Рекомбинация атомов на поверхности

Для обнаружения радикалов и определения их концентрации применяют как прямые методы спектроскопию, метод каталитической рекомбинации атомов на поверхности и другие, так и косвенные, при которых радикал или атом реагируют с образованием устойчивых молекул, концентрация которых и измеряется. [c.145]

Рис. 1.3. Рекомбинация атомов на поверхности

Механизм рекомбинации атомов на поверхностях может быть двояким. Наиболее простой путь — это одновременное столкновение на поверхности двух атомов, что схематически можно записать так [c.87]

Иногда процесс рекомбинации атомов на поверхности твердых тел является типичным гетерогенным процессом. Это проявляется в том, что скорость рекомбинации существенно зависит от химической природы поверхности. Например, наличие мономолекулярного слоя воды на поверхности кварца и стекла значительно затрудняет рекомбинацию атомов водорода и кислорода, галогениды щелочных металлов затрудняют рекомбинацию атомов хлора. На гетерогенность процесса указывает и зависимость скорости рекомбинации атомов от температуры. Понижение температуры поверхности часто способствует рекомбинации (например, рекомбинация атомов водорода с по нижением температуры ускоряется). [c.87]

Если Кц = Кос = Кг, то процесс обмена протекает через следующие стадии 1) адсорбцию, 2) диссоциацию молекул кислорода на атомы, 3) рекомбинацию атомов на поверхности и 4) десорбцию. [c.44]

Если имеется i адсорбированных атомов на единицу площади поверхности, частота скачков каждого атома равна со, то скорость рекомбинации атомов на поверхности [37] составляет [c.314]

Ни один из двух типов реакций обрыва цепей, отмеченных в уже рассмотренном примере изотопного обмена водорода, не является быстрым в том смысле, который следует из приведенных выше соотношений. При рекомбинации атомов на поверхности большую роль играет диффузия к границе раздела фаз. Скорость каталитической реакции на поверхности может стать равной примерно 10 с" в условиях высокого вакуума только при очень малых размерах реактора и соответственно расстояниях, которые нужно пройти частицам, чтобы попасть на стенку при типичной скорости молекул порядка 10 см/с. Поэтому можно сказать, что для быстрых процессов в ударных трубах гетерогенная рекомбинация не имеет существенного значения. [c.114]

Мы не будем больше обсуждать здесь эту проблему отметим только, что хотя в конце концов оказалось необходимым использовать обе теории, все же в настоящее время представляется вероятным, что существенным фактором в электродных реакциях является малая скорость рекомбинации атомов на поверхности металлов. Современные данные, повидимому, подтверждают этот вывод 2. [c.244]

Примеры хемилюминесцентных реакций с участием твердых тел — окисление фосфора и силоксена, рекомбинация атомов на поверхности (т. наз. к а н д о л ю-м и н е с ц е н ц и я). [c.312]

Рекомбинация атомов на поверхностях может происходить по двум механизмам. Наиболее простой механизм — это одновременное столкновение двух атомов на поверхности, которое может быть записано в виде схемы [c.122]

Скорость рекомбинации атомов на поверхности зависит в ряде случаев от природы вещества поверхности. Так, было найдено, что скорость рекомбинации атомов водорода на различных поверхностях убывает в следующем ряду Р1, Р(1, , Ре, Сг, Ag, Си, РЬ. Интересно, что по отношению к водородному перенапряжению металлы располагаются в такой же ряд. Перенапряжение водорода возрастает от Р1 к РЬ. [c.122]

В ряде случаев процесс рекомбинации атомов на поверхности твердых тел является типичным гетерогенным процессом. Это проявляется в том, что скорость рекомбинации сильно зависит от химической природы поверхности. Например, наличие [c.122]

Первой стадией гетерогенного процесса рекомбинации является адсорбция атомов на поверхности твердого тела. Количество адсорбированных на поверхности атомов сильно зависит от природы поверхности и от температуры. На второй стадии атомы, находящиеся в газовой фазе, ударяясь об атомы, адсорбированные на поверхности, и реагируя с ними, образуют молекулы. Последней, третьей, стадией такого процесса является десорбция возникших молекул. Такой гетерогенный процесс рекомбинации атомов на поверхностях можно изобразить следующей схемой [c.123]

Рассмотрим, папример, такой быстрый процесс, как рекомбинация атомов на поверхности твердых тел [c.247]

Таким образом, проведенный анализ кинетики рекомбинации атомов на поверхности твердых тел показал, что все разнообразие кинетических закономерностей для атомов различного сорта и на различных типах поверхностей может быть объяснено на основе общей кинетической схемы (8.9) — (8.12), соответствующей механизму Или—Ридила с учетом возможной адсорбции атомов и молекул на поверхностных центрах одного и того же типа. Исключение может составлять рекомбинация атомов при малых потоках на поверхность (например, в сверхвысоком вакууме), когда не устанавливается стационарная концентрация адсорбированных атомов или она слишком мала. [c.215]

Очевидно, что такое определение сигнала детектора справедливо при условии, что коэффициент аккомодации близок к единице и аккомодация частиц не сопровождается выделением энергии вторичных процессов, как, например, рекомбинация атомов на поверхности детектора. Чувствительность болометра сильно зависит от параметров электрической схемы питания, и оптимальная рабочая точка может быть выбрана подбором напряжения питания и добавочного сопротивления, определяющих полный ток в цепи и падение напряжения на болометре и сопротивлении. Полупроводниковые болометры имеют чувствительность 10 —10 В/Вт и постоянную времени от нескольких микросекунд до миллисекунды. [c.203]

Концентрацию атомов водорода и некоторых других можно измерять методом каталитической рекомбинации. Метод основан на том, что каталитическая рекомбинация атомов на поверхности различных веществ специфична. Так, для атомов водорода катализатором служит ZnO СггОз. Покрывая этим слоем поверхность кварцевого капилляра с термопарой, можно, измерив разогрев поверхности за счет рекомбинации водорода, Еычислить концентрацию его атомов. Температура поверхности может на несколько сотен градусов превышать температуру газа. Этим методом определено, что в пламени водорода с кислородом при давлениях несколько мм рт. ст. концентрация атомарного водорода составляет десятки процентов от всей концентрации его. Концентрация атомов в газе может быть определена также по изменению теплопроводности газа, по изменению давления и т. п. [c.144]

Г —скорость процесса a , д —таунсендовские коэффициенты ионизации, диссоциации /(д, сек — коэффициент скорости диссоциации по прямому пути /Сот, тор сек — коэффициент скорости ступенчатой диссоциации т — характеристическое время процесса T = t/ дu = = //Сд — безразмерное время в долях характеристического времени диссоциации урек, упог — вероятность рекомбинации атома на поверхности и его связывания поверхностью при однократном соударении 1, / — ток, плотность тока разряда Е — напряженность поля в плазме 1 уд=/ — мощность, рассеиваемая в единице объема плазмы е — заряд электрона, N — концентрация молекул, Р — давление, Р Р/Ро — безразмерное [c.3]

Схема реактора, в котором получен карбид [184], приведена на рис. 4.75. Это устройство использовалось и для получения других веществ, в частности нитридо в, карбидов и карбонитридов. Реактор состоит из герметически закрытой реакщюппой камеры 2, в верхней части которой установлен электродуговой плазмотрон 1. Исходные реагенты помещают в тигель 4, изготовленный из тугоплавкого электропроводного материала и помещенный на водоохлаждаемую подставку. Исиареппые в плазме вещества конденсируются на водоохлаждаемом змеевике 5. Для наблюдения за процессом в верхней части реактора имеется смотровое окно 6. Источник питания 3 подключен к тиглю 4, во время поджига он подключается к аноду плазмотрона. Реакционная камера охлаждается водой с помощью навитого на нее змеевика. Так как тигель является одним из электродов (анодом), то на нем выделяется значительное количество тепла за счет бомбардировки его поверхности электронами плазмы. Дополнительное количество тепла выделяется за счет рекомбинации атомов на поверхности, эти явления приводят к значительной интенсификации нагрева реагентов. [c.322]

Определение степени диссоциации в разрядах, идущих при низких давлениях, может быть произведено путем измерения уменьшения давления, вызванного адсорбцией атомов на стенках, или путем измерения концентрации атомов в газе разными методами, как, например, упомянутым вышеР"] методом, основанным на разности скоростей диффузии недиссоциированных молекул и атомов через малые отверстия, или по теплоте рекомбинации атомов на поверхности по изменению теплопроводности газаР ] и, наконец, спектроскопически. О наличии атомов и радикалов можно также судить по различным их специфическим химическим реакциям. [c.30]