Кремний облученный

Исключительно высокая чувствительность определения бора в кремнии (10 %) была получена Джилом [148] при использовании реакции (р, п) С . Образец кремния облучали протонами с энергией 20 Мэе, после облучения выделяли углерод в виде Oj и измеряли активность С . [c.108]

Мышьяк определяют в высокочистом кремнии методом НАА по реакции А5(п, 7) Аб. Для этого пробу кремния и стандартный образец облучают в ядер-ном реакторе. [c.120]

Обычно образцы облучают мощными потоками нейтронов, которые получают в атомных реакторах. Чаще всего используют медленные нейтроны, которые более эффективно захватываются ядрами облучаемых атомов и вызывают соответствующие ядерные к процессы. В некоторых случаях, однако (для таких элементов, как бор, азот, кислород, фтор кремний, фосфор и др.), большая степень превращения в радиоактивные изотопы достигается и при использовании быстрых нейтронов. [c.195]

Реакцию Ыа ( /, р)Ыа использовали для нахождения поверхностной концентрации натрия в образцах стекла [151], их облучали дейтронами с энергией 1,4 Мэе. Имеется также ряд работ, в которых дейтроны использовали для определения углерода [154], азота [155], серы [156] и кремния [157]. [c.110]

В работе [370] подробно исследованы возможности и ограничения активационного определения ряда примесей в полупроводниковом кремнии с применением у-спектро-метрии. Образцы кремния (0,5—2 г) облучали 1—2 суток в реакторе [/ = 9- 10 нейтрон см сек)]. Облученные образцы переносили в специальные алюминиевые стаканчики, причем монокристаллы кремния предварительно измельчали. Толщина стенок алюминиевых стаканчиков составляла 6 мм, что достаточно для полного поглощения р -излучения 81 и примесных радиоактивных изотопов. Стандарты определяемых элементов тоже переносили в алюминиевые стаканчики, в которые предварительно вносили такое же количество технического кремния, что и в образце. [c.267]

Облучали образцы 24 ч в потоке тепловых нейтронов 10 нейтрон см сек). После облучения образцы протравливали раствором царской водки и в стеклянных бюксах подавали на измерение активности. Стандарты вымывали из ампул раствором царской водки и переносили в бюксы, содержащие 1 г неактивной двуокиси кремния. [c.268]

Так, например, определяют загрязнения в очень чистых образцах металлического алюминия облучают его нейтронами, а затем исследуют сцинтилляционным спектрометром. Таким способом германий определяют при его содержании от 10 до Ю /о так же определяют загрязнения в кремнии содержание 29 элементов в нем находят в относительных количествах до Гафний в цирконии,определяют с точностью 0,1% и выше, индий [c.312]

Облучение образцов кремния, кварцевого стекла, двуокиси кремния и продуктов гидролиза четыреххлористого кремния, этоксисилана и трихлорсилана весом 1 г проводили в потоке 10 —10 нейтронов в течение 24 час. Время облучения выбирали с таким расчетом, чтобы достичь активности насыщения элементов, образующих короткоживущие изотопы Т— =2.56 часа для Мп и Г=2.6 часа для Ni). Одновременно с исследуемыми образцами облучали эталонные смеси определяемых элементов. [c.308]

Анализируемые образцы облучают тормозным у-излучением с максималь-яой энергией 25 Мэе, получаемым на линейном ускорителе электронов, или потоком нейтронов с энергией 14 Мэе от нейтронного генератора. При определении азота в кремнии и германии облученную пробу сплавляют при [c.139]

Источником тепловых нейтронов служит также Ро-Ве-нейтрон-ный источник [594], ядерная реакция Ве (у, л) Ве [И 12]. Описан метод одновременного определения алюминия и кремния в рудах, основанный на различии их сечений активации по отношению к медленным и быстрым нейтронам [1711 использована ядерная реакция Л1 п, р) Mg При использовании ядерной реакции А1 (п, ) Ыа образец облучают 1,5 часа при потоке 5-10" нейтрон-см /сек. Активность измеряют через 2 часа после облучения, т. е. после распада короткоживущих изотопов А1 и Мд Определению алюминия не мешают магний и железо. Относительная ошибка метода 5% [1234]. [c.147]

Для этого полисилоксановую смолу, получаемую соконденсацией 0,54 моля диметилдихлорсилана, 0,33 моля метилтрихлорсилана и 0,13 моля четыреххлористого кремния, растворяют в четыреххлористом углероде раствор помещают в сосуд, снабженный мещалкой и обратным холодильником, облучают ртутнокварцевой лампой и затем пропускают в него хлор. Спустя 15 минут отношение I/ H3.. достигает 0,2. Смола становится при этом более вязкой, эластичной и термостойкой по сравнению с соответствующей нехлорирован-ной смолой. [c.233]

Основные характеристики некоторых наиболее употребляемых полупроводниковых материалов приведены в табл. XII. 1. Общим свойством всех указанных материалов является ковалентный или близкий к ковалентному характер связей, реализуемых в их кристаллах. Ширина запрещенной зоны зависит от энергии этих связей и структурных особенностей кристаллической решетки полупроводника. У полупроводников с узкой запрещенной зоной таких, например, как серое олово, черный фосфор, теллур, заметный перенос электронов в зону проводимости возникает уже за счет энергии излучения, в то время как для полупроводниковых модификаций бора и кремния требуется довольно мощный тепловой или электрический импульс, а для алмаза — даже облучение потоками микрочастиц большой энергии или у-облуче-ние. Лишь некоторые из полиморфных форм кристаллов обладают полупроводниковыми свойствами. Так, полупроводниковый эффект наблюдается лишь у одной из трех полиморфных форм кристаллических фосфора и мышьяка и лишь у двух из четырех кристаллических модификаций углерода. [c.341]

Разработан пейтронно-активационный метод определения содержания до 2-10 % Re в трихлорсилане, пригодный и для анализа кремния, карбида кремния и германия. Около 300 мкг трихлорметилсилана подвергают гидролизу, остаток высушивают и облучают в течение 8 час. потоком медленных нейтронов 1,8-10 нейтрон см -сек. После облучения образцы протравливают соляной кислотой, обмывают водой и дальше выделяют группы элементов экстракцией по схеме (стр. 264, приведена часть схемы, относящаяся к выделению рения) [1288]. [c.263]

Винчестер и Боттино [153] использовали дейтроны с энергией 15 Мэе для определения малых количеств углерода в чистой двуокиси кремния. Для облучений использовали внешнюю мишень циклотрона, охлаждаемую водой. Одновременно облучали пять образцов в маленьких алюминиевых капсулах, закрываемых тонкой дюралевой фольгой (11,6 мг1см ) образцы в виде порошков весили 15 мг. При энергии дейтронов 8 Мэе (часть энергии дейтронов теряется в стенках капсулы) возможны следующие ядерные реакции С й, п)№ 0 (с(, л)Р 0 (с/, п)Р , 0 (с , [c.110]

Разработке методов у-спектрометрического анализа облученных образцов полупроводникового кремния и некоторых его соединений было посвящено большое число работ [367—374]. Моррисон и Косгроув [367] облучали образцы поликристаллического кремния (0,05—1 г) вместе с соответствующими стандартами 3 суток в потоке 3 10 нейтрон (см сек). После облучения образец подвергали поверхностному выщелачиванию раствором КОН + + 30%-ная Н2О2. Затем образец переносили на алюминиевую мишень. Для поглощения р—-излучения 51 - использовали фильтр толщиной 0,738 г см . Метод позволял определять примеси 2п, Аз, Ре, К, Ма, Та. Осложнений, возникающих из-за тормозного излучения, отмечено не было, так как образцы облучали в реакторе с относительно невысоким потоком нейтронов, а активность измеряли через 266 [c.266]

Активность детектора измеряют на счетчике. Диспрозиевый детектор необходимо измерять через 10 мин. после конца облучения в течение 30 мин., а серебряный—не позднее чем через 3 мин., непрерывно отмечая число импульса за каждые 1 15 сек. в течение 5 мин. После измерения вычисляют или находят графически активность в момент окончания облучения (см. работу № 23 на стр. 184). Наполняют коробку последовательно смесями двуокиси кремния с окисью бора (количество смеси должно быть всегда одинаково по весу и по плотности), содержащими разные количества бора (0,5, 1, 2 и 4%), и облучают детектор, пропуская лучи через каждую из смесей так, как описано выше. Измеряют активность детектора. [c.363]

Высокое сечение захвата атомами тепловых нейтронов используется в нейтронно-абсорбционном методе определения лития. Для измерения степени ослабления интенсивности потока нейтронов находит применение наведенная активность в различных металлах. Так, для определения содержания лития в кремнии применяется диспрозиевый счетчик. Измерение содержания изотопа методом косвенной активации предложено в [1266]. Круглая пластинка из металлического индия, заключе1нная между двумя таблетками анализируемого соединения лития и двумя таблетками парафина, облучается при помощи Ро— Ве источника нейтронов (2,1-10 нейтрон1см -сек) в течение 4,5 час., через 1 мин. измеряют наведенную активность 1п (Г./, = 54 мин.). Содержание 111 в пробе обратно пропорционально активности " 1п. [c.127]

В некоторых случаях наблюдаются помехи или возможные ошибки, вь[званные образованием данного радиоизотопа из двух или трех различных т)лементов. Так, если анализировать образец на содер кание алюминия с использованием реакции на тепловых нейтронах А1 (ге, у) Л1, можно получить завышенные результаты, если содержание Л1 мало, а образец содержит, 1ф()ме того, значительные количества и (или) Р и облучается также и быстрыми нейтронами. При этом в результате реакций на быстрых нейтронах из кремния и фосфора образуется А1 81 (ге, р) А1 и Р (ге, а) А1. Сечение реакщи на быстрглх нейтронах обычно намного ниже сечений реакций на тепловых нейтронах, так что такие помехи незначительны, за исключением некоторых особых случаев. Эти помехи можно оценить акти-) ацией образца без кадмия и в кадмии д.ия подавления реакций на тепловых НО) I тронах. [c.263]

Получению тонких пленок двуокиси кремния с использованием электронного луча посвящена также работа [125]. Испарением в вакууме 10 8 — 10 6 мм рт. ст. па подложку наносилась пленка трифенилсиланола, которая затем облучалась электронами, в результате чего образовывалась полимерная пленка, превращающаяся после окисления па воздухе при температуре 500°С в слой аморфной двуокиси кремния. Ток электронного луча составлял обычно 70 лека, ускоряющее напряжение 5000 в. Процесс полимеризации зависел от продолжительности электронной бомбардировки и от количества электронов, приходящихся на единицу площади полимерной пленки.оПленки осаждались в виде параллельных полос толщиной от 1200 до 5500 А па полированную германиевую пластину, которая могла вращаться с различной скоростью. Плотность тока электронного луча была постоянной, а экспозиция изменялась при изменении скорости вращения подложки. [c.356]

Сочетание возможностей метода термического разложения МОС и электронно-лучевой технологии открывает возможность изготовления защитных и диффузионных масок без применения фотолитографических приемов, без использования операции химического травления. Так, для получения пленок двуокиси кремния необходимой конфигурации использовали три-фепилспланол, который осаждали па обрабатываемую пленку и затем облучали электронами через линзу объектива электронного микроскопа [182]. После облучения подложку нагревали в вакуумпойкамере и трифошш-силанол с необлученных участков испаряли, а пленку, покрытую образовав- [c.469]

Этот метод был применен также для обработки молибдена и кремния. Была разработана программа изготовления этим методом деталей электронных устройств. Пленка молибдена была разрезана па мелкие квадраты после ее маскирования при помощи электронного луча. Слой молибдена осаждали па подложку из окиси кремния, и на молибденовую пленку крепили сетку с отверстиями диаметром 0,037 мм. В присутствии паров тстраэтокси-сплаиа при давлении 10 4 мм рт. ст. подложку облучали электронами в течение 1 мни. Плотность тока электронного луча равнялась 1 ма/см2, а энергия электронов составляла 1200 эв. После облучения сетку удаляли и подложку протравливали хлором в течение 1 мин. при давлении 10 4 мм рт. ст. и температуре 300 С. При этой температуре незащищенный молибден быстро образовывал с хлором хлорид молибдена, который испарялся. Была достигнута разрешающая способность 1 мкм. [c.470]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология