Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

кристаллах, содержащих примеси

    Помимо частоты (рис. 31.10) характеристическими параметрами спектров ЯКР являются ширина линии Дv и времена спин-спиновой и спин-решеточной релаксации. Ширина линии ЯКР определяется, как правило, беспорядочным статистическим разбросом значений градиента из-за дефектов или напряжений, возникающих в неидеальных кристаллах, содержащих примеси. Температура заметно влияет на частоту, ширину и интенсивность линий ЯКР. Поэтому измерение частот ЯКР для химических исследований обычно [c.743]


    Иногда дефектные кристаллы не содержат никаких примесей, но имеют искаженную структуру. В узлах кристаллической решетки может недоставать некоторых ионов или атомов. Изменяя условия выращивания кристаллов, удается получить значительное число таких дефектов. Кристаллы с подобными дефектами способны поглощать излучение с большой энергией (например, ультрафиолетовые лучи или электронные пучки), испуская при этом видимое излучение той или иной длины волны в зависимости от конкретного строения кристалла. Это явление называется флуоресценцией оно обнаруживается также и у дефектных кристаллов, содержащих примеси или избыток одного из компонентов. Указанное свойство дефектных кристаллов используется для изготовления люминесцентных ламп и экранов телевизионных трубок. [c.184]

    При дальнейшем понижении температуры кристаллизуются кристаллы, содержащие примеси. Путь кристаллизации проходит вдоль эвтектической впадины веществ 4 и Я, которая описывается уравнением (8.53). Это уравнение можно представить как [c.432]

    Хотя давно известно 1270, 241 ], что щелочно-галоидные кристаллы, содержащие примеси серебра и меди, обладают способностью люминесцировать под действием коротковолнового ультрафиолетового света, тем не менее их спектры свечения совсем мало [c.180]

Рис. 17. Схематическое изображение полос поглощения окрашенных щелочно-галоидных кристаллов, содержащих примеси щелочно-земельных металлов. Рис. 17. <a href="/info/376711">Схематическое изображение</a> <a href="/info/19014">полос поглощения</a> окрашенных <a href="/info/973242">щелочно-галоидных кристаллов</a>, содержащих примеси <a href="/info/6862">щелочно-земельных</a> металлов.
    ЧИСТЫЙ кристалл 2 — кристалл, содержащий примеси 3 — кристалл, содержащий несколько больше примесей, чем кристалл 2.  [c.71]

    Таким образом, каждый донорный атом примеси увеличивает концентрацию ионизованных вакансий до значения большего, чем в чистом кристалле. Однако при высоких температурах концентрация электронов и дырок, образующихся по уравнению (7.1, а), превышает концентрацию электронов и дырок, образующихся при введении атомов донора, поэтому в кристалле, содержащем примеси, концентрация вакансий будет лишь незначительно выше, чем в чистом кристалле. Концентрация нейтральных вакансий увеличивается с ростом температуры, так как при этом равновесие (7.1, в) сдвигается вправо, но в то же время рост концентрации электронов и дырок подавляет ионизацию вакансий по уравнению (7.1,г). [c.123]


    Различают собственную проводимость чистых кристаллов и примесную проводимость кристаллов, содержащих примеси. [c.192]

    Эти данные показывают, что в реальном кристалле дефекты структуры, обусловленные примесями, сложнее, чем ранее предполагалось. Электропроводность грязных кристаллов может оказаться меньше, чем чистых. В кристаллах, содержащих примеси различного сорта и различной валентности, существуют различные кулоновские поля, и температурный интервал освобождения носителей тока растягивается и сдвигается в область более высоких температур. [c.96]

    Полимеризация циклобутена протекает в критических условиях. Находясь в твердом состоянии при умеренно высоких температуре и давлениях, мономер полимеризуется со взрывом. В ходе исследования этого процесса было несколько случаев взрыва автоклавов [42]. Из рис. 14 и 15 видно, что в случае циклобутена твердое состояние благоприятствует полимеризации и что вблизи температуры замерзания происходит изменение механизма полимеризации. Примеси будут еще больше усложнять такую твердофазную полимеризацию, так как они будут концентрироваться в жидкой фазе во время процесса кристаллизации. После полного замораживания система может затем быть гетерогенной в ней могут быть как чистые кристаллы, содержащие примеси на границах зерен, так и эвтектика. [c.138]

    Когда кристаллы высокой степени чистоты, содержащие р-ксилола более 98%, попадают на дно колонки, они расплавляются часть расплава выводится из колонки как окончательный продукт, а остальной расплав проталкивается вверх по колонке навстречу падающим кристаллам. При встрече теплый чистый расплав соприкасается с холодными кристаллами, содержащими примеси, и частично замерзает, а кристаллы расплавляются. Весь р-ксилол в потоке, двигающемся вверх, замерзает, а кристаллы возвращаются в плавильную зону. [c.198]

    V. Комбинационное рассеяние в смешанных кристаллах и в кристаллах, содержащих примеси [c.544]

    Прилипание носителей к поверхности и тем самым заряжение поверхности имеет ряд следствий. Кристалл оказывается в электрическом поле, созданном поверхностью. Это поле проникает на некоторую глубину внутрь кристалла и экранируется объемным зарядом, возникающим в приповерхностной области. Отметим один из эффектов. В бесконечном кристалле, содержащем примеси, в условиях равновесия примеси распределены равномерно. В ограниченном кристалле дело обстоит не так. Равновесное распределение примесей не является равномерным. Это вызвано тем, что атомы примеси всегда в той или иной степени ионизованы. Концентрация примеси в приповерхностном слое оказывается повышенной или пониженной в зависимости от того, будет ли заряд поверхности и заряды, связанные с ионизованными частицами примеси, противоположными или одинаковыми по знаку [3]. [c.66]

    Эти выводы были проверены экспериментально с помощью измерения коэффициента самодиффузии в германии так как диффузия происходит по вакансиям, то таким путем можно непосредственно измерить концентрацию вакансий. Результаты определения скорости диффузии в чистом германии и германии, содержащем примесные атомы —доноры и акцепторы электронов, показали, что, как и ожидалось, при добавлениидоноров электронов коэффициент самодиффузии увеличивается, а при добавлении акцепторов электронов —уменьшается. Изменение скорости диффузии можно представить в виде отношения концентрации вакансий в чистом кристалле и кристалле, содержащем примеси. Добавление доноров приводит к увеличению- [c.123]

    Добавляя в пары те или иные вещества, можно выращивать кристаллы, содержащие примеси. Концентрация примеси в выращиваемом кристалле определяется парциальным давлением добавки в паровой фазе. Парциальное давление добавки удобно задавать, используя самостоятельный источник, температура которого поддерживается постоянной. Добавку можно вводить в газовую фазу либо непосредственно в виде паров элемента, либо в виде соединения в зависимости от этого примесь входит в кристалл в результате химической реакции или просто за счет конденсации. Так, при выращивании кристаллов кремния по указанной методике в них можно ввести примеси, используя такие летучие соединения, как P I3, ВВгд и т. д., которые восстанавливаются на поверхности кремния аналогично Si . [c.205]

    Помимо частоты характеристическими параметрами спектров ЯКР являются также ширина линии Av и времена релаксации Ti (спин-решеточное), (спин-спиновое) и Т (обратно пропорциональное ширине линии Av) [5]. Ширина линии ЯКР определяется, как правило, беспорядочным статистическим разбросом значений градиента из-за дефектов и напряжений, возникающих в неидеаль-иых кристаллах, содержащих примеси. Температура заметно влияет на частоту, ширину и интенсивность линий ЯКР. Поэтому измерения частот ЯКР для химических исследований проводят обычно при температуре кипения жидкого азота (77 °К). [c.16]

    Свойства шлаков зависят гл. обр. от весового соотношения основных компонентов, суммарное содержанпе к-рых достигает 80—95% однако и второстепенные компоненты влияют на свойства шлаков. Шлаки рассчитывают по диаграммам плавкости и вязкости соответствующих шлаковых систем и корректируют по данным заводской практики переработки аналогичного сырья. Учитывают также плотность, а прн элект-роилавках — электропроводность жидких шлаков. Темп-ра плавления шлака должна соответствовать условиям наиболее полного протекания основных реакций плавки и устройству плавильной печи, т. к. во многих случаях она определяет темп-ру плавки. Д.1И рафинирования сравнительно легкоплавких металлов, напр, свинца (т. пл. 327°), олова (т. пл. 232°), цинка (т. пл. 419 ), проводится л и к в а ц и о п и а я плавка. Она основана па понижении растворимости примесей с охлаждением перегретого жидкого металла кристаллы, содержащие примеси, всплывают или топут, их удаляют шумовками в виде продукта, называемого с ъ е м а м и плп шликерами. Напр., иа поверхность свинца, загрязиеиного медью, при темп-ре ок. 330° всплывают кристаллы твердого раствора Си—РЬ, содержание меди в металле [c.7]


    К сожалению, различные фракции, полученные вышеописанным методом, будут различаться по составу, и срав нительно чистые кристаллы могут смешиваться с кристаллами, содержащими примеси. Эту трудность можно преодолеть, применяя схему двойного отбора , показанную на рис. 77,6, Этот процесс аналогичен показанному на рис. 77, а вплоть до точки каскада, в которой больше не применяется свежий растворитель (линия [c.192]


Применение спектров комбинационного рассеяния (1977) -- [ c.544 , c.548 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте