Тетраэдрическое кристаллическое

Поскольку октаэдрическое, квадратно-плоскостное и тетраэдрическое кристаллические поля вызывают различные расщепления пяти орбиталей, значительное влияние ш (I — -переходы оказывает геометрия комплексов ионов металлов. Спектральные данные для этих переходов должны давать информацию о структуре комплексов. В этом разделе мы прежде всего обсудим вопрос о том, как структура влияет на энергии различных состояний иона металла, и затем используем эти данные для определения структур различных комплексов. [c.100]

Таблица А.27. Сравнение энергии стабилизации в октаэдрическом и тетраэдрическом кристаллическом поле лигандов

Рис. 23.31. Диаграмма энергетических уровней /-орбиталей в тетраэдрическом кристаллическом поле.

Полупроводниковые свойства кремния, германия и некоторыя других простых веществ и соединений элементов IV группы периодической системы определяются прежде всего особенностями их электронной структуры и характером связи атомов в кристаллической решетке. Они имеют тетраэдрическую кристаллическую решетку каждый атом связан с четырьмя другими атомами ковалентной связью. При образовании этой связи происходит как бы перекрывание электронных орбит атомов и зр -гибридизация связей. Все связи становятся равноценными в любом тетраэдрическом направлении. Вследствие этого электроны сравнительно прочно связаны с атомами свободных электронов, способных проводить ток, насчитывается примерно [c.94]

Наличие неподеленных пар электронов у кислорода и смещение обобществленных электронных пар от атомов водорода к атому кислорода обусловливает образование водородных связей между кислородом и водородом. Водородные связи обусловливают ассоциацию молекул воды в жидком состоянии и некоторые ее аномальные свойства, в частности, высокие температуры плавления и парообразования, высокую диэлектрическую проницаемость, максимальную плотность при 4°С, а также особую структуру льда. В кристаллах льда молекула воды образует четыре водородные связи с соседними молекулами, что приводит к возникновению тетраэдрической кристаллической структуры. Расположение молекул в таком кристалле отличается от плотной упаковки молекул, в решетке много свободных мест, поэтому лед имеет относительно невысокую плотность. [c.83]

Аналогичные диаграммы энергетических уровней можно построить для "-систем и в тетраэдрическом кристаллическом поле. Между этими диаграммами и диаграммами для некоторых систем в октаэдрическом поле существует интересное соотношение. Известно, что порядок расположения расщепленных -уровней в тетраэдрическом поле противоположен порядку уровней в октаэдрическом поле. [c.68]

Порядок расположения энергетических уровней для "-конфигураций в октаэдрическом и тетраэдрическом кристаллических полях [c.69]

С — октаэдрическое кристаллическое поле б — тетраэдрическое кристаллическое поле. Для ионов и рис. а относится к тетраэдрическому случаю, а рис. б — к октаэдрическому. [c.292]

Соединения с кислородом. Окись бериллия ВеО — единственное соединение бериллия с кислородом. Это белый аморфный порошок. В виде кристаллов ВеО может быть получена, в частности, при выделении из расплавленных растворителей, например из расплавленных карбонатов щелочных металлов. Образует тетраэдрическую кристаллическую решетку типа вюртцита (одна из модификаций 2п8). Физические константы даны в табл. 18. [c.61]

Влияние искажения на спектры иона Си в тетраэдрическом кристаллическом поле. [c.206]

На рис. 1 представлены результаты измерения константы сверхтонкого взаимодействия в легированных марганцем двухатомных полупроводниках. Во всех случаях при изучении спектров э.п.р. обнаружено, что Мп2+ замещает элемент А в его нормальном узле и имеет тетраэдрическое кристаллическое поле. Экспериментальные см точки удовлетворительно укладываются на плавную кривую, поднимающуюся с ростом ионности. [c.53]

До сих пор мы рассматривали применение теории кристаллического поля лишь к комплексам с октаэдрической структурой. Если центральный ион металла окружен только четырьмя лигандами, комплексы чаще всего обладают тетраэдрической структурой, исключение составляют лишь ионы металлов с электронной конфигурацией о которых мы будем говорить чуть позже. Картина расщепления энергетических уровней -орбиталей металла кристаллическим полем в тетраэдрических комплексах отличается от описанной выше для октаэдрических комплексов. Четыре эквивалентных лиганда взаимодействуют с центральным ионом металла наиболее эффективно, приближаясь к нему со стороны четырех верпшн тетраэдра. (Наглядное представление об октаэдрическом и тетраэдрическом окружениях дает рис. 22.14.) Оказывается (хотя это и нелегко объяснить в нескольких словах), что картина расщепления энергетических уровней /-орбиталей мeтaJ лa в тетраэдрическом кристаллическом поле качественно противоположна картине, наблюдаемой в случае октаэдрического поля. Это означает, что три /-орбитали металла приобретают более высокую энергию, а две остальные, наоборот, более низкую энергию (рис. 23.31). Поскольку в тетраэдрических комплексах всего четыре лиганда вместо шести в октаэдрических комплексах, расщепление кристаллическим полем для тетраэдрических комплексов имеет намного меньшую величину. Расчеты показывают, что при одних и тех же ионах металла и лигандах расщепление кристаллическим полем для тетраэдрического комплекса составляет всего д соответствующей величины для октаэдрического комплекса. По этой причине все тетраэдрические комплексы относятся к высокоспиновым кристаллическое поле [c.398]

Хотя водородные связи слабее ковалентных и ионных, они значительно прочнее вандерваальсовых связей и обусловливают ассоциацию молекул воды в жидком состоянии и некоторые аномальные свойства воды, в частности высокие температуры плавления и парообразования, высокую диэлектрическую проницаемость, максимальную плотность при 4 °С, а также особую структуру льда. В кристаллах льда молекула воды образует четыре водородные связи с соседними молекулами воды (за счет двух неподеленных электронных пар у кислорода и двух протонов), что обусловливает возникновение тетраэдрической кристаллической структуры льда. Расположение молекул в таком крис-. талле отличается от плотной упаковки молекул, в решетке много свободных мест, поэтому лед имеет относительно невысокую плотность. При высоких давлениях (выше 200 МПа) обеспечивается более плотная укладка молекул воды и возникает еще несколько кристаллических модификаций льда. При плавлении происходит частичное разрушение структуры льда и сближение молекул, поэтому плотность воды возрастает. В то же время повышение температуры усиливает движение молекул, которое снижает плотность вещества. При температуре выше 4 °С последний эффект начинает превалировать и плотность воды понижается. [c.372]

ЗсР (тетраэд.). Как показано на рис. 11-6, а, в тетраэдрическом кристаллическом поле семикратно орбитально вырожденное состояние газообразного иона ЗсР расщепляется так, что низщим становится орбитальный синглет. Таким образом, эта [c.316]

Хотя водородные связи слабее ковалентных и ионных, они значительно прочнее вандерваальсовых связей и обусловливают ассоциа-Щ1Ю молекул воды в жидком состоянии и некоторые аномальные свойства воды, в частности высокие температуры плавления и парообразования, высокую диэлектрическую проницаемость, максимальную плотность при 4°С, а также особую структуру льда. В кристаллах льда молекула воды образует четыре водородные связи с соседними молекулами воды (за счет двух неподеленных электронных пар у кислорода и двух протонов), что обусловливает возникновение тетраэдрической кристаллической структуры льда. [c.390]

Эта последовательность, за исключением положения Со +, совпадает с определенной по спектрам поглощения ионов переходных элементов в окислах. Но термодинамические величины в целом ниже на несколько кДж/моль (например, для Сц2+ полученная по термодинамическим расчетам величина энергии предпочтения октаэдрической позиции равна - 42 кДж/моль, спектрально определенная — 63 кДж/моль). Эта разница, вероятно, получается в результате комбинации многих факторов, включая погрешность, вносимую использованием равенства A/ = V9Ao при определении энергии тетраэдрической кристаллической решетки (см. гл. 6) и при допущении полной идеальности (см. выше). [c.172]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология