Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Газовые оптические квантовые генераторы

    Оптические спектры атомов рубидия и цезия характеризуются наличием в ближайшей инфракрасной области очень ярких резонансных линий, отвечающих для рубидия 7947,60 и 7800,227 А н для цезия 8943,50 и 8521,10 А [50,51]. Интенсивность линий 8521,10 и 7800,227 А, а также линии калия 7664,907 А является наибольшей среди всех элементов периодической системы и составляет 9000 условных единиц. Линии 7800,227 А рубидия отвечает переход с потенциалом возбуждения 1,59 в [52]. Характер возбуждения уровней атома рубидия очень медленными электронами представляет интерес при практическом использовании рубидия в установках с низкотемпературной плазмой [52]. Цезий может служить также одним из материалов для изготовления газовых оптических квантовых генераторов. Для оптического возбуждения в атомах цезия верхнего уровня 8 1/ обычно используется [c.79]


    Газовые оптические квантовые генераторы [c.84]

    Любой оптический квантовый генератор состоит из активного вещества, резонансной системы и источника энергии, возбуждающего активное вещество. В зависимости от используемого активного вещества лазеры делятся на газовые, твердотельные, полупроводниковые и жидкостные, а от режима генерации — на работающие в режимах непрерывного или импульсного излучения. [c.40]

    Настоящую революцию в спектроскопии КР произвело применение оптических квантовых генераторов — лазеров. Давая мощное, монохроматическое, когерентное и поляризованное излучение, лазер явился почти идеальным источником для возбуждения спектров КР. Из газовых лазеров непрерывного действия в спектроскопии КР первым стал применяться гелий-неоновый лазер (соотнощение газов Не —Ые в смеси 1 7) с длиной волны 632,8 нм. Уже на его примере можно проиллюстрировать огромное преимущество перед ртутной лампой при мощности этого лазера 30 мВт (мощность Не — Ые-лазера достигает до 200 мВт) он дает интенсивность КР такую же, какую можно получить от ртутной лампы с мощностью 2 кВт. Ширина линии лазера не превышает 0,1 см-, а расхождение луча составляет ничтожные доли градуса. [c.284]

    Спектроскопия комбинационного рассеяния света в настоящее время представляет собой бурно развивающуюся область, значение которой возрастает из года в год. Успехи метода КР, потенциальные возможности которого долгое время оставались в сущности нераскрытыми, определило, как известно, появление оптических квантовых генераторов, особенно газовых лазеров непрерывного или квазинепрерывного действия. Новая техника измерения, ее огромные возможности обусловили ряд преимуществ метода КР по сравнению со ставшим в известной степени рутинным методом ИК-спектроскопии. Это в свою очередь привело к развитию многих новых направлений, разработка которых другими методами представляла серьезные практические трудности. Среди них заслуживают внимания, например, спектроскопия кристаллов и особенно монокристаллов, спектроскопия газов и быстрых процессов (измерения спектров за время порядка 10 —10" с), спектроскопия адсорбированных молекул, биологических объектов и многие другие. Следует отметить спектроскопию КР на электронных уровнях — область, развивающуюся в последние годы. Метод КР оказался удобным для исследования электронных переходов в пределах незаполненных оболочек атомов, поскольку в отличие от спектров поглощения эти переходы разрешены правилами отбора в спектре КР. [c.5]


    Типы оптических квантовых генераторов. В настоящее время разработаны лазеры трех типов газовые, кристаллические, или твердые, и жидкостные. Жидкостные лазеры находятся в начальной стадии исследования и практического применения пока не имеют. Газовые лазеры исследованы более подробно, но низкие энергетические возможности их недостаточны для использования в технологических процессах. Однако это не исключает их технического использования в будущем. Третий тип лазера (на твердом теле) является основным типом, при помощи которого проводятся исследования и осуществляются технологические процессы в области обработки материалов. [c.437]

    Первый оптический квантовый генератор , как известно, был создан в 1960 г. с использованием диэлектрического монокристалла рубина — кристаллической окиси алюминия, активированной трехвалентными ионами хрома. И хотя в дальнейшем появились газовые и полупроводниковые лазеры, а также генераторы на основе стекол, жидкостей и органических красителей, примесные ионные кристаллы продолжают занимать одно из ведущих мест в ряду современных перспективных лазерных активных сред. Регулярность их кристаллической структуры и необычайно широкий спектр физических параметров обеспечивают квантовым генераторам иа их основе чрезвычайно большое разнообразие свойств. Детальное и всестороннее изучение всех этих свойств, в свою очередь, позволило поставить и решать проблему направленного поиска новых генерирующих кристаллов с заданными характеристиками. [c.5]

    Пленки различного назначения, используемые в электронике, могут быть получены такими методами, как осаждение из газовой или паровой фазы, напыление в вакууме, катодное распыление, химическое и электролитическое осаждение, вжигание, а также разложение под воздействием электронного луча, излучения оптических квантовых генераторов и в плазме газового разряда. [c.3]

    Получение пленок из МОС основано на их способности выделять чистые металлы или их соединения под воздействием различных форм энергии. Наиболее хорошо изучены и широко применяются на практике методы получения покрытий разложением МОС в паровой фазе под воздействием тепла, в плазме газового разряда и под воздействием электронного луча и излучения оптических квантовых генераторов. Ниже приводятся различные способы получения покрытий из МОС. [c.183]

    Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

    Еще в 1917 г. А.Эйнштейн выдвинул гипотезу о существовании не только спонтанных, но и вынужденных (стимулированных или индуцированных) переходов в атомах, сопровождающихся излучением. Попытка обнаружения стимулированного излучения в газовом разряде была предпринята Р.Ландебурном в 30-е годы, а в 1М0 г. В.А.Фабрикант сформулировал необходимые для этого условия. После второй мировой войны многие физики вернулись в лзбор атории, привнеся в работу опыт, полученный с радиолокационной техникой СВЧ. Одним из таких физиков, занявшихся СВЧ-спектроскопией, — как пишет Дж. Пирс [7], — был Чарльз Таунс. .. В 1951 г., сидя на парковой скамейке в Вашингтоне перед деловой встречей, Таунс впервые представил себе принцип, на котором сейчас базируется действие лазера . В 1954 г., почти одновременно, Н.Г. Басовым и А.М. Прохоровым в СССР (в Физическом институте им. П.Н. Лебедева) и Ч. Таунсом с сотрудниками в США (в Колумбийском университете) был создан первый молекулярный генератор на аммиаке, излучающий радиоволны с длиной волны около 1 см. Эта работа была отмечена Нобелевской премией. В 1960 г. Т. Мейман (фирма Хьюз , США) создал первый в мире рубиновый оптический квантовый генератор. Дальнейшее развитие квантовой электроники и нелинейной оптики — результат работы многих отечественных и зарубежных ученых [8]. [c.96]


    Активными материалами могут быть твердые диэлектрика, газы, полупроводники и жидкости практически промышленные оптические квантовые генераторы выполняются на твердых телах или как газовые. В качестве твердых тел используют рубин (плавленая окись aлю иния с добавкой 0,05 % трехвалентного хрома) и стек/.о с примесями неодима (до 5%), а в последнее врем — алюмоиттриевый гранат с неодимом. При воздействии на рубин световых лучей атомы хрома возбуж-дзчютоя и через несколько миллисекунд излучают фото- [c.380]

    Весьма йерспективньш источником для световой сварки является оптический квантовый генератор— лазер. В настоящее время мощность лазерных источников достаточна для расплавления любых металлов. Для световой сварки могут применяться оптические квантовые генераторы как импульсного действия с твердым активным веществом, в качестве которого наиболее часто используется синтетический рубин (окись алюминия с добавкой окиси хрома), так и непрерывного действия — ионно-газовый лазер. Излучение лазера с помощью оптической системы может быть сфокусировано в пятно очень малых размеров, обладающее высокой плотностью энергии. [c.156]

    Расширение задач физической и химической кинетики, развитие ракетной техники, нлазмохимии и работ по преобразованию различных видов энергии стимулировали исследования релаксационных процессов в сверхзвуковых струях газа и низкотемпературной плазмы. Существенный научный и практический интерес представляют недорасширенные струи, создаваемые в аэродинамических установках низкой плотности, позволяющие изучать кинетику элементарных процессов и моделировать релаксационные процессы в струях, истекающих из сопел двигателей и газодинамических оптических квантовых генераторов. Б настоящей статье приводятся результаты исследований физико-химических параметров и структуры струй реагирующих газовых смесей и низкотемпературной плазмы инертных газов с примесями молекулярных газов. [c.192]

    Несмотря на то, что со времени создания первого оптического квантового генератора (ОКГ) прошло всего пятнадцать лет, во всех областях физики лазеров достигнуты значительные успехи. Этому прогрессу способствовали в первую очередь и сам интерес к многочисленным захватывающим проблемам квантовой электроники, и открывающиеся широкие перспективы использования ОКГ в науке и технике. Стимулирующим фактором также являлась и незримая подхлестывающая дискуссия о сравнительной перспективности тех или иных типов квантовых генераторов. На определенных этапах развития квантовой электроники предпочтение оказывалось генераторам на основе то полупроводников, то активированных кристаллов, то стекол или неорганических жидкостей. Успехи в создании мощных газовых ОКГ, а также перестраиваемых по частоте параметрических лазеров и генераторов на основе органических красителей, по-видилюму, еще долго будут находиться в центре внимания специалистов. [c.7]

    Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]


Смотреть страницы где упоминается термин Газовые оптические квантовые генераторы: [c.81]    [c.44]    [c.230]    [c.714]    [c.38]   
Смотреть главы в:

Основы инфрокрасной техники -> Газовые оптические квантовые генераторы




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Генератор



© 2025 chem21.info Реклама на сайте