у бария иначе, чем у других элементов рассматриваемой подгруппы. Последовательные энергии ионизации щелочноземельных металлов приводятся ниже (эв) [c.164]

Пленки бора получают различными методами, из которых следует отметить метод термического разложения трихлорида бора в присутствии водорода с осаждением на нагретую до 997—1017 °С грань <111> р-кремния, метод вакуумного испарения и конденсации на нагретую до различных (20—797°С) температур подложку из плавленого кварца, слюды, каменной соли, сапфира или стекла, метод электронно-лучевого испарения и конденсации в вакууме 1,33-10- Па иа подложки из тантала илн ниобия (с подслоем йз вольфрама, хлористого бария или без подслоя), разогретые до 297—1197°С, и т. п. Ультрачистые пленки бора получают расплавлением и испарением капли на вертикальном стержне бора. Варьируя температуру капли от 697 до 2497 °С, можио изменить скорость испарения в широких пределах, управляя таким образом скоростью осаждения бора на подложке и совершенством образующихся пленок. Известен также способ получения пленок путем мгновенного охлаждения из жидкости. Применяют следующие схемы закалки прокатка жидкой капли, центрифугирование и захлопывание летящей капли двумя медными шайбами и т. д. Кристаллическое строение пленок бора определяется условиями кристаллизации. Так, пленкк, получаемые методом термического разложения трихлорида, имеют главным образом моно- и поликристалличсское строение, методом вакуумного испарения —в основном аморфное при применении в качестве подложек кремния и сапфира строение пленок зависит от температуры подложки — до 797 °С аморфное, при температуре до 897 "С кристаллическое и т. д. При получении пленок путем закалки из жидкой фазы скорости охлаждения составляют Ю —10 с-, а толщина пленок 40—120 мкм. В этом случае пленки имеют преимущественно кристаллическое строение для получения аморфного бора необходимы более высокие скорости. Метод осаждения бора из газовой фазы на подложку используют также для получениях борных нитей. В этом случае осаждение производят иа сердечник из вольфрама диаметром 15—16 мкм, толщина получаемого при этом борного слоя составляет до 50 мкм. В процессе осаждения происходит борирование вольфрама подложки и образуются бориды различного состава. В борном слое обнаружены аморфная и а- и Р-модификации, имеющие монокрнсталли-ческое строение с размерами кристаллитов 2—3 нм. Заметное влияние иа структуру бора оказывают примеси, попадающие в слой из газовой фазы или подложки. Так, присутствие углерода способствует образованию тетрагонального бора вместо Р-ро.мбоэдрического. [c.149]

При нагреве катода до высоких температур барий восстанавливается из окиси и диффундирует в оксидном покрытии к поверхности катода. Связывание кислорода атомами присадки, т. е. процесс активирования присадками, проходит на границе между керном и оксидным покрытием. Токоотбор с катода вызывает удаление из оксидного покрытия ионов кислорода в результате их диффузии сквозь оксид под действием электрического поля. Скорости активирующих процессов возрастают с ростом температуры, однако при высоких температурах (выще 1000°С) скорости дезактивирующих процессов, таких, как испарение окиси бария с катода, спекание оксида и образование крупнокристаллической структуры, резкое увеличение сопротивления промежуточного слоя, превышают скорости процессов активирования. Оптимальный режим активирования, заключающийся в выборе величин температурно-временной обработки катода и значений токоотбора с него, зависит от применяемых материалов для керна катода, оксида и режима предыдущей обработки на откачке. В связи с тем, что основной процесс активирования катода на тренировке осуществляется за малое время (минуты), его иногда называют кратковременной тренировкой в отличие от длительного процесса стабилизации параметров, носящего название длительной тренировки. Основной мерой борьбы с нестабильностью параметров является уменьшение газосодержания деталей арматуры и очистка их от окислов и других химических соединений. При работе благодаря нагреву и электронной бомбардировке электродов адсорбированные газы (углерод и продукты разложения окислов) выделяются во внутреннем объеме, снижая вакуум, а отравление катода возрастает со снижением вакуума и резко уменьшается с ростом температуры катода. Так как газопоглотитель работает медленно, то в начале процесса очистки электродов повышают температуру катода для уменьшения возможности отравления катода, а затем снижают по мере очистки и повышения вакуума до нормальной температуры в конце очистки. Очистка электродов проводится в режиме перегрузки по рассеиваемой мощности и напряжениям. Перегрузка электродов по температуре в режиме тренировки обычно составляет не менее 100—200°С. Очистка электродов сопровождается дальнейшим активированием катода. Для импульсных и долговечных ламп, у [c.281]

Систематические исследования процесса механохимической привитой полимеризации мономеров на различных твердых поверхностях [383] позволили установить ряд общих закономерностей, на основе которых предложен механизм процесса прививки. Прививка осуществлялась в процессе диспергирования грубодисперсных порошков (карбонат кальция, сульфат бария, ионные монокристаллы Na I, LiF, СаРг оксиды магния и железа, графит, аморфные стекла, кварц, металлы, полимеры) в вибромельнице в присутствии мономера на воздухе или на порошках и сколах монокристаллов, получаемых на воздухе или в аргоне, с последующим совмещением образца с мономером (стирол, метилметакрилат). При этом было установлено, что степень прививки количественно зависит от природы поверхности, а сам процесс прививки не обнаруживает специфичности и протекает на различных по структуре и химическим связям поверхностях твердых тел. Образование наряду с привитым полимером гомополимера не связано с полимеризацией, а является следствием отрыва и перехода в раствор части слоя сформировавшихся привитых макромолекул. Некоторая часть гомополимера может образоваться в результате радиационного воздействия электронной эмиссии, проявляющейся лишь при диспергировании наполнителя непосредственно в присутствии мономера. Пост-эффект в инициировании полимеризации сохраняется в течение длительного времени, на несколько порядков превышающего продолжительность эмитирования электронов. [c.218]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология