Поверхностное напряжение кристалло

Рентгенографические методы анализа щироко используются для изучения структуры, состава и свойств различных материалов, и в том числе, строительных. Широкому распространению рентгенографического анализа способствовала его объективность, универсальность, быстрота многих его методов, точность и возможность решения разнообразных задач, часто не доступных для других методов исследования. С помощью рентгенографического анализа исследуют качественный и количественный минералогический и фазовый состав материалов (рентгенофазовый анализ) тонкую структуру кристаллических веществ — форму, размер и тип элементарной ячейки, симметрию кристалла. Координаты атомов в пространстве (рентгеноструктурный анализ) степень совершенства кристаллов и наличие в них зональных напряжений размер мозаичных блоков в монокристаллах тип твердых растворов, степень их упорядоченности и границы растворимости размер и ориентировку частиц в дисперсных системах текстуру веществ и состояние поверхностных слоев различных материалов плотность, коэффициент термического расширения, толщину листовых материалов и покрытий внутренние микродефекты в изделиях (дефектоскопия) поведение веществ при низких и высоких температурах и давлениях и т. д. [c.74]

В работе [39] с помощью уравнения (У-4) рассчитаны также поверхностные напряжения кристаллов инертных газов. Получены отрицательные величины, по абсолютному значению составляющие около одной десятой поверхностной энергии. [c.210]

Поверхностный слой кристалла под влиянием внутренних сил притяжения находится в упруго-напряженном состоянии, а расположенные на поверхности элементы структуры (молекулы, атомы, ионы) обладают большим запасом потенциальной энергии, чем находяш,иеся внутри кристалла, — кристалл обладает избыточной поверхностной энергией. Она измеряется работой, необходимой для образования единицы поверхности в изотермических условиях (удельная поверхностная энергия а, Н/м). [c.341]

В работе [83] отмечено, что если наполнитель имеет высокую удельную площадь поверхности, то такие порошки можно превращать в материалы или изделия, используя в качестве связки воду. Это обусловлено тем, что на поверхности твердого тела (порошка), ввиду асимметрии строения поверхностного слоя кристалла, имеются ненасыщенные поля. Напряженность таких полей [c.109]

Решеточные суммы можно приспособить и для оценки энергии ребер, например потенциальной энергии взаимодействия двух кубических кристаллов, имеющих общее ребро. Энергия ребер к выражается в эргах на сантиметр. По данным Леннарда-Джонса и Тэйлора [42], величина к для различных щелочных галогенидов составляет около 10 эрг/см. Согласно более недавней оценке [56], энергия ребра, образованного плоскостями (100) хлорида натрия, равна 3-10- эрг/см. Как и величины поверхностных напряжений, эти данные можно рассматривать только как предварительные. [c.212]

Менее прямой метод оценки поверхностного натяжения основан на изменении параметров решетки малых кристаллов. Полученные этим методом данные [27] для окиси магния и хлорида натрия уже рассматривались в разд. V-2A. Следует отметить, что эти данные относятся к неравновесному поверхностному напряжению, а не к поверхностному натяжению. [c.219]

Структурные превращения можно трактовать как рост одних кристаллитов твердого тела за счет других. Рекристаллизация — это процесс, протекающий в твердом теле после его деформации (например, после наклепа). Процесс идет вследствие уменьшения свободной энергии при превращении деформированных кристаллитов в свободные от внутренних напряжений кристаллы. Рост зерен осуществляется не за счет внутренних напряжений, а за счет уменьшения поверхностной энергии, происходящего при превращении малых кристаллитов в большие. [c.153]

В противоположность поверхностной энергии жидкостей измерить свободную поверхностную энергию кристаллов значительно труднее, при этом данные, полученные различными методами, колеблются в широких пределах, часто различаясь в несколько раз. Этот разброс обусловлен прежде всего влиянием условий опыта и влиянием реальной структуры кристаллов. Наличие различных элементарных дефектов (например, точечные дефекты, отдельные дислокации или их скопления возле границ зерен и т. д.) и микроскопических нарушений (например, микротрещины, которые являются источником концентрации напряжений) или других видов неоднородности (например, скопления химических загрязнений) влияет на поверхностную энергию. В ряде случаев разброс вызывается влиянием адсорбционных явлений на границе фаз кристалл — окружающая среда, так как теоретические значения а справедливы для поверхности раздела кристалл — вакуум. В то же время во многих случаях измеряют значения поверхностных энергий не достаточно чистых поверхностей. Поэтому для различных граней кристалла, существует только несколько достоверных значений а. [c.256]

Поверхностно активными веществами являются не только органические жидкости. Адсорбционные эффекты происходят также в присутствии поверхностно активных металлов, например, ртути и галлия. Например, если поместить кристалл цинка в ртуть так, чтобы он покрылся тонкой пленкой, а затем согнуть его, то свойственная цинку пластичность исчезает и кристалл оказывается очень хрупким. В этом случае происходит сильное понижение предела текучести. Уже при очень низких напряжениях кристалл ломается с возникновением зеркальных плоскостей спайности. [c.390]

Теоретически тензор поверхностных напряжений для изотропного упругого континуума введен (что аналогично тангенциальному давлению в жидкостях), однако единственный метод, способный прояснить эту проблему — измерение параметров решетки для поверхностей твердых кристаллов — пока не дает однозначного ответа [15, с. 172]. [c.40]

В. С. Иоффе [58] считает, что возникновение внутренних напряжений обусловлено изменением параметров решетки по мере роста кристаллов. При этом он исходит из работ, согласно которым параметры решетки поверхностного слоя кристалла отличаются от параметров его внутренних слоев. Действительно, параметры решетки зависят от взаимодействия близлежащих атомов или ионов, образующих решетку. В гомеополярных кристаллах атомы внутренних слоев притягиваются большим числом атомов, чем атомы наружного слоя, и, следовательно, параметры внутреннего слоя решетки будут меньше, чем наружного (рис. 144,а). В ионных кристаллах ионы внутреннего слоя испытывают отталкивание со стороны большего числа ионов, чем наружный слой, поэтому в этом случае параметры внутреннего слоя будут больше, чем наружного (рис. 144,6). [c.306]

Другой механизм существует в многофазных системах, таких, как фарфор. В результате взаимодействия между фазами возникает стекловидная фаза, оказывающая сильное влияние на процесс спекания, так как частицы прижимаются друг к другу под действием поверхностного напряжения. Стекловидная фаза повышает, кроме того, скорость реакции. В случае фарфора первоначальная смесь глины, кварца и полевого шпата превращается при обжиге в кристаллы муллита и кварца, распределенные в аморфной фазе. [c.122]

В кристаллических и аморфных телах всегда имеются внутренние и внешние дефекты, которые существенно снижают их прочность. В местах, где имеются дефекты структуры или микротрещины, происходит концентрация напряжений и такие места становятся очагами разрушения тела. Этим объясняется и тот факт, что прочность реальных тел в сотни раз меньше теоретически рассчитанной прочности. Академик А. Ф. Иоффе поставил очень изящный опыт, демонстрирующий роль поверхностных дефектов в процессе разрушения кристалла. Он погружал на короткое время кристалл поваренной соли в горячую воду. При этом происходило быстрое растворение поверхностного слоя кристалла, в результате чего исчезали микротрещины и выравнивалась поверхность. Прочность кристалла после такой обработки достигала 80% теоретической. Позднее аналогичный эффект наблюдали на стеклянных волокнах, предварительно обработанных плавиковой кислотой, которая хорошо растворяет стекло. [c.41]

В. С. Иоффе [58] считает, что возникновение внутренних напряжений обусловлено изменением параметров решетки по мере роста кристаллов. При этом он исходит из работ, согласно которым параметры решетки поверхностного слоя кристалла отличаются от параметров его внутренних слоев. Действительно, параметры решетки зависят от взаимодействия близлежащих атомов или ионов, образующих решетку. В гомеополярных кристаллах атомы внутренних слоев притягиваются большим числом атомов, чем атомы наружного слоя, [c.306]

Пластическая деформация металла приводит к неравномерным искажениям составляющих его кристаллитов и возникновению напряженного состояния. Области с таким состоянием имеют более высокую свободную энергию, чем соседние с неискаженной структурой. Вследствие этого при отжиге происходит рекристаллизация — снятие напряжений и превращение искаженных мелких зерен в более крупные — равновесные. Такой рост зерен обусловлен уменьшением поверхностной энергии. Процесс начинается с образования зародышей ненапряженных кристаллов, которые затем разрастаются по объему металла. При этом происходит движение границ между зернами, скорость которого v имеет температурную зависимость аррениусовского типа, т. е. [c.281]

Обе эти характеристики связаны с высотой и формой потенциального барьера, существующего на границе раздела кристалл—окисная пленка. Действительно, скачок электростатического потенциала в слое пространственного заряда является высотой потенциального барьера, расположенного в этом слое, а скорость электронного обмена между объемом кристалла и поверхностным окислом определяется высотой потенциальных барьеров, расположенных в слое пространственного заряда и непосредственно на границе раздела. В 31 мы видели, что скорость электронного обмена (ток обмена) с различными ионами водного раствора неодинакова и зависит от их положения в ряду напряжений. Такое же утверждение справедливо и для адсорбированных в окисной пленке частиц, скорость электронного обмена с которыми должна зависеть от их химической природы и степени взаимодействия с окислом. Поэтому обычно говорят, что н а поверхности полупроводникового кристалла присутствуют быстрые и медленные состояния. При этом под быстрыми состояниями подразумеваются те энергетические уровни в окисной пленке, [c.206]

Таким образом, для одновременного обеспечения низкого уровня обратных токов и высоких значений пробивных напряжений необходимо создать условия, в которых величина поверхностного потенциала ф - была бы близка нулю. Действительно, в этом случае на поверхности кристалла будут отсутствовать как инверсионные, так и обогащенные слои. Указанное условие (ф я О) может быть выполнено при контакте поверхностной окисной пленки с атмосферой сухого воздуха. Необходимо также, чтобы в окисной пленке не содержалось заметного количества молекул кислот и окислителей или оснований и восстановителей. В связи с этим заметим, что свободная от примесей окисная пленка образуется после химического или электролитического травления и тщательной промывки кристаллов в протоке специально очищенной воды. Такой технологический цикл способствует также удалению ионов с поверхности кристаллов, что уменьшает скорость поверхностной рекомбинации. [c.214]

Винтовые дислокации облегчают рост кристалла, давая возможность атомам садиться на поверхностную ступеньку. Дислокации влияют на раскалывание кристаллов и другие механические свойства. Наличие дислокаций и взаимодействия между ними объясняет наблюдаемое для некоторых кристаллов явление деформационного упрочения, которое состоит в том, что при увеличении приложенного напряжения пластическая деформация возрастает. [c.194]

Дислокации могут быть положительными и отрицательными, а самое главное, они могут перемещаться в теле кристалла, накапливаться в месте наибольших напряжений и т. д. Дислокации могут выходить на поверхность кристалла и создавать нарушения поверхностного слоя. [c.115]

Напряжение в поверхности кристалла не так легко поддается экспериментальному определению. Одним из эффектов, которые можно легко наблюдать, является изменение параметра решетки исключительно малых ( 100 А) кристаллов, вызванных уравновешивающими объемными напряжениями. При помощи этого метода были проведены некоторые предварительные наблюдения над поверхностными напряжениями кристаллов Na l и MgO [10]. Возможный метод изменения поверхностного напряжения при изменении окружающей среды сводится к измерению изменений кривизны очень тонкой кристаллической облатки. Возможности этого метода были уже изучены [10а, 106] для границы раздела фаз [c.105]

Разницу в субструктуре обоих типов кристаллов можно объяснить следующими причинами ускоренная кристаллизация поверхностных слоев кристалла из слитка приводит к возникновению напряжений и -иакажепню структуры кристаллы из слитка охлаждаются в кон-та(кте с затвердевающими железо-углеродистыми фазами, В то время как для кристаллов из раковин это контакт значительно меньше, а следовательно, и напряжения в меньшей стетени долЖ НЫ действовать на эти кристаллы, [c.95]

К методам оценки поверхностной энергии твердых тел относятся и методы, основанные на измерении энергии разрушения методы раскалывания, трещин, расщепления [4, с. 9]. Методом раскалывания оказалось возможным оценить значение поверхностной энергии кристаллов хлорида натрия и некоторых других галогенидов щелочных металлов, причем экспериментальное значение оказалось близким к теоретическому. Несмотря на то что в этих методах практически невозможно контролировать долю энергии, которая затрачивается на пластическую деформацию кристаллов и выделяется в форме тепла, методами разрушения, особенно при низких температурах, можно получить вполне надежные результаты [42, 43]. Известны опыты по расщеплению слюды [4, 44—46]. Оказалось, что в вакууме расщепление слюды по плоскости спайности происходит практически обратимо если под отщепленный листочек слюды ввести клин, а затем удалить его, при повторном эксперименте на отщепление затрачивается такая же работа, как и в первом случае. По значению этой работы можно рассчитать поверхностную энергию слюды. Этим методом измеряли поверхностную энергию и некоторых других тел [47]. у Поверхностную энергию стекла также измеряют методом трещин. Этот метод заключается в том, что на образце делают сквозную, но не доходящую до краев трещину. Затем образец растягивают перпендикулярно трещине и определяют то критическое напряжение, при котором начинается рост трещины. Из значения этого напряжения вычисляют поверхностную энергию [4, 48]. Следует еще раз подчеркнуть, что при всех механических методах измерения поверхностной энергии твердых тел часть энергии расходуется на неуиругие деформации, трение и другие побочные явления, необратимо переходя в теплоту. Это необходимо иметь в виду при анализе экспериментальных данных. [c.55]

ГО тела оба поверхностных напряжения равны между собой, одь этот вывод не распространяется на неизотропные твердые тела ил, кристаллы. Обозначим Г1 и тг частные значения поверхностного напряжения неизотропного тела (в двух взаимно перпендикулярных направлениях). Шаттлуорс [26] определяет соотношение между свободной поверхностной энергией и поверхностным напряжением следующим образом. Если принять, что площадь поверхпости анизотропного тела увеличивается в двух выбранных направлениях на величины А1 и (рис. У-2), то общее увеличение свободной энергии определяется обратимой работой против соответствующих поверхностных напряжений, т. е. [c.204]

Поверхностное напряжение твердого тела можно рассчитать с помощью уравнений (V-3) и (V-4). В работе [26] такая оценка была сделана для кристаллов тверды.х инертных газов и щелочных галогенидов при О К (см. разд. V-3B). Так, например, согласно расчетным данным, для Na l Y составляет 155 эрг/см , тогда как х имеет отрицательное значение —130 дн/см. По мнению Даннинга [22], отрицательное т означает, что небольшие кристаллы подвергнуты положительной объемной деформации (т. е. несколько увеличены в объеме). Однако Никольсон [27], измерив постоянные решетки небольших кристаллов Na l, пришел к выводу, что они должны характеризоваться положительными значениями т. Поскольку теоретические расчеты основываются на многочисленных допущениях, результаты их могут оказаться неверными. В то же время можно предполагать, что растягивающие напряжения в небольших кристаллах снимаются в результате образования дислокаций. Под действием сжимающего поверх- [c.204]

Поверхностные напряжения и энергия ребер. Подставив в уравнение (У-4) соответствующие суммы для всей кристаллической решетки, Шаттлуорс [39] нашел, что повер.хностные напряжения т плоскости (100) кристаллов щелочных галогенидов являются отрицательными и составляют несколько сотен дин на сантиметр. Полученные ранее Леннардом-Джонсом и Тэйлором [42], Леннардом-Джонсом и Дентом [43] величины являются положительными и достигают нескольких тысяч дин на сантиметр. Очевидно, что расчет поверхностного напряжения еще менее точен, чем расчет поверхностной энергии. [c.212]

Сомораи [99] предполагает, что галогениды щелочных металлов имеют низкую поверхностную диффузию. Отсутствие заметной поверхностной диффузии препятствует достижению устойчивой концентрации выступов и узлов. Повышение плотности дислокаций на поверхности напряженного кристалла, по-видимому, увеличивает концентрацию участков (узлов или выступов), с которых происходит испарение. Поэтому с увеличением плотности дислокаций у рассматриваемых веществ повышается скорость сублимации. Однако большинство твердых веществ проявляют постоянную скорость испарения (после короткого периода индукщти) при данной температуре, не зависящую от плотности дислокаций. [c.76]

Динамика выхода упругого двойник а из кристалла под действием сил поверхностного натяжения исследоваласБ в [226]. Движение двойника при этом полностью определяется внутренними силами, и зависимость Ь ( ), полученная в рамках динамической теории, носит универсальный характер. Экспериментальная проверка ее возможна лишь в условиях, когда двойник сокращается в свободном от внешних напряжений кристалле. Создание таких условий было важным моментом при проведении данных экспериментов. С помошью сосредоточенной нагрузки в кристалле кальцита вызывался упругий двойник, образованный скоплением прямолинейных краевых двойникуюших дислокаций. Затем двойник переводился на распределенную нагрузку и удерживался в кристалле электромагнитом. Выключение электромагнита синхронизировано с запуском скоростной кинокамеры. В момент выключения электромагнита тяга, жестко связанная с якорем, приподнималась над поверхностью образца. Этот процесс кииематографировался. [c.124]

При установлении между окисной пленкой и объемом кристалла электронного равновесия в рассматриваемой системе образуется общий уровень электрохимического потенциала электронов, который не может проходить выше зоны проводимости и ниже валентной зоны. Поэтому энергетические уровни окисной пленки, оказывающие наибольшее влияние на величину коэффициента поверхностной рекомбинации, должны находиться вблизи уровня на расстоянии, не превышающем ширины запрещенной зоны для данного кристалла (см. рис. 53 и 58). Считая, что гидратированная окисная пленка вместе с адсорбированными в ней частицами подобна водному раствору, и обращаясь к рис. 53, мы приходим к выводу, что наиболее эффективными центрами рекомбинации в окисной пленке являются атомы или ионы элементов, располагающихся в правой части ряда напряжений металлов или металлоидов (см. стр. 192). Такими элементами являются водород, медь, серебро, золото, а также кислород и сера. Напомним, что именно для ионов этих элементов характерна высокая скорость электронного обмена при контакте металла или полупроводника с электролитом. Поэтому дe aнный [c.210]

Интересное наблюдение было сделано [ 99] относительно зависимости степени совершенства кристаллов от времени кристаллизации при постоянной температуре. Данные рентгенографического анализа свидетельствуют о небольшом увеличении совершенства кристаллов во времени при постоянной температуре (см. выше). Однако температура пика плавления значительно увеличивается при увеличении времени кристаллизации и отжига. На основании этих данных было высказано предположение, что совершенствуется только структура поверхности кристаллов. Выравнивание поверхности кристаллов и конформационное упорядочение цепей в поверхностном слое должны уменьшать поверхностную энергию кристаллов и соответственно повышать температуру плавления даже без увеличения степени совершенства самих кристаллов. Характер структур некристаллических областей полиэтилентерефталата исследовал Цахман [ 2681 методом ЯМР-спектроско-пии. Было обнаружено, что доля напряженных макромолекул в некристаллических областях сильно зависит от температуры кристаллизации и скорости охлаждения после кристаллизации. Результаты исследования отжига, рассмотренные в разд. 7.3.4, показали, что возможно [c.255]

На Самом деле для кристаллов нужно различать две величины — поверхностное натяжение и поверхностное напряжение (stress). Этот вопрос обсуждался Херрингом (Herring, 1953). Выяснилось, что поверхностной свободной энтальпии эквивалентна величина, опредс.таемая как поверхностное натяжение. — Прим. автора. [c.72]

Вообще поверхность кристалла также обладает свойствами натянутой кожи , т. е. упругим напряжением поверхности, которое сжимает внутреннюю часть кристалла и уравновещивает давление внутри него так, что в целом система находится в механическом равновесии. Упругое напряжение на поверхности кристалла называется поверхностным напряжением о, и оно обычно отличается от у. Для различных кристаллических плоскостей поверхностное напряжение может иметь различное значение, поэтому следует записать его в виде о(й) [c.104]

Эти же цепи при определенных условиях можно использовать для установления температуры аллотропического превращения. Если повысить температуру до значения, при котором а-модификация переходит в р-модификацию, то оба -)лектрода окажутся в одной и той же модификации и э.д.с. системы будет равна (или близка) нулю. Э.д.с. системы может отличаться от нуля потому, что свободная энергия двух электродов, изготовленных из металла одной и той же модификации, не обязательно должна быть одинаковой. Это наблюдается, например, в том случае, когда электроды различаются по размерам образующих их зерен или находятся под различным внутренним напряжением. Электрод, образованный более мелкими кристаллами или находящийся под избыточным механическим напряжением, играет роль отрицательного полюса элемента. Он растворяется, а на другом электроде происходит осаждение металла. Более того, разность потенциалов может возникать даже, если в качестве электродов использоЕ1аны разные грани монокристалла одного и того же металла, поскольку они обладают разным запасом свободной энергии. Электрод, образованный гранью с по-выщенным запасом поверхностной энергии, будет растворяться, а ионы металла — выделяться на грани с меньшей поверхностной энергией. Следует, однако, подчеркнуть, что во многих из этих случаев разность потенциалов, существующая между двумя различными образцами одного и того же металла, не должна отождествляться с обратимой э.д.с., поскольку она отвечает не равновесному, а стационарному состоянию элект[)0Д0в. Разности потенциалов, возникающие в рассмотренных случая , обычно малы, тем не менее в некоторых электрохимических процессах, в частности в процессах коррозии, их необходимо принимать во внимание. [c.195]

Чтобы показать, почему можно заключить, что в случае кристалла а й)фу(п), используем аргумент, предложенный Шатлуер-том [9], Допустим, что упругое напряжение поверхности отдельной кристаллической грани составляет а п), а ее площадь равна А. Можно уравновесить поверхностное напряжение, прилагая извне к граням плоскости натяжения порядка а п). После этого обратимо и изотермически растянем поверхность на бесконечно малую величину с1А. Работа, произведенная приложенным натяжением, составляет а п)с1А. Изменение свободной энергии Гельмгольца грани кристалла составляет й у п)А]. Как и при выводе уравнения (5), вклады, внесенные членами 1гГг, аннулируются. Тогда имеем [c.104]

Для катодолюминесценции характерна высокая концентрация возбуждённых СОСТОЯНИЙ в люминофоре, вызванная как мощностью возбуждения, так и поверхностным характером поглощения энергии бомбардирующих электронов. В области широко используемых ускоряющих напряжений (до 20 кУ) глубина проникновения электронов в толщу люминофора меньше короткого ультрафиолета (резонансная линия ртути 2537 А).Преимущественное рассеяние энергии в сильно нарушенных поверхностных зонах кристалла накладывает глубокий отпечаток на ход люминесцентного процесса. Вся сумма наблюдений позволяет рассматривать люминесценцию как одно из явлений, наиболее чувствительных к структурньш изменениям материала, особенно на его поверхности. Хорошо известно увеличение отдачи с ростом элементарного кристаллика люминофора и улучшением его структуры в процессе термической обработки. Обратный эффект имеет место при измельчении люминофоров. Падение отдачи вызвано здесь не только изменением оптических свойств среды, но и прямым нарушением люминесцентной способности. Для силикатов характерно, например, очень резкое падение светоотдачи при уменьшении размеров зерна до долей микрона, когда поперечник кристалла совпадает или становится меньше глубины проникновения электронов выданный материал [190]. Только путём специальных методов синтеза, которые гарантируют более совершенную перекристаллизацию, можно получить виллемит с хорошей люминесцентной способностью при размерах кристалла порядка 0,1—0,2 х. При переходе к более глубоко про-1шкающему возбуждению предельная величина светящихся кристаллов соответственно растёт. По наблюдениям свечения, при возбуждении ультрафиолетом максимум яркости для виллемита падает на размер зёрен 4—5 ц [86, стр. 573]. Дальнейшее измельчение понижает интенсивность свечения, и частицы меньше 1,5 л при наблюдении под [c.330]

Аденозинтрифосфат (АТФ) адсорбируется на твердом апатите кальция и реагирует затем с остатками фосфата, входящими в кристаллическую решетку. Образовавшийся при этом пирофосфат включается в поверхностный слой кристалла апатита [66]. По-видимому, фосфатные группы АТФ взаимодействуют с доступными ионами кальция па кристаллической поверхности. В результате этого связывания происходит сближение реагирующих фосфатных групп, преодоление электростатического отталкивания, превращение АДФ в хорошую уходящую группу. Не исключено, что протекание реакции облегчается также наведением напряжения в связанную молекулу АТФ. Интересно, что апатит бария, хотя он и связывает АТФ более прочно, в реакции фосфорилирования является менее реакционноспособпым. Это свидетельствует, что взаимодействие между кристаллом и нуклеотидом должно быть высокоспецифическим, чтобы способствовать реакции, и зависит, по-видимому, от пространственного расположения атомов в кристаллической решетке апатита. [c.40]

В. С, Иоффе [14] высказал предположение, что причиной внутренних напряжений является отличие параметра решетки в поверхностных слоях кристаллов от нормальной величины (так называемый эффект Леииард-Джонса), При отложении последующих слоев металла параметр решетки оказавшихся теперь в глубине атомных слоев должен стремиться принять нормальную величину, вследствие чего и возникают внутренние напряжения. Экспериментальная проверка эффекта Ленпард-Джоиса, произведенная рядом авторов, дала противоречивые результаты поэтому предположение [c.53]

В этом случае на поверхности металла возникает множество микроскопических гальванических элементов — микроэлементов и субмикроэлементов, при работе которых растворяется один из компонентов сплава, что приводит к постепенному разрушению поверхностных слоев металла. Электродные потенциалы зависят не только от вида металла, но в меньшей степени и от кристаллической. модификации его, от различных дефектов в решетке кристалла, от напряжения во внутренней структуре. Поэтому все виды неоднородности металла, в том числе и вызываемые такими методами обработки, как ковка, прокат, волочение и пр., могут в той или иной форме и степени влиять на течение коррозионных процессов. Вследствие указанных причин будут возникать химические цепи. [c.455]

При этом под обогащенным слоем подразумевается поверхностный слой, обладающий тем жетипом проводимости(/г илир), что и объем кристалла, но имеющий гораздо более высокую концентрацию основных носителей. Напомним также, что инверсионным слоем называется поверхностный слой, обладающий обратным по отношению к объему типом проводимости. Наличие инверсионного слоя на поверхности кристалла приводит к увеличению площади перехода, что вызывает повышение уровня обратного тока. На рис. 59 изображен р—п переход с инверсионным слоем п типа. Ввиду малой толщины, этот слой обладает очень большим сопротивлением, соизмеримым с сопротивлением перехода, и поэтому вдоль него происходит падение обратного напряжения, как это показано на рис. 59. Из вольт-амперной характеристики р — п перехода следует, что при напряжениях, мень-кТ [c.213]

Периодические изменения температуры (термоциклы) приводят к таким же последствиям, что и тренировка. Это следует из формулы (170), откуда видно, что концентрация адсорбированных молекул зависит от температуры. Явления, подобные тренировке, могут быть полностью устранены при герметизации прибора в атмосфере сухого инертного газа. В этом случае при любых условиях работы прибора на поверхности кристалла практически отсутствуют какие бы то ни было адсорбированные частицы, и параметры прибора определяются только свойствами чистой окисной пленки. В предыдущем параграфе мы видели, что атмосфера инертных газов или вакуум увеличивают значение поверхностного потенциала Фз. Поэтому в этих средах на поверхности полупроводника п типа образуется обогащенный слой, а на поверхности полупроводника р типа — инверсионный слой п типа). Последнее приводит либо к уменьшению пробивных напряжений, либо к увеличению обратных токов р—п перехода. Таким образом, атмосфера сухих инертных газов обеспечивает постоянство параметров прибора, но, как правило, не обеспечивает их оптимальных значений. [c.218]

При быстрой кристаллизации в условиях, далеких от равновесного хода процесса, обычно получаются поликристаллические вещества, зерна которых в силу условий роста, соприкосновения и срастания обычно имеют неправильную форму. Пространственная ориентация их различна и случайна, границы деформированы. Внутренняя структура зерен также неидеалъная из-за различных напряжений, неравномерного теплоотвода и т. д. Особенно много дефектов на границе зерен. Поверхностные слои по свойствам и даже по составу могут отличаться от внутренних слоев кристалла. От дефектов строения сильно зависят свойства веществ. Медленная кристаллизация способствует образованию более крупных кристаллов с меньшим числом дефектов в них. Кристаллы могут получаться различными способами (см. гл. X). [c.135]