Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Вакуумное напыление

    Например, при исследовании процесса гидратации цемента возможно более тонкий слой цементного теста наносят на предметные стекла, которые помещают в эксикатор, атмосфер которого насыщена водяными парами и свободна от СОа- Через нужный интервал времени извлекают одну пластинку и замораживают в жидком азоте. После этого пластину с образцом подвергают вакуумной сушке в установке для вакуумного напыления. Откачку воздуха следует производить как можно быстрее, чтобы препарат не успел оттаять и испарение воды происходило из твердой фазы. Далее с образца снимают ту или иную реплику. На электронно-микроскопических снимках можно зафиксировать нужные стадии процесса, поскольку реакции гидратации минералов цемента имеют относительно небольшую скорость протекания. [c.145]


    Объектами исследования служат структуры кремний ( -типа)— алюминий, содержащие прослойки оксида хрома толщи ной 4, 5, 6, 7 нм, полученные методом молекулярного наслаивания по методике, аналогичной приведенной в работе 5.5. Алюминиевый электрод нанесен вакуумным напылением. [c.117]

Рис. 7.11. Схема установки для вакуумного напыления реплик I — колпак 2 — образец на объектном столике 3 — испаритель. Рис. 7.11. <a href="/info/13990">Схема установки</a> для <a href="/info/525633">вакуумного напыления</a> реплик I — колпак 2 — образец на объектном столике 3 — испаритель.
    Техника вакуумного напыления заключается в следующем. Напыляемый объект помещают иод колокол на определенном расстоянии от испарителя и под определенным углом. В испаритель вносят навеску металла или другого вещества, например кварца, и затем под колоколом создают вакуум. После этого испаритель нагревают до определенной температуры в течение времени, необходимого для полного исиарения вещества. Атомы металла разлетаются прямолинейно по всем направлениям и некоторые из них конденсируются на образце. [c.190]

    Кристаллы можно получать, минуя жидкое состояние, путем ко денсации пара на охлажденной стенке (подложка). Так наносят металлические слои на различные материалы— вакуумное напыление. [c.94]

    Процессы образования сплавов различного типа наблюдаются и при вакуумном напылении на подложку двух или нескольких металлов одновременно (нанесение припоев для пайки ответственных деталей). За счет развития диффузионных процессов получают сплавы методами порошковой металлургии. [c.279]

    Можно на полупроводниках по рисунку нанести вакуумным напылением или электролитически, или химическим осаждением проводящие тонкие слои металла (Си, Ag и др.) или, наоборот, стравить по рисунку, например, медь с фольгированного гетинакса, что используется при изготовлении печатных схем. Фотолитографическим методом можно по рисунку удалить слой диэлектрика с полупроводника (например, 5Юо с поверхности кремния), образовать слой диэлектрика на металле или полупроводнике и т. д. Задубленные слои фоторезистов удаляют специально подобранными растворителями. [c.360]

    Вакуумное напыление различных металлов (Ni, Ag, u [c.340]

    Некоторое увеличение прочности гальванически металлизированных зерен можно объяснить тем, что часть осажденного металла все же попадает в дефектные места поверхности зерен (металлизация ведется из жидкого раствора электролита). Этого не происходит при нанесении покрытия вакуумным напылением (теневой эффект) в случае металлизации медью. Последняя, к тому же, совершенно не адгезирует к алмазу, этими объясняется полное отсутствие-упрочнения в этом случае. .  [c.103]


    Неорг. аморфные О.м. получают конденсацией из парогазовой фазы, химическими транспортными реакциями, кристаллизацией и хим. осаждением из р-ров, облучением кристаллич. материалов и др. методами органические-полимеризацией в блоке, р-ре и т.д. Для снижения оптич. потерь в волокнах из аморфных органических О.м. до 10" -10" см используют мономеры, предварительно подвергнутые очистке. Покрытия из О.м. наносят термич. вакуумным напылением, испаряя исходный материал в электропечах или потоком электронов (катодное, магнетронное распыление). [c.393]

    Монокристаллические С. получают выращиванием (кристаллизация) из р-ров, расплавов, газовой или паровой фазы по методам выращивания монокристаллов, керамические С.-по технологии керамики, пленочные С.-вакуумным напылением, шликерным литьем, а также по полярной технологии-экструзией с послед, ориентационной вытяжкой. [c.308]

    Запорный контакт создавали либо вакуумным напылением, либо химическим осаждением слоя золота. В качестве омического контакта использовали вплавленный индий. Свечение наблюдалось у золотого контакта, когда он был отрицательным. [c.152]

    При разработке проблем гальванопластики пользуются сведениями по конструированию форм материаловедению при проектировании и изготовлении форм и копий вакуумному напылению химическому и механическому нанесению электропроводных слоев кинетике образования и строению окисных, солевых разделительных слоев адгезии на границе раздела двух твердых фаз органическим электропроводным материалам для форм и разделительных слоев электролитическому осаждению металлов и сплавов и их свойствам в тонких и толстых слоях технологической оснастке гальванических процессов и оборудованию. Применение этих сведений на практике в целесообразной последовательности позволяет получать с различных форм (предметов) металлические (в будущем, возможно, и неметаллические) копии, которые являются инструментами или готовыми изделиями и которые либо невозможно изготовить традиционными методами, либо на это затрачивается много непроизводительного труда. [c.6]

    Электропроводные слои наносят на поверхность неметаллических форм вакуумным напылением, химическим осаждением, напылением расплавленных металлов, восстановлением окислов, разложением металлоорганических соединений в газовой фазе. [c.9]

    Помимо эпитаксиальных монокристаллических пленок, осаждаемых на кристаллические подложки, широко используют в микроэлектронике тонкие поликристаллические и аморфные пленки других материалов. На основе подобных пленок изготавливают не только пассивные, но и активные элементы ИМС, работающие с использованием основных носителей заряда. Для данных целей применяют полупроводниковые (металлические, резистивные, диэлектрические) поликристаллические и аморфные пленки. Последние обычно получают методом вакуумного напыления. Металлические пленки, наносимые на изолирующий слой оксида кремния (IV), служат для создания внутренних соединений элементов ИМС, а также дают возможность осуществлять присоединение электрических выводов к микросхеме. Для этой цели широко применяют материалы на основе золота, никеля, свинца, серебра, хрома, алюминия, а также сплавы систем хром — золото, титан — золото, молибден — золото и некоторые другие. [c.161]

    В фотокопировальном процессе используются специфические свойства аморфного селена. Во-первых, селен мом<ет быть приготовлен в виде тонкой полупроводниковой пленки. Во-вторых, селен является фотопроводником, т. е. его электронная проводимость резко возрастает нод действием света. В состав фотокопировального аппарата входят два цилиндрических металлических барабана, на которые методом вакуумного напыления наносится тонкая пленка аморфного селена. Фотокопировальный процесс включает Б себя несколько этапов (рис. 18,15). [c.220]

Рис. 9.5 Установка для вакуумного напыления /-испаритель для металла 2 — колпак подложка 4—нспарИ Рис. 9.5 Установка для <a href="/info/525633">вакуумного напыления</a> /-испаритель для металла 2 — колпак подложка 4—нспарИ
    Оборудование трубчатая однозонная печь горизонтального типа с рабочей температурой до 1200°С ( Изоприн — ЖКМ-30/700, ЛЭТО, СУОЛ-0,4.4/12 и т. п.) (возможно использование нестандартных печей с длиной рабочей зоны до 500 мм и диаметром 50—60 мм) кварцевая труба диаметром 30—50 мм, длиной 0,7 м со шлифом кислородный баллон с редуктором Pt—Pt/Rh — термопара и потенциометр ПП-63 для измерения температуры кварцевые держатели для пластин установка для анодного окисления установка для хлорного травления ХА-термопара универсальный источник питания УИП-1 с предметным столиком для определения электрической прочности SiOa измеритель параметров Л2-7 в комплекте с генератором ГКЗ-40 и манипулятором установка вакуумного напыления металлографический микроскоп (МИМ-7, МИМ-8М)  [c.129]


    Насыщение производят вакуумным напылением или путем на> плавки легирующего компонента. После этого изделия обязательно подвергают термообработке. При этом в отдельных случаях обра зуются интерметаллиды. Так, при насыщении поверхности молиб- дена кремнием и последующей обработке изделия образуется интер металлид Мо312, преграждающий доступ воздуха к изделию. [c.404]

    Так, например, хром и никель в нержавеющих сталях, диффундируя к поверхности, образуют оксидный слой, содержащий шпинель Ni r204 и частично шпинель РеСггО . Оксидный слой такого состава оказывается более устойчивым, чем просто оксид СГ2О3, образующийся на поверхности чистого хрома. Поверхностное легирование представляет собой насыщение поверхности данного сплава металлом, обладающим прочным оксидным слоем, — аллитирование, хромирование, силицирование и т. д. Оно осуществляется диффузионным путем из газовой фазы, содержащей пары или летучие соединения легирующего компонента, или нанесением слоя этого металла вакуумным напылением, плазменным напылением или даже наплавкой, но обязательно с последующей термообработкой изделия. При нанесении на поверхность данного металла легирующего компонента возможно образование между ними интерметаллидов. [c.540]

    Катодное поведение электростатических и электрофоретических алюминиевых покрытий подобно поведению чистого алюминия. Они сильно поляризуются уже при малых плотностях тока и имеют достаточно высокое перенапряжение вьщеления водорода. Электрофоретические алюминиевые покрытия обладают наибольшим значением перенапряжения водорода по сравнению с покрытия.ми, пол>ченны. ш ikj собом электростатического и вакуумного напыления. При получении покрытий из порошковых материалов на электрохимические свойства [c.81]

    Применение. А. используют гл. обр. для получения алюминиевых сплавов. Чистый А.-конструкц. материал в стр-ве жилых и обществ, зданий, с.-х. объектов, в судостроении, для оборудования силовых подстанций и др Применяют А. также для изготовления кабельных, токопроводящих и др. изделий в электротехнике, корпусов и охладителей диодов, спец. хим. аппаратуры, товаров народного потребления и др. Покрытия из А. наносят на стальные изделия для повышения их коррозионной стойкости. Способы нанесения распыление (для защиты стальных конструкций, эксплуатирующихся в приморских зонах, на хим предприятиях и др.) погружение в расплав (для получения алюминированных стальных лент) плакирование прокаткой (биметаллич. ленты) вакуумное напыление (для алю-минирования лент из стали, тканей, бумаги и пластмасс, инструментальных зеркал и др.) электрохим. способ (для получения материалов и изделий с защитно-декоративными св-вами). [c.117]

    Получают И. а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме ( 0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Hj. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Аг, Не, N,) или Hj либо в вакууме ( 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и Sb в вакууме 10 Па с послед, осаждением на нагретую до 400-500 °С Подложку) методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме 10 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). И. а. полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности. [c.230]

    Десорбция 1/9, 11-14 2/210, 1300 3/1143 5/447, 448 н абсорбция 1/4, 11-13 и адсорбция 1/53-62 и вакуумное напыление 3/334, 335 и жкдкостмая экстракция 5/829, 833 и ионизация 2/1311 и катализ 1/1053 2/664, 682, 683, 689-693 и охлаждение 5/604 и очистка адсорбционная 1/52 [c.589]

    Быстрое замораживание, лиофнльная сушка, смеси обрабатываются как тонкие срезы Прессование в таблетки или в стандартные держатели Растворенные комплексы солей макро-цнклического полиэфира в эпоксидной смоле, заполимери-зованные Обработка гомогена-тов и солей как тканей Быстрое замораживание для получения капель Капля раствора соли помещается на фильтрованную бумагу, быстро замораживается и подвергается лиофильной сушке Измерение мельчайших кристаллов в оптическом микроскопе, покрытие углеродом Нанесение капель на держатели, различные способы обеспечения постоянства толщины пятна Поместить капли на покрытое углеродом покровное стекло и испарять этанол Вакуумное напыление металла на подложку Как обычно, для тонких образцов [c.88]

    МВКМ Mg - углеродные волокна получают пропиткой или горячим прессованием в присутствии жидкой фазы, растворимость углерода в магнии отсутствует. Для улучшения смачивания углеродных волокон жидким магнием их предварительно покрывают титаном (путем плазменного или вакуумного напыления), никелем (электролитически) или комбинированным покрытием N1 -В (химическим осаждение,м), [c.115]

    Подобный материал (рис. VI. 4) был предложен несколько ранее [пат. Великобритании 1563010], причем в качестве светочувствительного слоя рекомендованы различные композиции. Связующими могут служить гомо- и сополимеры (как двойные, так и тройные) винилхлорида, винилацетата, малеинового ангидрида, акрилонитрила, винилового спирта. При экспонировании адгезия светочувствительного слоя к металлу становится меньше адгезии слоя металла к подложке, поэтому при отделении светочувствительного слоя после засветки на подложке сохраняется металлический рельеф, соответствующий экспонированным участкам слоя, а на светочувствительном слое создается рельеф металла, отвечающий рисунку шаблона. Металл на подложку наносят вакуумным напылением, катодным осаждением, электролизом или гальванопластикой применяют А1, 2п, Ag, Аи, а также ПОг, Сг15 толщина слоя металла до 100 мкм. [c.204]


Смотреть страницы где упоминается термин Вакуумное напыление: [c.100]    [c.323]    [c.140]    [c.141]    [c.178]    [c.626]    [c.444]    [c.495]    [c.483]    [c.536]    [c.536]    [c.629]    [c.646]    [c.725]    [c.169]    [c.42]    [c.174]    [c.29]    [c.144]    [c.244]    [c.29]   
Смотреть главы в:

Техника борьбы с коррозией -> Вакуумное напыление

Техника борьбы с еоррозией -> Вакуумное напыление




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте