Сульфиды халькогениды

Сульфид серебра для электродов с твердой мембраной представляет собой универсальное вещество. С одной стороны, он явился основой одного из первых гомогенных кристаллических электродов с высокой селективностью по отношению к ионам Ag+ и S , с другой — оказался превосходной матрицей для поликристаллических галогенидов серебра и многих сульфидов (халькогенидов) двузарядных металлов. В качестве приближенной меры коэффициента влияния твердых ИСЭ с мембраной из труднорастворимых солей принимают отношение произведений растворимости. Например, для иодидного электрода с мембраной, содержащей Agi, коэффициент влияния находящихся в растворе ионов А (С1 , Вг- и др.) равен [c.531]

ЭЛЕКТРОДЫ НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДОВ (ХАЛЬКОГЕНИДОВ) НЕКОТОРЫХ ДВУЗАРЯДНЫХ ИОНОВ МЕТАЛЛОВ [c.104]

Мембраны для электродов этого типа получают из смесей сульфида серебра и сульфида (халькогенида) соответствующего металла. Наибольшее значение для практики имеют медный, свинцовый и кадмиевый поликристаллические электроды, поскольку именно для этих ионов получены поликристаллические электроды с хорощими электродными характеристиками. [c.104]

Ряд соединений каждого основного элемента начинается с гидридов, затем следуют галогениды, оксиды, сульфиды, халькогениды, нитриды и т. д. по указанной схеме [c.6]

Наносят также токопроводящие слои халькогенидов — соединений серы и фосфора, обладающих полупроводниковыми свойствами. В последнее время получили применение токопроводящие слои (ТПС) на основе сульфидов металлов. [c.99]

Оксид цинка и все халькогениды элементов подгруппы цинка — важные полупроводниковые материалы. Они находят различное применение (о синтезе халькогенидов см. гл. IX, 2 и гл. X, 2). Например, из сульфида кадмия изготовляют очень чувствительные фотосопротивления, так как у этого вещества отношение темпового сопротивления к световому может достигать порядка 10. Максимум чувствительности сульфид кадмиевых фотосопротивлений лежит в области видимой части спектра. [c.365]

Халькогениды [46, 47]. Сульфиды. Сероводород не осаждает галлия из растворов солей, так как сульфид галлия, подобно сульфиду алюминия, тотчас же нацело гидролизуется. Однако в присутствии носителя, например цинка, олова или мышьяка, галлий может быть осажден в виде сульфида за счет комплексообразования. При действии [c.233]

Все известные халькогениды сурьмы и висмута типа А2 В3 —полупроводники. Получают их из простых веществ в эвакуированных кварцевых ампулах, медленно нагревая до 200° С и выше. Сульфиды можно получать и [c.377]

Почти все халькогениды представляют собой полупроводниковые соединения с проводимостью электронного типа. Для теллурида цинка характерна проводимость дырочного типа, а для теллурида кадмия — как электронная, так и дырочная. В условиях синтеза люминофоров сульфид и селенид цинка имеют очень высокое удельное электросопротивление (Ю Ом см). Лишь при специальных условиях легирования, обеспечивающих внедрение избыточного цинка, удается получить сульфид и селенид цинка с низким удельным электросопротивлением (10 2—10 Ом см). Концентрация носителей тока при этом зависит как от содержания донорных примесей, так и от давления пара цинка. [c.31]

Остов оксидов металлов. Обменное взаимодействие анионов играет структуроформирующую роль не только в строении гало-генидов, но и многих других неорганических веществ. Это относится, например, к таким важным классам вещества, как твердые оксиды, сульфиды, вообще халькогениды, а также силикаты, алюмосиликаты и др. Остов оксидов образуется благодаря обменному взаимодействию оксоионов. При этом он определяет тип их структуры, природу соединений. Это видно на примере довольно странных на первый взгляд соединений вроде СаТ10з —не то солей, не то оксидов. В составе соединений такого рода находится два (или больше) вида катионов, размещающихся в соответствии с их размерами в октаэдрических или тетраэдрических пустотах кислород- [c.75]

Халькогениды титана(IV), образующиеся при прямом синтезе из простых веществ, взятых в стехиометрических количествах, малорастворимы в воде. Объясните, почему они ме выпадают из водного раствора солей титана (IV) при добавлении растворимых сульфидов. В учебниках есть указание на то, что данные халькогениды растворимы в концентрированных растворах кислот-окислителей (H2SO4, HNO3) и щелочей (NaOH, КОН). Составьте уравнения всех описанных реакций. [c.132]

Халькогениды синтезируют сплавлением компонентов. ZnS (рПР 24) и dS (рПР 27) можно также получить осаждением из растворов соединений цинка и кадмия сульфид-ионом. Для всей группы обсуждаемых халькогеиидов сфалерит является низкотемпературной модификацией, а вюртцитная структура — высокотемпературной. С,увеличением порядкового номера катионо- и анионообразователя на ковалентно-ионную связь накладывается определенная доля металлической связи. Поэтому ширина запрещенной зоны у халькогеиидов закономерно уменьшается. Сульфиды цинка и кадмия являются основой лучших неорганических люминофоров . [c.135]

Оксид цинка — основа цииковых белил, а сульфид применяется для фиксации альфа-, бета- и грамма-радиации. Халькогениды и пниктогениды цинка и кадмия находят широкое применение в полупроводниковой технике — начиная от термоэлементов и кончая полупроводниковыми лазерами. [c.137]

Соединения с другими неметаллами. Халькогениды элементов подгруппы германия, как и оксиды, образуют 2 ряда монохалькогениды ЭХ и дихалькогениды ЭХ . Низшие халькогениды известны для всех элементов и халькогенов. Все монохалькогениды элементов можно получить как непосредственным взаимодействием компонентов при нагревании, так и пропусканием сероводорода через водные растворы, содержаш,ие ионы +. Дисульфиды германия и олова получают непосредственным взаимодействием компонентов при повышенном давлении пара серы. Все монохалькогениды являются типичными полупроводниками, что свидетельствует о преобладающем вкладе ковалентной составляющей в химическую связь. Кроме того, надо учитывать определенный ионный вклад, обусловленный различием в электроотрицательности, а также нарастание металличности с увеличением порядкового номера компонентов. Сульфиды и селениды германия и олова кристаллизуются в орто-ромбической структуре, а при переходе к соответствующим теллури-дам происходит уплотнение структуры с повышением координационного числа до 6 (структура типа Na l). [c.225]

Халькогениды Э2Х3 устойчивы на воздухе и во влажной атмосфере, нерастворимы в воде и разбавленных неокисляющих минеральных кислотах. Сульфиды ЗЬзЗз и В125., растворяются в концентрированной соляной кислоте [c.296]

Детализируем представление о вакансионном возникновении донорных и акцепторных уровней на примере образования сульфида свинца переменного состава. Халькогениды свинца интересны тем, что используются в виде тонких пленок в качестве фотосопротивлений, очень чувствительных к инфракрасным лучам. Все три халькогенида имеют структуру типа Na l и являются двусторонними фазами вычитания переменного состава. Бребрик и Сканлон изменяли состав кристаллов сульфида свинца, нагревая их 20 ч до 500° С при разном давлении паров серы, затем быстро охлаждали их до ком- [c.242]

Все известные халькогениды сурьмы и висмута типа Аг В — полупроводники. Получают их из элементарных веществ в эвакуированных кварцевых ампулах. Медленно нагревают до 200° С и выше. Сульфиды можно получать и осаждением из растворов соли очищенным сероводородом. Получающиеся осадки переплавляют или используют для напыления в вакууме. Монокристалы получакэт- методом натягивания или зонной плавки. [c.303]

VIA группы периодической системы сера, селен, теллур, полоний — объединяются п(д общим названием халькогены, В двойных соединениях с металлическими элементами они проявляют степень окисления —2. Название соединений металлов с халькогенами—халько-гениды (сульфиды, селениды, тел1уриды, полониды) селенид цинка ZnSe, или селенистый цинк теллурид кадмия dTe, или теллуристый i адмий. Наибольшее распространение имеют нормальные халькогениды, в которых атомы металла непосредственно соединены лишь с атомами халькогена. [c.8]

Халькогениды Э2Х1 известны для галлия и индия. Энтальпии образования соединений закономерно уменьшаются в направлении от сульфидов к селенидам. Для таллия известен только сульфид который может быть получен сухим [c.342]

Для технеция и рения характерно образование высших халькогенидов общей формулы Э2Х7 . Высшие сульфиды технеция и рения получают действием сероводорода на растворы технециевой и рениевой кислот [c.480]

Галогениды Т. и их твердые р-ры применяют для изготовления линз и др. деталей приборов ИК техники, легирования кристаллов галогенидов щелочных металлов (для сцинтилляц. счетчиков), наполнения газоразрядных ламп зеленого све+а. Халькогениды Т. входят в состав разл. полупроводников, в частности стеклообразных. Сульфид Т. применяют для изготовления фотосопротивлений. Соли (нитрат, карбонат) используют в произ-ве оптич. стекла. Формиат и малонат Т.-компоненты тяжелых жидкостей (жидкость Клеричи), используемых для минералогич. исследований. Сложные оксиды, напр. Т1Ва2СазСи40ц,-высокотемпературные сверхпроводники. [c.492]

Халькогениды рения. Наиболее изучены сульфид рения (УП) Ке З, и дисульфид КеЗа- [c.283]

Смотреть страницы где упоминается термин Сульфиды халькогениды: [c.126] [c.243] [c.49] [c.71] [c.72] [c.122] [c.132] [c.161] [c.241] [c.335] [c.256] [c.274] [c.275] [c.312] [c.321] [c.395] [c.424] [c.492] [c.621] [c.277] [c.300] [c.306] [c.460] [c.515] [c.29]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология