Модель кристалла Косселя

МОДЕЛЬ КРИСТАЛЛА КОССЕЛЯ [c.252]

Теория кристаллического поля основывается на чисто электростатической модели. Однако в отличие от теории Косселя и Магнуса здесь рассматриваются изменения в электронных оболочках, иона-комплексообразователя, происходящие под действием лигандов. Свое название теория кристаллического поля получила в связи с тем, что первоначально она была применена для объяснения состояния ионов в кристаллах и затем была перенесена на комплексы, в которых ионы так же, как и в кристаллах, окружены соседними -Частицами. [c.121]

Модели поверхностной шероховатости. В таких моделях основной вопрос сводится к тому, каким образом изменяется концентрация поверхностных вакансий или адсорбированных поверхностью атомов (адатомов) по мере повышения температуры. Этот вопрос существен, поскольку атомно-гладкая поверхность, как принято считать (по крайней мере в модели Косселя), способна расти лишь в том случае, когда на ней образовались ступени следовательно, возникновение, число и характер движения этих ступеней имеет первостепенное значение для расчета скоростей роста кристаллов. В другом случае, а именно для атомно-шероховатых поверхностей нужды в ступенях нет (иначе говоря, предполагается, что ступени существуют повсюду) и механизм роста сильно упрощается. Различные модели поверхностной шероховатости отличаются одна от другой в зависимости от [c.432]

Модель роста кристаллов по Косселю [158]. Коссель предположил, что кристалл растет посредством повторимого хода, или повторимого процесса осаждения молекулы в позицию А на фиг. 22. Если учитывать соседей первого и второго порядков, то в позиции А энергия связи молекулы с кристаллом выше, чем в позиции С, и значительно выше, чем в В. Для молекулы В вероятность де- сорбции гораздо выше. [c.441]

Модель роста совершенного кристалла в идеальных условиях была дана Косселем. В качестве основных ячеек служили кубы. Каждый куб в равной мере притягивался шестью соседними, и только ближайшие притягивали один другого. Любая грань представляла собой законченную плоскую поверхность,, частично покрытую другим слоем. Разница в слоях (завершенного и недостроенного), равная межмолекулярному промежутку, образует ступеньку на поверхности грани. Ступеньки в условиях стабильного равновесия имеют определенную ориентировку, образующую угол с главным направлением роста кристалла, и содержат определенное число изломов противоположного знака на один атомный промежуток. Различают два типа изломов положительные и отрицательные, соответствующие выступу или впадине относительно рассматриваемой точки. [c.15]

Базир тощийся на квантовой механике подход к рассмотрению X. с, позволил объяснить многие теоретич. положения классич. и электронных моделей X. с. и понять эксперим. данные, не укладывающиеся в эти модели. Так, для атомов s-и р-элементов установление возможности образования не более четырех валентных связывающих мол. орбиталей привело к пониманию октетной теории Льюиса - Косселя. Структурная теотия Гиллеспи получила объяснение в рамках метода мол. орбиталей. Образование комплексных соед., у к-рых центральный атом образует большее число связей, чем то допустимо формальными правилами классич. теории валентности, стало понятным с развитием кристаллического поля теории и поля лигандов теории. Количеств, результаты, позволяющие характеризовать отдельные X. с., получают с помощью квантовохим. расчетов (см. Незмпирические методы, Полуэмпирические методы) и экспериментально, напр, при изучении распределения электронной плотности в мол. кристаллах рентгенографич. методами. [c.236]

Теория кристаллического поля основана на электростатической модели, однако в отличие от представлений Косселя и Магнуса данная теория рассматривает изменения в электронных оболочках иона-комплексообразователя, происходящие под действием лигандов. Теория кристаллического поля первоначально была разработана для объяснения состояния ионов в кристаллах (отсюда ее название) и затем была перенесена на комплексы, в которых ионы так же, как и в кристаллах, окружены соседними частицами. [c.129]

Кристаллические твердые тела. Модель испарения, основанная на равенстве энергии связи всех молекул на поверхности, является разумной моделью для жидкостей, но к кристаллическим твердым телам не применима. В модели поверхности кристалла, предложенной Косселем (49) и Странским [50, [c.43]

Рассматриваются кооперативные модели эволюции тонкой структуры приповерхностного слоя при растворении в электролитах с малым пересыщением моно- и поликристаллов 3d -металлов. 1фи-тически сопоставлены нелинейные решения уравнений кооперативных актов растворения, от моделей Хирса-Раса-Паунда, Лайтхила-Уит-хема до современных решений, основанных на теории солитонов. В задачах о растворении М, не базирующихся на модели кристалла Косселя-Странского, анализируются решения уравнения Буссинеска [c.33]

По расчету Косселя—Странского для модели кристалла Na l энергии ф при отложении иона в положениях 1, 2, 3 на рис. 318,а составляют соответственно [c.359]

Рассмотрение этого процесса [54] может быть начато применительно к модели гомеополярного кристалла, а именно, установления величины энергии активации, необходимой для обмена местами в поверхностном слое. Однако с использованием только схемы Косселя этого сделать нельзя, так как положение атома на вершине энергетического барьера не соответствует ни одному из мест решетки. Кроме того, здесь существенны и другие межатомные расстояния, по своей величине промежуточные между расстояниями первых, вторых и т. д. соседей. Поэтому, чтобы провести соответствующие расчеты, необходимо сделать предно-ложение о законе действующих сил. Ниже приводятся результаты (табл. 4), получаемые в предположении, что работа разделения двух молекул пропорциональна шестой степени расстояния. Этот способ расчета, в котором не учитывается зависимость от [c.55]

Бинсберген [24] предпринял попытку описать процесс образования зародышей, принимая во внимание все возможные пути их роста. Его расчеты основаны на использовании модели примитивного кубического кристалла (у = у ), предложенной впервые Косселем [107]. Учитывая при расчете энергии кристаллической решетки только энергию взаимодействия ближайших соседей, можно показать, что энергия разрушения одиночного контакта ф связана с поверхностной свободной энергией простым соотношением [c.31]

Первая детальная попытка описать кинетику роста кристалла была предпринята на модели однокомпонентного совершенного кристалла, построенного из малых молекул и растущего из газовой фазы. Предполагаемые при этом процессы схематически изображены на рис. 6.4. Основная идея этой модели заимствована из работы Гиббса (разд. 6.1.1). Тамман [368], Фольмер [382], Коссель [219], Стран-ски [359], Бекер и Дёринг [30], Френкель [105] и Бартон и Кабрера [54] разработали необходимый формализм для описания макроскопически наблюдаемой скорости роста в терминах предполагаемых микроскопических процессов. Б простейшей форме такой процесс крис-таллизатдии включает слудующие стадии а) адсорбция на поверхности, б) двумерная диффузия к растущей кромке, в) встраивание в растущую кромку, г) одномерная диффузия к углу и д) кристаллизация. Противоположными этим пяти стадиям являются стадии испарения. [c.161]

Важной вехой в области теории роста кристаллов было появление в 1939 г. работы М. Фольмера Кинетика фазообразования . В этой работе рассматриваются преимущественно теория зародышеобразования Беккера — Дёринга и рост кристаллов по механизму двумерного зародышеобразования, основанный на модели Косселя — Странского. Наиболее важным достижением теории роста кристаллов с 1939 г., несомненно, следует считать обнаружение зависимости скорости роста от несовершенств кристаллической решетки. Этим открытием мы обязаны главным образом Ф. Франку, который выдвинул концепцию роста кристаллов по дислокационному механизму. Интерес к росту кристаллов в последнее время значительно возрос благодаря увеличению потребности в промышленном получении монокристаллов для электроники и оптики. [c.5]

Ififl] (рм. тяужр [4.1]) выг.качял гипотезу, что винтовые дислока-ции могут служить существенными источниками ступеней на кристаллических поверхностях. Если дислокация имеет компоненту вектора Бюргерса, перпендикулярную поверхности, то пересечение такой дислокации с поверхностью ведет к возникновению ступени. Как оказалось, этот особый источник ступеней очень важен в процессах роста кристаллов. Ступень закреплена в точке пересечения дислокации с поверхностью, однако по мере присоединения адатомов к изломам ступень может перемещаться, образуя (как мы увидим ниже) спираль. В условиях равновесия ступень остается прямой. В остальном модель Франка повторяет модель Косселя. [c.443]

В 1910—1920 гг. Лэнгмюр и другие исследователи разработали модели адсорбционных центров, основанные на кристаллографических данных об атомах на поверхностях. Ненасыщенной связи такого центра приписывали электростатический или ковалентный характер ( свободные связи ) в зависимости от природы твердого тела, что делало возможной интерпретацию ее в рамках октетной теории Льюиса —Косселя. Примерно в 1923 г, было высказано предположение, что кристаллические решетки могут быть дефектными, и постулировано наличие в кристаллах трещин Гриффита и внедренных атомов Френкеля, Деление твердых катализаторов на ионные, ковалентные и металлические все еще оставалось полезным, однако возникла необходимость различать свойства хороших и плохих поверхностей, В 1926— 1927 гг, такое различие (в виде различия между свойствами однородных и неоднородных поверхностей) было уже явно выражено в двух эвристических гипотезах, основанных на исследовании хемосорбции и катализа — мультиплетной теории Баландина [1] и теории активных центров Тейлора [2]. [c.39]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология