Структура плоскости

В качестве примера несобственной операции симметрии в кристаллах можно привести инверсионно-поворотные оси п и плоскости скольжения. Инверсионно-поворотные оси соответствуют вращению на 2тг/п с последующей инверсией относительно точки (центра симметрии), лежащей на данной оси вращения. Это приводит к инверсии конфигурации, что отмечено запятыми в кружках для соответствующей позиции (рис. 11.2-3). Как видно из рисунка, операция симметрии 2 эквивалентна отражению в плоскости симметрии т, перпендикулярной оси вращения. Это привело к широкому использованию символа т при описании кристаллических структур. Плоскости скольжения [c.393]

Плоскости кристаллических решеток. При помощи структурных матриц можно представить структуру плоскостей кристаллических решеток. [c.430]

Рис. 66. Структура плоскости кубической решетки

Можно здесь упомянуть, что характерной чертой полиморфных изменений п настоящих твердых реакций является вполне определенная кристаллографическая связь между исходным кристаллом и ориентацией кристаллов продукта. Это есть простое выражение того факта, что в процессе превращения происходит минимальное количество изменений. Так, при превращении циркония (при 862° С) из пространственно-центрированной формы в гексагональную плотно упакованную форму наиболее плотно заполненные плоскости первой структуры (плоскости (110)) становятся плотно упакованными плоскостями (0001) в гексагональной структуре. При превращении Mg (ОН), в MgO наиболее плотно упакованные плоскости (111) в последнем параллельны слоям атомов кислорода в исходной слоистой структуре Mg (ОН),. Более сложный пример представляет превращение метал- [c.217]

Структуру алмаза, германия и кремния (см. рис. 102 и 154) можно представить как совокупность последовательно уложенных друг на друга плотно упакованных атомных плоскостей 111 . На рис. 154 и на цветном рис. XV видно, что в этой структуре плоскости 111 расположены попарно, образуя двойные слои АА , ВВ СС. Один из этих двойных слоев (слой А) состоит из атомов, у которых вертикально расположенные по <1И> связи направлены вверх, а второй (слой А ) — из атомов, у которых те же связи направлены вниз. Подслои двойного слоя АА ) соединены между собой тремя связями на атом, а два соседних двойных слоя АА — А А ) — одной связью на атом. [c.332]

Объединение пачек между собой приводит к возникновению более сложных образований сферолитных структур, плоскостей и, наконец, единичных кристаллов. Все эти разновидности структур, возникающие в результате различной укладки молекул (начинав с пачки), носят название надмолекулярных [27]. По форме и размерам надмолекулярные структуры весьма разнообразны. Они могут резко различаться у одного и того же полимера в зависимости, например, от условий плавления и охлаждения, присутствия тех или иных примесей и добавок (пластификаторы, наполнители и т.д.). В свою очередь свойства полимеров находятся в прямой связи с характером надмолекулярных структур [28]. Таким образом, при получении покрытий далеко не безразлично, какой тип структур преобладает в полимерной пленке. [c.16]

Атом хрома образует три двухцентровые а-связи с группами СО и многоцентровую связь с л-системой кольца нафталина. Ориентация пирамиды является промежуточной между двумя возможными предельными случаями. Как видно из рисунка, а-связи Сг — СО располагаются не под серединами связей С — С, а смещены в сторону одного из атомов С. Углы в пирамиде Сг(СО)з близки к 90° (90,1 87,0 и 90,7). Среднее расстояние Сг — СО 1,82 А короче, чем в Сг(СО)е. Среднее расстояние С — О 1,15 А примерно такое же, как в других структурах. Плоскость, проходящая через атомы кислорода СО-групп, почти параллельна плоскости нафталинового кольца. Среднее по трем более коротким расстояниям Сг — Сар равно 2,188 А, по трем более длинным 2,285 А. Общее среднее (2,236 А) больше, чем расстояние [c.79]

Если в целлюлозе I пиранозные циклы макромолекулы ориентированы приблизительно параллельно плоскости Ьа, то в целлюлозе II они повернуты в лоложение, близкое к параллельному диагонали базальной плоскости структуры (плоскость ас, перпендикулярная оси волокна Ь). [c.68]

Структура плоскостей с максимальной ретикулярной плотностью в этих решетках идентична, а сами решетки отличаются [c.332]

U — Пространственное расположение атомов в обеих структурах б — сече-нне структур плоскостью (110) Э II II (ПО) Ш [c.335]

Hg2 + 2 I ) на два уровня в соседних плоскостях (400). Достаточно большое расстояние Hg-Hg в треугольнике (Hga) —а оно равно 2,70А — допускает укладку в одну сетку (с небольшими искажениями сетки из-за стягивания в Hg-треугольники) всех трех основных фрагментов структуры. На рис.57д, б показаны оба независимых сечения структуры плоскостью (400). Следы пересечения их комплексом плотно упакованных плоскостей (113) (113) и производной (020) образуют в Ьс-проекции тригонную сетку с трансляциями с/3 = 3,15А и [(36)2 + 2]1/2/б = з ззА. С учетом плоскостей (400) имеем подъячейку, образованную кристаллографическими плоскостями [(ИЗ), (1ТЗ), (400)], все 24 узла которой заняты структурообразующими фрагментами 16Hg 8С1. Заметим, что это первый пока случай среди рассмотренных нами соединений, когда вакантных узлов в подрешетке нет. [c.112]

Открытая структура плоскости (100) позволяет молекуле N2 проникнуть близко к поверхности и выступать в виде мостика между соседя- [c.343]

Структура плоскости ( 7, Z). Картина расположения особых линий уравнений (2) и (3) на плоскости ) (нули числителя и знаменателя) [c.207]

Штрихи проходят точно через узлы матрицы, и рассеяние концентрируется вдоль рядов <100> обратной решетки ( обратные стержни по <100>). Таким образом, дефекты периодичности являются плоскими дефектами, параллельными плоскостям 100 (см. 5). Это означает, что отдельные плоскости 100 в зонах сохраняют без изменений структуру плоскости 100 матрицы. [c.66]

Рис.57. Тсрлиигуаит а) сечение структуры плоскостью (400), проходящей вблизи атомов (Hga)" б) следующее сечение (400), содержащее и С1 . На обоих сечениях показаны следы пересечений плоскостей (113), (113) и (020)

Для гидрофобных, не взаимодействующих с молекулами воды стенок прослойки, только препятствующих выходу молекул за ее пределы, получено распределение центров тяжести молекул воды в пространстве плоской водной прослойки толщиной А = 10 А. Вода в тонкой прослойке образует слоистую структуру плоскости молекул ориентированы в основном параллельно стенкам. В пространстве прослойки содержатся четыре слоя молекул, причем в средней части плотность воды оказываемся повышенной, а вблизи стенок — пониженной по сравнению с плотностью объемной жидкости. Усиление водородных связей в слоях молекул воды, расположенных параллельно поверхностям прослойки, может приводить к аномально высокой протонной проводимости тонких прослоек. Аналогичные результаты (с использованием также межмолекулярного потенциала Роулинсона) получили Хрисон с сотр. [140] для воды между гидрофобными поверхностями в прослойке толщиной ъ = 20,6 А. Расчеты показали, что и здесь пристенные слои воды отличались меньшей плотностью и меньшим числом межмолекулярных связей. [c.231]

Атомная структура плоскости проводимости р-глинозема и примыкаюихих к ней областей была предметом многочисленных структурных работ, и тем не менее пока еще нет полного понимания некоторых деталей этой структуры. На рис. 13.13 изображен слой плотиоупаковаиных ионов кислорода (А [c.25]

Pu . 4.38. Проекция структуры кристаллов Bi(OO H)3 вдоль оси [110], показывающая все связанные атомы в единичной ячейке с указанием значений длин связи и углов. Две цепочки обозначены сплошными линиями, которые соответствуют бесконечным слоям в трехмерной структуре. Плоскости соединены вместе связями Bi-O, которые обозначены на рисунке пунктирными линиями [209]. [c.188]

Казалось бы, что структура чистой поверхности, напрпмер монокристалла металла, должна просто повторять объемную кристаллическую структуру. Это, однако, не обязательно так. Напомним, что в галогеии-дах и1,елочных металлов ионы поверхностного слоя смешаются по-разному (рпс. V-7). Считают, однако, что структура поверхности соответствует структуре объема материала и что обе структуры следует описывать в одинаковых терминах. Как показано на рис. V-18, а, поверхностная структура (1X1) характеризуется такой же перподич)юстью пли состоит из таких элементов , что и соответствующая кристаллографическая плоскость объемной структуры. Если чередующиеся ряды атомов сдвинуты по отношению друг к другу, то, как видно пз рис. V-18, б, структура поверхпости характеризуется индексом С(2х1). где С обозначает наличие центрального aioivia. На рпс. V-18, е показан ряд структур, выведенных из структуры плоскости (111). [c.229]

Наиболее богатая картина вторичных структур получается во всех растворах при температуре подложки 90°, ио здесь уже появляются некоторые отличия, связанные, по-видимому, со скоростью испарения растворителя. Растворы полиэтилена в декалине и тетралипе (испарение моментальное) дают картину вторичных структур аналогично растворам полиэтилена в ксилоле (рис. 1, г, ). При этом видны пачки, ленты, спирали, сферолиты. В а-хлор-нафталипе такого многообразия структур не наблюдается, и на рис. 2, б видны только хорошо развитые спирали. По-видимому, это различие в электронно-микроскопической картине связано с разной скоростью испарения а-хлорпаф-талина и ксилола (ксилол испаряется очень быстро, и возникшие в момент высаживания структуры не успевают упорядочиться в более сложные образования). Поэтому при 90° получается картина сосуществования более совершенных и простых структур. а-Хлорнафталин испаряется при температуре подложки 90° в течение 40 мин., и, следовательно, имеется время для протекания дальнейшего процесса упорядочения в растворе. Поэтому на рис. 2, о видны исключительно спиралеобразные и пластинчатые вторичные структуры. При повышении температуры подложки до 100° и выше все растворы дают аналогичную картину хаотично расположенных лент и пачек (рис. 2, е). В этом случае разность в скоростях испарения растворителей невелика (10 мин.), и это не сказывается на процессе структурообразования полиэтилена низкого давления. Таким образом, влияние температуры на процесс структурообразования полиэтилена можно объяснить следующим образом при низких температурах подложки преобладающую роль в процессе структурообразования, который идет в капле раствора, будет играть скорость достижения каплей раствора температуры, при которой выпадает полимер. Так, при температуре 70° образуются более сложные вторичные структуры — плоскости, спирали и кристаллы. [c.146]

Металлы — вещества с сильно делокализованными электро-намп. Делокализация обусловлена тем, что количество низких по энергии орбиталей у металлов значительно больше числа имеющихся валентных электронов. Высокие электропроводность и теплопроводность металлов и нх блеск объясняются высокой подвижностью электронов на делокализованных орбиталях, а большая пластичность — наличием в их структуре плоскостей скольжения и минимальной направленностью металлических связей. [c.119]

Как было установлено, железо, кобальт и никель обладают высокой каталитической активностью. Из данных [190] следует, что медь, серебро, хром, молибден, палладий и рений не обладают каталитической активностью. Эти же авторы обнаружили различие в каталитической активности кристаллических граней железа, кобальта и никеля в кубической конфигурации наиболее активны плоскости (321), (432) и (431), а наименее активна плоскость (ШО). Для кобальта (гексагональная структура) плоскости (0113) и (1124) обладают наибольшей актив ностью, а плоскость (0001) наименее активна, [c.318]

К. п. [K u2( N)3H20] имеет слоистую структуру, плоскости к-рой состоят из шестиугольников состава u( N)e. Полимерный оксинитрид [TaON] — мягкое графитоподобное вещество, устойчивое до 900 °С. [c.556]

Для большинства металлов расположение атомов на поверхности соответствует их расположению в объеме, но с двумерной периодичностью. Для металлов с гранецентрированной решеткой (алюминий, никель, медь, серебро) и поверхностной плоскостью (100) можно не только определить конфигурацию атомов на поверхности, но и с достаточной точностью (2,5 — 5%) установить расстояние до следующего слоя. Расстояние между слоями А1(110) и Ni(llO), как показывают результаты определений, уменьшаются для А1 (110) это уменьшение составляет 5 - 15%. Расстояние между слоями А1(111), наоборот, несколько увеличивается. Аналогичные данные получены и для объем-ноцентрированных решеток. Нап ммер, расстояние между плоскостями (100) в молибдене при "релаксационном" смещении уменьшается на 11 - 12%. Для 5с -металлов с гранецентрированной структурой, расположенных в периодической таблице элементов по соседству (индий, платина, золото), измерения обнаружиж "перестройку" плоскостей (100) с образованием структур (5 х 1) или (5 х 20). Перестроенные структуры можно рассматривать как искаженные гексагональные. Относительно неплотная структура плоскости (100), показанная на рис. 2.9, преобразуется в более плотную, близкую к термодинамически стабильной структуре плоскость (111). [c.24]

В плоскости решетки графита лежат бензолоподобные структуры, плоскости которых соединены друг с другом четвертой связью углерода с расстоянием 3,39 А. Это расстояние больше расстояния в кольцах (1,42 А), чем и объясняется чешуйчатая структура графита в отличие от алмаза с его равномерно распространяющейся во всех направлениях системой связей. [c.425]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология