Разрушение монокристаллов

Таким образом, теория оказалась в состоянии удовлетворительно объяснить существенные черты явлений построения и разрушения монокристаллов, включая также некоторые детали, которые здесь приходится опустить. Наконец, она оказалась в состоянии объяснить упомянутый ранее факт, заключающийся в том, что правильный рост монокристалла может реализоваться лишь при не слишком высоком пересыщении, С повышением пересыщения работа образования двумерного зародыша уменьшается. По сравнению с разрастанием возникновение нового слоя становится все чаще. Это последовательно приводит к многослойному росту с возрастанием чис.па дефектов, к формированию мозаичного кристалла с возрастающим нарушением его компактности и в итоге — при возможности других ориентаций — к неупорядоченному кристаллическому агрегату, В неидеальных кристаллах порядок в каком-либо одном направлении может сохраняться более длительно, чем в другом — возникает текстура. [c.113]

Проведенное выше обсуждение базируется, таким образом, на двух предпосылках. Согласно первой из них, на растущую поверхность кристалла поочередно осаждаются ленты в виде макромолекул в складчатой конформации. С другой стороны, предполагается, что складчатые участки образуются в результате резкого перегиба цепи, для чего требуется не более пяти углеродных атомов главной цепи макромолекулы. Что касается первой гипотезы, то ее корректность может считаться почти доказанной появлением складок, морщин или раскалыванием монокристаллов в процессе их высушивания [9], наблюдением поверхностей раздела, образующихся при разрушении монокристаллов ультразвуковыми волнами [12], и т. д. Проверка же второй гипотезы представляет собой одну из наиболее серьезных проблем в данной области. [c.177]

Ряс. 45. Силовые зависимости энергии активации разрушения монокристаллов (по данным рис. 44), [c.90]

Несмотря на то, что величина энергии, требуемой для разрушения кусков или зерен материала, на несколько порядков ниже, чем расчетная для разрушения монокристалла, к. п. д. мельниц остается чрезвычайно -низким по сравнению с затратами энергии на разрушение единичного куска или зерна. Вызвано это снижением вероятности попадания под воздействие внешних сил крупных зерен, находящихся в смеси с тонкими, затратой энергии на деформацию частиц, не сопровождаемую их разрушением, и рядом других факторов. [c.297]

Изучение закономерностей хрупкого разрушения монокристаллов цинка с различной исходной ориентацией плоскости [c.158]

Значительная неоднородность кристаллитов по размерам обусловлена, по мнению авторов, несоверщенствами в структуре монокристалла (например, наличием границ между блоками мозаики, раздел 1.4). В то же время морфология микрофибрилл, образующихся при растяжении тех же кристаллов при 293 К соверщенно иная (рис. 111.7,6). Периодический контраст светлопольного изображения отсутствовал. Четкого периодического контраста в темнопольном изображении при использовании [ПО] и [220] мод отражения также не наблюдалось, хотя структура микрофибрилл явно кристаллическая, что подтверждалось данными электронной дифракции (рис. III. 6, а). Авторы [27] полагают, что атермическое при 77 К разрушение монокристаллов на [c.175]

Описанные закономерности хрупкого разрушения монокристаллов цинка при низких температурах полностью воспроизводятся и в том случае, когда переход в хрупкое состояние достигается не понижением температуры, а действием сильно поверхностно-активной среды — ртути, нанесенной в виде тонкой пленки (толщиною —5 мк). Зависимость предельного кристаллографического сдвига о от исходной ориентировки образцов для амальгамированных монокристаллов цинка, растягивавшихся с постоянной скоростью при комнатной температуре, приведена на рис. 83 и в этом случае, так же как и при низкой температуре в отсутствие ртути, величина падает с ростом угла Хо- Разрывные значения нормальных и скалывающих напряжений при растяжении амальгамированных монокристаллов цинка при комнатной температуре для нескольких исходных ориентировок Хо приведены в табл. 28. На рис. 84, б дана зависимость рс, и Тс (для большего числа ориентировок) от конечного значения угла Х1 между плоскостью базиса и осью образца. Табл. 28 и рис. 84, б показывают, что с увеличением угла наклона плоскости базиса к оси образца разрывные значения нормальных напряжений рс для амальгамированных монокристаллов цинка возрастают, а разрывные значения скалывающих напряжений Тс падают,— совершенно так же, как это имело место при низкотемпературном разрушении цинка в отсутствие ртути. Единственное и вместе д тем чрезвычайно существенное отличие состоит в том, что значения рс и То для разрыва амальгамированных монокристаллов в среднем приблизительно в 2—2,5 раза ниже, чем при низкотемпературном разрыве [c.164]

Т. е. в том случае, когда в районе определенной опасной трещины упругая энергия деформационных микронеоднородностей расходуется в основном на создание новой свободной поверхности, а не на пластические сдвиги в близлежащих частях кристалла ( рассасывание локальных деформаций) именно к этому случаю относились описанные выше (гл. IV, 1) разрушения монокристаллов цинка при низких температурах, амальгамированного цинка при комнатной температуре и т. д. [c.258]

Созданию правильного представления о том, как развивается коррозионная трещина, может оказать пользу изучение некоторых фотоснимков, сделанных в лаборатории Робертсона в процессе разрушения монокристаллов магния под действием растягивающих усилий в отсутствие коррозионной [c.625]

Напряжение Р (рис. 97), действующее вдоль оси образца, раскладывается по правилу параллелограмма на две составляющих величины, резко различные по своей роли в процессе деформации и разрушения монокристалла. Напряжение т, действующее в плоскости базиса, вызывает сдвиг одной части монокристалла относительно другой оно называется сдвиговым, или скалывающим (применяются также термины касательное, или тангенциальное, напряжение). Иную роль выполняет составляющая р, направленная перпендикулярно плоскости базиса. Это напряжение стремится не сдвинуть, а оторвать одну часть монокристалла от другой. Напряжениер называют обычно нормальным, или растягивающим. [c.222]

Можно думать, что описанное выше структурное превращение представляет собой более общий случай перестроения моно-кристаллической структуры в фибриллярную (см. также раздел III.4), По-видимому, разрушение монокристаллов при растяжении на отдельные складчатые блоки возможно в условиях очень низких температур растяжения и для полимеров не очень большой молекулярной массы. Усиление межламелярного контакта, свойственное монокристаллам полимеров большой молекулярной массы из-за более грубого рельефа поверхности ламелярных пластин, а также проникновения концов цепей в соседние ламели (см. раздел II. 2), делает более вероятным формирование микрофибрилл за счет полного разрушения структуры исходного монокристалла. С повышением температуры растяжения вероятность перестройки структуры по такому механизму также возрастает. [c.177]

Отражение (200) попользовалось в качестве стандартного, по которому устанавливали остальные показания. Данные снимали в последовательности, определяемой в основном удобством установки углов на гониометре. Такая последовательность сохранена и для экспериментальных и расчетных значений, приведенных в табл. 3. Падение интенсивности во времени происходило в основном вследствие того, что осколки, образующиеся при разрушении монокристалла, смещаются относительно друг друга, и это приводило нарушению однофазности объекта. Указанное смещение неизотроп-ко, поэтому метод нормализации не дает необходимой точности необходимое корректирование достигалось введением дополнительного коэффициента пересчета. [c.304]

Рис. 41. Силовые зависимостн энергии активации разрушения монокристаллов цинка при различных углах между плоскостью базиса и осью нагружения. Температура комнатная [156].

К сказанному следует добавить все же, что при пониженных температурах (например, при температурах ниже 300°С для щелочно-галоидных кристаллов) наблюдаются аномалии температурно-временной зависимости прочности для монокристаллов. В свое время именно эти аномалии и служили поводом для предположений об атермичности процесса разрушения монокристаллов. В работе [102] анализируются эти аномалии на примере изучения кристаллов Na l и высказывается предположение, что они обусловлены особенностями структурных превращений кристаллов при их разрушении в области низких температур, т. е. связаны с изменениями коэффициента у, а не Uo или То. Для обоснования этого предположения требуются, однако, дополнительные доказательства. [c.92]

При деформации кристаллов в местах имеющихся в них дефектов возникают микротрещины и, следовательно, разрушение монокристалла также протекает вдоль фронта трещины. Иззгчение разрушения стеклянных шариков с полированной поверхностью показало, что энергия, необходимая для разрушения, во много раз ниже теоретической и начинается разрушение также с образования микротрещин. Считают, что разрушение происходит уже при ширине трещины, равной двойному предельному расстоянию, на котором проявляется молекулярное притяжение, т. е. величине порядка 10 см [1]. Следовательно, работа, расходуемая на разрушение куска или зерна материала, затрачивается на образование трещин или на разрушение вдоль уже имеющихся трещин. [c.297]

Проведенные опыты показали, что обнаруженные ранее закономерности хрупкого разрушения монокристаллов цинка чистоты 99,99% полностью воспроизводятся и на монокристаллах более тш а-тельной очистки, и на легированных кристаллах, как для неамальгамиро-ванных образцов при температуре жидкого азота, так и для покрытых ртутью образцов при комнатной температуре. В табл. 31 приведены значения величины К = Рс sin" 2 Xi os [c.187]

Вынужденное рассеяние Мандельштама— Бриллюэна в твердых телах. При возбуждении ВРМБ гигантским импульсом рубинового лазера, сфокусированным внутрь монокристалла, ири обычных условиях возникает разрушение образца. Природа разрушения к настоящему времени не вполне выяснена, хотя существуют различные гипотезы [1] и одна из них основную ответствен[юсть за разрушение возлагает на генерацию интенсивных фононов М—Б. Для того чтобы в некоторой степени выяснить роль М—Б фононов в разрушении монокристалла кварца авторы работы [60] предприняли опыты с ВРМБ прн гелиевых температурах, когда длина свободного пробега фононов превосхо- [c.196]

Одыты по раскалываишо кристаллов КИ Вг проводились при температуре 200 К, что позволило добиться хрупкого разрушения монокристаллов NHjBr, вымораживать влагу, мешавшую корректному проведению опыта, л исключить сублимацию KIl4Br. Давление перед измерением было 6" 10 Па, а чувствительность методики к потоку газа составляла 10 мол./(с-мм шкалы). [c.181]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология