Контраст определяющий

Теперь вместо вспомогательного зеркала М на оптической оси устанавливается телескоп Т, позволяющий наблюдать кажущийся бесконечно удаленным источник света с подходящим увеличением. При помощи уровня можно так выставить оптическую ось, чтобы она была перпендикулярна направлению силы тяжести. Это важно, например, при проведении экспериментального исследования конвекции на горизонтальной пластине, которая должна быть перпендикулярна направлению силы тяжести и параллельна световому пучку. Регулируя зеркала Мг и М, совмещают изображения источников света 8т и 8г, соответствующие измерительному т и сравнительному г пучкам. Обычно изображение источника света пересекается густой сетью интерференционных полос, контраст и ширину которых стремятся увеличить. Оценивая цветовой контраст при освещении ртутной лампой без фильтра, можно определить, насколько точно реализовано основное положение зеркал. Если интерференционных полос ие видно, то необходимо проверить расстояния 2а и а. При освещении натриевой лампой интерференционная картина может уничтожаться за счет биения двух компонент двойной Л-линии. В обоих случаях положение обычно исправляется путем небольшого смещения (вг) зеркала М. [c.92]

На практике величина апертуры источника света ш определяется выбранной плотностью интерференционных полос 1/6 = = [2 sin (е/2) ]/1, поскольку протяженность пространственного интерференционного поля в координатах р и h должна быть достаточно большой. Однако существует нижний предел интерференционного контраста, поэтому безразмерные координаты следует выбирать в окрестности оси клина, чтобы не появились точки с /С = 0 (фиг. 41) [c.110]

Особенности и границы применимости метода. Травление применяется а) для удаления поверхностного слоя, нарушенного абразивной обработкой, или для уменьшения толщины образцов, придания им необходимого рельефа б) для очистки поверхности в) как подготовительный этап для металлографического исследования. При этом в процессе травления увеличивается контраст между неоднородными участками поверхности, что позволяет определить фазовый состав слитка, степень его однородности и выявить макро- и микродефекты. [c.100]

Видимость V характеризует способность глаза воспринимать объект зависит от освещенности, размера объекта, его яркости, контраста объекта с фоном, длительности экспозиции. Видимость определяется числом пороговых контрастов в контрасте объекта с фоном [c.110]

Второй тип контраста — амплитудный контраст определяется степенью взаимодействия различных участков образца с проходящими электронами. Амплитудный контраст в просвечивающей электронной микроскопии щироко используют при исследовании различных элементов внутренней структуры твердофазных материалов достигаемое при этом разрещение заметно меньше, чем при фазовом контрасте, и составляет около 1 нм. Взаимодействие электронов с веществом обусловлено различиями как в элементном составе разных участков облучаемой области (это позволяет исследовать размеры и форму составляющих образец наночастиц, включения другой фазы в наблюдаемые частицы или вариации элементного состава без образования вторых фаз), так и в ориентации кристаллических фрагментов относительно направления падающего электронного пучка. Это позволяет изучать малоугловые границы внутри зерен (контрастируя их изменением ориентации образца), а также различать механически напряженные участки частиц, что в свою очередь позволяет непосредственно наблюдать (по окружающей их области искаженной структуры) протяженные дефекты кристаллического строения вещества, такие как дислокации или дефекты упаковки. Контраст на электронномикроскопическом изображении также может быть связан с интерференционными эффектами, например, с широкими полосами равной толщины на клиновидных краях зерен образца или полосами Френеля по границам зерен. Амплитудный контраст (как и фазовый) существенно зависит от положения фокуса объективной линзы, при точном фокусе он минимален, а при удалении от этого положения наблюдается контрастирование изображения с [c.247]

Различия в использовании ВЭ и ОЭ как в отнощении разрешающей способности, так и в отношении механизма создания контраста, определяется, во-первых, различиями в их энергии, во-вторых, разной зависимостью их интенсивности от характера объекта. [c.554]

Коэффициент передачи контраста определяется соотношением контраста миры и контраста к ее изображения, переданного через волоконный элемент [c.99]

По характеру воспроизведения поверхности все виды реплик можно разделить на две большие группы реплики с неоднородной толщиной, изменяющейся соответственно характеру рельефа, и реплики с однородной толщиной во всех точках рельефа. Естественные (оксидные) и, с некоторым приближением, кварцевые, металлические и угольные реплики обладают однородной толщиной. У всех остальных искусственных отпечатков (из пластических масс) толщина пленки меняется в соответствии с рельефом. Изображение формируется по-разному для этих видов реплик. У отпечатков с однородной толщиной контраст определяется различием в наклоне [c.242]

Как оказалось, контрастность стимула влияет на амплитуду ВМП [293]. Контраст определялся как отношение разности яркостей соседних полос решетки к полусумме этих яркостей. Зависимость оказалась достаточно простой амплитуда ВМП падает линейно с уменьшением логарифма контраста и обращается в нуль при контрасте, близком к порогу различения, полученному из психофизических измерений. Такой результат связывает предел сенсорной чувствительности зрения с исчезновением соответствующей электрической активности в зрительной коре мозга. Вывод этот близок по сути с выводами, вытекающими из сравнения описанных выше ней-166 [c.166]

На рис. 10.5-1 показан принцип действия сканирующего туннельного микроскопа. Очень тонкое металлическое острие (например, Pt/Ir или W) укрепляют на блоке пьезоэлектрических датчиков, которые заставляют острие двигаться в направлениях х, у и z. Когда острие приближается к поверхности (приблизительно на расстояние 1 A), под действием небольшой разности потенциалов, приложенной между острием и поверхностью (обычно несколько милливольт), может возникать туннельный ток (обычно несколько наноампер). Поскольку туннельный ток очень сильно зависит от расстояния между острием и поверхностью (экспоненциально), то регистрация тока как функции пространственного положения острия позволяет получить изображение топографии поверхности с высоким субангстремным разрешением. При интерпретации СТМ-изображений следует учитывать, однако, что их контраст определяется электронными плотностями, которые на атомном уровне не обязательно отражают положение атомных ядер. [c.369]

Эти оценки определяют по правилу определяющего контраста [c.153]

Разница в высотах отдельных частей объекта составляет 10-50 А и в пространственных изображениях определяется методом фазового контраста. С его помощью обычно невидимые детали по поверхности улавливаются очень четко. [c.223]

Произведение (V. 17) называется определяющим контрастом, при помощи его удобно определить, в каких столбцах одинаковые элементы. Умножив по очереди определяющий контраст на хи х% Хъ, получим [c.167]

Произведение (11,229) носит название определяющего контраста, с его помощью удобно определить, в каких столбцах одинаковые элементы. [c.198]

Как правило, установить неустойчивость легче, чем устойчивость. Действительно, для доказательства неустойчивости достаточно определить хотя бы один тип возмущений, выводящий систему из прежнего состояния, тогда как для доказательства устойчивости необходимо исследовать все возможные возмущения. Именно поэтому так разителен контраст между проблемой неустойчивости волн сжатия, рассматриваемой в этом разделе, и проблемой устойчивости волн разрежения (разд. 13.6). [c.199]

Принцип проведения ЯМР-эксперимента можно объяснить исходя из представлений об условии резонанса, а также о поперечной и продольной релаксации, что в свою очередь способствует разработке специального аппарата, используемого для описания эксперимента. Эти сведения достаточны также и для того, чтобы иметь возможность описания принципов ЯМР-томографии, пространственное разрешение которой определяется величиной градиентов магнитного поля, а разрешение по контрасту - различиями в значениях времен релаксации. ЯМР можно использовать также как аналитический метод, основываясь на том, что различные элементы и изотопы обладают различными резонансными частотами. Однако для успешного применения этого метода в химии и биохимии этой информации недостаточно. Только включение дополнительных физических взаимодействий, приводящих к расщеплению резонансных линий или к сдвигу соответствующих уровней энергии ядерного спина и соответствующих частот переходов, позволяет использовать ЯМР в качестве аналитического метода. В этом случае вместо одной резонансной линии для определенного изотопа получим в спектре несколько резонансных линий, положение которых в спектре связано со свойствами молекул. В дальнейшем обсудим основные типы указанных выше физических взаимодействий. [c.27]

Соображения, касающиеся мнимого клина, качественно можно распространить на фазовые объекты (разд. 3). В этом случае плоскость фокусировки практически параллельна оси р (оси со) и для получения оптимальных условий нужно определить положение этой плоскости, в котором она проходит через ось клина С (начало координат). Изменение интерференционного контраста /С (со, 2 = 0) и фазовой модуляции ф (о, z = 0) вдоль оси ш показано на отдельных графиках фиг. 41 и 42. Согласно (76а) и (766), при 2 = 0 [c.110]

Однако несмещенную (неискаженную) в плоскости ti — ti (положение которой должно быть определено) интерференционную картину предпочтительнее проецировать с увеличением на дополнительный экран с помощью вспомогательного объектива L4. При этом целесообразно выбрать область с наибольшей плотностью полос, т. е. с максимальным смещением при неправильном положении плоскости ti — ti. Когда определено правильное положение плоскости ti — ti (Ay = 0), растр четко фокусируется на вспомогательном экране и плоскость фотопластинки (диапозитив растра) совпадает с плоскостью ti — ti. Дополнительным признаком правильной фокусировки (Аг/ = 0) является максимальный интерференционный контраст (фиг. 43, б). [c.118]

В результате ионизации электронных уровней генерируются электроны. Они покидают атомы в процессе столкновения последних с первичными электронами и проходят через вещество, теряя кинетическую энергию в результате описанных процессов. Электроны, образовавшиеся вблизи поверхности, испускаются в вакуум, собираются и регистрируются детектором вторичных электронов. С помощью таких электронов можно получить изображение объемных образцов с топографическим и морфологическим контрастом, если проводить развертку первичного пучка (сканирование) по поверхности образца и измерять ток вторичных электронов как функцию положения пучка электронов (рис. 10.2-5). Контраст изображения определяется главным образом углом между направлением первичного пучка и плоскостью поверхности в определенном участке. Это означает, что при сканировании неровных образцов этот угол меняется от точки к точке и также меняется интенсивность вторичной электронной эмиссии. Полученное изображение очень похоже на изображение [c.329]

Перед каждым актом микротомирования при положении И (см. рис. 2, а) образца (5) на его торец наносят 0,02—0,03 мл дважды перегнанной воды. После микротомирования каплю с частицами снятого слоя переносят на предметное стекло и после испарения воды определяют показатель преломления частиц под микроскопом иммерсионным методом или с помощью фазового контраста [10]. Откладывая определяемое таким образом значение показателя преломления против координаты средней точки слоя, получают график зависимости оптической плотности п диффузионной среды от расстояния X до контактной поверхности, который удовлетворительно коррелирует с результатами исследования другими методами физико-химического анализа. [c.214]

Контраст же объекта определяется отношением [c.29]

Значение коэффициента контраста, равное 0,98, обычно принимается за показатель полной укрывистости. Если известна зависимость коэффициента контраста от толщины слоя, то измерение зтого коэффициента для некоторой толщины позволяет рассчитать ту толщину, которая необходима для достижения значения коэффициента контраста, равного 0,98. Величина, обратная этой толщине, есть мера кроющей способности. Для любого красочного слоя сам по себе коэффициент контраста определяет, в какой степени будет скрыт фон. Хороший обзор различных методов определения кроющей способности дан Гарднером и Свардом [175]. [c.467]

В интерферометре с идеальной геометрией Ва = В и v = 1, т. е. контраст составляет 100%. В отличие от этого в интерферо-юГетре с прозрачными кристаллами может быть достигнут контраст 50%. При наличии расфокусировки контраст определяется осциллирующей функцией типа sin ri/ri при [c.280]

Требуемый уровень освещенности определяется степенью точности выполняемой работы. Для рациональной организации освещенности необходимо не только обеспечить достаточную освещенность, но и создать необходимые качественные показатели освещения. К основным качественным показателям, определяющим точность выполняемой работы, относятся такие понятия, как равномерность распределения светового потока, контраст между объектом и фоном, видимость, показатель ослепленности, коэффициент пульсации освещепности. [c.109]

Принято раздельное нормирование освещенности в зависимости от применяемых источников света и системы освещения. Величина минимальной освещепности устанавливается согласно условиям зрительной работы, которые определяются наимень-иим размером объекта различия, контрастом объекта с фоном I характеристикой фона. [c.114]

В качестве светового микроскопа применяется исследовательский микроскоп — вариант прибора Zetopan, дающий возможность проводить исследования в проходящем или отраженном свете в светлом и темном поле, при фазовом контрасте, поляризации света и флюоресценции. С помощью прибора можно идентифицировать частицы, определить их количество, площадь и длину, про- [c.129]

Травление образцов увеличивает контраст между фазами, обнаруживает бловдость в структуре, позволяет охарактеризовать взаимное расположение отдельных зерен. Выбор травителя определяется обычно экспериментально на основе химической природы составляющих фаз. Существует несколько способов нанесения травителя на шлиф. При одном из них полированную поверхность погружают в сосуд с травите-лем. При этом необходимо перемешивание, чтобы травление происходило равномерно и продукты травления не оседали на шлифе. Этот метод требует большого расхода реактивов. При других способах травящие реагенты наносят из капельницы на полированную поверхность или втирают в нее ватой. Время действия травителя определ51Ют опытным путем, просматривая шлиф под микроскопом. Визуально это определить нельзя, так как некоторые сплавы сохраняют блестящую поверхность и в травленном виде. Недотравленные образцы снова полируют в течение 1—3 мин, а затем травят более продолжительное время. Если шлифы были приготовлены заранее, то перед травлением их поверхность активизируют кратковременной полировкой. Приготовление шлифов для изучения микротвердости производится таким же образом. Микротвердость измеряют на травленных образцах, причем выбирают такой травитель, который характеризуется меньшей скоростью взаимодействия с поверхностью образца. [c.51]

Разрешение и информативность ТЭМ-изображений во многом определяются характеристиками объекта и способом его подготовки. При исследовании тонких пленок и срезов полимерных материалов и биол. тканей контраст возрастает пропорционально их толщине, но одновременно снижается разрешение. Поэтому применяют очень тонкие (не более 0,01 мкм) пленки и срезы, повышая их контраст обработкой соед. тяжелых металлов (Оя, и, РЬ и др.), к-рые избирательно взаимод. с [c.439]

Вместо дифференциала длины волиы сГк можно подставить ширину лннии Ал. Интерференционный контраст равен приблизительно когда сдвиг между двумя интерференционными полосами, соответствующими длинам волн Кт и кт + АХ, составляет четверть порядка. Согласно выражению (68), соответствующая относительная длина оптического пути 5" определяется уравнением [c.101]

В общем случае коэффициент вторичной электронной эмиссии ие сильно изменяется с атомным номером по измерениям на чистых элементах, так что контраст, обусловленный составом (контраст от состава), обычно не наблюдается в этом режиме. Имеются литературные данные [92, 93], в которых описываются представляющие интерес исключения, когда в режиме вторичной электронной эмиссии наблюдался сильный контраст от состава объекта. Пример такого контраста представлен на рис. 4.28 [93]. На изображении карбида кремния, полученного на связке, во вторичных и отраженных электронах наблюдается сильный контраст между внутренними и внешними областями зерна карбида кремния. На изображении, полученном в отраженных электронах, контраст между этими областями не наблюдается, наблюдается лишь обычный контраст от атомного номера между зернами 51С и межгранулярным кремнием. В работе [93] предполагается, что. контраст в режиме вторичных электронов возникает за счет различия в коэффициенте вторичной электронной эмиссии из-за разного содержания примеси. Так как карбид кремния является полупроводником, то наличие малых концентраций (следов) примесей может изменять акцепторные уровни в электронной зонной структуре, которая определяет вторичную электронную эмиссию. Общее изменение химического состава из-за наличия таких примесей настолько мало, что разность в среднем атомном номере недостаточна для того, чтобы создать заметный контраст от атомного номера на изображении в отраженных электронах. [c.141]

Пороговое уравнение позволяет рассчитать минимальный ток, который должен быть использо1ван для детектирования определенного уровня контраста С между двумя точками на изображении для заданного времени кадровой развертки и эффективности сбора [94]. Другими славами, если мы определим, что должен быть использован заданный ток пучка, то пороговое уравнение позволяет нам рассч Итать наименьшее значение контраста, которое возможно отобразить. Объекты в поле зрения, которые не создают такой пороговый контраст, не могут быть различимы от случайных флуктуаций фона. [c.155]

Чаще всего для определения относительных количеств наполнителя в разных фазах полимерной смеси используют методы электронной микроскопии. В ТЭМ и СЭМ основной проблемой является получение межфазного контраста. Для определенных комбинаций полимеров, например включающих хлорированный каучук, можно получить контраст по атомным числам. Атомы хлора намного менее прозрачны для электронов, чем негалогенированные полимеры, и могут быть определены как методами ТЭМ, так и методом СЭМ. Однако разрешение в методе СЭМ при сканировании рентгеновскими лучами невысоко. Использование методов электронной микроскопии наиболее целесообразно для бинарных смесей, один из полимеров в которых способен к образованию межфазового контраста. [c.579]

Коэффициент (онтрастносги определяют для 4-5 участков каждой пленки и за результат принимают среднеарифметическое э йачение. Ус-ловио принято, что при К = 0,98 достигается такая укрывистость, когда при визуальном определении под слоем краски полностью исчезает контраст черно-белой поверхности "шахматной доски . Поскольку [c.53]

Первый путь, который условно можно назвать экспериментальным, заключается в следующем. Методом дифракционного контраста с использованием рентгеновской топографии (для макродвойников) или под электронным микроскопом (для микродвойников) исследуется контраст двойниковой границы в различных отражениях. Затем по известной методике определяется вектор относительного смещения (Я) решеток двойниковых компонент (например, для большинства бразильских двойников установлены Л = /2 [110], Я2= /б [302] или Яз = 7б [032]). Затем две структуры из начальной двойниковой ориентации с совпадающими ре-100 [c.100]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология