Определение расстояния между параллельными плоскостями

Определение расстояния между параллельными плоскостями общего положения сводится к следующему а) провести перпендикуляр к обеим плоскостям (см. стр. 27) б) найти точки пересечения этого перпендикуляра с плоскостями (см. стр. 23) в) определить натуральную величину полученного отрезка (см. стр. 75). [c.80]

Определение расстояния между параллельными плоскостями [c.80]

При падении пучка монохроматических (т. е. одинаковых по длине волны) рентгеновских лучей на грань кристалла большая часть пучка проходит через кристалл, но некоторая его доля претерпевает отражение. Это отражение происходит от плоскостей, образованных частицами, составляющими кристаллическую решетку данного вещества. Такие плоскости играют роль штрихов дифракционной решетки расстояния между ними близки к длинам волн рентгеновских лучей, поэтому последние, отражаясь от параллельных плоскостей, интерферируют друг с другом. При определенных углах падения пучка лучей на грань кристалла наблюдается усиление отраженного луча, которое регистрируется на фотопленке — получается рентгенограмма данного кристалла. Расшифровка ее, при известной длине волны применяемого излучения, приводит к определению расстояний между соседними плоскостями или, что то же самое, между соседними атомами (ионами) в кристалле данного вещества. [c.156]

Дифракция рентгеновских лучей в кристаллах. Рентгеновские лучи являются, как известно, поперечными электромагнитными волнами такой же природы, что и свет, но со значительно меньшей длиной волны (10 —10 см по сравнению с 10 см у видимого света). Когда рентгеновские лучи взаимодействуют с материальными частицами (атомами или ионами), содержащимися в плоскостях кристаллической решетки, каждая частица становится центром испускания сферической волны. Этот эффект обусловлен электронными оболочками, окрун<аю-щими каждый атом (см. ниже). Испускаемые излучения интерферируют, усиливая друг друга в определенных направлениях и гася в других. Эти направления обусловлены углом падения рентгеновских лучей и расстоянием между параллельными плоскостями атомов в кристалле. Таким образом, на фотографической пленке получается ряд пятен или колец (в зависимости от того, работают ли с монокристаллом или с кристаллическим порошком, спрессованным в таблетку), по положению которых можно определить расстояние между атомными плоскостями кристалла. [c.84]

Иначе говоря, если луч с длиной волны л падает на совокупность параллельных атомных плоскостей, отстоящих друг от друга на расстоянии d, то он порождает дифрагированный луч, идущий так, как шел бы луч, отраженный под углом 0. Таким образом, при определенных углах падения плоские сетки в структуре кристалла могут отражать рентгеновские лучи. Эти отражения (точнее, максимумы интенсивности дифрагированных лучей) можно зарегистрировать на фотографической пластинке или с помощью ионизационного спектрометра. Симметричный, закономерный узор на рентгенограмме, например рис. 5, отображает симметрию и закономерность структуры кристаллического вещества и дает возможность измерять расстояния между атомными плоскостями и углы между ними, которые на многогранных формах кристаллов являются углами между гранями. По рентгенограммам на основании условия (1.1) можно расшифровывать структуры кристаллов, находить межплоскостные расстояния (1, диагностировать кристаллические вещества (подробнее см. в гл. II). [c.15]

Шагомер для измерения отклонений основного шага. Для определения основного шага измеряют расстояние между параллельными касательными к двум соседним правым и левым профилям в пределах эвольвентных участков профилей (рис. 34), поэтому шагомер имеет в качестве измерительных поверхностей две параллельные плоскости, воспроизводящие обкатку колеса с рейкой. [c.624]

Наличие у кристаллов граней и постоянство углов между ними свидетельствуют о том, что структура кристалла образована частицами, расположенными на строго определенных расстояниях друг от друга. Пространственная совокупность частиц в структуре твердого тела образует кристаллическую решетку— присущее кристаллу периодически повторяющееся в трех измерениях правильное расположение частиц (атомов, ионов, молекул). Кристаллическая решетка — это математическое (геометрическое) понятие оно может быть определено как группа точек, получающихся при взаимном трехкратном пересечении в пространстве плоскостей трех семейств, причем все плоскости каждого семейства параллельны и равноудалены друг от друга. [c.159]

В любом кристалле через атомы можно провести прямые и плоскости. Параллельные друг другу плоскости составляют семейства. Ввиду трехмерной периодичности можно получить неограниченное число таких семейств. Каждое семейство будет характеризоваться определенным расстоянием с ,- между двумя соседними плоскостями и ориентацией данного семейства плоскостей относительно выбранной системы координат. Для каждой сингонии выбирают свою систему координат. [c.324]

Определение гасящего расстояния подобно задаче об определении скорости горения пламени. Гасящим расстоянием называется минимальное расстояние между двумя параллельными плоскостями, при котором пламя все еще распространяется в горючей смеси, а не гаснет. В случае горелки круглого сечения гасящее расстояние соответствует диаметру трубки и называется диаметром гашения или затухания. [c.210]

До сих пор в проведенном выше рассмотрении предполагалось, что структурными единицами кристалла являются отдельные атомы. Если же структурной единицей является не атом, а небольшая молекула, то обычно вся она не может располагаться в какой-либо определенной плоскости. Предположим, например, что двухатомная молекула XY ориентирована под углом к плоскостям 111) кристалла. Один набор плоскостей 111) будет проходить через атомы X, а другой, несколько смещенный, но параллельный набор,— через атомы Y. Отражения от второго набора плоскостей будут несколько отличаться по фазе от отражений, обусловленных первым набором, так что интенсивность отражений 111) будет зависеть как от рассеивающих способностей атомов X и Y, так и от расстояния между ними. Для молекул, содержащих более двух атомов, положение еще сложнее, но и в общем случае интенсивности зависят от формы и размеров молекул и от их положений и ориентаций в кристалле. Бо- [c.313]

Полученные индексы в силу целочисленности [uvw] будут целыми, а в силу принадлежности к уравнению плоскости обратно пропорциональными соответствующим координатным отрезкам. Индексы плоской узловой сетки заключают в круглые скобки, записывают без разделительных знаков и читают раздельно. Параллельность плоскости какой-либо координатной оси приводит к равенству нулю соответствующего индекса. Перемена всех знаков индексов на обратные сохраняет плоскость в положении, параллельном исходному, но переносит ее по другую сторону от начала координат. Естественно, что параллельные плоские узловые сетки имеют равные индексы. Система параллельных плоских узловых сеток пространственной решетки носит название семейства плоскостей. Плоскости, принадлежащие семейству, равноотстоят друг от друга. Кратчайшее расстояние между двумя ближайшими параллельными плоскими узловыми сетками носит название межплоскостного расстояния d. Оно определяется однозначно индексами плоскости и осевыми трансляциями. Так, если плоскость записать через ее радиус-вектор, то для любых кристаллографических осей hx- -ky- -lz=, если имеется ввиду первая от начала координат плоскость семейства (hkl). По определению индексы обратны соответствующим координатным отрезкам, что в. кристаллографической записи даст для координатных отрезков выражения Х = [c.19]

Не каждая плоская сетка одинаково заселена узлами. Чем выше ретикулярная плотность плоских сеток, тем больше расстояние между ними (см. рис. 1.4). Обычно спайность кристалла (способность скалываться по определенным плоскостям под действием удара или давления) отвечает семейству параллельных плоскостей с наибольшей ретикулярной плотностью. [c.20]

В соответствие определенные наборы параллельных плоскостей. Индексы узлов обратной решетки кЫ соответствуют таким же индексам плоскостей прямой решетки. Важно ясно представлять себе, что параметром, определяющим расстояние между узлами обратной решетки, является межплоскостное расстояние в прямой решетке, а не расстояние между ее узлами. На рис. 6 показана связь между прямой двухмерной решеткой и соответствующей ей обратной решеткой. Трехмерная решетка состоит просто из слоев двухмерных решеток, а связь между этими слоями определяется системой кристалла. [c.23]

При описании содержимого элементарной ячейки указывается местоположение центров тяжести атомов (ионов), а в некоторых случаях также и значения электронной плотности в определенных точках ячейки. Это осуществляется, как в аналитической геометрии, заданием координат соответствующих точек. Оси координат целесообразно совместить с ребрами Ао, Ьо, Со элементарной ячейки. Покажем, как отыскиваются координаты точки пространства в косоугольной системе, которая в отдельных случаях используется в кристаллографии. Через точку, координаты которой надо определить, проводятся плоскости, параллельные плоскостям координат XV, 72, ХХ расстояния между началом (ООО) и точками пересечения этих плоскостей с осями ХУ1 дадут искомые значения координат точки (фиг. 9). [c.24]

Рентгеновские лучи рассеиваются в кристаллах электронами, поэтому их можно считать источником рентгеновских лучей при дифракции. Брэгг ввел предположение, согласно которому рентгеновские лучи отражаются от набора плоскостей в кристалле. Для данного набора плоскостей hkl) отражение пучка монохроматического излучения происходит только под определенным углом, который определяется длиной волны рентгеновских лучей и расстоянием между плоскостями в кристалле. Эти переменные связаны уравнением Брэгга, которое можно вывести, воспользовавшись рис. 19.7, где горизонтальные линии представляют собой набор плоскостей в кристалле, разделенных расстоянием d. Плоскость AB перпендикулярна пучку падающих параллельно монохроматических рентгеновских лучей, а плоскость LMN — отраженным лучам. По мере изменения угла падения 0 отражение будет наблюдаться только тогда, когда волны находятся в фазе у плоскости LMN, т. е. когда разность расстояний между плоскостями AB и LAIN, измеренная вдоль лучей, отраженных от различных плоскостей, есть целое число, кратное длине волны. Это происходит, когда [c.572]

Важными характеристиками кристаллов являются тип решетки, т. е. характер расположения составляющих ее атомов относительно друг друга и расстояние между атомами. Такие характеристики можно получить при исследованиях с помощью рентгеновских лучей. Длины волн рентгеновских лучей приблизительно в 1000 раз меньше длин волн видимого света и по порядку величин (10 см) равны расстояниям между атомами в кристаллической решетке. Поэтому при проникновении рентгеновских лучей в такую решетку происходит явление интерференции. Луч, отраженный от одной из плоскостей кристалла, встречается с лучом, отраженным от другой параллельной первой плоскости. При определенной рознице в длинах путей этих двух лучей может произойти усиление или ослабление луЧей (интерференция)-. Соот- [c.323]

Оказывается, что эту трудность можно преодолеть, применяя иной метод измерения рассеяния под малыми углами — метод двух монокристаллов [20, 21]. Схема прибора дана на рис. 9. Кристалл кальцита, служащий монохроматором, дает очень узкий пучок отраженных лучей. На определенном расстоянии от этого закрепленного кристалла монохроматора помещается другой кристалл кальцита в таком положении, чтобы он отражал пучок лучей от первого кристалла. В случае отражения обоими кристаллами грани их параллельны. Если поворачивать второй кристалл анализатор вокруг оси, лежащей в плоскости кристалла и проходящей через точку, в которую попадает луч, отраженный от первого кристалла, то луч, падающий от анализатора на счетчик Гейге ра, будет менять свою интенсивность. Таким образом, может быть измерена зависимость между интенсивностью отра- [c.368]

До сих пор при рассмотрении теплоотдачи нагревательных элементов мы принимали, что и стена, на которой укреплены нагреватели, и изделия представляют собой параллельные плоскости, достаточно больщие по сравнению с расстоянием между ними. В действительности нагревательные элементы электрических печей сопротивления устанавливаются в прямоугольных или цилиндрических камерах, причем размеры садки всегда оказываются меньще внутренних габаритов камер, с другой стороны, обычно нагреватели располагают не на всех стенках камеры. В этом случае определенные, взаимные поверхности облучения (см. выше) окажутся завышенными, и вычисленная по ним температура нагревателя в работе — заниженной. Учесть конкретное распо- [c.206]

Вязкость является мерой сопротивления, которое оказывает газ приложенной силе сдвига. Это сопротивление, эквивалентное трению, обусловлено переносом импульса от одного слоя движущегося газа к другому. Для того чтобы стало понятным определение коэффициента вязкости, выберем в газе две бесконечные параллельные друг другу плоскости. Одна из плоскостей перемещается под действием приложенной силы относительно другой плоскости. Таким образом, расстояние между плоскостями поддерживается постоянным. Слой газа, непосредственно прилегающий к двигающейся плоскости, перемещается с той же скоростью, что и плоскость, но последующие слои двигаются со все уменьшающимися скоростями, и слой, примыкающий к неподвижной плоскости, остается неподвижным. Если первая плоскость двигается в направлении у, а расстояние между плоскостями обозначить через 2, то можно сказать, [c.310]

Если область магнитного поля ограничена двумя параллельными плоскостями, расстояние между которыми 2а (см), то электрон, двигаясь нормально к входной границе поля, отклонится на угол а (рис. 2.1), который может быть определен из выражения [96—98] [c.26]

В плоскости, параллельной вектору а, разрешены лишь определенные значения вектора S. Так, векторы, соответствующие интенсивности рассеянного излучения, появляются лишь при определенных значениях угла отклонения а (рис. Ъ.9,Г). Простые геометрические соображения показывают, что sin а = hX/a, где h — любое целое число, удовлетворяющее условию 1Л1 <й/Х. Каждому значению И соответствует свой конус рассеяния (рис. 13.9, ). Там, где этот конус пересекается с цилиндрической пленкой, возникает кольцеобразное ее почернение. Если пленку развернуть, кольцо превратится в линию, называемую слоевой. Все слоевые линии параллельны друг другу, и расстояние между ними увеличивается с ростом I /г I. Эти линии перпендикулярны линейной цепочке атомов (рис. Ъ.9,Ж). [c.331]

В наиболее элементарных изложениях, посвященных рентгеновской дифракции, рассматривается процесс отражения рентгеновских лучей от определенных плоскостей кристаллической решетки. Поскольку многие читатели, вероятно, встречались прежде с этим подходом, стоит показать, почему излагаемый выше подход является эквивалентным. Пусть узлами решетки будут вершины (узлы) элементарных ячеек. Система плоскостей решетки — это семейство наборов равноотстоящих параллельных плоскостей, проведенных так, что все узлы решетки принадлежат какому-либо члену этого семейства. Плоскости, проходящие через противоположные вершины ячеек, тоже являются таким набором (рис. 13.14./4). Данные плоскости отсекают на осях (а, Ь и с) отрезки, в точности соответствующие единичной трансляции решетки. Могут быть, однако, проведены и такие плоскости, с последовательно уменьшающимся расстоянием между ними, которые отсекают на оси а любые доли — а/2, а/3,. .., а/И — единичной трансляции (рис. 13. И, , ). [c.344]

Синусные линейки. Синусная линейка (фиг. 83, а) представляет собой стальной брусок 2 с точно обработанными и отшлифованными плоскостями, на котором жестко закреплены два цилиндрических ролика / и <3 одинакового диаметра, на строго определенном расстоянии друг от друга. Оси роликов должны быть параллельны измерительной поверхности линейки. Если линейку установить так, как показано на фиг. 83, б, и высоту Н определить точно с помощью блока концевых мер, то, зная расстояние между роликами L, можно определить угол а. На фиг. 83, б видно, что в прямоугольном треугольнике AB катет (катетами называют стороны прямоугольного треугольника, образующие прямой угол) ВС равен Я, т. е. высоте блока концевых мер. Гипотенуза АВ (сторона треугольника, лежащая против прямого угла) тоже известна — она равна длине L. Обычно линейки изготовляются с расстоянием L, равным 100 или 200 мм. Отношение длины катета, лежащего против острого угла прямоугольного треугольника (т е. катета ВС), к гипотенузе называется синусом этого острого угла и обозначается sin. В нашем случае синус угла а будет равен отношению катета ВС (который равен Н) к гипотенузе [c.170]

Выберем в отдельном кристаллике определенную пачку параллельных атомных плоскостей с межплоскостным расстоянием й. Пусть на эту пачку падает монохроматический пучок рентгеновских лучей о с длиной волны А.1 (рис. XXX. 6). Дифракция первого порядка произойдет только тогда, когда разность хода (2 (] 8Ш О]) между соседними парами отраженных лучей будет рав- [c.356]

При дегидрохлорировании макромолекулы полимеров ВХ превращаются в одномерные жесткие полисопряженные структуры, ориентированные в случае несмешивающихся фаз параллельно поверхности раздела, что способствует вытягиванию из раствора на поверхность раздела (в реакционную зону) последующих сегментов макромолекул. Межцепное взаимодействие полиеновых образований, о котором свидетельствует низкое значение расстояния между осями макромолекул, находящихся в одной плоскости, определенное по данным электронографии и структурных исследований и составляющее 3.4 A (на 0.2 A меньше, чем вычисленное из значений ван-дер-ваальсовых радиусов), способствует превращению их в двумерные системы. Жесткость полисопряженных структур препятствует складыванию макромолекул, и в результате возникает система пакетных кристаллов правильной формы, наблюдаемых при исследовании в поляризованном свете. [c.136]

В самом деле, простые вычисления показывают, что, если в боковых цепях не имеется асимметричных групп, то расстояния между идентичными группами в соседних звеньях в правой и левой спиралях одинаковы, а следовательно, одинаковы и энергии взаимодействия между этими группами, т. е. вероятности закручивания вправо и влево равны. Следовательно, в такой макромолекуле число отрезков правых спиралей будет равно числу отрезков левых и ее суммарная оптическая активность будет равна нулю. Поэтому мы рассматриваем модель изотактической макромолекулы, в боковой цепи которой имеется асимметрический атом углерода (рис. 1). Делаем следующие упрощающие задачу предположения во-первых, длины всех связей в модели одинаковы и равны единице во-вторых, плоскости, в которых лежат атомы ССпС и ССп+гС, параллельны соответственно плоскостям Y riZ и УС +12 и перпендикулярны плоскостям СпС Х и Сте+1С п+1Х в-третьих, не учитываются вращения вокруг связей С С л и С +1С +1 и, наконец, в-четвертых, все углы между связями считаются тетраэдрическими. С каждым звеном связана собственная система координат. Координаты атомов в этих системах легко определяются. Но для того чтобы определять расстояния между атомами различных звеньев, закрзгченных относительно друг друга в определенные спирали, необходимо все координаты привести к одной системе. [c.131]

Тонкое строение графита было установлено рентгенографическими исследованиями Дебая и Шеррера (1917), а также Хасселя и Марка (Hassel, Mark, 1924), На рис. 84, а показана элементарная ячейка решетки графита. На рис. 84, 6 для наглядности, помимо узлов решетки, входящих в элементарную ячейку, указаны и другие узлы. Из рисунков видно, что речь идет о слоистой решетке. Каждый атом углерода окружен тремя другими атомами С, лежапщми в одной плоскости на расстоянии 1,45 A. На несколько больших и равных между собой расстояниях (2,46 А) в той же плоскости лежат еще шесть атомов углерода, также окружающих рассматриваемый атом. В кристаллической решетке отчетливо проявляются определенные, плотно заполненные атомами, параллельные плоскости, которые удалены на достаточно большие расстояния — 3,345 A. Они сдвинуты друг относительно друга так, что над серединой каждого шестиугольника одной плоскости лежит атом С соседней плоскости. Плоскости, находящиеся на двойном расстоянии (6,69 A), обладают одинаковым, расположением узлов. [c.462]

Расстояния между атомами в кристалле имеют величину, сравнимую с длиной волны рентгеновского излучения, и поэтому лучи, рассеянные отдельными атомами, могут интерферировать между собой. Кристалл всегда можно рассматривать как семейство параллельных отражающих плоскостей, находящихся на расстоянии d друг от друга (фиг. 42). Для того чтобы в направлении 0 лучи взаимно усиливались, необходимо, чтобы они совпадали по фазе. Как видно из фиг. 42, дополнительное расстояние, которое проходит луч М по сравнению с лучом L (так называемая разность хода), равно 2d sin 0. Лучи будут усиливать друг друга в том случае, если их разность хода равна целому числу длин волн (т. е. пА,, где п — целое число). Итак, уравнение rtA, = 2iisin0 (полученное впервые Брэггом) связывает угол падения и отражения рентгеновских лучей 0 с длиной их волны Я, периодом решетки d и порядком отражения п. Отражения порядка выше первого наблюдаются при больших значениях брэгговских углов 0. Таким образом, кристаллическая решетка рассеивает рентгеновские лучи лишь в определенных направлениях, удовлетворяющих уеловию Брэгга. Поэтому на рентгенограммах монокристаллов наблюдаются резкие дифракционные максимумы в виде пятен (именно такой вид имеют рентгенограммы монокристаллов белков). [c.231]

Согласно рентгенографическим данным, полученным для ориентированных гелей ВТМ, период вдоль вирусной частицы равен всего лишь 69 А. Это подтверждает существование субъединиц, поскольку длина стержня равна 3000 А. Белковые субъединицы уложены в виде спирали, причем на каждый виток приходится 167з субъединицы, а на три витка — 49 субъединиц. Шаг спирали (расстояние между витками) равен 23 А. Плоскости оснований РНК приблизительно параллельны оси стержня. Для определения знаков рентгеновских отражений применялся метод изоморфного замещения с РЬ и Hg (см. разд. 1 гл. XV). Этот метод удалось применить к такой крупной частице лишь потому, что она состоит из расположенных регулярным образом идентичных субъединиц, одинаково модифицирующихся при введении тяжелого атома. По измеряемым амплитудам рассеяния с помощью Фурье-синтеза рассчитывают радиальное распределение электронной плотности, т. е. среднюю электронную плотность [c.359]

Дифракционные эффекты зависят от явления интерференции рентгеновских лучей. Принцип этого можно проиллюстрировать на примере дифракции световых лучей на оптической дифракционной решетке, состоящей из ряда параллельных линий, нанесенных на отражающую плоскость или на зеркало, с расстоянием между ними, соизмеримым с длиной световой волны (рис. 5.1). Волны от отдельных центров рассеяния, достигая плоскости ВС, нормальной к фронту дифрагирующего потока, будут находиться в одной фазе и, следовательно, будут усиливать друг друга только в том случае, если выполняется определенное соотношение между углом ф потока лучей и расстоянием между линиями решетки й, а именно чтобы длина шага АВ у последовательно идущих волн была равна целому числу длин волн [c.87]

Кристаллы никеля были вырезаны из монокристаллических стержней, выращенных из карбонила никеля или никеля Niva методом Бриджмена. Кристаллы сначала были вырезаны в виде шаров с выступом с одной стороны для их крепления, а затем были подвергнуты электролитическому травлению, так что местоположение определенных граней могло быть установлено по симметрии протравленного образца. Далее грани были обработаны параллельно плоскостям (100) и (110) на одном кристалле и параллельно плоскостям (111) и (321)—на другом кристалле. Для уменьшения разрушений кристаллической решетки делали неглубокие срезы при помощи токарного станка. Затем поверхность вновь протравливали и ее ориентацию контролировали по дифракции рентгеновских лучей. Окончательные отклонения в ориентации граней не превышали 2°. Плоские поверхности были затем механически отполированы металлографической наждачной бумагой и притерты с применением отмученной окиси алюминия. Далее кристалл подвергался электролитической полировке в 70%-ной серной кислоте. Так как во избежание питтинга было необходимо быстрое -перемешивание содержимого гальванической ванны, оказалось желательны.м медленное вращение кристалла (8 об/мин), которое предотвращало неодинаковые электролитические эффекты на разных частях кристалла. Полированный кристалл промывали дистиллированной водой и затем очищали при помощи тлеющего разряда в водороде. При этой операции кристалл помещали в камеру с водородом при давлении 0,5 мм рт. ст., к которой был приложен отрицательный потенциал 400—800 в относительно никелевого электрода на расстоянии около 5 см. При таких условиях между кристаллом и электродом проходил ток 4—6 ма и вещество разбрызгивалось от поверхности кристалла. После этого кристаллу давали охладиться и переносили его в реакционный сосуд. Хотя указанная обработка в разряде не приводила к изменениям поверхности, которые могли бы быть обнаружены оптическим микроскопом, все же при исследовании этой поверхности электронографическим методом обнаружена ее значительная шероховатость. Затем кристалл был нагрет в атмосфере водорода при 500°. Несмотря на то, что эта температура лежит намного ниже температуры, указанной для быстрого отжига никеля, дифракция электронов показала, что после такого на- [c.38]

Рентгеновская флуоресценция используется в качестве рутинного качественного и количественного анализа для определения тяжелых металлов в партиях, подвергаемых освидетельствованию красителей. Неразбавленные красящие добавки таблетируют на гидравлическом прессе при давлении около 8000 кг/см , что повышает плотность элементов и способствует получению необхо--ДИМОЙ поверхности образца. Таблетку исследуемого красителй помещают на пути прошедшего через узкую щель рентгеновского луча, который возбуждает характеристические спектры рентгеновского излучения содержащихся в образце элементов. Флуоресцентное излучение через первичный коллиматор попадает на кристалл, служащий в качестве рассеивающего монохроматора. Кристаллическая решетка является в данном случае трехмерной дифракционной решеткой, причем дифракция рентгеновских лучей происходит в результате их отражения от параллельных атомных плоскостей. Связь между длиной волны подающего излучения %, углом между направлением падающего луча и отражающей кристаллической плоскостью 0, и постоянной решетки d (расстояние между отражающими параллельными атомными плоскостями) выражается уравнением Брэгга [c.473]

Камера КРОС-1 УФАН—ЛИЗ) для обратной съемки предназначена для прецизионных измерений параметров решетки на сравнительно крупных поликристаллических образцах. Эта камера представляет собой несколько видоизмененный вариант камеры заксовского типа, разработанной в УФАН в 1935 г. . Камеры такого типа могут применяться также для определения характе-)а и величины внутренних напряжений в образцах. Камера <Р0С-1 рассчитана как на съемку малого участка образца параллельным пучком, так и на съемку расходящимся пучком сравнительно большого участка образца. В последнем случае экспозиция сокращается, но четко фокусируется только одна или несколько очень близких линий Плоскость образца всегда перпендикулярна первичному пучку рентгеновских лучей. Образец вместе с держателем может перемещаться на оптической скамье камеры, параллельной направлению первичного пучка. Щель перемещается внутри диафрагменной втулки с изменением расстояния между щелью и пленкой вследствие этого образец может быть установлен в фокусирующее положение, когда щель диафрагмы, линия на фотопленке и образец находятся на одной окружности. Для съемки крупнокристаллических образцов в камере предусмотрено приспособление для вращения образца и плоской кассеты или только одного образца вокруг оси, совпадающей с направлением первичного пучка. Целесообразно вращатьЪбразец, а не кассету. [c.125]

Принцип кристаллохимического соответствия не ограничивается окисными пленками. Он может встречаться, когда один металл электролитически осакден на другом. В большинстве случаев, если у осажденного материала кристаллические плоскости ориентированы определенным образом, то расстояние между атомами на одной стороне плоскости раздела приблизительно такое же, как на другой стороне, так что при малой деформации на каждой стороне (атомы расположены очень близко друг к другу на одной стороне и очень далеко на другой) ожидается плавный переход от одной фазы к другой. Это происходит не обязательно при соответственно параллельном размещении кристаллических плоскостей. Если оба вещества имеют кубическую модификацию, но имеют различные параметры решетки, то возможна значительная деформация, если плоскости куба были расположены параллельно вероятно, могут быть найдены такие пары плоскостей, которые дадут лучшее соответствие между внутриатомными расстояниями, но в общем всегда будет некоторая деформация. [c.32]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология