Кристаллизация эвтектическая

Система Температура кристаллизации эвтектической смеси, °С Состав эвтектической смеси, мол. % [c.95]

К композиционным относятся материалы, полученные методом направленной кристаллизации эвтектических структур. Монокрн-сталлпческие и поликристаллические нити или частицы внутри материала образуются в процессе его твердения при соответствующем составе расплава с добавлением катализаторов кристаллизации Таким методом получают металлические, стеклокрнсталличе-ские материалы (ситаллы), некоторые виды минеральных бетонов и керамики. [c.394]

На основании полученных данных построить кривые охлаждения, по которым определить температуру начала кристаллизации, эвтектическую температуру и длительность эвтектической остановки. Эти результаты вместе с данными о составе, выраженными в весовых и мольных процентах, записать в таб/ицу по образцу. [c.243]

Температура охлаждения сырья в кристаллизаторе должна быть примерно на 2°С выше температуры начала кристаллизации эвтектической смеси м- и л-ксилолов. В кристаллизаторе I ступени в зависимости от состава сырья происходит охлаждение до температуры минус 55 70 °С. В маточном растворе после I ступени разделения содержится 7—10% п.-ксилола, а в осадке — от 70 до 98%. Расплавленный осадок I ступени кристаллизуется на II ступени при температуре минус 6- 18 С. Чистота кристаллов п-ксилола после II ступени превышает 99%. В случае необходимости может быть проведена дополнительная промывка кристаллов соответствующим растворителем. В маточном растворе II ступени содержится 50—70% п-ксилола. [c.252]

При кристаллизации фракции, содержащей 35,6 вес. % п-этилтолуола и 59,4 вес. % ж-этилтолуола (см. табл. 5.3), начало кристаллизации п-этилтолуола будет при —90 °С, а допустимая температура охлаждения смеси, ограничиваемая началом кристаллизации эвтектической смеси п-этилтолуола, интервале может быть выделено [c.215]

Диаграмма состояния рассматриваемой системы дает возможность теоретически определять составы образующихся кристаллических фаз в стекле и намечать пути устранения пороков стекла, вызываемых кристаллизацией. Так, известно, что наибольшей скоростью кристаллизации отличаются расплавы, отвечающие составам химических соединений, и, наоборот, наименее склонны к кристаллизации эвтектические составы и составы, точки которых лежат на пограничных кривых. [c.122]

В отчете должны быть представлены схема установки для определения температур плавления (кристаллизации), кривые охлаждения, градуировочный график, диаграмма плавкости, найденная температура кристаллизации эвтектической смеси, состав эвтектической смеси. [c.45]

Температура кристаллизации эвтектической смеси нафталина с бензолом равна —3,6 °С. [c.163]

Точка 2. Система выше точки Г двухвариантна, т. е. для характеристики подобной системы необходимо фиксировать температуру и состав. В точке Г начинается кристаллизация вещества А. Выделение теплоты кристаллизации замедляет охлаждение системы. По мере увеличения количества твердого вещества А расплав обогащается веществом В, вследствие чего температура кристаллизации непрерывно понижается. Соотношение между количествами твердой и жидкой фаз определяется по правилу рычага. Поскольку с момента образования твердой фазы система стала одновариантной, то между температурой и составом насыщенных растворов будет существовать зависимость, которая, и выражается кривой АЕ. Следовательно, отмечая температуру начала кристаллизации, тем самым устанавливают состав наоборот, каждому составу отвечает единственная температура равновесия твердое вещество А — расплав. По достижении температуры эвтектики расплав будет насыщен обоими веществами появляется новая фаза — твердое вещество В, и система становится инвариантной. При температуре эвтектики оба вещества выпадают в соотношении, отвечающем составу оставшейся жидкости, поэтому жидкость кристаллизуется без изменения состава. Кристаллизация эвтектического расплава изменяет состав твердой массы, так как последняя пополняется не только веществом А, но и веществом В. При исчезновении последней капли жидкости состав твердой массы совпадает с составом исходного расплава. После этого температура начинает падать, так как с исчезновением жидкости система становится одновариантной. Для точки 2 показаны процесс охлаждения, по линии ликвидуса — изменение состава жидкой фазы, по линии солидуса — изменение состава твердой массы. Твердая масса состоит из двух фаз компонента А и компонента В. Для смеси 7 показан процесс нагревания. [c.229]

При охлаждении чистых нафталина и дифениламина на графике получается по одной площадке температурной остановки, соответствующей температуре кристаллизации (плавления). Для всех же составов, кроме эвтектического, за температуру плавления принимают точку перегиба, соответствующую появлению первых кристаллов компонента, находящегося в избытке. Ниже перегиба график охлаждения составов обнаруживает площадку, которая соответствует исчезновению жидкой фазы и кристаллизации эвтектического состава. [c.188]

Если температура кристаллизации эвтектической смеси близка к комнатной, то для получения достаточно четких результатов пробирки с исследуемыми смесями следует опустить в тающий лед или в холодную воду. [c.209]

Разрезу диаграммы по линии II соответствует кривая охлаждения, приведенная на рис. 8.10. Здесь участок кривой II отвечает кристаллизации компонента А из расплава, точка а при Т соответствует началу кристаллизации, весь участок аЬ характеризует движение фигуративной точки вдоль линии ликвидуса и возрастающее количество выпавших кристаллов А. Точка Ь при Т. соответствует эвтектике (см. рис. 8.2), где начинается кристаллизация эвтектического расплава по всему объему (участок III). С точки зрения правила фаз число степеней свободы системы на участке III, т. е. в эвтектической точке, равно С = /(- -1—Ф = 2+1 — 3 = 0, что соответствует равновесию трех фаз (расплав, кристаллы А и В). Отсюда постоянство температуры на участке Ьс. После затвердевания эвтектики (участок IV) смесь кристаллов начинает монотонно охлаждаться (С = 2 + 1 — -2=1). [c.92]

Одним из промышленных методов выделения га-ксилола остается низкотемпературная кристаллизация смеси аренов Се, полученной после ректификационного удаления о-ксилола. Применяется как одно-, так и двухступенчатая кристаллизация га-ксилола. Диаграммы плавкости систем, включающих га-ксилол и другие арены С , - эвтектического типа. Так, температура застывания эвтектической смеси га-ксилол - л-ксилол, содержащей около 86 % (мае.) га-ксилола, равна -52.7 °С. Присутствие в сырье других аренов Се приводит к снижению температуры кристаллизации эвтектической смеси до -101 °С и уменьшению содержания в ней га-ксилола. [c.71]

Присутствие а смеси кроме п- и лг-ксилола других изомеров приводит к снижению температуры кристаллизации эвтектической смеси до —101 °С. При осуществлении процесса в промышленности сырье охлаждают до —(60- -70)°С. [c.82]

Теперь рассмотрим путь изменения состава твердой фазы при кристаллизации того же расплава. Первые кристаллы компонента А начинают выделяться при температуре 4. От этой температуры и до температуры te твердая фаза будет состоять только из кристаллов А (100% А, считая на твердую фазу). При кристаллизации эвтектической жидкости состав твердой фазы, начинает обогащаться компонентом В и фигуративная точка, выражающая суммарный состав твердой фазы, будет смещаться от точки te направо по линии эвтектической температуры. Жидкость исчезнет в тот момент, когда соотношение кристаллов А и В в твердой фазе станет равным их соотношению в исходном расплаве, т. е. когда указанная фигуративная точка достигнет точки с, лежащей на вертикали ай состава исходного расплава а. При дальнейшем понижении температуры будет происходить только охлаждение твердой смеси кристаллов А и В по линии сс(. [c.224]

Для составления материального баланса в процессе кристаллизации эвтектической смеси можно воспользоваться кривой охлаждения. Так, в момент достижения точки г примерно /3 первоначально взятой смеси окажется превращенной в твердое состояние. [c.192]

Процесс кристаллизации эвтектической смеси отмечается горизонтальной площадкой на кривой охлаждения как нонвари-антное равновесие. Кристаллизация образцов, за исключением образцов эвтектического состава, протекает в интервале температур от 1 до 5- При этом состав жидкой фазы изменяется по кривой ликвидуса от Та до точки Е, состав твердой фазы отвечает ординате чистого компонента А. Количество твердой и жидкой фаз можно определить также по правилу отрезков. [c.272]

Таким образом, в тот момент, когда фигуративная течка всей системы достигает положения i, система состоит из двух фаз— кристаллов кадмия и жидкой эвтектики, кристаллизация которой должна происходить ири постоянной температуре (144 °С). В процессе кристаллизации жидкой эвтектики система состоит нз трех фаз расплава, кристаллов кадмия, как выделившихся раньше, так и образующихся при кристаллизации эвтектической смеси, и кристаллов висмута, выделяющихся из жидкой эвтектики. По окончании кристаллизации сиегема состоит из двух кристаллических фаз, которые и сохраняются при дальнейшем охлаждении. [c.375]

Участок ОЕ границы области жидкого состояния обладает довольно сложной формой. Вследствие этого системы с большим содержанием соли претерпевают по мере повышения давления более сложные превращения. Например, когда весовая доля К2504 равна 0,11, система при давлении 1 атм состоит из кристаллов К2504 и раствора. По мере повышения давления кристаллы К2304 полностью растворяются (точка п), затем в точке т начинается выделение кристаллов льда VI, и, наконец, при давлении 11 10 атм—кристаллизация эвтектической смесп. [c.381]

Возможность выделения мезитилена из его концентратов низкотемпературной кристаллизацией изучалась при использовании мези-тилен-о-этилтолуольной фракции, содержащей 58,5 вес. % мезитилена (состав фракции приведен в табл. 5.3) [3]. В соответствии с кривыми растворимости индивидуальных ароматических углеводородов С 9 (см. рис. 5.3) температура начала кристаллизации мезитилена равна —75 °С. Допустимая температура охлаждения, ограничиваемая началом кристаллизации эвтектической смеси мезитилена с о-этилтолуолом, —100 °С. В этих условиях отбор мезитилена от его потенциального содержания в смеси около 70%. Мезитилен выделяли из фракции, содержащей его 58,5 вес. %, кристаллизацией при —100 °С в две стзшени. На I ступени получали концентрат мезитилена, содержащий 87% основного вещества, на П ступени — мезитилен чистотой 98,5 мол. % (т. кип. 164,8 °С, т. кристалл. —45,5 °С). В связи с необходимостью применения для кристаллизации низких температур (около —100 °С) экономическая эффективность такого метода выделения мезитилена будет низкой. [c.217]

Рассматривая полностью закристаллизованный состав под микроскопом, можно обнаружить, что характер образующихся кристаллов различен. Выделяющийся первоначально из расплава компонент, например компонент А (для исходной точки состава а), кристаллизуется, как правило, в виде крупных достаточно хорошо оформленных кристаллов, поскольку их рост происходит при высокой температуре в достаточной степени свободно, без помех при большом содержании жидкой фазы. При кристаллизации эвтектического состава, которая происходит уже в более стесненных условиях (меньщее содержание жидкой фазы, наличие ранее выпавших кристаллов компонента А), образуется уже мелкокристаллическая смесь кристаллов А и В. Этим эвтектическая смесь отличается от крупных кристаллов компонента, первоначально выделяющегося при более высоких температурах. [c.224]

Укажите число и положение нонвариантных точек на диаграмме (рис. 5.31), учитывая, что нонвариантными являются процессы кристаллизации чисть1х индивидуальных веществ А, В, АВ (К=1, Ф = 2, С = К—Ф + 1=0) и кристаллизации эвтектических расплавов (К=2, Ф = 3, С = К— Ф+1=0). [c.282]

При кристаллизации эвтектического расплава диффузионное разделение жидкости на отдельные составляющие эвтектики приводит к ускоренному росту эвтектического цементита по сравнению с ростом первичных дендридов аустенита. Увеличение переохлаждения расширяет область кристаллизации эвтектики, так как скорость роста цементита превышает скорость образования и роста эвтектического аустенита. Это объясняется тем, что формирование последнего задерживается вследствие замедленной диффузии, т. е. эвтектический распад расплава с появлением механической смеси протекает быстрее, чем выпадение фаз, образующих эту смесь. Эта особенность эвтектической кристаллизации чугунных расплавов, богатых углеродом, расширяет область существования псевдоэвтек-тических структур. [c.52]

В технологии композиционных материалов используют разнообразные химические, физические и механические процессы. Для их осуществления имеется широкий набор альтернативных технологических приемов и методов. Например, методы жидкофазного, твердофазного или газофазного совмещения компонентов. Отдельно можно рассматривать химические и электрохимические методы, в которых один пз компонентов создается в процессе или в результате химической или электрохимической реакции. Общей особенностью технологии композиционных материалов ио сравнению с традиционными является совмещение или параллельное протекание нескольких технологических операций, например пропитка и полимеризация (или кристаллизации), закалка и дисперсионное упрочнение и т. д. Отметим, что в технологии композиционных материалов используют практически все технологические методы и приемы, разработанные отдельно как для органических, так и для неорганических веществ и материалов. Одно только перечисление подобных технологических приемов займет достаточно много места. Ведь к ним относятся непрерывное литье, методы наиравлен-ной кристаллизации эвтектических сплавов, способы получения монокристаллов, прессование с последующим спеканием, диффузионная сварка под давлением, сварка взрывом, ирокатка, само-распространяюи нйся высокотемпературный синтез, газотермическое напыление и р.п1. др. [c.156]

Наконец, все три поля, а также все три линии вторичных выделений пересекаются в одной точке , обладающей некоторыми замечательными свойствами во-первых, она является самой низкой точкой ликвидуса и поэтому отвечает самому низкоплавкому снлаву системы во-вторых, она изображает третичную кристаллизацию, так как лежит одновременно во всех трех нолях компонентов. Поэтому рассматриваемая точка, как отвечающая равновесию ншдкостн с тремя твердыми фазами, выражает некоторое условно-нонварнантное равновесие (см. раздел ХУ1.3). Отсюда следует, что во все время третичной кристаллизации до полного затвердевания температура системы и состав жидкой фазы должны оставаться постоянными, а твердые фазы должны выделяться количественно в тех же отношениях, в каких они присутствуют в жидкости. Таким образом, явления, происходящие при кристаллизации сплава, состав которого отвечает точке Е, аналогичны явлениям, происходящим при кристаллизации эвтектических сплавов двойных систем, вследствие чего точка Е носит название эвтектической, а соответствующие ей сплав и температура называются эвтектическими. Однако так как здесь мы имеем дело с эвтектикой тройной системы, то применяют термины тройная эвтектика, тройная эвтектическая точка, тройной эвтектический сплав эвтектическую точку и эвтектический сплав называют также одним словом — эвтектика. [c.185]

Если исходное состояние раствора изобразить фигуративной точкой Ь, то при охлаждении раствора кристаллизация начнется в точке Ь, причем выпадает кубическая модификация КН4]МОз. При дальнейшем охлаждении раствора фигуративная точка будет двигаться по кривой вниз до точки 2. В этой точке система инвариантна, так как в равновесии находятся три фазы (две твердых и раствор). При снижении теплосодержания системы температура остается постоянной, пока кубическая модификация не перейдет в тригональную. После исчезновения кубической фазы продолжается кристаллизация триго-нальной модификации, фигуративная точка перемещается вниз по кривой растворимости. Следующие остановки происходят при 84° С (переход тригональной модификации в а-ром-бическую) и при 32° С, когда а-ромбическая модификация переходит в Р-ромбическую. При — 18° С процесс заканчивается кристаллизацией эвтектической смеси (3-модификации КН4КОз со льдом. [c.222]

Ректификацию диметиловых эфиров. можно проводить таким образом, чтобы в дистиллят уходила смесь эфиров янтарной и глутаровой кислот. Эту смесь охлаждают до температуры, превы-шаюш ей темцературу кристаллизации эвтектической смеси диметил овых эфиров, благодаря чему в осадок выпадают чистые кристаллы диметилсукцината [217]. [c.112]

Как известно, при кристаллизации эвтектических смесей с полной взаимной нерастворимостью компонентов в твердом состоянии равновесная концентрация кристаллической фазы Ск равна 100% компонента, в кристаллизационном поле которого происходит процесс разделения. В тоже время, как видно из рис. 3.3 и рис. 3.4, полученные опытные значения концентраций кристаллических продуктов С , значительно меньше равновесных. Это объясняется в первую очередь тем, что при фильтрации неполностью отделяется маточная жидкость, обогашенная низкоплавким компонентом, от кристаллической фазы. [c.94]

Из диаграммы видно, что выше давления водяного пара 224 кгс/см КС1 не может существовать ни при каких температурах при давлении выше 401 кгс/см невозможна кристаллизация Na l, а при давлении выше 132 кгс/см невозможна кристаллизация эвтектической смеси КС1 + Na l. [c.440]

На основании данных таблрщы строят кривые охлаждения, по которым определяют температуру начала кристаллизации, эвтектическую температуру и длительность эвтектической остановки. Эти данные вместе с составом, выраженным в весовых и мольных процентах, заносят в таблицу [c.209]

Среди двухфазных сплавов особое место занимают эвтектические. Согласно современным представлениям [143] кристаллизация эвтектических сплавов происходит путем зарождения и роста так называемых эвтектических колоний, каждая из которых представляет собой двухфазный бикристал лит неопределенной геометрической формы. Для колонии характерна сложная система чередующиеся ответвлений. Если состав сплава отличается от эвтектического, то при отсутствии взаимной растворимости в твердом состоянии эвтектической кристаллизации предшествует выделение первичных кристаллов компонента, находящегося в избытке. Размер этих кристаллов существенно превышает размер структурных составляющих эвтектики. Этим обстоятельством в первую очередь объясняется закономерное отличие анодного и коррозионного поведения эвтектических и неэвтектических сплавов [28, 144]. [c.152]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология