Проводимость иодида серебра

Пример 4. При 18° С удельная электрическая проводимость насыщенного раствора иодида серебра равна 4,144-10 См/м, удельная электрическая проводимость предельно чистой воды, перегнанной в вакууме, определенная в этих же условиях, 4-10 См/м. Вычислить концентрацию Agi (кмоль/м ) в насыщенном растворе (растворимость). [c.142]

Иодид серебра может служить примером кристалла с большой-ионной проводимостью, достигающей 2,5 Ом -см при 555 °С, т. е. при температуре на 3° ниже температуры плавления. При температуре плавления электропроводность кристалла выше электропроводности жидкости. [c.307]

Очень высокая ионная проводимость кристалла иодида серебра объясняется особенностями его структуры. Это соединение образует кубические кристаллы с четырьмя иодид-ионами в кристаллической ячейке, занимающими положения, соответствующие плотнейшей упаковке ООО О 72 /2 Уг О /2 /2 /2 О (рис. 2.7). Ионы серебра могут находиться в октаэдрических позициях /2 /2 /2 и т. д., что дает структуру, хлорида натрия (рис. 6.19), в тетраэдрических позициях /4 /4 и т. д. или же на равных расстояниях между двумя соседними иодид-ионами-(координационное число 2 для серебра, как это установлено для иона- [c.307]

Возможно, что в а-модификации и в состояниях, к ней близких, имеет место кольцевая диффузия, т. е. такие групповые перемещения ионов серебра, которые не вносят вклада в электропроводность, но создают перемещение ионов серебра. Это вполне вероятно для а-модификации AgJ, так как энергия активации процессов самодиффузии серебра в ней очень низкая. Превышение 1>изм над >выч в р- и у-модификациях AgJ следует, видимо, искать в нестабильности их решеток. В силу близости энергетических параметров решеток р- и у-модификаций возможны непрерывные переходы из одной модификации в другую, что также может привести к добавочной диффузии по сравнению с диффузией, обусловленной только наличием термических дефектов. Такие скрытые фазовые переходы сопровождаются разрывами и деформациями химических связей с образованием мобильных ионов, участвующих в диффузии и проводимости. Давление способствует этой внутренней диссоциации. Заметим, что сжимаемость свободных продуктов диссоциации (Ag и J) больше сжимаемости иодида серебра. [c.212]

Очень высокая ионная проводимость кристаллов иодида серебра объясняется особенностями его кристаллической структуры. Это соединение образует кубические кристаллы с четырьмя иодид-ионами в кристаллической ячейке, занимающими положения, соответствующие плотнейшей упаковке О О 0 О V2 Va Vg О V2 V2 V2 0. Ионы серебра могут находиться в октаэдрических позициях V2 /г и т. д., что дает структуру хлорида натрия, или в тетраэдрических позициях /4 /4 /4 и т. д., что дает структуру сфалерита, или же в позициях между двумя соседними.иодид-ионами (координационное число 2 для серебра, как это установлено для иона Agi"). В действительности же, как показано дифракцией рентгеновских лучей, ионы серебра распределены между всеми этими позициями. Они передвигаются почти совершенно свободно из одного полёжения в другое. Потенциальный барьер, связанный с таким движением, невелик наблюдаемый температурный коэффициент электропроводности соответствует значению энергии возбуждения Е , равному 5,1 кДж-моль [c.456]

Дальнейшие результаты исследования процессов миграции в иодиде серебра будут описаны в главе ХП1, посвященной изучению электролитической проводимости и диффузии в ионных кристаллах в области высоких давлений. [c.120]

Хотя проблема электрообработки систем с жидкой дисперсионной средой в литературе еще не обобщена, некоторым ее составляющим посвящены отдельные обзоры, к которым прежде всего относится работа [10]. В ней отражены результаты исследований в области структурообразования дисперсий, в основном, с неполярными средами в электрических полях. В этом исследовании также описаны результаты работ С. С. Воюцкого, В. А. Каргина, П. А. Ребиндера по структурообразованию в суспензиях саж и графита в жидких диэлектриках. Сообщается и о работах Г. Кройта, Л. Г. Гиндина, И. И. Путиловой и других авторов, обнаруживших значительное увеличение проводимости мостиков из частиц золота, платины, серебра, меди, иодида серебра, пятиокиси ванадия и парафина, которые образуются при воздействии на дисперсии этих веществ переменным электрическим полем. [c.14]

Иодид серебра также является полупроводником, но это в основном обусловлено мобильностью его структуры. Обычно эта соль имеет структуру цинковой обманки (y-Ag l) или структуру вюртцита (p-Ag i), однако при температуре 146 °С иодид-ионы образуют кристаллическую решетку с объемноцентрированной кубической упаковкой, а в пустотах этой решетки находятся ионы серебра в виде подвижной жидкости. Проводимость иодида серебра возрастает в 4000 раз при изменении температуры от 143 до 146 °С. [c.156]

Применение брома, иода и их соединений. Бром применяется для получения бромидов, красителей, фармацевтических препаратов. Иод используется для осуществления транспортных реакций с целью получения веществ высокой степени чистоты. Наиболее распространено иодидное рафинирование титана, циркония и других тугоплавких металлов. Кроме того, иод — катализатор в органическом синтезе и антисептик в медицине. Бромид бора используется для легирования полупроводниковых материалов для придания им р-проводимости. Бромид серебра — основной компонент светочувствительного слоя фотобумаги, кино- и фотопленки. Иодид серебра — компонент иодобромосеребряных фотобумаг, материал для влектрохимических преобразователей, твердых электролитов. " [c.371]

Если мембрана изготовлена из механической смеси Ag2S и Ag l (AgBr, Agi), то электроды на основе таких композиций можно использовать для определения галогенид-ионов. Хотя хлорид, бромид и иодид серебра являются соединениями с ионной проводимостью, в которых перенос заряда осуществляется ионами Ag, при комнатной температуре они имеют довольно высокое сопротивление, а также значительный фотоэлектрический потенциал. Поэтому такие электроды можно использовать только в условиях постоянного освещения, что создает определенные трудности. Указанные недостатки галогенидов серебра устраняются при изготовлении мембран из сульфида серебра, в котором диспергированы тонко измельченные соответствующие галогениды. Поскольку последние имеют более высокую растворимость, чем сульфиды, то сульфид серебра можно рассматривать как химически инертную матрицу с [c.196]

На самом деле устойчивость ионностабилизированной дисперсии определяется величиной полного скачка потенциала по сечению диффузной части двойного слоя, т. е. штерновским потенциалом. В то же время прямых методов определения -потенциала не существует. В большинстве работ его приравнивали значению -потенциала, предполагая, что граница скольжения совпадает с границей штерновского слоя. Однако это предположение во многих случаях неоправданно. Развитая Духиным, Дерягиным и Шиловым [5] теория неравновесных электроповерхностных явлений предлагает метод определения г згПотен-циала rio данным поверхностной проводимости или низкочастотной диэлектрической проницаемости дисперсных систем — параметров, чувствительных к концентрации ионов во всей диффузной части ДЭС, независимо от наличия или отсутствия на поверхности слоя жидкости с пониженной гидродинамической подвижностью. Это связано с тем, что подвижность ионов в таком слое близка к таковой в объеме раствора [7]. Ликлема вычислял г ) -потенциал частиц иодида серебра по формулам теории ДЛФО, исходя из опытных значений порога быстрой коагуляции (см. ниже). [c.13]

Гетерогенные мембранные электроды. Были разработаны анионсе-лективные электроды, в которых нерастворимый осадок, содержащий определяемый ион, заключен в инертный твердый связующий материал. Например, чтобы приготовить электрод для определения иодид-иона, полимеризуют мономерную силиконовую резину в присутствии равной массы иодида серебра. Силиконовая резина образует гибкую гетерогенную мембрану, которая не трескается и не набухает чтобы мембрана обладала ионной проводимостью, отдельные частички осадка должны соприкасаться друг с другом. После затвердевания смеси силиконовой резины с осадком ее режут на диски толщиной приблизительно 0,5 мм. Каждый диск приклеивают к донышку стеклянной трубки, затем в нее помещают раствор иодида калия и серебряную проволоку. Подобные гетерогенные электроды были изготовлены из хлорида, бромида и иодида серебра свойства этих электродов приведены в табл. 11-4. [c.388]

Простейший пример структурно-разупорядоченного кристалла представляет а-модификация иодида серебра, существующая при температурах выше 146 °С. В структуре а-А 1 ионы иода образуют объемно-центрированную кубическую подрешетку. Между ними находится большое число кристаллографических пустот, имеющих сравнимые размеры на каждый ион серебра приходится 3 позиции, находящихся между 2 анионами (двукратная координация), 6 позиций с четырехкратной координацией и 12 позиций с трехкратной. Как показывают вычисления, энергии ионов серебра в разных позициях различаются незначительно, на величины кТ, поэтому катионы статистически распределены по всем этим позициям, образуя некоторое подобие катионной жидкости, в которую погружена жесткая анионная подрешетка. Разумеется, такое представление слишком упрощено в отличие от электронов в металлах катионы в ионных кристаллах не являются свободными частицами, и их перескоки из одной позиции в другую требуют некоторой энергии активации. Однако разрешенные позиции в a-AgI настолько тесно прилегают друг к другу, что образуют своеобразные кристаллографические туннели, по которым катионы могут двигаться с минимальными затруднениями. Это обеспечивает очень высокую ионную проводимость а-А 1 по ионам серебра, при температуре фазового превращения почти на 4 порядка превышающую проводимость низкопроводящей р-модификации и сравнимую с проводимостью ионных расплавов или растворов электролитов. Особенности структуры a-AgI обусловливают и другое его важное свойство как твердого электролита — униполярный характер проводимости, в которой участвуют практически только ионы серебра. [c.52]

Введение. Опыты описанные в настоящем сообщении, были предприняты с целью выяснения механизма образования нитей серебра, которые появляются на катоде и растут в направлении анода во время измерения ионной проводимости хлорида и бромида серебра. Эти нити наблюдались многими экспериментаторами, среди которых можно назвать Тубандта и Лоренца [1] и Тубандта и Эггерта [2]. Описание этого явления указанными авторами, а также тот факт, что подобные нити не образуются в а-иодиде серебра, побудили автора [3] высказать предположение, что образование нитей в хлориде и бромиде серебра может служить доказательством существования дефектов по Шоттки в этих ионных кристаллах. Образование нитей серебра внутри кристалла легко можно объяснить присутствием в решетке подвижных пустых анионных узлов, диффундирующих к катоду и получающих от него электроны такой механизм обеспечил бы необходимое свободное пространство для роста серебряных нитей в толще кристалла. Образование подобных нитей трудно было бы объяснить, исходя из существования только дефектов по Френкелю в настоящее время нельзя предложить никакого механизма, который мог бы обеспечить необходимое свободное пространство для выделения серебра. Повидимому, именно такой случай имеет место в а-иодиде серебра, в котором ионная проводимость обусловлена только дефектами по Френкелю. [c.92]

Проводимость ионных кристаллов в общем незначительна. При этом электрический ток в них может передаваться перемещением и ионов, и электронов, но полупроводниковые свойства связаны только с электронной проводимостью. Абсолютная величина ионной и электронной проводимости и соотношение между ними могут существенно изменяться в зависимости от вещества, его кристаллической модификации и от температуры. Так, у низкотемпературной формы сульфида серебра p-AgjS с повышением температуры доля электронной проводимости растет, достигая 20% к точке перехода в a-Ag2S, которое обладает уже чисто электронной проводимостью. В иодиде меди ul, наоборот, низкотемпературная форма Y uI при невысоких температурах обладает электронной проводимостью, к которой, начиная с 250 С, присоединяется и ионная, причем выше 400 °С проводимость приобретает практически полностью ионный характер и тот же характер проводимости сохраняется в высокотемпературных модификациях P- ul и a- uI. [c.144]

По виду кривой зависимости X от с, полученной из результатов измерения проводимости нитратов и иодидов натрия, серебра и тетра-н. бутиламмония в безводном этилендиамине, Хиббард и Шмидт [128] сделали заключение, что все эти соли в данном растворителе являются слабыми электролитами. Значение уменьшается от 72,8 для AgJ до 57,8 для Bu4NJ. [c.21]