Другие виды ассоциации дефектов

Другие виды ассоциации дефектов [c.136]

Другие виды взаимодействия точечных дефектов. Ряд фактов говорит о том, что ассоциация дефектов может иметь место и при изовалентном замещении атомов основной решетки активатором и сопутствующими примесями. Одной из причин этого является действие сил деформации, приводящее к тому, что крупному примесному атому, вызывающему сжатие решетки, выгодно располагаться по соседству с атомом, радиус R которого меньше радиуса вытесняемого им атома основания люминофора. Этот эффект называется объемной компенсацией [116] (о подобном явлении уже шла речь при рассмотрении сегрегации примесей вокруг дислокаций). [c.160]

Вакансии притягиваются друг к другу. Это объясня- ется тем, что при их сближении уменьшается число разорванных связей при образовании вакансий. Пусть координационное число в рассматриваемой решетке равно г. Тогда 2 атомов, соседних с вакансией, не используют г своих связей. Для двух отделенных друг от друга вакансий число таких неиспользованных связей равно 2г. Если же вакансии окажутся рядом, то число неиспользованных связей станет 2г—1. Поэтому вакансии способны к объединению (ассоциации). Взаимодействие вакансий приводит к образованию имеющих очень большое значение дефектов так называемых дислокаций. Дислокация по-английски означает сдвиг, смещение. Открытие этого вида дефектов объяснило важнейшее свойство металлов — пластичность. Благодаря этому свойству металлы можно подвергать механической обработке — прокатке, штамповке, волочению и т. п. даже в холодном состоянии. Металл способен под влиянием определенных напряжений течь, как жидкость. Каков же механизм такого течения [c.333]

Сравнивая друг с другом уравнения, полученные для констант равновесия теплового разупорядочения решетки, распределения веществ между двумя фазами, реакций ассоциации-диссоциации и процессов термической ионизации дефектов и основной решетки, видим, что уравнение ( /1.49) является общим для всех этих констант. Величина Ко также может быть выражена общей формулой 15, стр. 341] [c.186]

Каждый вид дефекта оказывает соответствующее влияние на величины различных структурно-чувствительных свойств. Кроме того, дефекты способны взаимодействовать друг с другом или создавать ассоциации. Например, вакансии могут объединяться в пары или более крупные комплексы, влияние которых на рассматриваемое свойство должно отличаться от влияния изолированных вакансий. Вакансии могут ассоциироваться с краевыми дислокациями, образуя ступени на линии дислокации. Примесные атомы, а также вакансии могут скапливаться вокруг дислокаций, образуя так называемые примесные атмосферы. [c.162]

Характер распределения примесей в объеме выращенного монокристалла определяется, с одной стороны, особенностями процесса кристаллизации (сегрегация примеси по длине и в поперечном сечении монокристалла, слоистое распределение, проявление эффекта грани , образование примесных субструктур и включений), а с другой стороны,— процессами, происходящими в самом кристалле при охлаждении от температуры плавления (распад пересыщенных твердых растворов, взаимодействие примесных атомов со структурными дефектами, а также между собой и с атомами основного вещества с образованием различного рода ассоциаций и т. д.). Определяющими факторами возникновения того или иного вида примесной неоднородно- [c.94]

Хотя исследованию воды посвящено множество работ, вопрос об ассоциации молекул воды между собой и с молекулами других веществ выяснен не полностью [78]. Жидкость представляют в виде подвижной несовершенной каркасной структуры с молекулами воды на месте дефектов [59] при этом структура каркаса удерживается водородными связями. Действительно, в некотором смысле каждый отдельный малый объем жидкой воды можно представить в виде макромолекулы или структуры состава (Н20) . По предположению Полинга структура жидкой воды подобна структуре газовых гидратов, построенных из кластеров упорядоченной воды [120, 121]. Наличие кластерных структур можно рассматривать на основании представлений о существовании пентагональных додекаэдров, содержащих 20 молекул воды, каждая из которых образует три водородные связи [50]. В пользу додекаэдрической структуры (Н40О20) высказывается Джеффри [75], изучавший гидраты четвертичных аммонийных солей, содержащих до 70% воды. Дополнительные данные, подтверждающие образование додекаэдрических структур, были также представлены Маленковым [98]. Результаты спектральных исследований в вакуумной ультрафиолетовой и в инфракрасной областях находятся в соответствии с теорией, согласно которой содержание [c.10]

Концепция структурной диффузии , в неявном виде содержащаяся в теории Бернала и Фаулера, была усовершенствована Хаггинсом [157], который рассмотрел быстрый перенос протона по цепочкам молекул воды, связанных водородными связями, и принял в качестве замедленной стадии перенос протона через участок стыка одной такой цепочки с другой (см. также [159]). На этом участке из-за отсутствия водородной связи нарушается структурная непрерывность, т. е. образуется структурный дефект. Такая модель отражает и положение, существующее в ионе НдО [92, 93], в котором быстрые переносы протона могут происходить без повторной структурной перегруппировки, включающей все молекулы воды, при условии что перенос происходит только внутри комплекса, содержащего четыре атома кислорода. Подобный подход был использован недавно Джирером и Виртцем [159], которые использовали представления Эйкена [89, 160] о стехиометрической ассоциации воды. Авторы предполагают, что эффективные переносы протона могут происходить только в линейных агрегатах воды, образованных водородными связями, а не в замкнутых кольцевых структурах, которые не могут вносить заметный вклад в перенос заряда под действием поля. Подвижность А,н+ определяется выражением [c.110]

При интерпретации экспериментальных данных следует иметь в виду и другие функции повышенного давления паров элементов, образующих основание люминофора. Некоторые из них, в частности, влияние на растворение иновалентной примеси, уже упоминались (см. гл. III, 2). Изменяя концентрацию собственных дефектов, избыток рМг или рзг может оказывать также влияние на интеркристаллические реакции ассоциации-диссоциации типа [c.205]

При анализе изменения оптических свойств люминофоров после удаления плавня необходимо учитывать также возможное влияние повышенной температуры сушки. Так, в случае 2п5-Си-фосфоров уже при 120° С процессы ассоциации, приводящие к образованию синих центров свечения и к выделению СигЗ в виде отдельной фазы, протекают с довольно большой скоростью, приводя к изменению как спектра, так и выхода люминесценции (см. гл. V, 2). По рассмотренным ранее причинам при получении электролюминофоров осаждение некоторого количества меди в виде СигЗ на линейных и поверхностных дефектах является условием появления способности к люминесценции под действием переменного электрического поля. Однако, с другой стороны, образование фазы СигЗ на поверхности зерен люминофора приводит к падению яркости свечения, как из-за реабсорбции испускаемого света, так и вследствие шунтирующего действия сплошных пленок сернистой меди. Поэтому 2пЗ-Си-электролюминофоры после прокаливания промывают растворами КСЫ или смесями окислителя и комплексообразующего агента (например, НгОг-ЬЫН40Н), удаляющими избыток СигЗ [53]. В принципе те же методы пригодны и для удаления сернистого серебра с поверхности зерен лю.минофоров, если образование его в процессе прокаливания или промывки не удалось предотвратить. [c.309]

Несмотря на указанные сложности, галогениды щелочных металлов относятся к системам, для которых выполняется неравенство> УСь В кристалле, который находится в равновесии с паром металла, концентрация избыточных атомов металла пропорциональна парциальному давлению рм- Это указывает на образование одиночных неионизированных вакансий галогена (наблюдаемых как F-центры) [25—26] при вхождении избытка металла в твердую фазу (рис. ХП1.6, а, область I). Нейтральность дефектов связана с большой энергией ионизации. Фактически наблюдаемое расстояние F-уровня (или Vx-уровня) до зоны проводимости составляет приблизительно 1,5 эв. В то же время отсутствие ассоциатов не вызывает удивления, поскольку связано с незначительной энергией ассоциации, которая ожидается для вакансий галогена. Однако при отжиге в паре галогена кристаллы ведут себя по-другому в области — IQi концентрация избыточных атомов галогена, определенная по оптическому поглощению (V2-пoлo e), пропорциональна парциальному давлению галогена, присутствующего в паре в виде двухатомных молекул 127]. Следовало бы ожидать, что при введении лишних атомов галогена концентрация дефектов окажется пропорциональной рх, если образуются однократно ионизированные вакансии металла, и рх если возникают нейтральные одиночные дефекты. [c.387]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология