Влияние границ между кристаллитами

Имеется еще и другой момент, который не рассматривался при оценке влияния понижения температуры кристаллизации. Проходные цепи покидают лентообразный слой между соседними микрофибриллами, как только достигают блока, к которому они прикреплены. Следовательно, кристалл, который в конечном счете ими образован, относится к мицеллам бахромчатого типа. Конформационные ограничения макромолекул, которые частично включены в такой кристалл, понижают их энтропию на границе между кристаллом и разупорядоченной матрицей. [c.226]

В ббльших или меньших количествах водород образуется при работе почти всех используемых на практике гальванических ванн. Исключение составляет процесс осаждения меди из кислого электролита, для которого поляризационная кривая катода лежит вне области потенциалов разложения водных растворов. Для хромовых ванн до 90% всего пропускаемого электричества тратится на выделение водорода. В большинстве же других ванн оно составляет несколько процентов. Количество образующегося на катоде водорода зависит как от природы осаждаемого металла, так и от условий электролиза (температуры, плотности тока, pH электролита). Металлы по-раз-ному ведут себя по отношению к водороду. Никель, железо и в особенности хром растворяют его, при этом атомы водорода внедряются в кристаллическую решетку металла (располагаются между узлами ее), что приводит к нарушению роста кристаллов. Кроме того, значительные количества водорода удерживаются на границах между кристаллами, ослабляя их связь между собой. Содержание водорода в хромовых покрытиях достигает 0,45%, в никелевых — до 0,1 %, в цинковых 0.001—0.01 %. Поглощение водорода оказывает влияние на механические свойства осадков, твердость которых повышается, но значительно увеличивается также и хрупкость. [c.35]

Механические свойства осадков также находятся в зависимости от их структуры. Осадки с крупнокристаллической структурой имеют пониженную твердость по сравнению с осадками мелкокристаллическими. Влияние размера кристаллов на твердость находит объяснение в большем или меньшем развитии границ между ними. При измельчении кристаллов увеличивается общая поверхность раздела, а на поверхности раздела вследствие неуравновешенности силовых полей отдельных атомов неизбежно некоторое искажение кристаллической решетки по сравнению с внутренними слоями кристалла, в которых все силы притяжения и отталкивания уравновешены. К этому еще добавляется возможность существования меж-кристалличе ского вещества в виде пленок примесей, обволакивающих зерна. Если эти пленки являются более твердыми, чем сами кристаллы, то увеличение суммарной поверхности раздела также приведет к повышению твердости. Все факторы, способствующие измельчению структуры, вызывают соответствующее повыщение твердости осадка, и наоборот. [c.139]

При изучении гомологического ряда н. парафинов Мюллером было замечено различие, с одной стороны, в структуре и свойствах парафинов с четным и нечетным числом углеродных атомов в цепи с другой — в пределах ряда, охватывающего только четные или нечетные члены, по структурной и физико-химической характеристике можно провести как бы некоторую границу между углеводородами длинноцепочечными и углеводородами с меньшей длиной цепи. Мюллер высказал предположение о двух составляющих силы взаимодействия, удерживающей молекулы и. парафинов в кристалле. Одна часть сцепления относится к взаимодействию углеводородных цепей, другая — к взаимодействию концевых групп, влияние которых особенно сказывается при малых длинах цепей. [c.182]

Вопросы прочности твердых мелкокристаллических тел, влияние размера и расположения кристаллических зерен, холодной обработки ИТ. п., по-видимому, в значительной степени зависят от образования маленьких трещинок как внутри зерен, так и на границе между кристаллическими зернами. Рассчитанная по электрической теории прочность дает нам поэтому высший предел прочности кристалла, который в то же время является вообще наивысшим достижимым пределом прочности. [c.262]

Дефекты, возникающие при облучении поликристаллического графита, были уже рассмотрены ранее. Их влияние на механические свойства очень велико. Например, модуль упругости может возрастать вдвое [537, 1148]. Причина этого возрастания еще недостаточно понятна, но она не связана, по-видимому, с образованием дополнительных связей между гексагональными углеродными сетками. После облучения поликристаллический графит становится более прочным, твердым и ломким. Изменение его модуля упругости аналогично изменениям в других облученных материалах [561]. Пластическая деформация при низких нагрузках таклсе резко уменьшается. Наблюдается значительное анизотропное расширение, обусловленное смещением атомов углерода, но при отжиге может произойти восстановление первоначальных свойств [152, 1148]. В отличие от многих других материалов влияние облучения на физические свойства графита сохраняется при не слишком низких температурах [414]. Большая часть опубликованных данных по влиянию облучения на физические свойства графита относится к поликристаллическим материалам. Очевидно, это вносит некоторые усложнения за счет возможного влияния границ кристаллов и поверхности пор. Обсуждение этого вопроса можно найти в соотвегствующих первоисточниках [34, 693, 744, 948, 975]. [c.61]

В случае графита некоторые магнитные свойства углерода поддаются более отчетливой интерпретации, чем такие электрические свойства, как удельное сопротивление и его температурный коэффициент. Это обстоятельство объясняется тем, что такая величина, как магнитная восприимчивость поликристаллического тела, является лишь суммой восприимчивостей всех электронных орбит, которые содержатся в его структуре. Разница между многоядерными ароматическими углеводородами, обособленными друг от друга в кристалле (подобно многоядерным сеткам, связанным вместе в углеро-дах) силами отталкивания, и более крупными плоскими многоядерными сетками в почти идеальном графите заключается только в том, что различным членам при суммировании магнитных свойств приписывается неодинаковая относительная роль и вместе с тем не требуется добавления многочисленных членов, учитывающих влияние границ. [c.87]

Как уже говорилось, так ое положение вызвано тем обстоятельством, что плотный поликристаллический углерод при образовании кристаллического соединения часто превращается в поликристаллический порошок. В этих условиях такие свойства соединений, как тепловое расширение, сжимаемость, твердость и электропроводность, могут определяться скорее границами между кристаллитами, чем свойствами собственно кристаллической решетки. Исследования межкри-сталлических границ указывают на то, что в некоторых случаях их влияние сводится, по-видимому, лишь к дополнительному эффекту [593]. К счастью, картина рентгеновской дифракции и величина магнитной восприимчивости вряд ли сильно меняются в результате превращения графита в поли-кристаллические порошки при образовании кристаллических соединений. Другая сложность заключается в том, что некоторая часть добавок может закрепиться в графите на дефектах структуры их вклад в количественные характеристики кристалла зависит от природы этих дефектов, которая может быть весьма различной и в любом случае с трудом поддается изучению. Эта неопределенность осложняет детальную интерпретацию ряда результатов [261, 407, 408, 411]. [c.160]

К структурно-чувствительным свойствам можно в определенной степени отнести и электрическую проводимость электролитических металлов. Для очень чистых металлов с кубической решеткой электропроводимость монокристалла не зависит от направления. Электропроводимость поликристалла должна быть ниже лишь за счет влияния границ зерен между отдельными кристаллами. Более сильными должны быть отличия монокристалла от поликристалла для кристаллов некубической системы. Кристаллы с гексагональной, тетрагональной или тригональ-ной структурой (например, Zn, d, Sb, Bi) обладают осевой симметрией, поэтому их сопротивление различно по главной оси и по перпендикулярным к ней направлениям. Для таких, даже самых чистых, металлов наличие текстуры вызывает изменение электропроводимости р 20]. Электропроводимость металлов, полученных электролизом, существенно зависит от природы металла [c.43]

Как известно, кристаллизующиеся полимеры обладают рядом преимуществ по сравнению с аморфными, и прежде всего высокими механическими характеристиками, что обусловлено двухфазной структурой кристаллического полимера, которую можно представить себе в виде низкомодульной непрерьшной аморфной фазы и более или менее равномерно распределенных в ней высокомодульных кристаллов [381]. Макроскопические свойства кристаллизующихся полимеров главным образом определяются относительным содержанием кристаллической фазы (степенью кристалличности X) [382]. Наряду со степенью кристалличности важную роль в свойствах кристаллизующихся полимеров имеет конформационное состояние сегментов макромолекул- переходных цепей, находящихся в аморфных прослойках между кристаллами. Отсюда очевидно, что регулировать свойства кристаллизующихся полимеров можно, изменяя степень кристалличности или конформационное состояние проходных молекул. Введение наполнителя в кристаллизующиеся полимеры оказывает влияние на все структурные и физико-механические характеристики материала [383]. Вместе с тем общие физико-химические принципы модификации наполнителями кристаллизующихся полимеров основаны на тех же подходах, которые были уже рассмотрены при анализе процессов, происходящих при наполнении аморфных полимеров. Причиной всех изменений являются межфазные явления на границе полимер-наполнитель и возникновение межфазных слоев с измененными характеристиками вследствие межфазных взаимодействий. [c.145]

Из всего сказанного следует, что нри изучении влияния примесей на свойства прежде всего необходимо уточнить местоположение примеси. Иначе интерпретация экспериментальных данных будет затруднена. Второе обстоятельство, которое также должно учитываться, обусловлено наличием межфазных границ между отдельными кристаллами поликристаллического вещества. Они обычно разделены между собой воздухом, другим каким-либо газом или жидкостью. Присутствие воздуха или другой газообразной фазы не требует особых пояснений. Оно связано лишь с тем, в какой среде производятся измерения. Появление жидкой фазы связано со способностью веществ поглощать влагу из окружающей среды. Здесь имеется в виду гигроскопическая влага. Особенно существенно влияние гигроскопичности для кристаллических веществ, обладающих низкой гигроскопической точкой. Присутствие жидкой фазы в значительной мере сказывается на электрических свойствах. Гигроскопическая влага частично растворяет кристаллы. Образуется раствор, проводимость которого во много раз выше, чем у самих кристаллов соли. То же относится и к его диэлектрической проницаемости. В известной мере вода оказывает влияние и на термическую устойчивость вещества и его механические свойства. И, наконец, третьей особенностью является зависимость свойств от условий получения от того, с какой скоростью проводится кристаллизация, нри каких температурах и скоростях перемешивания, существенно зависят дисперсионный состав осадка (распределение кристаллов осадка по размерам), габитус кристаллов и наличие в них различных дефектов. От формы и размеров кристаллов, от количества и природы дефектов зависят и свойства вещества. Так как указанные факторы сами по себе трудно поддаются учету, чистое вещество и образцы, содержащие то или иное количество примеси, необходимо получать но возможности в одних и тех же условиях. Чтобы выявить зависимость свойства от содержания примеси, обязательно нужно производить измерения и для эталонного образца, отличающегося от остальных только по концентрации примеси. [c.94]

Прежде всего, являлось необходимым получить исходные вещества, свободные от примесей свинца и стронция и изучить влияние концентрации изотопов свинца и стронция в растворе на величину коэффициента кристаллизации. Изучение зависимости коэффициента кристаллизации от концентрации распределяющегося вещества дает ответ сразу на два вопроса существует ли нижняя граница распределения, характерная для образования аномальных смешанных кристаллов, и как изменяется значение D при увеличении концентрации изотопов свинца и стронция в растворе. Кроме того, являлось необходимым провести изучение распределения микрокомпонента между кристаллами и раствором солей в точных условиях эксперимента, в условиях установления истинного равновесия между жидкою и твердою фазами, пользуясь методикой, разработанной В. Г. Хлопиным и его учениками [9]. [c.225]

К третьему уровню иерархии относятся явления, связанные с процессом взаимодействия системы кристалл — несущая (сплошная) фаза. Наглядную картину структуры связей ФХС демонстрирует обычно диаграмма взаимных влияний физических и химических явлений системы. При построении такой диаграммы ФХС представляем в виде набора элементов и их связей. При этом узлам диаграммы ставятся в соответствие отдельные явления или эффекты в системе, а дугам — причинно-следственные связи между ними (рис. 1). Растущая кристаллическая частица движется в объеме сплошной фазы под действием сил сопротивления, инерционных, тяжести, подвергаясь одновременно воздействию механизма переноса массы ПМ, энергии ПЭ и импульса ПИ через границу раздела фаз в направлении 1- 2 (где 1 означает принадлежность к сплошной фазе, 2 — к кристаллу). Процесс кристаллизации на частице идет при неравновесии химических потенциалов вещества в несущей фазе и в частице Д , неравновесности по температурам фаз Ат скоростной неравновесности А , т. е. при несовпадении скоростей фаз. Поэтому естественно принять, что рассматриваемая неравновесность гетерогенной системы и обусловливает совокупность явлений, составляющих механизм межфазного переноса при кристаллизации. Причем неравновесность гетерогенной системы в целом (по Ац, Ат, А ) обусловливает в качестве прямого эффекта (сплошные дуги) перенос массы через поверхность в направлении 1- 2 (дуги 1, 2, 3). Каждый вид неравновесности обусловливает прежде всего перенос соответствующей субстанции (дуги 4, 5) и одновременно оказывает перекрестное или косвенное влияние (пунктирные дуги) на перенос других субстанций (для ПЭ — дуги 6, 9 для ПИ — дуги 7, 8). [c.8]

Кроме того, обработка результатов многочисленных измерений линейных размеров кристаллов алмаза и толщины соответствующих им механических пленок позволила уточнить связь между этими величинами. Например, обнаружено, что пленки с двух смежных граней алмаза могут отличаться по толщине в 2—3 раза, и полностью однозначная количественная зависимость между размером кристалла и толщиной металлической пленки, отделяющей его от исходного графита, во многих случаях отсутствует. Удалось обнаружить только определенную зависимость, проявляющуюся в увеличении толщины этой пленки с возрастанием длительности процесса синтеза для кристаллов с линейными размерами от 4-10 до 8-10- м. В связи с этим интересно рассмотреть процесс формирования металлического слоя, отделяющего алмаз от графита. Образование и первоначальный рост кристалла алмаза происходят внутри металлического расплава ниже (если алмаз растет вверх) границы графит—металл в условиях, когда этот расплав хорошо смачивает поверхность алмаза и графита. Из-за разницы в плотности металлического расплава и алмаза последний под действием выталкивающей силы всплывает, в чем легко убедиться по смещению центра роста отдельных кристаллов размером более 5- Ю- м вверх относительно исходной границы металл — графит. В случае расположения графитового слоя ниже границы графит — металл (алмаз растет вниз) смещение центра роста кристалла за эту границу не наблюдается. Металлический же слой между алмазом и графитом удерживается силами поверхностного натяжения. На формирование слоя, следовательно, оказывают влияние степень смачиваемости расплавом алмаза и графита (в случае достаточно тонкого слоя проявляется капиллярный эффект) и выталкивающая кристалл сила, зависящая в свою очередь от свойств расплава, степени дефектности объема и поверхности алмаза и т. д. Поскольку величины толщины слоев для кристаллов, росших вверх или вниз, существенно не отличаются, можно считать, что основную роль в формировании металлического слоя играют силы поверхностного натяжения. Тогда увеличение толщины металлического слоя во времени частично объясняется появлением и ростом на одной его поверхности монокристаллической графитовой фазы, т. е. существенным снижением в рассматриваемых условиях смачиваемости этой поверхности расплавом металла. В данном случае толщина слоя действительно не будет зависеть однозначно от размера кристалла алмаза, а определяется комплексом условий, в том числе количеством и распреде-378 [c.378]

Специфика межфазных явлений в системах с полимерными наполнителями и в смесях полимеров определяется природой обоих компонентов. В настоящее время установлено, что термодинамическая совместимость у большинства полимеров отсутствует [371, 387]. Как правило, невозможно также образование общей кристаллической решетки, т. е. совместных кристаллов [388—391]. Однако можно говорить о совместимости полимеров в морфологическом плане, понимая под этим образование совместных надмолекулярных структур и отсутствие четких границ раздела между элементами надмолекулярного порядка. Это предполагает существование переходного слоя между двумя компонентами. Природа и структура этого слоя имеют важное значение для понимания свойств полимерных композиций. Переходный слой в смесях полимеров отличается от граничного слоя или поверхностного слоя на неорганическом наполнителе тем, что он может быть образован одновременно двумя компонентами вследствие взаимной диффузии на границе раздела фаз [392, 393]. Поэтому такой слой по своим свойствам отличается от составляющих компонентов. В таких межфазных областях под влиянием второго компонента смеси происходит изменение конформаций макромолекул по сравнению с их конформациями в блочных полимерах [377, 394, 395]. Наряду с диффузией причиной образования переходного слоя может быть также и обычная адсорбция одного компонента на поверхности другого [396]. [c.200]

Обмен ионами галогена (Вг- или I ) между раствором галоге-нида натрия и осадком галогенида свинца является типичным примером гетерогенного изотопного обмена. Быстрый обмен в системе раствор галогенида — свежеосажденный галогенид свинца показывает, что из возможных путей изотопного обмена — через диффузию ионов из раствора в кристалл и через перекристаллизацию осадка — определяющим является более быстрый механизм перекристаллизации. Как и при других процессах, происходящих на границе раздела фаз (жидкость — твердое вещество), па скорость изотопного обмена при прочих равных условиях большое влияние оказывают способ приготовления осадка и величина его поверхности (по мере старения осадка и, следовательно, уменьшения его поверхности за счет перекристаллизации обмен замедляется). Ход обмена характеризуется величиной степени обмена, которая для данного момента времени может быть вычислена по уравнению [c.272]

На диффузию оказывают влияние не только группировки дислокаций, как это имеет место па границах зерен, но и отдельные дислокации. Можно ожидать взаимодействий между определенными дефектами структуры и диффундирующими атомами примеси. В зоне вдвинутой плоскости кристаллической решетки (случай краевой дислокации) решетка находится в состоянии избыточного гидростатического давления, тогда как с противоположной стороны плоскости скольжения имеется гидростатическое разрежение. Если кристалл находится при достаточно высоких температурах, когда подвижность элементов решетки довольно велика, атомы примеси с большим атомным радиусом, чем у атомов основного кристалла, перемещаются в область гидростатического разрежения, потому что благодаря этому достигается самое благоприятное распределение напряжений (рис. 11.6). [c.246]

Однако даже в эластомерах на последних стадиях кристаллизации поликристаллы (сферолиты или зерна) занимают, как правило, практически весь объем образца. Это означает, что большую часть поликристаллов занимает не собственно кристаллический материал, а проходные цепи и аморфные прослойки между соседними ламелярными кристаллами наличие этих макродефектов определяет особенности механических свойств предельно закристаллизованных эластомеров. Поэтому при рассмотрении влияния условий кристаллизации на морфологию, а морфологии — на механические свойства полимеров иногда пользуются представлениями о дефектах, рассматривая даже не связанную с монокристаллами аморфную часть как макродефекты. К сожалению, до сих пор отсутствует строгая количественная теория, которая бы дала возможность обосновать такое рассмотрение и разделить собственно дефекты внутри кристалла от складок и проходных цепей, от аморфной части, не связанной с монокристаллами, но входящей в качестве дефектов в поликристалл, а также от аморфной части, остающейся за границами поликристаллов и не связанной с ними, к которой только и может быть строго отнесено понятие аморфная фаза (по-видимому, доля ее на последних стадиях кристаллизации весьма мала даже в эластомерах). [c.26]

Несколько специфично влияние подложки на структурирование полисилоксанов, в которых сетка (отвержденного продукта) состоит из микроучастков особо высокой плотности с редкими связями между ними, образующимися в результате циклизации. Это обусловливает перенапряжения на границе раздела [100]. Структура тонких пленок полисилоксана (100—500 А) на поверхности полупроводниковых кристаллов зависит от способа подготовки последних, но в толстых слоях (3000—5000 А) основную роль играют условия обработки силанами [104]. [c.25]

Вместе с тем необходимо иметь в виду, что высокая энергия связи является лишь одним из факторов, определяющих диффузионную подвижность. Особенно большое влияние на эту характеристику твердого тела оказывает присутствие дефектов. Очевидно, что в области металла, где имеются дефекты, упаковка атомов является менее плотной, а связь между атомами ослаблена. Поэтому в таких областях диффузионная подвижность повышена по сравнению с металлом, не содержащим дефектов. Такое повышение подвижности наблюдается на границах зерен и блоков, вблизи дислокаций и в областях вблизи внутренних границ фаз (например, по границам карбидных включений в решетке металла). Различные дефекты являются теми областями кристалла, где энергия активации процесса диффузии оказывается меньшей, чем в объеме кристалла. Однако доля этих областей невелика, ее величина входит как множитель в предэкспоненциальный множитель Во. При высоких температурах, скорость суммарного диффузионного процесса определяется величиной >о (так как дробь Е/НТ стремится к нулю и, следовательно, множитель — [c.346]

При фильтровании суспензий кристаллов парафинов на границе между осадком парафина и тканью отмечено дополнительное (граничное) сопротивление, величина которого зависит от многих факторов, в том числе и от свойств фильтровальной ткани [I, 2]. Влияние граничного сопротивления на скорость фильтрации суспензий кристаллов парафинов по мере увеличения высоты осадка, образующегося на ль-троткани, ранее не исследовалось, что не позволяет судить об эффективности продасса фильтрации парафиновых суспензий через фильтровальные ткани и затрудняет их выбор. [c.72]

Границы между указанными зонами весьма условные, поэтому степень искажения облика кристаллов различна. Факторы р-Г-условий и химического состава среды кристаллизации способны подавлять или интенсифицировать развитие определенных форм, однако во всех случаях прослеживается закономерное влияние симметрии питания, приводящее, как будет показано ниже, к формированию изометричиых, удлиненных или уплощенных кристаллов. [c.391]

В силу того что кристаллическое вещество, в отличие от других, некристаллических, веществ, имеет упорядоченную атомную структуру и анизотропно, методы кристаллографии резко отличаются от методов других наук. Симметрия проявляется во внешней форме кристаллов, в их структуре, в физических явлениях, протеканэщих в кристаллах, во взаимодействии кристалла с окружающей средой, в изменениях, претерпеваемых кристаллом под влиянием внешних воздействий. Поэтому особенностью метода кристаллографии является последовательное применение принципа симметрии во всех случаях. Благодаря этому весьма специфическому методу кристаллография является самостоятельной наукой, связанной с другими частичным совпадением задач и предмета исследования в конкретных случаях. Нельзя изучать кристаллическое вещество вне процесса его образования, вне связи с жидкой и газообразной фазой. Эти процессы изучает физическая химия, так как лю бой процесс или положение равновесия зависит от физико-химических условий среды. Относительное расположение атомов и молекул в кристаллическом веществе зависит от качества самих атомов, от их химической природы. Отсюда тесная связь с химией, особенно со стереохимией. Атомы и молекулы в кристаллах образуют геометрически правильные комплексы. Совокупность их определяет форму кристаллов в виде многогранников. Многогранники же изучаются математикой и, в первую очередь, геометрией. Очевидна, конечно, связь кристаллографии с физикой, особенно с теми ее разделами, которые занимаются изучением различных свойств твердых тел. В последние годы интенсивно развивается промышленность, использующая монокристаллы с различными свойств ами оптическими, электрическими, механическими и т. п. Связь кристаллографии с химией, физической химией и физикой настолько тесная, что не позволяет провести даже условных границ между этими науками. [c.10]

Однако граница между золем и гелем или, соответственно, жидким раствором высокомолекулярного соединения и студнем не имеет такого отчетливого характера, как граница между расплавом и кристаллом. Ф. Н. Шведовым была обнаружена упругость растворов желатины, имеющих концентрации ниже предельной концентрации застывания. Формально коллоидные растворы, обладающие аномальной вязкостью (вследствие сверхмицеллярного структурообразования), могут быть отнесены как к золям, так и к гелям. С первыми их объединяет способность течь под влиянием любых, сколь угодно малых напряжений, со вторыми — наличие динамического предельного напряжения сдвига. Наконец, экспериментальные затруднения не всегда позволяют отличать очень высокую вязкость от низкого предела текучести. [c.213]

Дефекты в Ni можно создать методом прокатки никелевой лластинки [22, 23]. Поверхностная структура прокатанной пластинки исследована электронномикроскопически при постепенном снятии поверхностных слоев в ванне с НЫОз. Оказалось, что текстура поверхностных слоев отличается от расположения атомов в объеме. В объеме пластинки имеется много кристаллов с регулярной структурой решетки, причем эта регулярность уменьшается при движении из объема к поверхности. Таким образом, под влиянием давления на поверхности происходят механохимические изменения и области с повышенной каталитической активностью образуются вдоль границ зерен между кристаллами малых размеров на поверхности. Неоднородная структура поверхности и более высокая каталитическая активность получаются, если прокатанную пластинку N1 долго окислять на воздухе при 20° С или быстро восстановить в водороде при 350° С. [c.13]

ХОТЯ разность потенциалов между ними и очень мала. Ход кривой изменения потенциалов на поверхности структурных составляющих сплава олово-цинк показывает, что потенциалы на эвтектике значительно изменяются только у границы контакта, в то время как в центре к ристаллита они практически не меняются. Вероятно, эвтектику необходимо рассматривать как сложный электрод, в котором кристаллы цинка играют роль анода, а олово является катодом, причем кристаллы цинка растворяются в результате работы кристаллов олова в качестве катодов. При этих условиях контакт с эвтектикой крупных кристаллов цинка приводит к тому, что олово из эвтектики у границы с кристаллами цинка начинает еще бо -лее интенсивно работать в качестве катода как на цинк в эвтектике, так и на кристаллы цинка, прилегающие к эвтектике. Вследствие этого сфера влияния кристаллов цинка на кристаллы олова, находящиеся в [c.19]

В работе обобщены результаты исследований по получению поливиниленов кристаллической структуры в полимеранало-гичном процессе дегигидрохлорирования полимеров винилхлорида в растворе в условиях межфазного катализа. Показано, что надмолекулярная структура поливиниленов зависит от структуры поверхности раздела фаз между раствором полимера и раствором дегидрохлорирующего агента и от природы каталитической системы. В двухфазной системе из несмешива-ющихся растворителей на границе раздела фаз происходит кристаллизация образующегося поливинилена, в отличие от систем в смешивающихся растворителях, в которых образуется преимущественно аморфный полимер. В оптимальных условиях образуется поливинилен с размерами кристаллов порядка 10 мкм. Обсуждается влияние надмолекулярной структуры поливиниленов на их химические и электрофизические свойства и на свойства продуктов их высокотемпературных превращений. [c.128]

Влияние ионной бомбардировки на структуру поверхности исследовано довольно подробно [19—29]. Прежде всего при указанной обработке устраняются такие особенности микрорельефа, как царапины, выступы и углубления, так что в относительно крупном масштабе поверхность становится более гладкой. Однако в атомном масштабе явно имеются шероховатость и другие виды нарушения структуры поверхности. Поверхность ноли-кристаллнческого образца из-за неодинаковой ориентации индивидуальных кристаллов слагается из различных граней. Поскольку скорость удаления металла зависит от индекса грани, с поверхности одних кристаллитов металл распыляется быстрее, чем с других, и между соседними кристаллитами образуются ступеньки. Кроме того, по границам зерен могут появляться углубления (канавки). После бомбардировки грань кристаллита, обращенная в газовую фазу, может стать иной, чем исходная, и этот эффект усиливается при условии наклонного падения ионного пучка. Все это увеличивает шероховатость поверхности. Если шероховатость поверхности необходимо свести к минимуму, предпочтительно ионный пучок направлять по нормали к поверхности. Если бомбардировке подвергаются монокристаллы, рассмотренные источники образования шероховатости отсутствуют, но нарушение структуры поверхности все же наблюдается. Нарушение структуры поверхности, вызываемое пучками с обычно применяемой для очистки энергией, состоит в образовании микрограней (фасеток) и микрокристаллитов, а также появлении на новерхности точечных дефектов и дислокаций. Этот вид нарушения структуры поверхности наблюдается и на каждой грани поликристаллического образца. [c.126]

Таким образом, предполагается [174], что действительный механизм автокатализа в твердой фазе следующий зерна автокатализатора возникают на псверхности при реакции процесс распространяется от поверхности внутрь кристалла и по самой псверхности, пока вся поверхность не покроется веществом, действующим автокаталитически. Аналогия между автокатализом в твердой фазе, происходящем около отдельных центров, и реакциями на границах раздела, называемыми топохимическими реакциями [115], очевидно, состоит в том, что они обе подчиняются одному и тому же уравнению или имеют одинаковую кинетику. Однако ход реакции регулируют два различных фактора. Для центров кристаллизации, полученных в перенасыщенных растворах и переохлажденных расплавленных веществах, влияние ориентации считается самым значительным, в то время как ускорение при авто каталитических реакциях зависит от действия поверхности и ее способности активировать каталитическую реакцию. Ускоряющее действие иодистой ртути при взаимодействии ртути и иода и ускоряющее действие меди при восстановлении окиси меди (металлическая медь активирует восстанавливаемую водородом окись меди) иллюстрируют изложенное. [c.348]

Одна из задач вытягивания — обеспечить такое соответствие между скоростью вытягивания и тепловыми условиями, чтобы происходил непрерывный рост без отрыва затравки от расплава. Такие дефекты, как дислокации, полосчатость, поликристаллический рост, однажды возникнув, часто распространяются во вновь нарастающие слои, а поэтому очень важно брать затравку наивысшего качества. Форма и совершенство выращенного кристалла в первую очередь определяются тепловыми градиентами по диаметру тигля в непосредственной близости от затравки и градиентами, перпендикулярными границе роста. Этими же факторами определяется вообще возможность получения монокристалла. Влияние различных параметров при выращивании кристаллов методом вытягивания исследовал Родес [11]. Нижеизложенное частично заимствовано из его анализа. Температурный градиент, перпендикулярный границе роста, определяется следующими факторами [c.197]

Важно отметить, что несмотря на то, что дислокации представляют собой неравновесные структуры, от них невозможно избавиться путем отжига. Влияние отжига сводится обычно к изменению распределения дислокаций в направлении создания более регулярных энергетических метастабильных порядков. На рис. 22 приведен пример дислокационных сеток, образованных в результате отжига. Подобная дислокационная сетка означает [73] разную ориентацию решетки между теми частями кристалла, которые она разделяет, и рассматривается как некая субграница. Дезориентации, возникающие за счет дислокационных сеток, могут колебаться в пределах от нескольких минут дуги до нескольких градусов, а область субграниц незаметно сливается с обычными границами зерен. Дислокационные порядки и сопутствующие субзерна называются субструктурой. [c.136]

Предложенный метод непосредственного расчета электрического потенциала, возникающего в кристаллизующемся веществе при разомкнутой электрической цепи. Показано, при каких условиях кристаллизационный потенциал может на несколько порядков превышать равновесный потенциал двойного электрического слоя на границе фаз. Основным критерием оказывается соотношение между скоростью движения фронта кристаллизации, скоростью движения ионов в кристалле - диффузионной и под влиянием электрических сил, а также интенсивностью элек-тродиффузионных процессов в расплаве в тонком слое, прилежащем к фронту кристаллизации. Ил. - 5, библиогр. - 9 назв. [c.256]

Влияние адсорбции на прочность. Ребиндер (1928) нашел, что адсорбционная пленка сильно уменьшает твердость поверхностей и облегчает измельчение. При адсорбции поверхностно активных веществ на гранях кристаллов он наблюдал уменьшение сопротивления царапанию в 5—10 раз. Между уменьшением твердости и величиной адсорбции соблюдается полный параллелизм. Выше указывалось, что адсорбция наиболее сильна на границе двух фаз, очень сильно отличающихся своей полярностью. В соответствии с этим сильно полярные (гидрофильные) кристаллы гипса и кальцита уменьшают особенно резко свою прочность при смачивании их растворами поверхностно активных веществ в неполярных растворителях (например вазелиновое масло). Наоборот, неполярный (гидрофобный) графит уменьшает прочность при смачивании растворами в полярных растворителях (вода). В согласии с правилом Траубе кривые уменьшения твердости в функции от концентрации для л-гепти-ловой (СеН зСООН) и валерьяновой (С НдСООН) кислот могут быть совершенно совмещены, если увеличить масштаб концентраций второй в 10 раз, что почти совпадает с величиной, требуемой правилом Траубе 3,42=11,5 ( 284). [c.371]

Хирс и Паунд провели точный расчет метастабильной равновесной концентрации адатомов на поверхности кристалла. Величина этой концентрации определяется процессом появления (диссоциация и диффузия) и процессом исчезновения (активация и десорбция) адатомов ([35], стр. 92). Одновременное решение уравнений, отражающих каждый этап процесса испарений, привело к общему уравнению для потока испаренного вещества, откуда можно получить численные значения коэффициентов испарения в каждом отдельном случае. Важным параметром в этих уравнениях является среднее расстояние между моноатомными ступеньками на поверхности кристалла. Для граней с малыми индексами расстояние между ступеньками превосходит среднее расстояние, проходимое адатомом при диффузии. Отсюда следует, что скорость испарения будет определяться как генерацией ступенек на краях кристалла, так и диффузией адатомов по поверхности. При этих условиях коэффициент испарения для моноатом-ных паров должен стремиться к минимальной величине = 1/3. На гранях кристалла с высокими индексами на поверхности создается много ступенек, расстояния между которыми сравнимы со средним диффузионным расстоянием, которое проходят адатомы, прежде чем они активируются и десорбируются. Эта ситуация приводит к г= 1. Были рассмотрены также и другие случаи, которые включали возможность затрудненной диссоциации атомов со ступеньки вследствие ограничения на энтропию, а также возможность большой энергии активации, необходимой для диссоциации атомов из узлового состояния. Для обоих этих случаев < 1/3. Малые величины а могут быть связаны и с адсорбированными примесями. Влияние этих примесей связано с тем, что, адсорбируясь на краях кристалла, они не позволяют образовываться новым ступенькам, с которых происходит испарение. Следовательно, адатомы поставляются только с уже существующих ступенек, которые вырастают до макроскопического размера и уменьшают скорость испарения. Экспериментальных данных, полученных на совершенных монокристаллах для подтверждения приведенных выше концепций, очень мало. Сирс [53] показал, что испарение с краев кристалла облегчается, если внешнее давление уменьшить на 2% по сравнению с равновесным давлением. Однако испарение с одиночной поверхности того же самого кристалла не происходит совсем, если внешнее давление уменьшить на половину равновесного давления. Это подтверждает то положение, что края кристалла являются источниками ступенек испарения. Теория поэтапного испарения может быть распространена на случаи несовершенных кристаллов и поликристаллических веществ ([35], стр. 107). Испарение этих веществ подчиняется тем же кинетическим законам, что и испарение совершенных кристаллов, за исключением различия в расстоянии между ступеньками испарения. Спиральные дислокации, например, служат дополнительным источником моноатомным ступенек, причем расстояние между последними следует считать таким же, как и в случае ступенек, возникших на краях кристаллов. Следовательно, несовершенные кристаллы должны иметь коэффициенты испарения, близкие к коэффициентам испарения для совершенных кристаллов (а 1/3). В поликристаллических веществах источниками ступенек служат границы зерен, трещины, края кристаллов и дислокации. Число таких центров велико, поэтому среднее расстояние между ступеньками мало, что приводит к величине коэффициента испарения, близкой к единице, несмотря на то, что процесс подвержен ограничению как по энтропии, так и по примесям. [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология