Фотолиз кристаллов галогенидов серебра

ФОТОЛИЗ КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА [c.418]

Другие работы первого раздела сборника (статьи 5, 6, 7) касаются некоторых частных вопросов, имеющих отношение к механизму фотолиза кристаллов галогенидов серебра. К числу наиболее важных из них относятся исследования природы дефектов решетки бромистого серебра в связи с диффузией ее [c.4]

Явления, описанные в последнем разделе, представляют собой обратимые последствия облучения, так как первоначальное состояние кристаллов восстанавливается при соответствующем изменении температуры и освещения. В некоторых солях, в частности в галогенидах серебра, влияние облучения необратимо и вызывает определенные химические изменения, в последнем случае — выделение фотолитического серебра. Объектами экспериментальных и теоретических работ по фотохимическому восстановлению твердых тел являлись в основном галогениды серебра результаты этих исследований рассмотрены в гл. 13. Здесь же будет рассмотрен фотолиз других солей, главным образом азидов металлов меньше места уделено оксалатам, стифнатам и фульминатам. [c.115]

Иногда образуются кластеры еще больших размеров, хотя их еще нельзя назвать собственно фазой. Так, методом рассеяния света в кристаллах галогенидов щелочных металлов или галогенидов серебра, образующихся при фотолизе, удалось наблюдать кластеры из 50—100 / -центров (см. разд. 9.4.). При высоких температурах в соединениях галогенидов щелочных металлов, содержащих избыток металла, имеются анионные вакансии Va, способные коагулировать при понижении температуры [c.139]

Топохимические реакции. К числу топохимических реакций относятся процессы, которые сосредоточиваются" на границах фаз твердых тел и сопровождаются перестройкой кристаллической решетки вещества. Таковы реакции разложения перманганатов при нагревании, диссоциация карбоната кальция на углекислый газ и окись кальция, превращения в кристаллах кристаллогидратов, связанные с потерей воды, фотолиз галогенидов серебра, взрывная реакция разложения азидов и многие другие. Имеются основания считать, что в большинстве случаев начальный период таких реакций характеризуется возникновением зародышей новой фазы. Эти зародыши, поверхность которых неуклонно растет, могут оказывать каталитическое действие, и реакция в целом приобретает автокаталитический характер. [c.395]

Роль химических примесей ясно показана в экспериментах на галогенидах серебра с замещающими ионами меди. Квантовый выход образования серебра был близок к единице даже в центре кристалла, а число атомов серебра, образующихся при насыщающем освещении, равно числу исходно имевшихся ионов меди. Спектры ЭПР показывают образование ионов меди одновременно с образованием атомов серебра. Примесные ионы меди, по-видимому, действуют как ловушки для дырок в объеме кристалла. Эта интерпретация подтверждается данными импульсного фотолиза. Фотоиндуцированное почернение наблюдали как в чистых кристаллах галогенидов серебра, так и в кристаллах с примесью меди, причем с одинаковым нарастанием. Но почернение в чистых кристаллах исчезало за несколько миллисекунд, а в кристаллах галогенидов серебра с примесью оно было устойчивым. [c.249]

Центральными теоретическими проблемами являются выяснение пути, по которому при поглощении как минимум 4 квантов света в кристаллах галогенида серебра образуются зародыши скрытого изображения установление химической реакции захвата, по которой гибнут фотоэлектроны и фотодырки, образованные в первичной реакции фотолиза и, наконец, выявление концентрационного механизма коагуляции фотолитически образованных атомов серебра в проявляемые зародыши. В настоящее время в литературе сложились две теории, которые базируются на следующих основных положениях [c.58]

Для превращения скрытого изображения в видимое оно должно быть проявлено тем или иным способом. Несмотря на сходство изображений, получающихся при помощи галогенсё,-ребряных и металлдиазониевых слоев, природа процессов проявления совершенно различна. В отличие от гетерогенной системы, содержащей диспергированные кристаллы галогенида серебра, светочувствительные слои с диазосоединениями представляют собою гомогенную молекулярно-дисперсную систему, не содержащую центров чувствительности. Поэтому непосредственно после экспозиции светочувствительный слой не содержит скрытого изображения, и оно образуется микроскопическими каплями ртути лишь вследствие относительно медленного вторичного процесса взаимодействия солей ртути с продуктами фотолиза. Это свойство металлдиазониевых светочувствительных слоев определяет характер их дальнейшей обработки после экспозиции. Уместно напомнить, что при проявлении галоген- [c.228]

В противоположность щелочногалогешшм в галогеносеребряных кристаллах существование структурных нарушений является, по-видимому, необходимым условием для протекания в них фотолиза. Действительно, чистые кристаллы галогенида серебра практически вовсе не светочувствительны. [c.25]

Существуют след, типы фотохромных материалов жидкие р-ры и полимерные пленки, содержащие фотохромные орг. соед. (спиропираны, дитизонаты и фталоцианины металлов, полициклич. углеводороды и др.) силикатные и др. неорг. стекла с равномерно распределенными в их объеме микрокристаллами галогенидов серебра, фотолиз к-рых обусловливает Ф. кристаллы галогенидов щел. и щел.-зем. металлов, активированные разл. добавками (напр., СаРг/Ьа.Се ЗгТ Оз/№,Мо). Эти материалы примен. в кач-ве светофильтров переменной оптич. плотности в ср-вах защиты глаз и приборов от светового излучения, светочувствит. регистрирующих сред в устр-вах регистрации и обработки оптич. информации, в лазерной технике и др. [c.634]

Образование металлических агрегатов в результате взаимодействия электронов с ионами серебра —основной процесс во всех известных моделях фотолиза. В то же время не совсем понятна роль дырок, возникающих при первичном фотовозбуждении. Ясно, однако, что если эти дырки не будут улавливаться, то они будут препятствовать протеканию стадий, описанных выше. Поэтому было высказано предположение, что эффективность протекания процесса определяется либо удалением возбужденных электронов за счет их захвата, либо необратимым связыванием дырок. Одна из таких возможностей заключается в захвате дырок ионами брома на дислокациях, в результате чего образуется нейтральный атом брома [сравните с (9.25)1. Обычно в галогенид серебра добавляют нримеси сенсибилизаторов считают, что им принадлежит важная роль в улавливании дырок. Например, сенсибилизация под действием соединений серы заключается в улавливании частицами Ag2S дырок, образующихся на поверхности кристаллов. В качестве сенсибилизатора используют также золото, причем АпаЗ приписывают аналогичную роль. Заметим также, что двухвалентные анионы серы увеличивают концентрацию ионов Ag+ в междоузлиях по сравнению с чистым кристаллом по условию электронейтральности. [c.178]

Твердые галогениды серебра обладают чрезвычайно высокой светочувствительностью. Она определяется возможностью усиления первичных фотофизических изменений в кристаллах AgX ( скрытого изображения ) посредством последующего химического ( термического ) восстановления всех экспонированных кристаллов (зерен) AgX до серебра ( проявление ). Для восстановления при проявлении всех ионов серебра в зерне (от 10 до 10 ° молекул АдХ) достаточно фотолизовать только от 5 до 10 молекул А Х. Тем самым первичное воздействие света усиливается до 10 . Однако это возможно в таких кристаллах AgX, у которых в результате определенных добавок предотвращена рекомбинация атомов серебра и галогена. [c.51]

Непосредственная рекомбинация электронов и дырок с обратным переходом в валентную зону мало вероятна, она осуществляется на различных дефектах кристаллической решетки, в центрах прилипания и сопровождается люминесценцией только при очень низких температурах. Хорошо очищенный AgBr при УФ-воз-буждении обнаруживает зеленое свечение с Я,макс 500 нм только ниже 50 К. Система из смешанных кристаллов AgBr(I) показывает зеленую люминесценцию уже при 150 К в интервале 530— 560 нм [6] в зависимости от содержания иода. Время жизни люминесценции 10 -i- 10 с. Совершенно чистые и структурно ненарушенные галогениды серебра в результате обладают очень малой светочувствительностью и непригодны для фотографических целей, так как рекомбинация первичных продуктов фотолиза идет за 10- с р + е—>-Х [в AgX]. [c.55]

Для систем на основе галогенидов серебра абсолютный квантовый выход фотолиза ф определяется соотношением числа атомов серебра Ag (или галогена Лх) к числу поглощенных квантов света погл, ф = х/ погл = riAg/Ппогл. НбПрОЯВЛеННЫЙ СЛОЙ нэ основс AgX должен получить не менее Ю квант/см для того, чтобы можно было аналитически определить образовавшиеся Ag или Хг. Столь интенсивный фотолиз, однако, дает заниженные результаты из-за соляризации, невзаимозаместимости, рекомбинации Ag и X. Далее, измерение поглощения света слоем AgX затруднено из-за рассеяния света кристаллами (рис. И. 13), поглощения желатины и несущего слоя, помутнения эмульсии. Обычно учитывают и измеряют [c.74]

Как уже говорилось, при действии света на галогенид серебра происходит реакция фотолиза, завершающаяся образованием частиц металлического серебра и газа в молекулярной форме НаЬ-Это одна из широкого класса химических реакций под действием света, носящих общее название фотохимических. Следовательно, к фотолизу применимы общие законы таких реакций, и один из них — закон квантовой эквивалентности Эйнштейна — нам сразу понадобится. Он гласит, что каждый поглощенный квант света в реакционной среде вызывает одну и только одну элементарную реакцию иными словами, каждый поглощенный квант изменяет одну молекулу среды. В нашем случае известно, что поглощение кванта вызывает фотоэффект, т. е. непосредственно приводит к появлению только одного свободного электрона в кристалле галогеиида серебра за счет отрыва его от иона На1 . Однако продуктом фотолиза являются не свободные электроны и возникшие вместе с ними иолол ительные дырки (см. раздел 1.2), а атомы серебра и молекулы галогена. Значит, надо выяснить, во-первых, каким образом образовавшиеся электроны и дырки используются для образования металла и газа и, во-вторых, подчиняются ли закону Эйнштейна количества образовавшихся металла ц газа, т. е. действительно ли один электрон и одна дырка участвуют только в одной элементарной реакции разделения глолеку-лы галогеиида серебра на ионы, а затем и на атомы. [c.36]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология