Инертные газы кристаллы

Наиболее простыми по структуре являются кристаллы инертных газов. [c.139]

При необходимости измерить излучение газа источник в верхней части рисунка не включается, верхний прерыватель также выключен и открыт, а нижний работает. Тогда для изотермического газа преобразованный сигнал соответствует (1—е < )/ , (Г , v). Для предохранения окон ячейки (которые также изготовляют из кристаллов солей галогенидов щелочных металлов) от воздействия высоких температур и химически активных газов используют изотермическую диагностическую ячейку, изображенную на рисунке. Исследуемый газ удерживается тяжелым прозрачным инертным газом, который в свою очередь отжимается легким прозрачным инертным газом (гелием). [c.486]

Чтобы уменьшить вязкость суспензии и повысить селективность кристаллизации парафинов и размеры кристаллов, сырье разбавляют специальной смесью растворителей. При этом над суспензией находятся пары этих растворителей, поэтому фильтрование ведут в атмосфере инертного газа, чтобы избежать образования взрывоопасных смесей с воздухом в целях уменьшения его расхода инертный газ возвращается на рециркуляцию. Промывку осадка (гача) ведут смесью тех же растворителей. [c.391]

Основным достоинством этого процесса являются его простота и экономичность, так как пропан одновременно является и растворителем, и хладоагентом. Кроме того, пары пропана используют и для отдувки осадка на фильтре. Это позволяет исключить из схемы линию инертного газа. При депарафинизации пропаном вследствие малой вязкости раствора при низких температурах скорость охлаждения значительно выше, чем при использовании кетонов. В процессе охлаждения, особенно остаточного сырья, совместная кристаллизация твердых углеводородов и смолистых веществ приводит к образованию крупных дендритных кристаллов, что обеспечивает высокую скорость фильтрования — до 600— 1000 кг/(м2-ч) по сырью из расчета на полную поверхность фильтра. [c.185]

С различными веществами, в кристаллах которых имеются относительно большие пустоты, инертные газы образуют соединения включения (клатраты). Так, например, за счет наличия пустот в кристаллическом гидрохиноне в нем удерживается три атома инертного газа на каждую молекулу гидрохинона. Соединения подобного рода преимущественно с тяжелыми инертными газами образует и лед. Связь в таких соединениях осуществляется силами Ван-дер-ваальса. [c.491]

С сгущающийся в бледно-синюю жидкость, которая затвердевает при —218,7 С в синие кристаллы. Жидкий К- парамагнитен. При 5000 С молекулы К. полностью диссоциируют на атомы. К. малорастворим в воде, хорошо поглощается древесным углем и расплавленными благородными металлами. К- образует соединения со всеми химическими элементами, в том числе и с инертными газами (кроме Не и Не). С большинством элементов реагирует непосредственно. В соединениях К. проявляет степень окисления — 2 (кроме соединений с фтором). К- активно окисляет органические соединения. Окисление К. питательных веществ в клетках служит источником энергии живых организмов. В лаборатории К. получают по уравнениям [c.127]

Созданию электронной теории катализа на полупроводниках посвящены работы Ф. Ф. Волькенштейна. В этой теории рассматривается полупроводниковый катализатор, представляющий"собой идеальный кристалл, образованный ионами с оболочкой инертного газа. При отличной от абсолютного нуля температуре в зоне проводимости такого кристалла имеются электроны, обеспечивающие свободные валентности на его поверхности. Эти электроны участвуют в образовании связей адсорбирующихся частиц с поверхностью кристалла. Возможны три типа связи. 1. Слабая гомеополярная связь, обеспечиваемая валентным электроном одного из адсорбирующихся атомов, затягиваемым в зону проводимости кристалла. 2. Прочная гомеополярная связь, в которой кроме этого электрона участвует электрон кристалла, переходящий на локальный энергетический уровень, возникающий в запрещенной зоне кристалла в результате адсорбции. 3. Ионная связь, образующаяся при переходе валентного электрона адсорбированного атома в решетку кристалла. Наиболее реакционноспособны состояния со слабой связью, так как они характеризуются ненасыщенными валентностями. [c.279]

Ионная связь обусловливает образование ионных кристаллов, а также ионных молекул, существующих в парах ионных соединений. Она является следствием электростатического притяжения противоположно заряженных ионов и возникает между атомами, сильно отличающимися потенциалом ионизации и сродством к электрону. Наименьшим потенциалом ионизации обладают атомы щелочных металлов. Отдавая свой внешний электрон, эти атомы превращаются в одновалентные катионы, электронная оболочка которых подобна оболочке атомов инертных газов. Наибольшей энергией сродства к электрону обладают атомы галогенов. Достраивая свою электронную оболочку, эти атомы становятся одновалентными анионами. [c.114]

Согласно теории Полинга, -состояния контролируют величину межатомного расстояния. Так, если в металлическом кристалле Я — радиус атома с одинарной связью 2 — число электронов в нейтральном этоме, которые находятся за пределами оболочки, свойственной инертному газу б — процент -характера, то эти величины связаны между собой соотношением [c.150]

Монокристаллы, обладающие заданной кристаллографической ориентацией, получают по методу вытягивания. На рис. 57 приведена схема одного из типов применяемых для этой цели установок. В ней весь процесс вытягивания происходит в запаянной кварцевой ампуле. Шток с затравкой перемещается магнитным приводом 1127]. В таких установках получаются наиболее высококачественные кристаллы. Но удобнее в работе и более производительны разборные установки. В приборах с шприцевым уплотнением шток с затравкой соединен с кварцевым поршнем, хорошо пришлифованным к внутренним стенкам камеры, в которой происходит выращивание. В другом типе разборных установок для противодействия диффузии паров мышьяка через затвор создается внешнее давление инертного газа (аргона), что сводит потери мышьяка к минимуму (2—4 г за процесс). Нужное давление паров мышьяка в этих установках поддерживается двух- или трехзонным методом. [c.273]

Галогениды щелочных металлов. Существование слабых химических взаимодействий между ионами галогенидов щелочных металлов, как и в случае атомов инертных газов, вытекает из результатов анализа свойств кристаллов и паров этих веществ. Отличие от инертных газов здесь состоит не только в том, что ионы заряжены, но и в том, что анион и катион одного галогенида неодинаковы по размерам. Ранее возможность химического типа взаимодействий между ионами в кристаллах галогенидов щелочных металлов не учитывалась. Ионы рассматривались как химически насыщенные частицы. Взаимодействие между ионами в существенных чертах предполагалось парным, так что полная энергия кристаллической решетки считалась суммой энергий взаимодействия ионов, взятых попарно. При этом учитывались все возможные парные комбинации ионов. [c.88]

В кн. [2] приведены параметры е и ёд (12—6)-потенциала Леннарда—Джонса для некоторых атомов и простых молекул. Параметры получены с помощью анализа результатов измерений вязкости газов и второго вириального коэффициента. Эти параметры приближенно характеризуют особенности взаимодействия молекул, но значение их не следует преувеличивать. Даже для атомов инертных газов истинный парный потенциал в области малых значений Я глубже и круче потенциала Леннарда—Джонса. Только благодаря случайной взаимной компенсации ошибок у исследователей существовало представление, что с помощью парного (12—6)-потенциала можно описывать свойства инертных газов во всей области состояний от кристалла до разреженного газа [54]. В действительности потенциал Леннарда—Джонса дает заниженные значения энергии взаимодействия при малых / и завышенные значения при больших / . Следует также иметь в виду, что потенциал Леннарда—Джонса качественно непригоден для описания взаимодействия между атомами аргона и большинства других инертных газов в конденсированных фазах. [c.95]

Достоинством газо-хроматографического метода является сравнительно низкая чувствительность инертного газа к изменению природы поверхности новообразований, и, таким образом, он может достоверно отображать величину скелетной удельной поверхности цементного камня и отдельных кристаллов-новообразований в пределах стерических возможностей проникновения аргона к этим поверхностям. [c.212]

Дислокационная теория росаа кристаллов из растворов [59]. Модель предыдущего раздела основана на предположении о том, что полную скорость диффузии определяет поверхностная диффузия модель удовлетворительным образом описывает кинетику роста кристаллов из газовой фазы в случае, когда градиент концентрации в объемной фазе можно считать пренебрежимо малым по сравнению с разностью концентрации в непосредственной близости от кристалла и равновесной концентрации. В случае, когда градиент концентрации в объемной фазе велик, процессом, определяющим полную скорость диффузии, является объемная диффузия. Этот случай, как правило, приходится рассматривать при кристаллизации из растворов (или из газовой фазы в присутствии инертного газа) [60]. [c.272]

Кристаллизация в среде инертного газа. Для каждого сырья существуют определенные температурные пределы, в которых можно существенно улучшить кристаллическую структуру суспензии при охлаждении путем подачи в нее инертного газа (азота или двуокиси углерода) [141 —143]. Действие инертного газа объясняется сокращением длительности диффундирования молекул твердых углеводородов к центрам кристаллизации и устранением местной перенасыщенности раствора. На поверхности пузырька инертного газа сорбируется часть содержащихся в сырье асфаль-то-смолистых веществ, которые таким образом становятся подвижными центрами кристаллизации, способствующими образованию дендритных агрегатов. Подача инертного газа оказывает и чисто механическое воздействие, разобщая кристаллы и снижая структурную вязкость суспензии. Скорость фильтрации при применении инертного газа увеличивается в 1,4—2,0 раза, а содержание масла в гаче снижается на 40—60 вес. %. Длительность обработки суспензии 12—15 мин, расход инертного газа 0,4—0,8 объема на [c.155]

Кристаллизация в сред.е инертного газа Суть метода заключается в образовании подвижных центров кристаллизации - пузырьков инертного газа, барбати-рующих через сырье. На поверхности пузырьков сорбирована часть смолистых веществ, содержащихся в сырье, которые можно рассматривать как зародьшхи кристаллизации. Кристаллизация в системе с движущимися центрами кристаллизации позволяет получить крупные кристаллы, хорошо отделяеглые при кристаллизации [49-51]. [c.15]

Промытый осадок при дальнейшем вращении барабана отдувается инертным газом VI, который подается с обратной стороны фильтровальной ткани под избыточным давлением 30—50 кПа (0,3—0,5 кгс/см2) через отверстие в распределительном устройсгт-ве внутрь секций, а затем через ткань, отделяя от нее образовавшийся осадок. В корпусе вакуумного фильтра над поверхностью фильтруемой суспензии поддерживается избыточное давление инертного газа 1 кПа (0,01 кгс/см ). После отдувки осадок V срезается ножом, скользящим по крепежной проволоке, попадает в желоб, откуда вместе с добавленным растворителем направляется шнеком в приемник для гача или петролатума. По мере необходимости (когда ткань забивается кристаллами твердых углеводородов и льда, о чем судят по уменьшению производительности фильтра) подачу сырья прекращают и проводят горячую промывку. Фил4>трат го рлчей промывки VII проходит в секцию барабана, а оттуда — в вакуумный приемник За. Горячая промывка может быть запрограммирована по времени и температуре пром атвки и на большинстве установок осуществляется автоматически в пе,риод рабочего цикла. [c.166]

Кристаллы аргона и других инертных газов являются молекулярными с высокими координационными числами (плотной упаковкой молекул в кристалле). Так, аргон имеет кубическую гра-иецентрированную кристаллическую реп1етку (см, рис. 50, а). [c.181]

Обозначения. МХ — по Мельвину — Хьюзу, Г — по Гольдшмидту, П — по Полингу, Ин — в кристаллах у ионов с оболочкой инертных газов. [c.258]

Для упрощения изложеншЕ был рассмотрен ЭПР для свободного электрона. В действительности же методом ЭПР исследуются атомы и радикалы в газовой фазе, в растворах (в том числе и сольватированные электроны), в кристаллах и порошках. Нестабильные радикалы можно успешно исследовать, замораживая их в матрицах из отвердевших инертных газов. Методом ЭПР исследуются и электронно-дефицитные центры в кристаллах. [c.77]

Интертные элементы могут давать соединения включения, или так называемые клатратные соединения (греч. с1а(г1 — решетка). Так, с применением высокого давления атомы инертных газов можно втиснуть в кристаллические решетки других веществ. Указанным путем, например, получены смешанные кристаллы, на 3 молекулы гидрохинона СвН4(ОН)2 содержащие ] атом инертного элемента (например, ксенона). [c.539]

Периодические изменения температуры (термоциклы) приводят к таким же последствиям, что и тренировка. Это следует из формулы (170), откуда видно, что концентрация адсорбированных молекул зависит от температуры. Явления, подобные тренировке, могут быть полностью устранены при герметизации прибора в атмосфере сухого инертного газа. В этом случае при любых условиях работы прибора на поверхности кристалла практически отсутствуют какие бы то ни было адсорбированные частицы, и параметры прибора определяются только свойствами чистой окисной пленки. В предыдущем параграфе мы видели, что атмосфера инертных газов или вакуум увеличивают значение поверхностного потенциала Фз. Поэтому в этих средах на поверхности полупроводника п типа образуется обогащенный слой, а на поверхности полупроводника р типа — инверсионный слой п типа). Последнее приводит либо к уменьшению пробивных напряжений, либо к увеличению обратных токов р—п перехода. Таким образом, атмосфера сухих инертных газов обеспечивает постоянство параметров прибора, но, как правило, не обеспечивает их оптимальных значений. [c.218]

В жидкостях в отличие от газов доминируют те же межмолекулярные силы притяжения, которые обусловливают тот или иной тип связи в кристалле. Так, например, между атомами сжиженных инертных газов действуют ван-дер-ваальсовы силы. Те же силы вызывают взаимное притяжение молекул неполярных жидкостей. Молекулы воды, кислот жирного ряда и спиртов взаимодействуют друг с другом посредством водородных связей, возникновение которых связано с наличием в их составе гидроксильных групп ОН. В расплавах солей действуют электростатические силы притяжения, в металлах — силы металлической связи. [c.10]

Более поздние исследования структуры подобных соединений показали, что они представляют собой особый класс соединений — так называемые соединения включения. Такие соединения образуются при внедрении молекул и атомов в полости цепочечного, слоистого или каркасного кристалла, образованного вторым компонентом. Первые молекулы в соединениях включения называются гостями , вторые — хозяевами . В каркасных структурах, образованных молекулами-жхозяевами , возникают полости, в которых заключены молекулы- гости . Соединения включения (аддукты) с каркасным клеточным скелетом получили название клатратов. Клатратные соединения не следует рассматривать как комплексы, поскольку они образованы за счет ван-дер-ваальсова, а не валентного взаимодействия. Тем не менее их существование уже не позволяет отнести Аг, Кг, Хе (и радон) к инертным газам, так как они все же проявляют определенную склонность к взаимодействию. [c.392]

Чохральским (рис. 84). Вещество в тигле ] из кварца или специального графита расплавляют с помощью индукционного нагревателя 2. В расплав, нагретый немного выше температуры плавления вещества, загружают затравку в виде небольшого кристалла того же вещества 3. Для лучшего перемешивания расплава затравку вместе со штоком 4, к которому она прикреплена, приводят во вращение со скоростью от 2 до 100 об мин. Когда затравка соприкасается с расплавом и немного оплавится, включают подъемный механизм. При вытягивании затравки на ней нарастает кристалл диаметром, зависящим от степени перегрева расплава, скорости подъема затравки и условий охлаждения твердой фазы.Скорость вытягивания 0,5— 10 мм мин. Меняя параметры, можно менять сечение растущего кристалла. Вытягивание ведут в вакууме или в атмосфере инертного газа. Так как большинство примесей в германии и кремнии имеет К С 1, то при их вытягивании из расплава в верхней части выращенного кристалла будет содержаться меньше примесей, так как они по преимуществу накапливаются в остающейся части расплава и попадают в хвост кристалла. Загрязненную часть кристалла удаляют и всю операцию повторяют несколько раз. Так можно добиться уменьшения концентрации примесей до 10 атомов на 1 см . Для германия это можно считать вполне удовлетворительной степенью очистки. [c.265]

Вывод, что между атомами инертных газов существуют слабые взаимодействия химического типа, следует из данных о свойствах паров этих веществ и структуре кристаллов. В парах инертных газов обна-зужеиы димеры и в некоторых случаях — более сложные ассоциаты 30]. Энергия диссоциации молекул неона Ыеа составляет около 355 Дж/моль аргона Ага — около 1090 Дж/моль, ксенона — около 2920 Дж/моль, молекул НеМе — около 117 Дж/моль и т. д. [c.77]

Вывод о слабом химическом взаимодействии между атомами инертных газов качественно следует из экспериментальных данных о структуре кристаллов и ее изменении с ростом давления. Иенсен дал приближенное квантоБомеханическое обоснование этого вывода. Но если слабые связи химического типа между атомами инертных газов наблюдаются в парах и в твердой фазе, то, надо полагать, они имеются и в жидкости. [c.81]

Удовлетворительное объяснение относительно высокой стабильности решетки типа s l для кристаллов галогенидов щелочных металлов в рамках теории Борна—Мейера не было найдено. По расчетам Л. Иенсена [4], помимо электростатического взаимодействия между ионами и близкодействующего отталкивания, важную роль играют трехчастичные взаимодействия, сопровождающиеся обменом электронами между ионами. Но в отличие от инертных газов трехчастичные взаимодействия между ионами в кристаллах галогенидов щелочных металлов способствуют возникновению треугольников с малыми углами 6. При О 120° имеет место притяжение, при 9 >120° — отталкивание. [c.89]

В узлах (рис. 19) решетки молекулярного кристалла находятся устойчивые молекулы (атомы в случае замороженных инертных газов), которые сохраняют свою индивидуальность в силу того, что расстояние между молекулами (г) значительно превосходит их размеры (1). Это и обусловливает чрезвычайную слабость ван-дер-ваальсовых сил по сравнению с силами других, выше перечисленных видов связи. Энергия связи практически не превышает 10 ккал/моль. Так, у молекулярного водорода, хлора и брома в твердой фазе энергия связи равна 0,24 6,4 и 7 ккал/моль соответственно. [c.49]