Скорость испарения примесей

Учет распределения примесей в методе Киропулоса позволяет установить, что при 7п = О (где 7п — удельная скорость испарения примеси) выражение для распределения примеси в монокристалле имеет следующий вид [c.107]

При использовании прямых методов анализа нефтепродуктов существенное влияние на полученные результаты оказывают кроме перечисленных факторов еще и свойства основы пробы (ее углеводородной части) вязкость, летучесть, групповой состав и др. Эти свойства основы влияют на скорость и полноту ее испарения, что в свою очередь отражается на коэффициенте обогащения пробы, на скорости испарения примесей и на состав дуговой плазмы. При анализе легких нефтепродуктов методом вращающегося электрода основа полностью испаряется до достижения аналитического промежутка и анализу подвергается сухой остаток. Высококипящие продукты испаряются лишь частично. Основная масса закоксовывается и испаряется при непосредственном соприкосновении с пламенем дуги. В результате этого интенсивность линий определяемых примесей снижается. Аналогичная картина наблюдается и при использовании других прямых методов анализа (пропитки, двухстадийного и предварительного испарения и др.). [c.85]

В тех случаях когда в качестве носителя используются вещества, химически реагирующие в электроде с компонентами пробы, применение носителя может вызвать кроме того, существенное изменение скорости испарения примеси из пробы за счет перевода компонентов в более или менее летучие соединения. [c.136]

Отличительной особенностью импульсного разряда в ПК является слабая зависимость интенсивности спектральных линий от давления гелия в области 8—16 мм рт. ст. Температура катода, а, следовательно, и скорость испарения примесей также не изменяются в этом диапазоне давлений. В импульсном разряде ПК искровой спектр усилен по сравнению с разрядом постоянного тока <с равными значениями действующего тока. Интенсивность спектра растет с увеличением амплитуды и частоты следования импульсов тока через катод. При малой частоте следования импульсов поступление примесей со стенок катода-возбудителя происходит за счет катодного распыления, а с повышением частоты увеличивается доля атомов, поступающих за счет термического испарения. [c.145]

Отсутствие влияния носителя на скорость испарения примесей [c.324]

Остается предположить, что поступление большего количества паров носителя в плазму разряда меняет не скорости испарения примесей, которые определяются температурой [c.324]

Разумеется, в тех случаях, когда в качестве носителей применяются вещества, химически реагирующие в процессе нагрева в дуге с основным веществом пробы и примесями, введение носителя может вызвать существенные изменения скоростей испарения примесей из пробы, как это было установлено, например, Ш. Г. Меламедом и А. М. Салтыковой [ ]. С помощью индикаторов — меченых атомов (5п"з и они установили, [c.327]

К аналогичному выводу пришли Н. Ф. Захария и Н. А. Фуга [138] Исследуя влияние носителя на скорость испарения, они установили, что окислы галлия, никеля и серебра, добавляемые к двуокиси циркония, а также к окисям вольфрама, гафния, молибдена, ниобия, тантала, тория и урана, не влияют заметно на скорость испарения примесей. Исследовались примеси алюминий, ванадий, висмут, железо, кальций, кобальт, мышьяк, кремний, олово, свинец, титан и хром, вводимые в пробу в концентрациях 10- — [c.327]

Из приведенных данных следует, что скорость испарения примесей Со, Сг, Ре, Са, Мп, содержащихся в окиси эрбия, [c.75]

При выводе уравнений, описывающих оттеснение примесей в процессе выращивания монокристаллов кремния из расплавов, предполагалось, что примесь полностью сохраняется в системе расплав — кристалл. Однако многие примеси испаряются с поверхности расплава, и реальное распределение примеси в кристалле не соответствует уравнению (6.28). Скорость испарения примесей с поверхности расплава зависит от атмосферы, в которой проводится процесс (вакуум или атмосфера инертного газа), и геометрии узла тигель — кристалл — экраны. При заданной геометрии теплового узла л при проведении процессов в вакууме 10 —10 мм рт. ст. относительную скорость испарения примесей со свободной поверхности расплава можно установить, определяя отрезок времени, в течение которого концентрация в расплаве уменьшается в е раз. [c.410]

Скорость испарения примесей определяется по времени, за которое концентрация примеси в расплаве кремния уменьшается в е раз [c.411]

Было установлено, что при добавке окиси серебра кривые испарения примесей и основы сохраняют в общем тот же характер, что и при испарении только двуокиси гафния пли циркония. Это свидетельствует о том, что серебро само по себе заметно не увеличивает скорость испарения примесей. Кривые испарения в случае добавки хлористых солей меди в общем сохраняют тот же характер, что и в случае смесей с хлористым серебром. [c.169]

Скорость испарения примеси из расплава зависит от количества этой примеси в образце и температуры. Эти параметры определяют равновесное парциальное давление паров примеси. Кроме того, скорость испарения зависит от скорости удаления паров с поверхности расплава, от состояния и размеров поверхности расплава, от давления и состава окружающей атмосферы. Скорость испарения примеси (И ) в вакууме (менее 10" мм рт. ст.) при давлении пара вещества менее 1 мм рт. ст. может быть выражена уравнением Лэнгмюра-Кнудсена [30, 31]. [c.383]

Теоретический расчет распределения паров вещества в пространстве для режима молекулярного испарения, основанный на законе косинуса [1263], с учетом лучеобразования при испарении из узкого канала тигля [1018] дает при геометрических размерах обычных испарителей степень конденсации порядка 90%. Но спектральным методом и методом с использованием радиоактивных индикаторов было показано, что при испарении примесей из кремния [274] и из двуокиси циркония [292] от 10 до 30% вещества, в зависимости от элемента, может теряться, несмотря на общую высокую степень испарения примесей, так как конденсируется вне центрального электрода-приемника. Известно, что скорость испарения примесей зависит от скорости удаления паров из зоны испарения и поверхность приемника играет роль своеобразного насоса, откачивающего пары примесей [493]. Можно предположить, что найденное экспериментально [274, 292] рассеивание конденсата усугублялось расположением над стаканчиком с пробой большой охлаждаемой поверхности многокапсюльной головки приемника. [c.247]

Результаты определений концентрации алюминия в вольфраме при использовании различных по весу проб образца (табл. 52) также указывают на независимость скорости испарения примеси от количества пробы. Поэтому при фракционном выделении примесей из труднолетучих основ оказывается возможным проведение анализов при помощи градуировочных графиков, полученных для чистого элемента. В табл. 53 приведены данные по определению алюминия и цинка в графите и некоторых тугоплавких металлах. Навеска пробы помещалась в канал электрода, высверленный в торцевой площадке усечетюго конуса. Глубина канала 2 мм., диаметр 3,5 Л1Л1. [c.324]

Установлено, что проба поступает в разряд сразу после включения дуги. При переходе от разбавленных растворов, в которых содержание макрокомпонентов равно нулю, к растворам с суммарным содержанием макрокомпонентов 100 мг/л (что соответствует природным водам низкой минерализации) продолжительность испарения большинства элементов практически не изменяется. При испарении с торца электрода максимум интенсивности линий микролримесей достигается уже через 5 с после включения дуги, а через 10 с наблюдается полное испарение всех компонентовгПри испарении из электрода в форме чашечки максимум интенсивности достигается через 10 с, а полное испарение— через 20 с (рис. 2.5,6, кривые 1 я 2). При увеличении суммарной концентрации макрокомпонентов до 30 г/л скорость испарения микропримесей резко изменяется, максимум смеш,а-ется до 10—20 с в случае торца и до 20—30 с в случае электрода в форме чашечки. В связи с этим экспозиция микропримесей удлиняется до 30 и 50 с соответственно (рис. 2.5, кривая 3). Обработка полученных результатов показала, что с увеличением суммарного содержания макрокомпонентов скорость испарения примесей увеличивается от З-Ю до 3-10- мг/с (рис. 2.6). [c.51]

Влияние 2 на зависимость С /Со от д показано на рис. 51. Начиная с некоторого значения удельной скорости испарения примеси, рассматриваемая зависимость проходит через минимум, который по мерю увеличения Х2 перемещается в стСрону ббльших значений д. Появление указанного минимума объясняется тем, что при большой поверхности расплава в начале горизонтальной направленной кристаллизации потери, обусловленные испарением, превосходят увеличение Сь за счет оттеснения примеси (с < 1) фронтом кристаллизации. [c.99]

Авторы метода фракционной дистилляции считают, что действие носителя сводится, во-первых, к увлечению в пламя дугового разряда малых примесей, испаряющихся при нагреве пробы, и, во-вторых, к стабилизации дуги. Предполагается, что носитель увеличивает скорость испарения примесей. Нахтрибр ] уточняет это предположение, утверждая, что контролируемая возгонка примесей из труднолетучей пробы с помощью носителя сходна с действием паров воды, способствующих фракционной дистилляции органических жидкостей. Скрибнер [c.321]

Однако из фактов увеличения интенсивности линий примесей при введении носителя в пробу и стабилизации режима дуги еще нельзя сделать выводов о влиянии носителя на скорость испарения отдельных примесей. Для выяснения этого вопроса был поставлен следующий опыт Б электрод, применяемый в методе фракционной дистилляции, помещали графитовый тигель (рис. 137). Пробу изОз, не содержащую носителя, помещали в канал электрода, а в тигель вводили 2% от веса пробы ОагОз. Затем снимали спектры дуги, анодом которой служил описанный выше электрод, а также спектры дуги в тех же условиях, но при введении ОагОз непосредственно в пробу. Результаты опыта, сведенные в табл. 26, свидетельствуют о том, что носитель не увеличивает скорости испарения примесей при фракционной возгонке в дуге. [c.323]

Если установка, где производится выращивание кристалла, имеет водоохлаждаемые стены, то пары летучего компонента будут на них конденсироваться и его парциальное давление будет соответствовать температуре Г300 К и будет исчезающе малым. В этих условиях примесь непрерывно испаряется из расплава. Скорость испарения примеси, характеризуемая величиной Л жп, зависит от величины давления инертного газа. Путем подбора величины давления инертного газа можно подобрать такую скорость испарения примеси, при которой испарение будет компенсировать распределение примеси при росте кристалла с данной постоянной скоростью Укр. Так как испарение примеси про- [c.333]

Таким образе , проведенные исследования показали, что, несмотря на все прешущеотва непламенного источника атомизащш, данный тип атомизатора не устраняет влияния состава основы на скорость испарения примесей. [c.101]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология