Электрическая активность

Электродиализом называют процесс переноса ионов через мембрану под действием приложенного к ней электрического поля. Для очистки сточных вод методом электродиализа используют электрически активные ионитовые мембраны. [c.217]

В ходе процесса возможен точный контроль вводимых электрически активных примесей, которые в небольшом количестве могут быть добавлены к тетрахлориду кремния, В зоне реакции эти соединения должны разлагаться так, чтобы в решетку выращиваемого кристалла внедрялись атомы примеси. Для леги- [c.142]

После окончания восстановления (при толщине слоя 4,5 см на это требуется около 3 ч) температуру поднимают до 1000—1100° для сплавления получившегося порошка. На этой стадии рекомендуется заменить водород каким-нибудь нейтральным газом, например азотом, так как водород заметно растворяется в расплавленном германии. После сплавления температуру медленно снижают. Иногда расплавленный германий подвергают направленной кристаллизации. Таким путем получают слитки поликристаллического германия, содержащие электрически активные примеси (т. е. влияющие на электрофизические свойства) порядка 10 %. [c.197]

После зонной очистки примерно 75% всего слитка содержит электрически активные примеси в количестве 1-10" —1-10" %. [c.203]

Применение различных высокоразрешающих методов исследования (электронная микроскопия, дифракция электронов высокой и низкой энергии, оже-электронная спектроскопия, масс-спектроскопия) показывает, что для большинства реальных условий осаждения характерно не двумерное, а трехмерное зарождение преимущественно на электрически активных дефектах с последующей коалесценцией трехмерных островков растущей пленки (механизм Фольмера—Вебера). [c.482]

В 1920-1930-е гг. осуществляется техническое перевооружение бурения скважин и добычи нефти. Происходит массовое внедрение вращательного (роторного) бурения взамен малоэффективного ударно-канатного, герметизируется процесс нефтедобычи, в (амен желонок внедряются скважинные насосы, принимаются меры к сбору и утилизации нефтяных газов, на промыслах паровые двигатели заменяются электрическими. Активно внедряются геофизические методы поиска и разведки нефти - гравиметрия, сейсмика, электроразведка. [c.25]

Поскольку в результате процесса ионизации пламя становится электрически активным, возникает вопрос о влиянии электрического поля на процессы в горящем факеле. [c.176]

Кроме явления самокомпенсации необходимо учитывать и другие факторы, мешающие проявлению электрической активности вводимых примесей. Например, растворимость ряда электрически активных примесей может быть очень низкой. Некоторые акцепторные примеси могут, видимо, перераспределяться между донорными н акцепторными состояниями, как это наблюдалось для серебра в сульфиде кадмия и лития в теллуриде цинка [101]. Отмечалось, что галогены, когорые должны бы проявиться как доноры, оказываются неактивными из-за образования комплексов со случайно присутствующими примесями (например, с натрием, стронцием, железом) [102]. [c.151]

В этом случае в анализируемом растворе содержится только окислительно-восстановительная пара Х/У, причем оба компонента электрически активны. Количество определяемого вещества X или У рассчитывают с помощью закона Фарадея. [c.306]

Наряду с такими микроскопическими методами исследования реальной структуры, как ЭПР, оптическая спектроскопия, комбинационное рассеяние и т. д., необходимо привлекать те или иные методы диэлектрической спектроскопии, изучающей макроскопические характеристики кристаллов электропроводность и комплексную диэлектрическую проницаемость до 10 ° Гц. Особую значимость эти методы приобретают в тех случаях, когда точечные дефекты реального кристалла непарамагнитны, оптически неактивны, но электрически активны в невозбужденном состоянии. [c.131]

Эта ситуация реализуется в кристаллах кварца, получаемых в щелочных средах, поскольку для этих кристаллов преобладающим типом электрически активных точечных дефектов являются примесные щелочные ионы, входящие в структуру кварца при гетеровалентном изоморфизме. [c.131]

Такой выбор обусловлен тем, что энергия активации определяется не столько концентрацией электрически активных щелочных ионов, сколько их подвижностью, которая, как сказано 9 131 [c.131]

Кристаллы искусственного кварца, полученные в технологических режимах, обеспечивающих концентрацию н. п. в кристалле 10 частиц-см , не изменяют электрических характеристик, в том числе значений , под действием электролиза, проводимого в режиме —1,5 кВ/см, Т 670—770 К, ч. Это может быть результатом существенного пониженного содержания электрически активных щелочных ионов в исходных кристаллах и результатом подавления миграции щелочных ионов неструктурной примесью. [c.135]

Следует отметить также, что при совместном введении в шихту с элементами П. или П1 групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева электрически активных для алмаза примесей Аз и Р их самостоятельное влияние на образование и рост кристаллов практически ие наблюдается. [c.380]

В этих условиях возможно, в частности, получение тонких слоев с различной по сравнению с затравочным кристаллом типом проводимости за счет введения в шихту соответствующих электрически активных примесей. [c.390]

Изучение состава и распределение примесей в алмазе представляет интерес в первую очередь в связи с задачей получения полупроводниковых кристаллов. В природных алмазах электрически активными примесями являются азот (в случае, когда он присутствует не в агрегированной, а в парамагнитной форме, т. е. в замещающем углерод положении), который создает глубокие донорные уровни ( 4эВ), практически играющие роль центров захвата, а также бор, ответственный за дырочную проводимость с энергией активации порядка 0,36 эВ. [c.406]

При изучении фотоэлектрических свойств алмаза установлено, что легированные электрически активными примесями кристаллы в отличие от нелегированных являются фоточувствительными в ближней ультрафиолетовой, видимой и ИК областях. На спектральной зависимости фототока кристаллов, легированных бором, имеются максимумы в областях 440—450, 480, 500—520, 540, 620—640, 800 мм, что согласуется с данными, полученными на природном полупроводниковом алмазе. С увеличением содержания бора в шихте фототок соответствующих образцов возрастает, и проявляются два основных максимума в области 800 и 1400 нм, которые, возможно, и имеют примесную природу. Остальные пики фототока, как правило, связывают с присутствием различных структурных дефектов. Показано также, что большинство образцов п-типа проводимости имеют максимальную фоточувствительность при длине волны возбуждающего света 450 нм. С увеличением содержания Аз в шихте фотопроводимость кристаллов возрастает, основной максимум сохраняет свое положение и появляется ряд новых при длинах волн 900 нм и более. [c.460]

При изучении диэлектрических свойств полупроводниковых синтетических алмазов установлен ряд особенностей в зависимости е и tgб от степени легирования кристаллов электрически активными для алмаза примесями В и Аз. Диэлектрические потери в полупроводниковых кристаллах более чем на порядок выше, чем в нелегированных образцах, и зависят от массового содержания легирующих элементов в шихте. Причем при равных добавках В и Аз в шихту потери легированных Аз кристаллах меньше, чем в боровых . Как отмечалось выше, это может быть следствием различной интенсивности захвата В и Аз растущими кристаллами. При массовом содержании бора в исходной шихте более 0,5% tgб возрастает настолько, что превышает граничные значения потерь (tgб 2-10- ), допустимых при измерениях методом малых возмущений. Кроме того, при добавках бора до [c.461]

Мецик М. С., Голубь Л. М., Шерманов Л. А. Поверхностные электрические активные центры кристаллов слюды и их влияние на ориентировочную кристаллизацию и образование толстых пленок воды.—В кн. Поверхностные силы в тонких пленках и устойчивость коллоидов. М., Наука , 1974, с. 64—68. [c.208]

Большую роль в успеш(гом применении данного лгетода играет правильный выбор растворителя, который должен иметь или предельно малую растворимость в кристалле, или (если растворимость значительная) ничтожно малую электрическую активность. Далее кристаллизуемое вещество должно обладать хорошей растворимостью в жидком растворителе. Желательна малая вязкость растворителя, так как это облегчает диффузионный перенос растворенного вещества и перемешивание раствора. [c.89]

Строго говоря, истинная поверхностная концентрация равна сумме концентрации электрически активного бора, определенной по (в прелположении [c.162]

На конечной стадии технологии — выращивании монокристаллов— германий дополнительно очищается. Выращивают монокристаллы, как правило, по методу Чохральского. Слитки германия расплавляют в вакууме 1-10 —1-10 мм рт. ст., в атмосфере аргона или водорода. В расплав при температуре немного выше точки плавления германия опускают монокристаллическую затравку. По мере подъема затравки германий кристаллизуется на ней, образуя вытягиваемый из расплава монокристаллический слиток с той же кристаллографической ориентацией,что и исходная затравка (рис. 61). Для перемешивания расплава и выравнивания температуры как тигель, так и затравкодер-жатель с растущим кристаллом вращают в противоположные стороны Полученный таким путем монокристаллический германий имеет электропроводность, близкую к его собственной проводимости (60 Ом-см), т. е. остающиеся в нем примеси почти не сказываются на его электрофизических свойствах, ому отвечает содержание электрически активных примесей порядка Ы0" %. [c.203]

Характер и выраженность изменений электрической активности мозга, а также скорость их наступления за-нисели от дозы вводимого яда. [c.132]

Во второй серии экспериментов доза яда, вводимо]о внутривенно, составила 0,5 мг/кг. Типичным электрографическим проявлением влияния яда было уплощение биоэлектрических колебаний с одновременным обеднением частотного спектра за счет вьгпадения быстрых ритмов (рис. 22, Л). Депрессия электрической активности наступала у разных животных через 5—15 мии после введения яда и продолжалась вплоть до гибели [c.133]

Р и с. 35, Схема функциональной связи между характером иямеиения электрической активности мозга, падением артериального давления и состоянием мозгового кровотока прн внутривенном введении яда кобры. [c.171]

РИС. 16-12. Электрическая активность изолированных нейронов моллюска Ар1уз1а. А. Ритмический водитель ритма. Б. Разрядный водитель ритма. В. Осциллирующий водитель-ритма [130]. [c.351]

Получение. Необходимым условием достижения высоких электрофиз. характеристик П. м. является их глубокая очистка от посторонних прнмесей. В случае Ge и Si эта проблема решается путем синтеза их летучих соед. (хлоридов, гидридов) и последующей глубокой очистки этих соед. с применением методов ректификации, сорбции, частичного гидролиза и спец. термич. обработок. Хлориды особой чистоты подвергают затем высокотемпературному восстановлению водородо.м, прошедшим предварит, глубокую очистку, с осаждением восстановленных продуктов на кремниевых или германиевых прутках. Из очищенных гидридов Ge и Si выделяют путем термич. разложения. В результате получают Ge и Si с суммарным содержанием остаточных электрически активных примесей на уровне 10 -10 %. Получение особо чистых полупроводниковых соед. осуществляют синтезом из элементов, прошедших глубокую очистку. Суммарное содержание остаточных примесей в исходных материалах не превышает обычно 10 " -10 %. Синтез разлагающихся соед. проводят либо в запаянных кварцевых ампулах при контролируемом давлении паров летучего компонента в рабочем объеме, либо под слоем жидкого флюса (напр., особо чистого обезвоженного В2О3). Синтез соед., имеющих большое давление паров летучего компонента над расплавом, осуществляют в камерах высокого давления. Часто процесс синтеза сонме- [c.59]

Легирование П м может быть осуществлено также путем радиац воздействия на кpи тaлJ , когда в результате ядерных р-цнй с участием собств атомов в-ва образуются электрически активные прнмесн Нанб интерес для радиац легирования представляет воздействие тепловыми нейтронами, к-рые обладают большой проникающей способностью, что обеспечивает повыш однородность легирования Концентрация примесей, образующихся в результате ней-гронного облучения, определяется соотношением N = = Л оа.С.ф/, где Яд-кол-во атомов в единице объема П м, а,-сечение поглощения тепловых нейтронов. С,-содержание (%) соответствующего нуклида в естеств смеси, ф-плотность потока тепловых нейтронов, /-время облучения Легирование облучением тепловыми нейтронами обеспечивает строго контролируемое введение заданных концентраций примесн и равномерное ее распределение в объеме кристалла Однако в процессе облучения в кристалле образуются радиац дефекты, для устранения к-рых необходим последующий высокотемпературный отжиг Кроме того, может появиться наведенная радиоактивность, требующая выдержки образцов после облучения Легирование облучением тепловыми нейтронами обычно используют для получения однородею легированных фосфором монокристаллов 1 с высоким уд электрич сопротивлением В данном случае происходят след ядерные р-ции [c.62]

Секретин, как и глюкагон, вазоактивный интестинальный пептид, гастрин, гастроингибирующий пептид и ряд других, относится к гормонам желудочно-кишечного тракта. Считается, что основная роль секретина состоит в регуляции секреции сока поджелудочной железы [219], куда он попадает с током крови и где также оказывает стимулирующий эффект на секрецию инсулина [220, 221]. Позднее был выявлен ряд других функций секретина в пищеварительной системе. Оказалось, что он стимулирует выделение пепсина желудком и бикарбонатов и воды поджелудочной железой и печенью, влияет на сокращение пилорического канала, торможение моторики желудка, приводит к ослаблению электрической активности тонких кишок, усилению кровотока в поджелудочной железе, интенсификации липолиза и гликолиза в жировой ткани, торможению реабсорбции бикарбонатов в почках и т.д. [222]. [c.372]

Реальная поверхность твердого тела не идеальна, а имеет многочисленные микро- и макроскоп. ческие дефекты выходы дислокаций, границы доменов, зерен, трещины и т. п. Поэтому она неоднородна по распределению потенциалов, электрически активна. [c.50]

Уже давно установлено, что нервы и мышцы способны генерировать электродвижущие силы, биопотенциалы. Электрическая активность клеток проявляется в форме коротких разрядов, каждый из которых длится около 1 мс. Современная экспериментальная техника позволяет усиливать эти сигналы и регистрировать пх. Установлено, что активность нерва всегда сопровождается электрическими явлениями. На рпс. 11.3 показаны импульсы в зрительном нерве краба ЫтиШз, вызванные вспышкой света длительностью 1 с (Хартлайн, 1934). Частота и характер последовательности импульсов зависят от интенсивности и спектрального состава света. Величина и д.чительность отдельного импульса не зависят от природы н силы раздражения. [c.360]

Горизонтальные и амакриновые клетки соединяют соседние фоторецепторы, обеспечивая передачу информации в латеральном направлении, биполярные клетки передают информацию внутреннему синаптическому слою. Исследование электрической активности отдельных клеток показало, что рецепторные и горизонтальные клетки (а также в некоторых случаях биполярные клетки) испытывают плавную гиперполяризацию при освещении, не создавая нервного импульса. Иными словами, их мембранный потенциал становится более отрицательным. Это необычное поведение для нейрона. Как правило, нейроны деполяризуются, приобретают положительный мембранный потенциал при возбуждении. Импульсы обычно распространяются в нервных клетках по их длине. В указанных видах нервных клеток сетчатки эти события не происходят. Напротив, положительные нервные импульсы возникают в амакриновых и ганглиозных клетках. Именно последние служат источниками импульсов, поступающих в головной мозг. [c.466]

Релаксационный механизм поляризации кварца в переменных электрических полях доказывается наличием максимумов тангенса угла диэлектрических потерь в температурно-частотных зависимостях tgд. Результаты изучения зависимостей (Т, ) искусственного кварца в диапазоне звуковых и радиочастот при температурах 20—550 °С находятся в согласии с вышеизложенными данными по электропроводности этих кристаллов в постоянном электрическом поле. А именно, с изменением скорости и температуры кристаллизации для кристаллов кварца с одним и тем Же типом электрически активных точечных дефектов (носителей заряда) изменяется и температурный интервал проявления релаксационного максимума на кривых tg6(T) при [изи = сопз1, что, как известно, означает изменение энергии активации релаксационного процесса. [c.133]

Следует подчеркнуть, что система N1—Мп — графит при соотношении металлических компонентов, близком к эвтектическому, обладает высокой вопроизводимостью результатов спонтанной кристаллизации алмаза по сравнению с системами на основе других переходных металлов. Поэтому данную систему целесообразно было использовать при изучении влияния добавок различных элементов к металлу-растворителю на процесс спонтанной кристаллизации. Элементы, воздействие которых изучалось, можно разделить на три основные группы. К первой относятся бор, азот, алюминий, способные в различной степени входить в решетку алмаза, образуя структурную, электрически активную для алмаза примесь. Вторая группа представлена металлами, образующими прочные химические соединения с углеродом и хорошо смачивающими поверхность алмаза — титан и цирконий. В третью группу входят металлы, взаимодействие с углеродом которых носит преимущественно физический характер и которые обладают низкой адгезией к алмазу и графиту (разжижающие добавки), — индий, галлий, медь, олово, сурьма. [c.379]

Наряду с этим изучалось влияние термобарической обработки на электрическое сопротивление монокристаллов алмаза. Сопротивление образцов определялось мостом Р4053 или с помощью измерителя малых токов ИН Т-0,5. Установлено, что нелегированные и легированные бором (р-тнп проводимости) кристаллы не изменяют своего сопротивления до температуры 2070 К при длительности отжига до 2 ч. В то же время электрическое сопротивление легированных Л -образцов (п-тип проводимости) с увеличением температуры отжига с 1770 К до 2120 К и при длительности ее воздействия 2 ч увеличивается на два-три порядка (до 10 —10 з Ом-м), но не достигает еще уровня нелегированных ( 10 Ом-м). Возможно, отсутствие в природе кристаллов алмаза с электронным типом проводимости и объясняется низкой термической стойкостью соответствующих электрически активных дефектов. [c.438]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология