спектры селениды

Расхождение расчетных и опытных данных на 16% исследователь объясняет тем, что навязанное структурой 2п8 расположение атомов кислорода приводит к растяжению их связи с атомами цинка, к увеличению их длины по сравнению с длиной этих связей в кристалле 2пО и, следовательно, к их ослаблению. Отсюда— сужение энергетической щели между соответствующими уровнями в энергетическом спектре цинк-сульфидного фосфора, обусловленное понижением энергии электронов связи 2п — О в структуре сложного сульфидного соединения цинка. Подобное явление наблюдается и в случае цинк-сульфидных фосфоров, активированных гомологами кислорода — селеном и теллуром. Последние, так же как кислород, образуют химические связи с цинком, которым отвечают определенные локализованные уровни в энергетическом спектре фосфора. Ширина запрещенной зоны в энергетических спектрах кристаллов селенида и теллурида цинка составляет 2,60 и 2,27 эВ соответственно. Отложив эти величины по вертикальной оси от дна зоны проводимости сульфида цинка, исследователь определил, что этим уровням отвечает излучение с длиной волны 480 нм для селена и 548 нм для теллура. Но это на 40 им [c.125]

Гидратированный ион не поглощает в видимой области спектра. При образовании сульфидов за счет эффектов поляризации происходят сильные изменения в связывающей электронной системе, и поэтому сульфиды тяжелых металлов, как правило, интенсивно окрашены. Сульфид-, селенид- и теллурид-ионы выступают в реакциях как мягкие основания. [c.516]

Спектры фото- и электролюминесценции селенида цинка, легированного А1 и Мп, приведены на рис. VI.19. Для фотолюминесценции характерна полоса 610 нм. В отличие от фотолюминесценции, электролюминесценция проявляется только в полосе марганца (588 нм). [c.152]

В табл. VI.3 включены данные для селенида и теллурида цинка, которые являются представителями соединений А В . Эти соединения рассматриваются в настоящее время как перспективные основы для светодиодов, излучающих в видимой области спектра прп комнатной температуре. [c.153]

Спектры поглощения селенида и теллурида ртути в области 3—15 мк. [c.288]

Угол падения инфракрасного пучка на поверхность элемента нарушенного полного внутреннего отражения (изготовленного, как правило, из селеНида цинка или германия), а также длина волны инфракрасного света определяют глубину проникновения пз ка в поверхность пленки. Небольшая глубина проникновения обеспечивает получение спектров, весьма чувствительных к поверхностным химикатам-добавкам или модификации поверхности. [c.42]

Недавно показано [699], что применение атомных спектров поглощения позволяет получить более низкий предел обнаружения избыточных количеств элементов в селениде цинка 1 10 % 2п и 10 2% 8е. [c.198]

ЦИНКА—СЕЛЕНИД ЦИНКА МЕТОДОМ СПЕКТРОВ ДИФФУЗНОГО ОТРАЖЕНИЯ [c.424]

Анализ кривых рис. 1 показывает, что мы имели дело действительно с твердыми растворами, а не с механической смесью компонентов, поскольку для спектра механической смеси характерен излом (кривая 4). Рост коэффициента отражения в длинноволновой области вызван, по-видимому, присутствием в веществе непрореагировавшего селена. Для сравнения приведена кривая 7, имеющая подъем в той же области, где наблюдается рост коэффициента отражения твердых растворов. Эта точка зрения подтверждается также тем фактом, что с увеличением концентрации селенида в растворе этот рост проявляется резче. Порошки, прошедшие термообработку (длительный отжиг при температуре 300— 500°), такого роста не имеют. Можно полагать, что непрореагировавший селен при термообработке возгоняется. [c.425]

Значение ширины запрещенной зоны селенида цинка, полученное в результате наших измерений, хорошо согласуется с данными работы [2], в которой также применялся метод спектров диффузного отражения. [c.426]

Анализ твердых растворов системы сульфид цинка—селенид цинка методом спектров диффузного отражения. Л. И. Бергер., В. М. Петров. [c.520]

В фотосопротивлениях используют таллофид (смесь таллия, серы и кислорода) с максимумом чувствительности в области около 1 мкм, теллурид свинца с максимумом в области 4,5 мкм, селенид кадмия с максимумом в области 0,75 мкм, сульфид свинца с максимумом в области 2,4 мкм, сульфид висмута с максимумом в области 0,7 мкм. Таким образом, большинство фотосопротивлений пригодно для работы в ИК-области спектра. Только фотосопротивления из сульфида кадмия имеют максимум чувствительности в видимой области и пригодны для работы в этом участке спектра. [c.243]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

Спектры внутреннег о отражения наблюдают, когда исследуемый образец находится в контакте с призмой из оптически менее плотного материала излучение проходит сначала через призму и ее границу с образцом под углом, превышающим критический (т.е. угол падения, при к-ром преломление света в образец прекращается), а затем проникает в образец (на глубину до 1 -2 мкм), где теряет часть своей энергии и отражается. Таким образом получаются спектры нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО). В качестве материала призм используют прозрачные в разл. областях спектра материалы в частности, кварц, оксиды цинка и магния, сапфир, кремний, фторид кальция, сульфид мышьяка, германий, GejjSejoASij, селениды мышьяка и цинка, хлориды натрия, калия и серебра, бромиды калия и серебра, теллурид кадмия, алмаз. [c.395]

Следует обратить внимание на светодиоды из нитрида галлия и селенида цинка. Они имеют низкую энергетическую эффективность, так как работают при напряжении 10—20 В, что значительно выше величины кванта излучения ( 2 эВ), но при плотности тока 0,1—1 А см их яркость свечения в зеленожелтой части спектра не уступает зеленым светодиодам GaP, N. [c.153]

В последние десятилетия существенно расширились области использования другой группы стекол—х а л ь к о г е н и д н ы х, под которыми понимают стекла, где роль кислорода играют его аналоги по периодической системе — 5, 5е или Те, т. е. стекла на основе сульфидов, селенидов, теллуридов. В качестве стеклообразовате-лей в них выступают селениды мышьяка, германия, фосфора (АзгЗез, ОеЗг, РгЗез) и сульфиды мышьяка и германия (АзгЗз, ОеЗз). Халькогенидные стекла непрозрачны для видимого света, но отличаются прозрачностью в широкой инфракрасной области спектра. Они обладают электронной проводимостью, свойственной полупроводникам. Это делает оправданным их использование в решении различных прикладных задач. [c.132]

Сотрудники фирмы Perkin-Elmer пытались изготовлять лампы из селенидов, но этот эксперимент также не дал удовлетворительного результата. В настоящее время селеновые лампы делают, как правило, из чистого селена. Спраг и другие [51] показали, что эмиссионные спектры селеновых ламп, заполненных аргоном, вблизи линии 1960 А свободны от мещающих линий, поэтому оказалось возмол<ным использовать большие значения спектральной ширины щели. Современные селеновые лампы для увеличения яркости и уменьшения самопоглощения заполняют неоном. [c.130]

Колебательно-Еращательные спектры. Для получения этих спектров требуется техника, позволяющая обеспечить высокое разрешение в инфракрасной области. До последнего времени к-огда для регистрации инфракрасного излучения начали применять фотосопротивления (сульфид, селенид и теллур ид свинца),, наилучшее разрешение достигалось при регистрации фотографическим способом, а не с помощью термопар. Поэтому для исследования вращательной тонкой структуры- колебательной полосы было желательно использовать полосы, находящиеся в так называемой фотографической области инфракрасного спектра. Трудность состояла в том, что интенсивные линии инфракрасного спектра лежат в области с большими длинами волн, а фотографическая область содержит сравнительно слабые обертоны и комбинационные полосы. В течение последних лет Герцберг с сотрудниками и другие исследователи сумели преодолеть указанное затруднение, используя многократное отражение луча и увеличивая таким образом путь, на котором происходит поглощение. Вращательная тонкая структура колебательной полосы зависит от симметрии молекулы и от изменения колебательного состояния,, которому отвечает эта полоса. В частности, для линейных молекул имеется набор колебательных переходов 2—2, П—И, П—П и т. д. Полосы Е—Е имеют простые ветви Р и Я (соответствующие-изменению вращательного квантового числа J на —1 и +1) о одной недостающей вращательной линией между этими двумя линиями полосы П—И и П—П имеют, кроме того, и ветвь Q (соответствующую ЛУ=0), Для молекул с центром симметрии вращательные уровни при обмене одинаковых ядер оказываются поочередно симметричными или антисимметричными. Следствием этого является чередование интенсивностей вращательных ли- [c.14]

InSe исследовали как один из первых материалов при изучении фотоэффекта у халькогенидных фаз. Первые исследования проводились на поликристаллических образцах и тонких слоях. Селенид индия — фотопроводник, максимум фотопроводимости лежит в области 0,95—1,2 мк (рис. 34) [18, 59, 74, 75]. Нагревание образцов в вакууме или на воздухе, а также хранение на воздухе мало изменяет фотопроводимость InSe [18], но отжиг при 200° С приводит к смещению максимума фотопроводимости в инфракрасную область спектра (рис. 35) [76]. По данным работ [59, 60], энергия активации электропроводности тонких слоев InSe составляет [c.108]

Многие соединения, в том числе сульфид цинка (7п8) и селенид цинка (2п5е), ввиду особенностей технологии, получаются, обрабатываются, а зачастую и применяются в виде порошков. Поскольку исследование полупроводниковых свойств порошков обычными методами, применяемыми при изучении литых образцов, весьма затруднительно, целесообразно в таких случаях использовать метод спектров диффузного отражения, впервые предложенный Фоксом [1] и примененный, в частности в работах 2, 3]. [c.424]

Для спектров изомерных селенофенотиофенов характерно также наличие спин-спинового взаимодействия между 8е (спин Л) ц протонами селенофенового фрагмента [122], аналогичного наблюдаемому в селенидах тиофенового ряда [200]. [c.213]

В общем, халькогенидные стекла весьма разнообразны по составу. Все они непрозрачны для видимого света, но отличаются прозрачностью в широкой инфракрасной области спектра. Граница пропускания сдвигается в сторону более длинных волн при переходе от сульфидов к селенидам и теллуридам. Так, по данным [63] в системах Ge—As—X (где X = S, Se, Те) область пропускания сульфидных стекол лежит при 1—11,5л1К, селенидных 1— Ъ мк, теллуридных 1—20 мк. Структура спектров проста, если стекла очищены от примесей (рис. 12). Обычно полосы поглощения обусловлены примесями окислов ij воды. [c.57]

Состояние олова в стеклообразных и стеклокристаллических селенидах мышьяка изучалось методом ядерного гамма-резонанса (эффект Мессбауэра) [138]. Результаты обработки спектров ЯГР стекол, стеклокристаллов и поликристаллов в системе As—Se—Sn представлены в табл. 33. [c.97]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология