ЭПИТАКСИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ

ЭПИТАКСИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ [c.64]

ВЗАИМНАЯ ЭПИТАКСИЯ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ [c.64]

Специальные газы (различные газообразные соединения) используют в производстве интегральных схем для выращивания полупроводниковых кристаллов, получения пленок, легирования, травления, эпитаксии, ионной имплантации, химического осаждения из паровой фазы и др. [c.133]

ЭПИТАКСИЯ ИОННЫХ СОЛЕЙ НА КРИСТАЛЛАХ С ДРУГИМИ ТИПАМИ СВЯЗЕЙ [c.87]

При наличии соответствующих данных можно количественно [15] рассчитать влияние отдельных примесей на форму кристалла. Но поскольку расчет силовых полей практически возможен только в самых простейших случаях, представляется целесообразным оценивать структурную аналогию исходя не из абсолютных величин ионов, а из параметров кристаллографических решеток кристаллизующегося вещества и примеси [15, 88], по возможности принимая во внимание наличие общего иона [15, 89] или форму двойного соединения [15, 90, 91]. Чем ближе друг к другу параметры решеток примеси и соответствующей грани кристалла, тем легче будет адсорбироваться примесь и тем вероятнее будет она оказывать влияние на рост грани. По аналогии с эпитаксией необходимо [2, 12, 88, 92—99], чтобы различие в параметрах решеток обоих веществ не превышало 5—15%. [c.69]

В некотором смысле развитием координационного требования является принцип симметрии, сформулированный Феррони и Кокки для эпитаксии ионных кристаллов [16, 17]. Принцип удовлетворительно описывает большое число наблюдаемых экспериментально ориентировок. [c.272]

Впервые эпитаксия металла (Ag) на ионном кристалле (Na l) при конденсации из паровой фазы в вакууме наблюдалась Лассеном [71]. Он обнаружил, что тонкие пленки металла обладают преимущественной ориентировкой, а иногда оказываются монокристаллическими. Воспроизводимых результатов, однако, получить не удалось. Условие образования монокристал-лических пленок серебра было найдено позже [72]. Оказалось, что при увеличении температуры конденсации совершенство ориентации увеличивается и при Г,,-> 100° С образуется монокри-сталлический слой. Была определена взаимная ориентация металла и соли (100) [001] Ag Ц (100) [001] Na l и установлено, что зародыши серебра образуются непосредственно на поверхности соли. Авторы обнаружили, что нагрев подложки необходим только на первой стадии конденсации и что ориентированное нарастание серебра на собственном монокристалле происходит при комнатной температуре. Наблюдаемой экспериментально параллельной ориентации Ag/Na l соответствовало значите Л = -27,5%. [c.116]

Для объяснения экспериментов, приводящих к отрицательным результатам, Руайе высказал предположение, что эпитаксия возможна лишь у органических соединений, которые имеют решетку, содержащую ионы радикала. В противоположность таким соединениям вещества с молекулярными связями не могут образовывать ориентированных нарастаний с ионными кристаллами. Фридель, комментируя работу Руайе [39], пришел к неправильному выводу, что эпитаксия возможна лишь у органических соединений с гетерополярным типом связей. Это утверждение подвергалось критике со стороны Зейферта [42] и Нейхауза [43]. Согласно Зейферту, поверхностное взаимодействие органических веществ возможно путем образования дипольных связей. Например, -гидрохинон ориентируется на кальците вследствие образования диполей между — ОН группой осадка и анионом 144 [c.144]

Другой критерий для определения эпитаксических соотношений металлов и солей, сформулированный нами [1], позволяет предсказать ориентации металлов на произвольных кристаллографических плоскостях ионных кристаллов. Согласно критерию, ориентации металлов на солях таковы, что параллельно двум направлениям с максимальной плотностью упаковки частиц одинакового знака в решетке типа Na l располагаются соответственно два направления с плотной упаковкой атомов в решетке металлов. В частном случае для металлов с гексагональной решеткой аналогичное заключение на основании своих экспериментальных данных сделал Конжо [25]. Важность направлений с плотнейшей упаковкой атомов при эпитаксии металлов от.ме-чалась в ряде работ [26—28]. Указанное выше правило иллюстрируется рис. 77—81. На рис. 77, а и 79, о — 81, а схематически показаны положения ионов одинакового знака в плоскости подложки, все остальные индексы соответствуют ориентациям металлов. Ориентации, предсказываемые правилами, показаны в табл. 49 все они наблюдались экспериментально. [c.270]

Развивая идею Слоата и Мензиса о ионизации металлических атомов на поверхности ионного кристалла, Энгел [42] предложил возможный механизм процесса и определил эмпирическую зависимость температуры эпитаксии для разных металлов. Для ионизации металлического атома необходима опреде-ленная энергия. За счет термического нагрева подложки эту энергию атом получить не может, так как исчезающе мала величина фактора Больцмана. Однако на поверхности ионного кристалла могут протекать процессы, приводящие к значительному умеиьщению энергии ионизации. К числу таких процессов относятся, в частности, кулоновское взаимодействие электронных оболочек атомов металла и ионов соли и образование / -центров на поверхности подложки. С учетом этих процессов оценка величины тепловой энергии необходимой для ионизации (в случае эпитаксии А /КаС1), показывает, что процесс ионизации металлических атомов на поверхности ионных кристаллов возможен при достаточно низких температурах [24, 42]. [c.276]

Иногда наблюдаются закономерные сростки кристаллов разнородных веществ эпитаксия). Так, например, если взять каплю водного раствора Ю и испарить ее на свежем изломе слюды КА12[81зАЮю] (0Н)2, то полученные кристаллы иодистого калия будут ориентированы параллельно друг к другу и вполне закономерно по отношению к определенным кристаллографическим направлениям в кристаллах слюды (рис. 59, а). Это объясняется тем, что плоскости срастания будут иметь сходное расположение атомов. Так, в разобранном примере атомы (ионы) калия в структуре Ю в плоскости, перпендикулярной (грань октаэдра), располагаются по гексагональному закону (рис. 59, б). Атомы (ионы) калия в структуре слюды в плоскости, параллельной грани пинакоида, имеют сходное расположение (рис. 59, в). [c.42]

Вопросы эпитаксии также имеют непосредственное отношение к затронутой проблеме. Эпитаксия — ориентированное нарастание слоев — известна давно. В частности, этим вопросом еще в XIX веке занимался Франкенгейм. Обширная библиография по эпитаксии приведена в работах [40, 346—348]. Свойства эпитаксиальных слоев различных материалов, главным образом полупроводников, интенсивно исследуются. Обнаружена зависимость от типа подложки не только структуры, но и прочностных, электрических и магнитных характеристик вакуумных конденсатов различных полупроводниковых материалов [346—348]. Впервые эпитаксиальный рост полимерных кристаллов на поверхности твердого тела описан в работах [349, 350], затем этот эффект был подробно изучен [245—249, 340, 351—359]. В частности, было обнаружено, что аминокислоты и олигопептиды образуют ориентированные наросты на минералах [345]. Свежеобразованные сколы галогенидов металлов (Na l, K I, KI, LiF), а также кварц оказывают ориентирующее влияние на расположение кристаллов полиметиленоксида, полипропиленоксида, полиэтилена, полиэти-лентерефталата, полиакрилонитрила, полиуретана, полиамидов. Эпитаксиальные явления в подобных системах могут быть следствием [354] ориентирующего влияния ионов подложки, расположенных в определенной последовательности. Кроме того, дислокации, образующиеся при расщеплении галогенидов металлов, также могут оказывать влияние на зародышеобразование, так как они имеют определенную ориентацию и сообщают поверхности повышенную энергию. В работе [359] указывается на эффект своеобразного фракционирования полимеров, заключающийся в том, что при определенных условиях склонность к эпитаксиальной кристаллизации обнаруживают самые большие макромолекулы [359]. [c.140]

В 1933 г. Окар [18] наблюдал ориентированное нарастание арсенолита и сенармонтита при сублимации на воздухе на плоскость скола мусковита. На этих примерах было подтверждено существование эпитаксии кристаллов с молекулярной и ионной структурой. Больщое количество новых случаев закономерных срастаний получено затем Нейхаузом [19—23] и Монье [17, [c.140]

Исходя из представлений об уровнях потенциальной энергии на поверхности кристаллов, Данков интерпретировал некоторые другие закономерности эпитаксии. Выше было показано, что ориентировки металлов на солях и солей на металлах существенно отличаются. Даже для одной и той же пары веществ, например Ag и Na l, ориентация зависит от того, какое из них является подложкой. При эпитаксии солей на металлических монокристаллах, как видно из табл. 19, результат суш,ест-венно зависит от способа кристаллизации. Рассмотрим частные примеры роста кристаллов каменной соли из раствора и из паровой фазы на грани (001) Ag. При кристаллизации из раствора к поверхности подложки прибывают ионы натрия и хлора. Как и при эпитаксии Ag/Na l, распределение этих ионов на поверхности металла осуществляется за счет дисперсионных и [c.279]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология