Электронный вклад

Гетероциклические соединения делят на предельные, непредельные и ароматические. Ароматические и гетероциклы по своему электронному строению близки к бензолу, что объясняется соответствующим электронным вкладом гетероатома в формирование делокализованного секстета я-электронов. В молекуле пиридина гетероатом азота подает в систему один / -электрон, а орбиталь с неподеленной парой электронов располагается в плоскости цикла. Такая особенность электронного строения пиридина обусловливает его ароматические свойства. [c.423]

Имеется, конечно, большая группа реакций, включающих свободные радикалы или атомы, для которых это не справедливо. Здесь электронные вклады могут быть значительны. См. работу Райса [15]. [c.221]

Путем подстановки статистической суммы (11.74) в формулу Лл = —кТ 1п Qъл найдем электронный вклад в энергию Гельмгольца, а далее —вклад и в другие термодинамические функции. В приближении (П. 75) [c.108]

При изменении частоты внешнего поля в широком диапазоне поляризация диэлектрика для заданной величины Е изменяется. В области низких радиочастот она совпадает со статической поляризацией и включает в общем случае ориентационный, атомный и электронный вклады в микроволновой области спектра ориентационный вклад исчезает, в видимой и ультрафиолетовой областях поляризация является чисто электронной. [c.209]

Из проведенного рассмотрения мы узнаем, что при температурах свыше 12 000° К суммарная теплопроводность практически определяется теплопровод- 9/а/см-сек-град ностью электронов. Вклад ионизационной энергии в теплопроводность из-за большого сечения действия ион -V атом невелик, имеет подчиненное значение в противоположность соответствующей величине диссоциационной энергии. [c.271]

НОГО электрона — вклад отраженных электронов (от освинцованных пластин) в ионизационный ток камеры. [c.61]

Какая доля молекул кислорода диссоциирует на атомы при 4000 К и 1 атм без учета электронных вкладов 02 = 20. [c.544]

В этом уравнении v° и v — частота колебаний в газовой фазе и в растворителе с диэлектрической проницаемостью ег соответственно, С—константа, зависящая от размеров и электрических свойств колеблющегося диполя молекул растворенного вещества. Положенная в основу уравнения (6.8) электростатическая модель предполагает, что частоты колебаний в молекулах растворенного вещества (около 10 с ) влияют только на электронный вклад в поляризацию растворителя. [c.454]

Для каждой группы вклад пропорционален числу электронов. Вклады каждой группы являются аддитивными. [c.69]

Следовательно, по электронному вкладу атом N 2 эквивалентен группе =СН—, если формально представить, что пиридин сформирован путем замены =СН— в бензольном ядре на гетероатом N. Все гетероатомы, которые для формирования ароматического п-секстета в гетероциклах привносят такой же электронный вклад, как гетероатом N в пиридине, называют пиридиновым типом гетероатома. Сами же гетероциклы, по электронному строению близкие к пиридину, относятся к п-дефицитным системам [c.229]

Таким образом, чтобы в пятичленном гетероцикле выполнялось правило Хюккеля, гетероатом должен вносить в л-систему два электрона. Такой тип гетероатома называют пиррольным. Сами же гетероциклы, в которых гетероатом привносит такой же электронный вклад как N в пирроле, называют п-избыточными [c.233]

Понимание природы кристаллического состояния и специфики связей разного типа может дать квантовая теория твердого тела. В задачу этой теории как одна из основных проблем входит изучение электронных состояний системы многих атомов, образующих периодическую решетку (зонная теория твердого тела, некоторые качественные результаты которой были изложены в гл. VIII, 4). Рассмотрение основного электронного состояния системы затрагивает проблему энергии кристаллической решетки (энергии связи), рассмотрение возбужденных состояний с оценкой их вероятностей при различных температурах — проблему электронного вклада в температурную зависимость термодинамических функций. В квантовой теории движения электронов и ядер обычно предполагают квазинезависимыми. В соответствии с этим приближением термодинамические функции будут включать независимые вклады электронную составляющую и составляющую, обусловленную движением ядер, которые образуют решетку ( решеточная составляющая). Вклад электронной составляющей в термодинамические функции металла (именно для металлов эта составляющая может быть наиболее существенна) был оценен ранее (гл. VIII. 5) было найдено, что при обычных температурах вклад электронов в теплоемкость металла очень мал. В настоящей главе мы будем изучать решеточную составляющую. [c.311]

В этом параграфе мы рассмотрим дипольные моменты в некоторых радикалах и соответствующих им молекулах и попытаемся оценить роль неспаренного электрона, вклад его в распределение электронной плотности. [c.137]

Таким образом, становится ясным, как теоретически определить я-электронный вклад в изменение энтальпии и на этом основании перейти к вычислению данных для реакционной серии, а затем — к сопоставлению теоретических и экспериментальных данных. В табл. 16.6 приведены результаты измерений констант равновесия при протонировании различных бензоидных углево дородов во фтористоводородной кислоте вместе с данными теоретических расчетов величин АЯ (энергий локализации А) по методам МОХ и ССП. [c.464]

Принимая предположения, введенные в разд. 16.4, я-электронный вклад в энтальпию для таких реакций можно представить выражением [c.467]

Один из них - появление электронного вклада в теплоемкость у металлов, при низких температурах, согласно теории равного [c.42]

Для конденсированных систем (в отличие от газов) можно не учитывать поступательный вклад в энергию смешения раствор сам по себе неподвижен, а хаотическое движение атомов (диффузия) не существенно. Вращательное движение следует принимать во внимание только для молекулярных жидкостей "строительным материалом металлических растворов являются не молекулы, а атомы, и их вращательное движение можно не учитывать. Добавим, что часто без сомнений пренебрегают и электронным вкладом, что связано с высоким уровнем энергии возбуждения. В большинстве приложений так же поступают с ядерным вкладом (обусловленным существованием спина). И, наконец, наибольший вклад в энергию смещения вносят химическая и колебательная составляющие. [c.397]

В этих выражениях е и 4 заряды реагентов и ej — заряды продуктов реакции i и аг—эффективные радиусы реагентов Afo равно из.менению свободной энергии для всей последовательности реакций (I) — (И1) AS — соответствующий электронный вклад в стандартную энтропию реакции. А5е характеризует любое изменение в выражении электронных состояний, связанное с образованием продуктов реакции. Для конкретных реакций ts.Se, как правило, равно нулю или пренебрежимо мало, и его можно не учитывать. Расстояние г между центрами реагентов в комплексе выбирают таким, чтобы определяемая уравнением (4.73) скорость реакции была максимальной. Оптическая диэлектрическая проницаемость Dop равна квадрату показателя преломления. D — статическая диэлектрическая проницаемость. [c.109]

В металлах, вообще говоря, тепловое расширение определяется как тепловыми возбуждениями решётки (фононами), так и электронными возбуждениями. Электронный вклад в тепловое расширение по порядку величины соответствует вкладу электронной теплоёмкости Се в суммарную теплоёмкость металла. Поскольку в широком интервале температур электронная теплоёмкость значительно меньше решёточной, то в тепловом расширении металлов доминируют тепловые возбуждения решётки. Теплоёмкость Се сравнима по величине с решёточной только при очень низких температурах, ниже примерно 10 К, и здесь электронный вклад в расширение сравнивается по величине с фононным, но оба они становятся очень малыми. [c.69]

Электронный вклад в барьер возникает из-за третьей гармоники плотности перехода [формула (10)1, или из-за третьей гармоники [c.112]

В молекуле бензола на шесть углеродных атомов приходится такое же число я-электронов, а в пирроле это соответствие нарушено, так как секстет я-электронов распределен между пятью атомами в цикле. Г етероатом азота в данном случае по своему электронному вкладу равноценен группе [c.419]

Несимметричный ион бромония также можно яредставить как гибрид трех структур (А, Б и В), изображенных ниже. Из них только в структуре А каждый атом имеет по восемь внешних электронов. Вклад структуры Б, представляющей собой третичный катион, существеннее вклада структуры В, являющейся первичным катионом. Таким образом, реальный катион представляет собой неравноценную смесь структур А, Б и В. [c.344]

Второй вклад — вызванное полем смещение среднего положения электронов относительно ядер молекулы. Этот электронный вклад ОеЕг практически не зависит от температуры и прямо пропорционален напряженности электрического поля. Коэффициент пропорциональности Се называют средней электронной поляризуемостью молекулы. [c.450]

В этой таблице обращает па себя внимание разнообразие формул сплавов для одного и того же структурного типа. Юм-Розерп впервые дал объяснение этим формулам, предположив, что существование определенной структуры обусловлено числом валентных электронов, приходящихся на один атом. Так, если принять обычное число валентных электронов для всех атомов периодической системы (за исключением триад VIH группы), то для формул в первых двух колонках отношение числа электронов к числу атомов п Пд равно 3 2, для формул третьей колонки — 21 13, а для четвертой — 7 4. Элементы триад вписываются в общую схему лин1ь в том случае, если считать их электронный вклад равным пулю, что в - , t сле- [c.485]

Рассчитайте электронный вклад в мольную к. 50Х0риу 0 теплоемкость газообразного NO при Т = 300 К. Разность энергий основного и первого возбужденного электронных состояний равна 120 см , статистические веса электронных состояний = 2, gi - 4. [c.167]

Транспортные свойства стеклообразной системы LI2O-B2O3-BI2O3 изучены в [235]. Три различных серии образцов (1, 2 и 3) охарактеризованы комплексом физико-химических методов. Так же исследованы импеданс и поляризация образцов. Образцы стекол 1 и 2 обнаруживали ионную проводимость, а 3 — частично электронную. Вклад электронной проводимости возрастал при увеличении содержания висмута в сравнении с бором. Наличие двух времен релаксации связывают с присутствием фаз Li-B и Li-Bi. [c.277]

Внутренние валентные углы в пиррольном цикле значительно меньше 120°, поэтому гетероатому в направлении кольцевых связей приходится использовать орбитали, имеющие в большей степени р-ха-рактер. Следовательно, по электронному вкладу гетероатом N 2 в пирроле эквивалентен группе =СН— цикпопентадиенильного аниона, если формально представить, что пиррол сформирован путем замены фуппы =СН— в циклопентадиенильном анионе на гетероатом N. [c.232]

Согласно теоретическим исследованиям [29, 165] относительный (на один электрон) вклад я-электронов сопряженных двойных связей в поляризуемость и в общую энергию дисперсионного взаимодействия таких молекул больше, чем сг-электронов, из-за большей подвижности я-электронов таких связей. Так, вклад я-электронов в среднюю поляризуемость молекулы бензола составляет 40% [29], тогда как доля я-электронов в общем числе валентных электронов молекулы бензола составляет 20%. Следовательно, относительный (на один электрон) вклад я-электронов в среднюю поляризуемость молекулы бензола приблизительно в 3 раза больше, чем о-электронов. Однако число я-электронов в полиенах и ароматических углеводородах по крайней мере в 4 раза меньше числа 0-электронов, что значительно снижает роль я-электронов в общей энергии дисперсионного взаимодействия молекул с сопряженными связями и роль неаддитивности Мдисп-Оцененный теоретически вклад я-электронов в энергию дисперсионного взаимодействия молекул бензола в кристаллической решетке составляет только около 40% от общей энергии дисперсионного взаимодействия [29]. [c.252]

Рис. 13.52. Молекулярные диаграммы молекулы аценафтилена в основнод (5о) и возбужденных (5ь состояниях, полученные методом ОКВ ССП. На рисунке указаны также я-электронные вклады в дипольный момент молекулы и их направление.

А1олекула, поглотившая квант света, может иерейти в возбужденное состояние и либо распасться на радикалы свободные атомы) или ионы, либо отщепить электрон. Вклад каждого из этих процессов зависит от ряда факторов, напр, от энергии излучения, диэлектрич. проницаемости среды, времени жизни молекул в возбужденном состоянии, радикалов и ионов. Обычно в конденсированных системах в конечном итоге образуются свободные радикалы, к-рые и начинают рост цепи. Однако в нек-рых условиях (жесткое УФ-излу-чение, низкие темп-ры, мономеры, активные в процессах ионной полимеризации) Ф. может протекать и по ионному механизму. [c.383]

Впервые на существование электронного конденсатора, как уже было упомянуто выше, указали Френкель и Райс. Но их идеи, с одной стороны, находились в противоречии с представлениями Гельмгольца-Штерна, а с другой — квантовая теория поверхностных явлений в то время только зарождалась и мало что могла дать для понимания свойств электронного конденсатора. Да и колтество факттеских данных, накопленных к тому времени, было еще недостаточно, чтобы на их основе можно было бы сделать надежный выбор в пользу той или иной модели. В результате идеи Френкеля и Райса были надолго и прочно забыты. И только в последние два десятилетия начал возрождаться интерес к электронному вкладу в свойства двойного электртеского слоя. [c.308]

Итак, имеем три уравиепия для нахождения двух констант потенциала Борна — Майера Лехр [—Вг]. Одпако слабым мостом является приближенный характер нахождения вклада электронной составляющей в значения упругих постоянных. Усовершенствованная процедура нахождения потенциала по упругим постоянным, позволяющая устранить неоднозначность, связанную с электронным вкладом, предложена в работе [98]. Параметры потепциала, включающие как ион-ионную, так и электронную составляющие, могут быть также определены из экспериментальных данных по фононным спектрам кристалла [99, 100]. [c.250]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология