Инородные атомы

Для поверхностных состояний, образованных инородными атомами и молекулами, положение энергетических уровней зависит от типа их химической связи с поверхностью. [c.182]

Неуглеводородные соединения, которые могут иметь углеродный скелет канедого из упомянутых трех классов с одним или большим числом инородных атомов, таких, как сера, кислород или, возможно, азот. Смолы, которые часто встречаются в высококипящих фракциях и которые недостаточно отчетливо охарактеризованы, относятся преимущественно к этому классу компонентов. Хотя содержание неуглеводородных соединений в тяжелых фракциях может быть очень высоким, достигая 50% от общего количества, рассмотрение этих соединений выходит за рамки данной главы. [c.364]

Содержание чистых углеводородов может доходить до 97—98%, как в нефтях Пенсильвании, или составлять всего 50%, как в некоторых нефтях Мексики или Миссисипи. Даже в том случае, если нефть содержит около 50% неуглеводородных соединений, она тем не менее сохраняет основные свойства углеводородов, потому что почти любая молекула, входящая в состав неуглеводородных соединений нефти, содержит всего один-два инородных атома. [c.11]

Для активности катализатора весьма благоприятными могут быть также и нарущения правильного расположения частиц в поверхностном слое, вызываемые включением некоторых определенных инородных атомов или молекул. Опыт показывает, что введение в катализатор некоторых добавок, которые сами не обладают каталитической активностью, может сильно повысить активность катализатора. Такие добавки называют промоторами. Их действие обусловливается главным образом влиянием на структуру поверхности катализатора. Обычно промотор вводится не в готовый катализатор, а добавляется в соответствующей стадии его изготовления. [c.496]

Состав твердого вещества при прочих равных условиях взаимосвязан с его химическим строением и изменяется с изменением массы (размеров) частиц твердого тела. Состав вещества fiN-rnM. будем характеризовать отношением M/N, равным молярному отношению компонентов min, где N — атомы остова, М — инородные атомы, отличающиеся по своей природе от атомов N. [c.9]

Микродефектами являются всевозможные элементарные возбуждения (см. гл. II), домены (области спонтанной электризации или намагничения), изотопы, инородные атомы, отдельные атомы (или группы), занимающие нерегулярные положения в решетке (вакансии, внедренные атомы, центры окраски, дефекты упаковки, домены , дислокации и т. д.). [c.69]

Все виды искусственного и естественного графита характеризуются наличием различных устойчивых дефектов структуры, отличающих реальную от описанной выще идеализированной структуры и влияющих на многие свойства графитов. Основные типы таких дефектов дефекты упаковки слоев (нарушение последовательности их чередования, так называемое турбостратное состояние), дефекты в связях углеродной решетки (разделение слоев на конечные кристаллиты), краевые и дырочные дефекты, дефекты, вызванные внедрением инородных атомов. [c.8]

Из анализа диаграммы усталости [81] следует, что периоду разрущения, во время которого рвутся межатомные связи, предшествует этап, связанный с накоплением искажений кристаллической решетки, называемой инкубационным. Он характеризуется отсутствием полос скольжения, видимых в оптический микроскоп. При этом пластическая деформация накапливается за счет перемещения зерен по их границам и их взаимного поворота. Эти процессы при малых перенапряжениях способствуют упрочнению периферии зерен вследствие диффузии инородных атомов и скопления дислокаций у их границ. [c.52]

Другой тип точечного дефекта сводится к тому, что дополнительный атом металла занимает такое положение, которое в идеальном кристалле должно оставаться незанятым. Этот дополнительный атом может быть инородным, обычно меньшего размера, чем атомы самого металла в железе это могут быть, например, атомы водорода, углерода, азота или кислорода. Более крупные инородные атомы могут замещать атомы самого металла. Экспериментально установлено, что небольшое количество примесей в металле делает его хрупким. Так, медь, содержащая серу или мышьяк, хрупка, не обладает ковкостью и тягучестью. Одна из причин хрупкости металла, содержащего посторонние атомы, заключается в том, что такие атомы препятствуют перемещению дислокаций по кристаллу как только дислокация достигает атома серы или другого постороннего атома в кристалле меди, перемещение дислокации может быть приостановлено, и, таким образом, скольжение прекращается. [c.508]

Вследствие нарущения равновесных условий роста и захвата примесей при кристаллизации, а также под влиянием разл. рода внеш. воздействий идеальная трехмерно-перио-дич. атомная структура К всегда имеет те или иные нарушения. К ним относят точечные дефекты - вакансии, замещения атомов осн. решетки атомами примесей, внедрение в решетку инородных атомов, дислокации и др. (см. Дефекты в кристаллах). Введение небольшого числа атомов примеси, замещающих атомы осн решетки, используют в технике для придания нужных физ св-в К., как, напр., в случае легирования. [c.540]

Подводя предварительные итоги результатов работ по компьютерному моделированию структурного и химического состояния примесных систем на основе Ш-нитридов, можно заключить, что при легировании кристалла изо- и гетеровалентными примесями может происходить реконструкция состояния дефекта с образованием глубоких примесных ОХ-, АХ-центров. Процесс реконструкции сопровождается изменением зарядового состояния примеси и значительными релаксационными сдвигами инородного атома. Образующаяся в окружении дефектов атомная конфигурация может рассматриваться как фрагмент промежуточной структуры между структурой матрицы и структурой стабильной бинарной фазы, которую образует элемент замещения с координирующими его атомами. [c.59]

Напротив, фактор 7 отражает те изменения в механизме разрыва связей, которые вызываются участием в этом процессе инородных атомов здесь может происходить как усиление концентрации напряжений вследствие уменьшения подвижности дислокаций при адсорбции примеси, так и непосредственное увеличение объема ак- [c.161]

Отметим также, что энергетическое состояние атома на поверхности очень сильно отличается от его энергетического состояния в объеме. Для металлов с г.ц.к. решеткой число ближайших соседей 12. Для поверхностей с индексами (111), (100) и (110) это число уменьшается до девяти, восьми и щести соответственно. В результате атомы на поверхности обладают очень большим сродством к любым инородным атомам или молекулам из-за их стремления использовать свободные связи и восстановить симметрию энергетического поля, которое действовало на них- в объеме кристалла. Очевидно, что эта реакционная способность сильно зависит от кристаллографической ориентировки поверхности. [c.368]

Правильно образованные кристаллы редко обнаруживают каталитическую активность. Повышению активности благоприятствуют, наоборот, различные нарушения в правильности расположения частиц в поверхностном слое, в том числе и нарушения, вызываемые включением некоторых инородных атомов или молекул. [c.340]

Помимо этого, соотношения, в которых присутствзгют инородные элементы (сера, кислород, азот и др.), отражаются на процентном соотношении неуглеводородных компонентов в тяжелых фракциях и приводят к дополнительному усложнению. Допуская для простоты, что нефтяные компоненты содержат не более одного инородного атома, следует считать, что с увеличением среднего молекулярного веса фракций действительное процентное содержание неуглеводородных компонентов. Соответствующее определенному содержанию инородных элементов, растет. В такой большой молекуле присутствие инородного атома не оказывает существенного влияния на химические и (или) физические свойства, определяемые преимущественно углеродным характером молекулы, поэтому изучение состава высших фракций очень усложняется вследствие присутствия неуглеводородных соединений. [c.364]

Непосредственное использование потенциалов взаимодейст-ВИЯ для решения задачи об ослаблении межатомных связей в твердом теле в присутствии инородных атомов в настоящее-время за руднительно. Наиболее реалистическим микромасштабным подходом пока остается разработка таких полуко-личественных схем взаимодействия напряженных связей с молекулами среды, которые можно проверить, варьируя химическую природу жидкой и твердой фаз при прочих равных условиях. Так, в работах [273, 274J сопоставлено действие различных сред (вода, гидразин, формамид и др.) па прочность керамических материалов и показано, что молекулы, облегчающие разрыв силоксановых связей Si—О, должны обладать-изолированной электронной парой и в то же время служить-донором протонов. [c.93]

Пластическое деформирование кристаллических твердьа тел связано с появлением и передвижением в их объеме особых линейных дефектов структуры, подзываемых дислокациями (см. гл. IV, 4). Дислокация отделяет в плоскости скольжения ту часть кристалла, в которой произошло смешение атомов на одно межатомное расстояние, от той части кристалла, где такого смещения еще ае происходило (рис. Х1-31). Перемещение дислокации через весь кристалл приводит к сдвигу в плоскости скольжения на одно межатомное расстояние. Движение дислокаций может тормозиться различными дефектами кристаллической решет -кн инородными атомами, включениями, другими дислокациями, границами блоков монокристаллов, двойниковыми гр 1вицами, границами зерен в полик- [c.404]

Было установлено, что повышение ТТО нефтяных коксов от 1000 до 1600 °С сопровождается увеличением размеров кристаллитов по Ьа и Ьс (с 43 и 15 до 80 и 32 А соответственно) и уменьшением межслоевого расстояния 002 с 3,45 до 3,43 А), т. е. уплотнением структуры и накоплением более прочных межатомных связей. Таким образом, с повышением ТТО следовало бы ожидать снижения реакционной способности нефтяных коксов. Однако при этом происходят более сложные явления, сопровождающиеся изменением не только молекулярной, но и пористой структуры тем в большей степени, чем больше кокс содержит инородных атомов (5, N2, О2 и металлы). Это приводит к сложной зависимости начальной и интегральной химической активности нефтяных коксов от температуры термообработки (рис. 39). Как следует из анализа кривых рис. 39, на характер зависимости показателей реакционной способиости нефтяных коксов от ТТО влияет природа газифицирующего агента. [c.173]

Известно, что кристаллы металлов имеют дефекты. К ним относятся вакансии, т. е. пустые (незанятые атомом) места в узлах кристаллической решетки, а также смещения, обусловл н-Ные сдвигом атома из узла в межузлие. С повышением температуры количество вакансий и смещений увеличивается. Металлы содержат также примеси инородных атомов, вызывающие искажения кристаллической решетки. К наиболее Важным дефектам кристахшической решетки следует отНести дислокации (линейные дефекты, имеющие значительно большую протяженность в одном измерении по отношению к любому другому, перпендикулярному к нему). Они бывают краевыми, винтовыми, смещенными и др. , [c.11]

Рис. 17.11. й—краевая дислокация В металле. Более темные атомы образуют дополнительный ненолный слой атомов б — кристаллическое зерно под напря-д<ё нием в — перемещение дислокации вправо теперь инородные атомы (темные) [c.509]

Существенную роль в энергетических эффектах, определяющих вероятность осуществления иных возможных механизмов растворения, см. (6.3)—(6.8), будет играть эффект кластеризации дефектов — инородных атомов и(или) вакансий и междуузельных ионов. Оценки энергий внедрения Са " , и с учетом кластеризации дефектов (Ej), табл. 6.4, указывают, что магний будет преимущественно внедряться в AI2O3 по механизму самокомпенсации (замещения—внедрения), образуя ассоциат Mg, + 2М д + . Для СаО более вероятен будет процесс замещения Са " АР с одновременным возникновением кислородной вакансии компенсация за счет образования катионного дефекта (Уд,) оказывается менее выгодна. Ион титана будет внедряться с образованием катионной вакансии. [c.136]

Технически чистые металлы всегда загрязнены примесями, а сплавы содержат еще большее количество инородных атомов (атомов легирующих элементов). Поверхность таких металлов и сплавов структурно и термодинамически неоднородна, поэтому в реальных условиях происходит коррозия многокомпонентного металлического материала с неравновесным состояни- [c.52]

В кристалле германия высокой чистоты каждый атом ковалентно связан с четырьмя другими атомами (ромбическая структура), т. е. в чистом кристаллическом германии свободные электроны отсутствует, поскольку все четыре валентных электрона каждого атома оказываются связанными. Для того чтобы сделать кристалл пригодным для электронных целей, в него вносятся небольшие количества инородных атомов, способных заместить некоторые атомы германия в кристаллической решетке. Если в качестве материала примеси использовать пятивалентный элемент, то каждый из его атомов будет иметь по одному несвязанному электрону, кроме тех, которые участвуют в ковалентных связях. Несвязанные электроны легко покидают свои атомы за счет тепловой энергии и затем свободно блуждают по кристаллической решетке. Атомы примеси превращаются в ионы с единичным положительным зарядом. С другой стороны, если в качестве примеси выбрать трехвалентный галлий, индий или золото, то каждому примесному атому будет недоставать по одному электрону. То место, где электрона не хватает, принято называть дыркой. Некоторые из ковалентно связанных электронов, обладая достаточной тепловой энергией, могут разрывать свои связи и замещать свободные. В результате такого процесса дырки будут блуждать от одного атома к другому внутри кристаллической решетки. То есть дырки 1в германии с трехвалентной примесью ведут себя почти аналогично избыточным электронам в германии с пятивалентной примесью. Однако электроны обычно более подвижны, чем дырки. [c.294]

Смотреть страницы где упоминается термин Инородные атомы: [c.182] [c.374] [c.9] [c.134] [c.173] [c.10] [c.339] [c.399] [c.134] [c.134] [c.91] [c.142] [c.143] [c.507] [c.399] [c.142] [c.143] [c.507] [c.99] [c.162] [c.22] [c.75] [c.162] [c.162]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология