Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Засветка

    Образовавшаяся на торце расходуемого электрода пленка жидкого металла под влиянием силы тяжести собирается в капли. Отрыв капли от электрода произойдет тогда, когда силы поверхностного натяжения, удерживающие жидкий металл в виде капли, будут преодолены силой тяжести. Очевидно, это может произойти, только если температура жидкого металла на торце расходуемого электрода несколько превышает температуру плавления. Величина этого превышения расчетом не может быть определена, и ее необходимо установить экспериментально. Один из возможных методов определения ее, примененный автором, заключался в киносъемке процесса каплеобразования и фото-метрировании полученных пленок. При этом опорная точка для отсчета температур создавалась засветкой пленки от эталонной лампы. [c.195]


    При экспонировании необходимо обеспечить полное прижатие оригинала к бумаге и равномерность засветки бумаги по всей поверхности. [c.415]

    Засветка производится путем облучения пленки светом двух электрических ламп накаливания мощностью по 500 ватт, расположенных на расстоянии 1 м от пленки. [c.417]

    Точность измерения скорости горения тем выше, чем более резким является фронт засветки на пленке. Нетрудно показать, что наиболее четкий фронт получится в том случае, если фотографировать распространение пламени вдоль некоторой узкой щели (т. е. фотографировать светящуюся точку или светящийся отрезок прямой, движущийся перпендикулярно к направлению движения пленки). [c.129]

    Для вычисления tg ф по пленкам удобно пользоваться приставкой к фотоувеличителю, показанной на рпс. 24. При обсчете подвижная линейка ставится параллельно фронту засветки и считывается деление шкалы, нанесенной на краю плиты приставки. Для каждого деления шкалы заранее вычислено значение tg ф. [c.129]

    У новой светочувствительной системы или резиста обычно проводят 6 испытаний с постоянным временем засветки, Для сохранения сопоставимых условий (особенно температуры) предпочтительно использовать один клин, который в процессе экспонирования закрывают непрозрачной фольгой, оставляя открытым продольный край, а затем через определенный временной интервал сдвигают фольгу, расширяя открытую зону и используя, таким образом, весь клин по частям во времени. Проявление и сушку слоев следует проводить в точном соответствии с режимом, предполагаемым для практики, У сканирующих устройств или устройств с движущимся источником обычно не существует прямой пропорциональности между скоростью движения источника и временем экспонирования. Необходимо поэтому определить эту зависимость экспериментально. Для вычисления времени экспонирования отвечающего клину с оптической плотностью Sm при /п-ной скорости движения, используют данные времени экспонирования tn и плотности Sn в соответствии с уравнением (I.18)  [c.45]

    Для понижения предела обнаружения примесей в пробах небольшого веса методом эмиссионного спектрального анализа исследованы оптимальные условия применения дополнительной засветки экспонированного участка фотопластинки [709]. Этот прием применен для определения примесей в КОН высокой чистоты. Хром определяют по линии 425,4 нм предел его обнаружения уменьшается в 16,5 раза и составляет 6-10 г. Коэффициент вариации 18—27%. Применение высокочувствительных и контрастных фотопластинок также способствует снижению предела обнаружения хрома [31]. Использование спектрографов с большой разрешающей способностью позволяет повысить чувствительность прямого спектрального анализа при определении примесей приблизительно в 3 раза [31, 145, 283]. [c.74]


    Зеркалами 2 с различными коэффициентами отражения и пропускания луч лазера делится на несколько частей для одновременной накачки лазеров на красителях 3,4, запуска генераторов импульсного электрического поля 5,5 и засветки фотодиода, вырабатывающего импульс для системы регистрации ионов. [c.857]

    НИЯ С оптимальной энергией квантов. Излучение с энергией фотонов или частиц, больше оптимальной, меньше поглощается материалом изделия и создает засветку индикатора, но дает контрастные изображения, а излучение с малой энергией фотонов или частиц может быть почти полностью поглощено изделием. Поэтому выбирают излучение с оптимальной или минимальной возможной энергией фотонов или частиц, а интенсивность излучения задают такой, чтобы получить необходимую яркость изображения. Расстояние между источником излучения и контролируемым объектом, называемое часто фокусным расстоянием, выбирают исходя из необходимой интенсивности (7.18) с учетом допустимой величины ее уменьшения на краях изображения, которое, как нетрудно видеть, изменяется приблизительно по закону  [c.320]

    Относительная методическая погрешность тепловизионных измерений температуры при наличии внешней засветки [104] [c.268]

    Расстояние между объектом контроля и источником засветки Ошибка измерения, обусловленная излучением, %  [c.268]

    Размер пятна считывающего лазерного пучка составляет 100 мкм это значение и определяет нерезкость изображения. На пластине размером 30 х 40 см размерность матрицы изображения 2000 х 2000 х 8, что соответствует линейной плотности 8/10 пиксел/мм. Время сканирования пластины указанного размера составляет 1,5 мин. Зависимость световыхода от дозы рентгеновского излучения является линейной в диапазоне 1. .. 10 . Изображение может быть записано лазерным принтером на диске или пленке. Остаточное скрытое изображение на пластине может быть стерто путем засветки мощным пучком видимого света, а пластина с фосфором использована для повторного радиационного контроля. [c.99]

    У систем с ССД имеется, однако, возможность повышения числа различаемых значений серого до 14 бит при применении цифровой камеры, однако необходимо принимать во внимание некоторые отрицательные последствия, такие как худшее отношение сигнал/шум, большая подверженность засветке и меньшая компактность. [c.162]

    Дополнительно к обычным средствам внутренней связи службы может быть предусмотрена общая звуковая и световая сигнализация (на бытовку, комнату отдыха, гараж и хоздвор), которая при команде Тревога предполагает мгновенную мобилизацию и выезд на серьезную аварию всех наличных сил и средств службы. Сигналом в таком случае служит звонок громкого боя и засветка во всех указанных помещениях ламп красного цвета. [c.76]

    Имеются две конструктивные схемы оптической части фоторегистра. В однообъективной схеме щель расположена вблизи заряда. В двухобъективной схеме щель расположена в плоскости изображения заряда, создаваемого первым объективом. Второй объектив отображает щель и промежуточное изображение заряда на пленку. В первом случае фронт засветки на пленке получается менее четким (так как заряд и щель находятся в разных, хотя и близких плоскостях), зато во втором случае ниже светосила системы и сложнее фокусировка. [c.129]

    Для ускорения и упрощения процесса обращения засветку, второе проявление и фиксирование часто заменяют одной стадией - чернением - полным неизбирательным восстановлением AgHal в Ag или переводом его в непрозрачное водонерастворимое соед., нат. сульфид. [c.233]

    Образование цветного обращенного изображения включает след, стадии черно-белое проявление, при к- м в фотослоях цветного фотоматериала образуется черно-белое негативное изображение, состоящее из металлич. Ag прерывание процесса проявления второе экспонирование (засветка) цветное проявление, при к-ром в фотослоях формируется позитивное изображение, состоящее из красителей и металлич. Ag отбеливание с послед, растворением и удалением из фотома-тд)иала водорастворимых соед. Ag. После каждой стадии фотоматериал подвергают промежут. промывке. В нек-рых процессах стадию засветки заменяют обработкой фотоматериала в р-ре для хим. обращения при этом в микрокристаллах AgHal образуются ценгры прсявления, инициирующие цветное проявление. Для повышения устойчивости цветного изображения при хранении фотоматериал после окончат, промывки обрабатывают стабилизирующим р-ром (напр., р-ром тиомочевины). [c.233]

    В динамическом диапазоне вблизи уровней черного или белого, что ириаодит к плохому зрительвдому восприятию, как показано на осциллограмме рис. 4.46, а. Нелинейное усиление (гамма-обработка) может обеспечить селективное расширение диапазона контраста либо вблизи уров ня черного, Л Ибо вблизи уровня белого динамического диапазона, в то же время предотвращая насыщение или засветку на экране ЭЛТ. Это достигается использованием нелинейного преобразования сигнала  [c.173]

    Соли катион-радикалов многоядерных углеводородов довольно стабильны и их образование в рассмотренном случае необратимо, поэтому при таком сенсибилизированном фотолизе оказывается возможным осуществить предварительную засветку пары соль фенацилсульфония — углеводород и наблюдать затем темновое инициирование полимеризации при введении мономера, например окиси стирола. Очевидно, в рассмотренных случаях активные частицы при прямом и сенсибилизированном фотолизе различны, что оказывает влияние на течение и результат полимеризации. [c.129]


    В соответствии с этим в системе 3,9-10- моль/л тиоксантона 2,6-10 2 моль/л гексафторарсената диметил(3,5-диметокси-4-гидр оксифенил)сульфония в метиленхлориде удается наблюдать поли меризацию окиси стирола только при засветке, а предварительны фотолиз с последующим темновым введением окиси стирола ш приводит к изменениям в системе. [c.130]

    Подобный материал (рис. VI. 4) был предложен несколько ранее [пат. Великобритании 1563010], причем в качестве светочувствительного слоя рекомендованы различные композиции. Связующими могут служить гомо- и сополимеры (как двойные, так и тройные) винилхлорида, винилацетата, малеинового ангидрида, акрилонитрила, винилового спирта. При экспонировании адгезия светочувствительного слоя к металлу становится меньше адгезии слоя металла к подложке, поэтому при отделении светочувствительного слоя после засветки на подложке сохраняется металлический рельеф, соответствующий экспонированным участкам слоя, а на светочувствительном слое создается рельеф металла, отвечающий рисунку шаблона. Металл на подложку наносят вакуумным напылением, катодным осаждением, электролизом или гальванопластикой применяют А1, 2п, Ag, Аи, а также ПОг, Сг15 толщина слоя металла до 100 мкм. [c.204]

    Схема установки для роста нитевидных кристаллов графита на основе инфракрасного лазера ЛГ-25 с длиной волны 10,6 мкм представлена на рис. 17. Установка состоит из блока питания лазера 2, реактора 4, укрепленного на трехкоординатном столике, и вакуумной системы. Входные и выходные отверстия в реакторе изготовлены из хлористого натрия. Прошедший пучок излучения улавливается ловушкой 6. После вакуумирования реактор наполняется исследуемым газом, который разлагается только на подложке 5, оставаясь при этом холодным. Линза из хлористого натрия 3 позволяла фокусировать световой пучок до размера 200 мкм, что обеспечивало получение на графите температур, до 3000° С. Использование лазерного излучения с длиной волны 10,6 мкм (инфракрасная область) имеет то преимущество перед нагревом с помощьк> мощной ксеноновой лампы, что исключает постороннюю засветку и позволяет проводить непрерывное пирометрнрование образца. [c.46]

    Гель покрывают пленкой Kodak Xomat RP и экспонируют при — 80°С. Предварительное засвечивание пленки может повысить чувствительность [EJB 46, 83 (1974)]. Для грубой оценки можно считать, что после экспозиции в течение ночи (без предварительной засветки) в 1-см полосе регистрируется радиоактивность С в количестве 100 расп./мин. [c.377]

    Экспонированные УФ светом ( 1<300 нм) участки теряют сепси- билизирующие свойства и при последующей активации после промывки на них не осаждается палладий. Интенсивность света, необходимая для засветки, соизмерима с интенсивностью, применяемой лри использовании фоторезистов (см. гл. IV). [c.92]

    ФЛД хроматоффа "Охта-101" не подходит, прежде всего, по обьему ячейки (40 мкл) такой объем ячейки требует больших объемов пробы, больших расходов элюента и, следовательно, больших колонок. Кроме того, для эффективной засветки такой ячейки необходим был значительно более мощный источник света, нежели лампа типа ДДС-30, [c.123]

    Возбуждение спеБпров комбинационного рассеяния осуществляется мощными импульсными лазерными источниками излучения. Для выделения аналитических линий используются монохроматоры. Для подавления засветки на длине волны зондирующего излучения и неселективно рассеянного света применяются специальные фильтры. Для регистрации интенсивности рассеянного излучения используются фотоэлектронные умножители (ФЭУ) или фотодиодные матрицы. [c.922]

    Получение цветных радиограмм возможно с помощью цветной или черно-белой фотопленки. Слои цветной фотопленки должны иметь различную чувствительность к интенсивности излучения и за время экспозиции степень засветки слоев будет различной. Если интенсивность излучения, пришедшего после контролируемого объекта, будет изменяться, то на фотопленке после соответствующей фотообработки получится цветное изображение, несущее информацию о толщине и дефектах контролируемого объекта. При этом дефекты обнаруживаются в изменении цвета. Однако работать с цветной пленкой гораздо сложнее, что затрудняет получение качественных цветных изображений. Поэтому часто производят экспозицию на черно-белую пленку, но 3 раза с разными параметрами источника (интенсивность, спектр) и после специальной фотообработки получают три монохроматических изображения, накладывая которые, переходят к цветному изображению. Оператор воспринимает больше оттенков цвета, чем градаций яркости, что облегчает контроль качества и повышает его достоверность за счет учета одновременно большего объема информации, что подобно многопараметровому контролю. Вместе с тем при работе на пределе чувствительности и наличии помех цветное изображение по эффективности приближается к черно-белому и применение цветных изображений из-за сложности фототехнологии не всегда целесообразно. Аналогичным образом обстоит дело и с цветным контрастированием (см. 5.9), которое эффективно, когда надо четко выделить необходимую информацию при большом отношении сигнал/шум. [c.341]

    Повышение резкости изображения. Под "резкостью изображения" будем понимать способность воспроизводить малые детали и границы перехода между зонами с различной амплитудой. В ТК поверхностные отпечатки скрытых дефектов расплываются вследствие диффузии тепла, причем этот эффект проявляется тем сильнее, чем больше глубина залегания дефектов, выше теплопроводность материала и дольше время регистрации. "Расплывшиеся" изображения хуже воспринимаются оператором и создают трудности при дефектометрии. Поскольку процесс выравнивания температуры в зоне температурных градиентов можно интерпретировать как интегрирование по пространственной координате, следует ожидать, что резкость изображений можно повысить, применяя операцию дифференцирования. Действительно, при обработке изображений часто применяют фильтры высоких частот - ФВЧ, которые избирательно пропускают сигналы с высоким градиентом, устраняя тем самым низкочастотный тренд, обусловленный неравномерным нагревом, засветками, неоднородностью материала и т.п. факторами (см. пример на рис. 5.32). Пример простого цифрового ФВЧ  [c.177]

    На рис. 9.13 представлены результаты двух тепловизионных съемок разрушившегося 17 июля 1997 г. здания казармы Томского Высшего Военного Командного Училища Связи (ТВВКУС). Первая съемка выполнена 25 июля, т.е. спустя 8 дней после катастрофы при благоприятных погодных условиях (отсутствие ветра, дождя и прямой солнечной засветки раз-ваиин в течение нескольких дней) [111]. Неожиданным результатом обследования явились слабые локальные повышения температуры, обнаруженные в 5 из 24-х стыков сохранившихся ригелей перекрытия и вертикальных колонн. Амплитуда этих сигналов изменялась от 0,8 до 1,5 °С, в то время как шумовые флуктуации температуры, в том числе и в зонах переходов от штукатурки к оголившейся кирпичной кладке, составили только 0,3 °С (рис. 9.13, а). [c.290]

    Помимо основных огпических элементов в ИК-устройстеах также используют дополнительные волоконные световоды, позволяющие передавать тепловое излучение ю труднодоступных мест, например камер сгфзния, к ПИ. бленды или диафрагмы, ограничивающие поле зрения и уменьшающие фоновую засветку. [c.91]

    Относительная методическая погрешность тепловиэионных измерений в условиях фоновой засветки [14] [c.148]


Смотреть страницы где упоминается термин Засветка: [c.271]    [c.169]    [c.131]    [c.90]    [c.417]    [c.233]    [c.133]    [c.168]    [c.273]    [c.201]    [c.216]    [c.288]    [c.389]    [c.162]    [c.653]    [c.133]    [c.134]    [c.146]    [c.146]    [c.147]   
Смотреть главы в:

Физические и химические основы цветной фотографии -> Засветка

Физические и химические основы цветной фотографии Издание 2 -> Засветка


Физические и химические основы цветной фотографии (1988) -- [ c.60 , c.255 , c.256 ]

Физические и химические основы цветной фотографии Издание 2 (1990) -- [ c.60 , c.255 , c.256 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте