Энергия аннигиляции дефектов

Таблица 4.7. Значения энергий активации усадки уе и аннигиляции дефектов анн (кДж/моль), температуры начала интенсивной аннигиляции дефектов Гмакс и параметра 1п (ВМ), характеризующего несовершенство структуры

В литературе [57] имеется достаточно богатая информация о кинетических параметрах реакций, осуществляемых в различных условиях (разные температурный интервал, состав газовой фазы, давление) и с разным состоянием исходных реагентов (моно- или поликристаллы с разной предысторией). В табл. 3.2 представлены кинетические параметры нескольких твердофазных реакций. Разумеется, что значения этих параметров в подавляющем большинстве случаев не могут дать информацию о природе элементарных процессов. Вместе с тем, было бы неправильно утверждать, что найденное экспериментально значение экспоненциального множителя в уравнении (3.90) вообще лишено физического смысла. Несомненно, что в любом случае кажущаяся энергия активации показывает, как скорость исследуемого твердофазного процесса реагирует на изменение температуры. Большие значения энергии активации свидетельствуют о резком изменении скорости взаимодействия с изменением температуры, а малые характеризуют сравнительную нечувствительность скорости процесса к изменению температуры. Другое дело, что природа этой корреляции является сложной и интегрально отражает все процессы, происходящие в системе одновременно (химическое взаимодействие, аннигиляция дефектов предыстории или возникновение новых дефектов за счет механи- [c.203]

Если фаза, образующая защитный слой, является полупроводником п-типа (табл. 8.5 и 8.6) и если определяющая стадия — диффузия нейтральных дефектов в объеме этой фазы, то энергия активации суммарной реакции Е будет алгебраической суммой энергии активации диффузии 4, отличающейся лишь на величину порядка НТ от энтальпии миграции АНт, энтальпии образования дефектов АЯ/ и стандартной энтальпии реакции на внутренней поверхности раздела АН1, включающей стадию аннигиляции вакансий в металле (среднее значение коэффициента О, согласно рассмотрению, проведенному на стр. 328, практически не зависит от энтальпии формирования дефектов ДЯ/). [c.365]

Процесс аннигиляции трещин, наведенных в толще твердого тела при его упругой деформации, в реальных условиях несовершенен. Молекулы внешней среды и коагулирующие дефекты, проникая в такие трещины, экранируют молекулярные силы, пытающиеся вновь сомкнуть образовавшуюся трещину, в результате чего она смыкается неполностью. В результате при следующем деформировании с неизменной величиной и энергией деформирующего усилия длина и вновь образованная поверхность трещины возрастают и при достаточном числе переменных циклов нагрузки тело разрушается, хотя величина напряжений значительно ниже значения предела упругих напряжений Од. Это явление известно как усталостное разрушение и может быть значительно усилено, если деформирование производится в среде поверхностно-активного вещества, молекулы которого стремятся проникнуть в трещины, наведенные при деформации. Применение поверхностно-активных веществ, теория которых разработана акад. П. А. Ребиндером [38], имеет большое практическое значение. Действие поверхностно-активных веществ становится заметным ввиду многократного повторения актов измельчения, а также ввиду снижения интенсивности процессов коагуляции частиц измельченного материала. [c.18]

Процесс в целом может быть описан как перемещение некоторого активированного комплекса через слой окисла. Атомы, последовательно вовлекаемые в процесс перемещения активированного комплекса, фактически смещаются на малые расстояния, составляющие небольшие доли межатомного промежутка. В своей совокупности такие атомные смещения обеспечивают движение комплекса, как своего рода квазичастицы, на макроскопическое расстояние. На противоположной стороне слоя окисла происходит разрядка искажений и аннигиляция импульса с передачей упругой энергии в среду, примыкающую к этой стороне слоя. Активированный комплекс в любой стадии такого перемещения представляет собой участок крайне искаженной решетки. Это искажение можно уподобить пересыщению такого участка точечными дефектами. [c.9]

С другой стороны, повышение температуры интенсифицирует релаксационные процессы как непосредственно при деформации металла, так и при выходе дислокаций в зону контакта, т. е. снижает эффективность использования энергии пластической деформации как вследствие аннигиляции части дефектов в объеме, так и из-за снижения уровня энергии упругих искажений в поле дислокаций, вышедших в зону контакта. [c.199]

Кажущиеся значения энергии аннигиляции дефектов во всех случаях заметно ниже значений Еус. Следует отметить, что величина анн сравнительно мало чувствительна к химической и термической предысториям (выделяется лишь нитратный оксид железа, для которого анн несколько ниже). При увеличении koi рости нагревания кажущееся значение Е [c.256]

Рассмотрим поведение смеси реагентов, начальное состояние которой характеризуется некоторой концентрацией дефектов Ni. При нагревании константа скорости реакции будет изменяться вдоль изоконцентраты Ni (в направлении, указанном стрелкой) вплоть до температуры, при которой дефекты структуры реагентов заморожены . Предположим, что при температуре Ti с заметной скоростью начинается аннигиляция дефектов, так что при температуре Ti-i концентрация дефектов изменяется вдоль прямой iVi-i. Соответствующая изоконцентрата характеризуется меньшей величиной предэкспоненциального множителя (fe i < k°) и увеличенной энергией активации ( i i> i). Учитывая, что с ростом температуры аннигиляция дефектов в решетке реагентов происходит непрерывно, можно ожидать, что значения kt, -2..-, фиксируемые экспериментально при температурах Г,-, Tj i, Ti 2, соответствуют различным дефектным состояниям реагентов. Следовательно, значения k° и Е, рассчитанные из экспериментальной зависимости nk=f /T)p , лишены первоначального физического смысла (не являются величинами, характеризующими природу элементарных процессов). Действительно, отжиг дефектов затрудняет твердофазное взаимодействие, тогда как кажущееся значение энергии активации, характеризуемое наклоном прямой аЬ на рис. 3.15, заметно меньше истинного значения, отвечающего изоконцентратам Л г 1, Л г 2 и т. д. [c.201]

Последняя стадия кристаллизации—старение кристаллов — начинается, когда пересыщение раствора понизится до уровня растворимости кристаллизан-та, и дальнейшее увеличение массы твердой фазы прекратится. В этот период происходит растворение мелких и увеличение размеров крупных кристаллов, кристаллизация аморфной фазы, уменьшение удельной поверхности структуры, аннигиляция дефектов структуры, адсорбция газов и паров на активных центрах поверхности, перераспределение дефектов кристаллов в их объеме, образование и укрепление фазовых контактов. Все эти процессы направлены на уменьшение свободной энергии системы. Относительно высокая [c.62]

Таким образом, во всех исследованных металлах, подвергнутых интенсивной деформации, при нагреве наблюдали близкую по характеру эволюцию наноструктур. Типичньил является развитие процессов возврата, связанное с перераспределением и аннигиляцией дислокаций на границах и в теле зерен. Имеют место также рекристаллизационные процессы, приводящие к росту зерен, однако последовательность этих процессов определяется химическим составом и природой металла (энергией дефектов упаковки, типом кристаллической решетки), а также условиями интенсивной пластической деформации, которые определяют характер исходных наноструктур. Здесь в каждом случае требуются конкретные исследования. Важным также является установление процесса, контролирующего эволюцию структуры при нагреве. В работах [12, 140] предполагается, что этим процессом могут быть структурные перестройки на неравновесных границах зерен и скорость этого процесса контролирует возврат структуры и начало рекристаллизации. Однако выяснение этого вопроса требует дальнейших исследований. [c.136]

При возврате происходит почти полное устранение точечных дефектов, перераспределение дислокаций, сопровождающееся уменьщением их суммарной упругой энергии (величины микродеформаций), частичная аннигиляция дислокаций разных знаков. Эти процессы обычно связывают с отдыхом. Заметное уменьщение плотности дислокаций и их перестроение с образованием и миграцией малоугловых границ определяют процессы по-лигонизации. [c.365]

Но система, к которой должен относиться этот расчет, не может быть ни МО/О, ни МО/М (пар), которые используют для определения энергии активации самодиффузии в полупроводниках л-типа. Это должна быть система МО/М (металл), и полное уравнение реакции на внутренней границе раздела (в которую для упрощения включены стадии образования и аннигиляции вакансий в металле) отражает процесс формирования дефектов в фазе МО на контакте с металлом в твердой фазе. Поэтому необходимо припи- [c.366]

Приведенная оценка величины т)макс не учитывает потерь энергии, связанных с безызлучательной рекомбинацией электронно-дырочных пар и аннигиляцией экситонов. Эти миграционные потери 41] в ионных соединениях с большим количеством структурных дефектов могут быть весьма значительными даже в том случае, если приняты все необходимые меры к удалению посторонних примесей. Определенную роль играют также потери, обусловленные внешней электронной эмиссией и высвечивающим действием возбуждающего света. Выход сцинтилляций значительно снижается при увеличении запасаемой фосфором светосуммы. [c.76]