Теллурид цинка

Для соединений А В характерна преимущественная проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как п-, так и р-типа. Теллурид цинка можно получить с большой проводимостью р-типа и с незначительной проводимостью п-типа [17], а остальные халькогениды цинка и кадмия могут быть получены с высокой проводимостью /г-типа и незначительной проводимостью р-типа. И только при легировании в термодинамически неравновесных условиях удалось недавно получить теллурид цинка [18, 19] и сульфид кадмия [20] с высокой проводимостью. [c.36]

Кадмия теллурид — Цинка окись — + [c.785]

Расхождение расчетных и опытных данных на 16% исследователь объясняет тем, что навязанное структурой 2п8 расположение атомов кислорода приводит к растяжению их связи с атомами цинка, к увеличению их длины по сравнению с длиной этих связей в кристалле 2пО и, следовательно, к их ослаблению. Отсюда— сужение энергетической щели между соответствующими уровнями в энергетическом спектре цинк-сульфидного фосфора, обусловленное понижением энергии электронов связи 2п — О в структуре сложного сульфидного соединения цинка. Подобное явление наблюдается и в случае цинк-сульфидных фосфоров, активированных гомологами кислорода — селеном и теллуром. Последние, так же как кислород, образуют химические связи с цинком, которым отвечают определенные локализованные уровни в энергетическом спектре фосфора. Ширина запрещенной зоны в энергетических спектрах кристаллов селенида и теллурида цинка составляет 2,60 и 2,27 эВ соответственно. Отложив эти величины по вертикальной оси от дна зоны проводимости сульфида цинка, исследователь определил, что этим уровням отвечает излучение с длиной волны 480 нм для селена и 548 нм для теллура. Но это на 40 им [c.125]

Почти все халькогениды представляют собой полупроводниковые соединения с проводимостью электронного типа. Для теллурида цинка характерна проводимость дырочного типа, а для теллурида кадмия — как электронная, так и дырочная. В условиях синтеза люминофоров сульфид и селенид цинка имеют очень высокое удельное электросопротивление (Ю Ом см). Лишь при специальных условиях легирования, обеспечивающих внедрение избыточного цинка, удается получить сульфид и селенид цинка с низким удельным электросопротивлением (10 2—10 Ом см). Концентрация носителей тока при этом зависит как от содержания донорных примесей, так и от давления пара цинка. [c.31]

Для халькогенидов цинка и кадмия характерна проводимость только одного типа. Исключением является теллурид кадмия, который получен с высокой проводимостью как n-, так и р-типа. Теллуриду цинка присуща проводимость только р-типа, хотя сообщалось о получении при легировании галлием в неравновесных условиях высокой проводимости л-типа[99, гл. 3—4]. Остальные материалы имеют проводимость только л-типа. [c.151]

Кроме явления самокомпенсации необходимо учитывать и другие факторы, мешающие проявлению электрической активности вводимых примесей. Например, растворимость ряда электрически активных примесей может быть очень низкой. Некоторые акцепторные примеси могут, видимо, перераспределяться между донорными н акцепторными состояниями, как это наблюдалось для серебра в сульфиде кадмия и лития в теллуриде цинка [101]. Отмечалось, что галогены, когорые должны бы проявиться как доноры, оказываются неактивными из-за образования комплексов со случайно присутствующими примесями (например, с натрием, стронцием, железом) [102]. [c.151]

В табл. VI.3 включены данные для селенида и теллурида цинка, которые являются представителями соединений А В . Эти соединения рассматриваются в настоящее время как перспективные основы для светодиодов, излучающих в видимой области спектра прп комнатной температуре. [c.153]

Окись цинка окись цинка в составе сложных катализаторов гидроокись, сульфид, селенид, теллурид цинка [c.1354]

Обсудите типы связей, образующихся при кристаллизации. Включите в ваше обсуждение следующие вещества лед, окись магния, хлористый натрий, алмаз, медь, бензол, графит, карбид кремния, четыреххлористый углерод, окись цинка, теллурид цинка. Какие другие факторы, кроме типа связи, важны в определении кристаллической структуры конкретного вещества [c.49]

Поглощение сульфидов, селенидов и теллуридов цинка и кадмия в дальней инфракрасной области, [c.206]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ 10 6—10- % СВИНЦА, КАДМИЯ И ВИСМУТА В ТЕЛЛУРИДЕ ЦИНКА [c.82]

В кварцевом стаканчике вместимостью 10 мл, предварительно проверенном на чистоту, при медленном нагревании растворяют 0,05 г теллурида цинка в 3 8—9 н. соляной кислоты. Добавляют для полного растворения препарата 2— [c.83]

Для производства фото-, катодо- и электролюминофоров в основном используют сульфиды цинка и кадлшя, а также селенид цинка. Некоторое значение имеют теллуриды цинка и кадмпя, применяемые в небольших количествах для изготовления светодиодов. Сульфиды стронция и кальция пригодны для получения фотолюминофоров с длительным послесвечением. [c.29]

Данные по давлению пара жидкого теллурида цинка в литературе отсутствуют. [c.139]

Давление насыщенного цара (диссоциация). Теллурид кадмия ведет себя при испарении совершенно аналогично теллуриду цинка т. е. испаряется в вакууме конгруэнтно [51 ], процесс испарения носит диссоциативный характер [52, 76, 77] [c.226]

Исходя из указанных соображений, соотношение тетраэдрических радиусов компонентов бинарного соединения можно рассматривать как параметр, определяющий тип проводимости полупроводниковых соединений. Действительно, это соответствует экспериментальным фактам. Для электрически амфотерного соединения теллурида кадмия / ц 7 а=1,12. В ряду окись цинка—теллурид цинка Rк Ra изменяется от 1,98 до 0,99 для селенида цинка / (// а==1,15, [c.37]

Сульфиды щелочноземельных металлов получают сульфированием карбонатов металлов смесью серы и крахмала в присутствии различных солевых смесей или сульфированием окислов сероуглеродом [3, с. 290 4]. Теллурид цинка и кадмия синтезируют в основном методом сплавления компонентов [5, с. 27]. Этим методом можно синтезировать сульфиды и селениды цинка и кадмпя, но это дорого и малопроизводительно [6]. Известен способ получения бинарных соединени из паров компонентов, пригодный для всех халькогенидов элементов II группы [7], но он еще не напхел широкого применения. [c.32]

В теллуридах цинка и кадмия дефектность определяется термической разупорядоченностью в подрешетке металла и наличием в междуузлиях нейтральных атомов теллура. В окислах, сульфидах и селенидах цинка и кадмия разупорядоченность связана с отклонением от стехиометрического состава (избыток металла) и наличием в междуузлиях нейтральных атомов халькогена. Природа дефекта, обусловленного избытком металла, наиболее четко установлена для окиси цинка (междуузельный однократноионизованный цинк). В случае сульфида и селенида кадмия более вероятным дефектом, преобладающим [c.33]

Сульфиды я селениды, а также селениды и теллуриды образуют между собой непрерывные ряды твердых растворов (рис. П.З). Это позволяет получить материалы с разнообразными свойствами. Ограниченная растворимость наблюдается в системах сульфиды — теллуриды цинка и кадмия. В сульфиде цинка растворяется не больше 8—10% ZnTe, а в сульфиде кадмия — до 3,5% dTe. [c.35]

Теллурид цинка [99]. Для изготовления р— -перехода использовали монокристаллы ZnTe р-типа с избытком теллура, а также легированные Li, s, Р. Концентрация носителей тока в р- ZnTe достигала 3-10 8см . Область с проводимостью -типа создавали путем введения комплексов галлий-кислород неравновесным методом резким охлаждением расплавленного слоя ZnTe с примесью окисных соединений галлия. Для этого на поверхность кристалла р-типа наносили коллоидный слой гидроокиси галлия, а пластину устанавливали на хладопровод и нагревали электронно-плазменным лучом, образованным [c.151]

II группы падает с повышением атомного веса металла ВеО < MgO < ZnO < dO < HgO [221] активность сульфида, селенида и теллурида цинка выше, чем ZnO [226] (аналогично активность dS выше dO [245]). Высокую активность проявляет ZnO (иногда ZnS) в реакциях дегидрогидрирования — перераспределения водорода между спиртами и карбонильными [c.1346]

В настоящее время двухкомпонентные соединения класса АцВуг (сульфиды, селениды и теллуриды цинка, кадмия и ртути) находят все большее применение в различных областях науки и техники. Материалы, получаемые из этих соединений (главным образом, из сульфидов и селенидов кадмия и цинка), обладают ценными полупроводниковыми и люминесцентными свойствами и используются в качестве сцинтилляторов, рентген- и -датчиков, применяются для усиления ультразвука и изготовления пьезопреобразователей, а также для получения высококачественных диодов, триодов, фотосопротивлений и многих других целей. [c.404]

Кристаллическая, структура. Теллурид цинка является типичным представителем группы соединений типа структурными модификациями которых являются сфалерит (кубическая) и вюрцит (гексагональная). Первая из них является стабильной. В процессе получения из газовой фазы 2пТе кристаллизуется не только в трехслойной (кубической) или двухслойной (гексагональной) упаковках, но может образовывать также смесь кубических и гексагональных кристаллов. Последние имеют 15-слойную ромбоэдрическую упаковку (типа 15/ ) [38, 39]. Из жидкой фазы 2пТе кристаллизуется по типу сфалерита во всем интервале обычных температур и давлений. [c.12]

Давление насыщенного пара. Поведение ZnTe при возгонке в вакууме было исследовано Корнеевой и др. [51 ] при 700° С. Химический анализ показал, что при возгонке не происходит изменения состава ZnTe. Рентгенографически было подтверждено также сохранение индивидуальности теллурида цинка в возгоне. Однако, согласно масс-спектрометрическим измерениям [52, 53], теллурид цинка испаряется, практически полностью диссоциируя на компоненты в газовой фазе [c.237]

Термическая диссоциация ZnTe (см. также Давление насыщенного пара ). Термическая диссоциация теллурида цинка происходит в газовой фазе по реакции (1). [c.279]

Халькогениды цинка, кадмия и ртути. Халькогениды цинка, и кадмия существуют по крайней мере в виде двух модификаций. Характер полиморфных структур зависит от условий синтеза. В работе [247] приводится краткий обзор работ в этой области, а также описание метастабильной модификации селенида цинка с чередованием двух- и трехслойных участков, соответствующих гексагональной и кубической упаковкам. Приводится также описаиие модификаций теллуридов цинка и кадмия. Полиморфные модификации халькогенидов цинка исследовались в работе [248]. [c.115]

Об отклонении от стехиометрии можно судить, исходя из фазовых диаграмм состояния, которые изучены достаточно подробно только для теллурида кадмия [27, 28] и теллурида цинка [29—32] и в меньшей мере для селенида кадмия [33]. Экспериментальные данные о степени ионизации и глубине уровней различных кристаллических дефектов также недостаточно полны и эти величины можно только оценить, исходя из таких фундаментальных параметров, как размер иона и вакансии, поляризуемость, энергия связи, разность электроотрицательностей компонентов бинарного соединения. Применяя расчеты, выполненные для Р-центров в щелочно-галоидпых кристаллах, Мандель показал [23], что энергия ионизации вакансии увеличивается с объемом вакансии и уменьшается с поляризуемостью соседних атомов, то есть с ростом их размера и, следовательно, энергия ионизации вакансии (глубина уровня, соответствующего вакансии) характеризуется ве- [c.37]

Смотреть страницы где упоминается термин Теллурид цинка: [c.126] [c.80] [c.35] [c.145] [c.157] [c.492] [c.1122] [c.1498] [c.492] [c.50] [c.228] [c.780] [c.110] [c.92] [c.649] [c.12] [c.139] [c.237] [c.279] [c.284] [c.202] [c.38]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология