Полупроводниковый эффект

Основные характеристики некоторых, наиболее широко употребляемых полупроводниковых материалов приведены в табл. 34. Общим свойством всех указанных материалов является ковалентный или близкий к ковалентному характер связей, реализуемых в их кристаллах. Ширина запрещенной зоны зависит от энергии этих связей и структурных особенностей кристаллической решетки полупроводника. У полупроводников с узкой запрещенной зоной, таких, например, как серое олово, черный фосфор, теллур, заметный перенос электронов в зону проводимости возникает уже за счет лучистой энергии, в то время как для полупроводниковых модификаций бора и кремния требуется довольно мощный тепловой или электрический импульс, а для алмаза II — даже облучение потоками микрочастиц большой энергии или у-облучение. Лишь некоторые из полиморфных форм кристаллов обладают полупроводниковыми свойствами. Так, полупроводниковый эффект наблюдается лишь у одной из трех возможных полиморфных форм кристаллических фосфора и мышьяка и лишь у двух из четырех кристаллических модификаций углерода. [c.311]

Каскад применяется также в таких трансформаторах тепла, где используются нециклические процессы, например в полупроводниковых, использующих эффект Пельтье. Применение каскада и в этом слу- [c.18]

Туннельный диод—полупроводниковый диод, действие которого основано на туннельном эффекте. [c.167]

Изменения электрода при облучении связаны с изменением электрич. свойств поверхностных его слоев или с нарушением структуры материала электрода. В первом случае эффективны как тяжелые, так и легкие частицы излучения, под действием к-рых валентные электроны могут быть выбиты в зону проводимости, что приводит к изменению электрич. характеристик слоя таким полупроводниковым эффектом объясняют, напр., возрастание коррозионных токов при облучении металлов с толстыми окисными пленками в р-рах электролитов. Во втором случае наиболее эффективны тяжелые заряженные частицы или нейтроны, способные образовать дефекты в кристаллич. решетке металла и изменить т. обр электрохимич. свойства всего электрода (см. Радиационные дефекты). Однако онисанные электрохимич. эффекты, иногда называемые радиационно-гальваниче-скими эффектами, изучены еще слабо. [c.217]

Представляется, однако, что эти результаты могут измениться при учете температурных полупроводниковых эффектов, [c.293]

Однако даже при ДГ->0 и Гср/Го=1 КПД т)е<С1. Это связано с процессами, неизбежно сопутствующими полупроводниковым трансформаторам тепла выделением джоулева тепла, действием эффекта Томсона и обратным током тепла от горячего спая к холодному вследствие теплопроводности материалов термоэлемента. [c.289]

Объемное разуплотнение отрицательно сказывается на увеличении электропроводности, при этом до достижения температуры 2000—2200 °С электросопротивление не уменьшается или уменьшается, но с резко снижающейся скоростью. Накопление межплоскостных связей (по оси с), обусловливающих полупроводниковые свойства кокса, приводит, с одной стороны, к возрастанию его упругих свойств от появления дополнительных связей между микрочастицами углеродистых образований, а с другой стороны —к увеличению термоэлектродвижущей силы. Кроме того, в результате возрастания полупроводниковых свойств кокса происходит более значительное снижение удельного электросопротивления при нагревании такого кокса от 25 до 600 °С, так как этот эффект характерен для полупроводников. [c.236]

Вместо описанного криостата удобнее пользоваться лабораторным полупроводниковым микрохолодильником типа ТЛМ. Его действие основано на эффекте Пельтье при прохождении электрического тока через контакт двух разнородных проводников в месте контакта выделяется или поглощается (в зависимости от направления тока) теплота . Основным узлом ТЛМ является термоэлемент, состоящий из двух разнородных полупроводников с электронной и дырочной проводимостью проводники соединены металлическими перемычками. [c.85]

Соотношение токов обмена и Гр определяется положением уровня Ферми в полупроводнике и равновесным потенциалом (Е ) окислительно-восстановительной системы. При этом ток оказывается тем больше, чем более отрицательное значение имеет Е и чем ближе к зоне проводимости располагается уровень Ферми. Последний эффект достигается введением в полупроводник доноров электронов (например, введением примеси Аз в Ое). Введение в полупроводник примесей акцепторов, наоборот, приводит к росту д и уменьшению 1%. Таким образом поляризационная характеристика для реакции (I) на полупроводниковом электроде оказывается весьма сложной и зависяш,ей от многих факторов. Ограничимся поэтому рассмотрением упрощенного случая, когда Д ф 0, и При этих условиях из уравнения (57.10) получаем [c.295]

Эксперименты по измерению электрической проводимости показали наличие подвижных точечных дефектов в твердых растворах 3S с СгаОз и NiO. По измерению параметров эффекта Холла установлено, что твердые растворы 3S с различными добавками обладают полупроводниковыми свойствами, причем дырочный тип проводимости можно изменить на электронный введением добавок РеаОз, СоО и NiO. Концентрация свободных электронов достигает [c.235]

Зависимость физических свойств органических соединений от наличия сопряженных двойных связей — статический эффект сопряжения — проявляется в том, что перемещение электронов, обусловленное перестройкой л-связей при относительно легкой поляризуемости двойных связей, может сообщать органическим веществам с сильно развитой системой сопряженных связей полупроводниковые свойства. [c.442]

От поверхностных состояний зависят очень важные свойства полупроводника контактные разности потенциалов и эффекты выпрямления, тока, химические реакции и адсорбция, поверхностная рекомбинация электронов и дырок, поверхностная проводимость, нестабильность характеристик полупроводниковых приборов, шумы и пр. [c.251]

В 40-х годах для атомной техники потребовались очень чистые графит, кадмий, цирконий, натрий и др. Для реактивной техники оказались необходимы жаропрочные и жаростойкие материалы, получающиеся на основе чистых металлов, в том числе и редких. Полупроводниковая техника потребовала особенно высокой степени очистки материалов. Например, чтобы получить высокие обратные напряжения германиевых диодов (примерно до 500 в), нужны образцы, содержащие не больше одного атома примеси на 1,5 10 атомов германия. Для появления триодного эффекта необходимо суммарное содержание примесей в полупроводнике доводить до 10 —10" вес. %. Производство квантовых генераторов также требует особо чистых материалов. [c.257]

Области применения и масштабы производства. Прогресс, достигнутый в последнее время в области автоматики, радиоэлектроники и преобразования различных видов энергии, в большой мере обусловлен применением германия в полупроводниковой технике. Он используется в полупроводниковых элементах — диодах и триодах. Германиевые выпрямители по сравнению с селеновыми имеют больший коэффициент полезного действия при меньших размерах. Применяются германиевые фотоэлементы, датчики эффекта Холла и многие другие полупроводниковые устройства. В последнее время большое внимание уделяется устройствам с применением монокристаллических германиевых пленок. [c.173]

Эффекты, связанные с внутренними степенями, проявляются, как установлено, на опыте [2] при фазовых превращениях, при тепловой ионизации примесей в полупроводниковых кристаллах и т. д. В молекулярных кристаллах также могут встретиться [c.145]

Метод раскола в вакууме применим к полупроводниковым и диэлектрическим кристаллам. Он почти не приводит к эффектам, связанным с высокотемпературными нагревами образца. Однако при раскалывании выделяется небольшое количество растворенного в объеме газа, который в случае малой поверхности монокристалла может привести к существенному загрязнению его поверхности. Поэтому перед расколом образец необходимо длительное время тренировать при высоких температурах, что, конечно, приводит к изменению распределения дефектов в его объеме. [c.445]

Электронный луч скользит по этой пластинке, заставляя ее генерировать, излучать свет. Величина изображения в этой установке зависит в основном от размера полупроводника. Если использовать лазерный образец размером в кадр 32-мм пленки, то изображение можно проецировать на экран площадью шестьдесят квадратных метров. Цвет изображения зависит от выбранного полупроводника, а набор полупроводниковых соединений, на Которых получен лазерный эффект, позволяет получить изображение в любой части спектра — от инфракрасной до ультрафиолетовой. [c.525]

Совершенствование конструкционных материалов, применяемых в подшипниковых узлах и гидравлических уплотнениях, вместе с развитием вентильной полупроводниковой техники, позволяет в настоящее время создавать мощные гидродинамические кавитационные аппараты с регулируемой скоростью вращения рабочих органов, что является важнейшим фактором целенаправленного использования эффектов кавитации. [c.103]

Замечательные возможности практического применения полупроводникового эффекта хорошо известны (см. главы V и IX, [6—9]). Особенно интересные перспективы открываются в связи с изобретением в последнее время так называемых бесщелевых полупроводников [10]. Благодаря использованию бесщелевых полупроводников (теллур, селен, сплавы висмут—сурьма и др.) частотная граница применения полупроводниковых приборов может быть поднята до нескольких тысяч гигагерц, а питающие и управляющие напряжения уменьшены до единиц и десятков милливольт. Вещества в бесщелевом состоянии можно применять как чувствительные датчики магнитного и электртеского полей, гидростатического давления, одноосных напряжений и пр. [c.518]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

Спепифические полупроводниковые эффекты применяются в разнообразных приборах и устройствах, таких, как [c.244]

Замена в электрохимических ироизводствах, использующих постоянный ток мотор-генераторов (илн вращающихся преобразователей), ртутных выпрямителей на силовые полупроводниковые выпрямители дает большой экономический эффект. Он заключается в простоте эксплуатации, в новышенин КПД на 8—9 % по сравнению с моторгенераторами и на 2—3 % выше, чем у ртутных выпрямителей. [c.186]

Еу=1 эВ условие (57.17) принимает вид > <1240 нм. Таким образом, освещение полупроводникового электрода видимым светом может привести и действительно приводит к изменению поляризационной характеристики полупроводникового электрода. Фотоэлектрохимиче-ские эффекты широко используются при изучении полупроводниковых электродов. [c.296]

Использование таких материалов значительно увеличивает коэффициент полезного действия термоэлектрических преобразователей. Они нужны для разработки полупроводниковых оптических квантовых генераторов и фотоэлектрических приемников, использующих эффект собственной фотопроводимости, для диапазона длин волн не выше 5—7 мкм. В полупроводниках с малой шириной запрешеннсй зоны и с высокой подвижностью носителей тока (типа InSb) обнаружены различные физические явления, представляющие особый практический интерес. [c.298]

Проводимость полупроводниковых НК и пленок. Как мы видели выше (см. гл. IX), явление переноса у поверхности сильно влияет на электронные свойства массивных образцов полупроводников. Наиболее значительную роль эти явления играют в проводимости полупроводниковых НК и пленок толщиной около 1 мкс с концентрацией свободных носителей приблизительно до 10 см . Это объясняется тем, что при протекании тока через тонкий образец носители заряда испытывают наряду с обычным объемным рассеянием в полупроводнике еш,е рассеяние и на поверхности, благодаря чему эффективная подвижность носителей становится меньшей объемной подвижности. Это проявляется как размерный эффект сопротивления, аналогичный уже рассмотренному для металлов. Анализ размерных эфсректов в полупроводниках про-492 [c.492]

В настоящее время ферриты очень широко применяют в радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике и во многих других областях науки и техники, причем количество приборов, в которых используются те или иные особенности ферродиэлек-трического эффекта, непрерывно возрастает [4]. По широте применения, большому количеству используемых эффектов феррито-вые приборы уступают только полупроводниковым. [c.514]

Это повлечет за собой уменьшение концентрации вакансий в подрешетке серы, которые занимаются атомами кислорода, и понижение проводимости сульфида. Однако при достаточно высокой температуре и достаточном вакууме сера и кислород улетучиваются в виде ЗОг. При этом вновь возникают вакансии, ранее занятые атомами кислорода, и еще у/2 новые вакансии, занятые атомами серы. В результате увеличиваются концентрация вакансий в анионной подрешетке и проводимость. От поверхностных состояний зависят очень важные свойства полупроводника контактные разности потенциалов и эффекты выпрямления тока, химические реакции и адсорбция, поверхностная рекомбинация электронов и дырок, поверхностная проводимость, нестабильность характеристик полупроводниковых приборов, щумы и пр. [c.312]

Между полюсами N и 8 магнига расположен брусок полупроводникового материала, имеющий форму призмы. К торцам бруска подводится постоянная разность пэтеи-циалов, в результате чего в нем появляется ток, направление которого перпендикулярно направлению магнитного поля. При этом в материале полупроводника возникает градиент температур АТ— Т—То в папр.1в/,е-нии, перпендикулярном направ.п -нию как тока, так и магнитного поля (эффект Эттингсхаузена). При расположении полюсов магнита и направлении тока, показанпь х ла рис. 10.10, верхняя грань бруска будет нагреваться, а нижняя охла к-даться. в стационарных услсвиях при отводе и подводе соответствующих количеств тепла Q п возникнет некоторый тепловой поток от 292 [c.292]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология