Структурных кристалла, дефекты рода

При рассмотрении неупругости кристаллов обычно учитывают следующие механизмы внутреннее трение, обусловленное точечными дефектами (в том числе структурными примесями) релаксация по границам зерен и неоднородностей внутреннее трение, связанное с дислокациями релаксационные потери, связанные с диффузией междуузельных атомов и вакансий. Все эти механизмы приводят к различного рода релаксационным явлениям в кристаллических материалах, которые могут быть охарактеризованы их релаксационным спектром, т. е. совокупностью времени релаксаций Ет,. Таким образом, если релаксация явления [c.139]

Что касается строения активных центров, то Тейлор первоначально считал, что роль их играют валентно ненасыщенные места решетки — структурные пики, названные впоследствии пиками Тейлора . Дефекты подобного рода в теории твердого тела относят к биографическим и при тепловом равновесии кристаллов их доля должна быть исчезающе мала. Поэтому из общих соображений можно ожидать, что роль подобных структур в катализе окажется незначительной. [c.83]

Частицы, хемосорбированные на поверхности кристалла, являются-некими структурными дефектами, нарушающими строго-периодическое-строение поверхности. Их можно представить как особого рода примеси , внедренные в поверхность кристалла. Такие представления впервые были развиты нами в 1948 г. [1] и в настоящее время весьма распростра-нены в теоретических работах по адсорбции. При такой трактовке хемо-сорбированная частица и решетка адсорбента выступают в виде единой квантово-механической системы, причем автоматически обеспечивается участие хемосорбированных частиц в электронном хозяйстве решетки. [c.21]

В кристаллических ионитах одни и те же функциональные группы могут находиться на разных гранях, ребрах и углах кристаллов, а также в различных полостях или в различных местах полостей кристалла, как, например, в случае цеолитов. Реальные кристаллы имеют многочисленные дефекты строения как структурные, так и механические (разломы, царапины, трещины), обусловливающие возникновение более и менее активных групп одной и той же химической природы. Такого рода неоднородность функциональных групп, в отличие от химической, можно назвать энергетической. [c.109]

Углерод — один из немногочисленных элементов без роду, без племени . История общения человека с этим веществом уходит во времена доисторические. Имя первооткрывателя углерода неизвестно, неизвестно и то, какая из форм элементарного углерода — алмаз или графит — была открыта раньше. И то и другое случилось слишком давно. Определенно утверждать можно лишь одно до алмаза и до графита было открыто вещество, которое еще несколько десятилетий назад считали третьей, аморфной формой элементарного углерода — уголь. Но в действительности уголь, даже древесный, это не чистый углерод. В нем есть и водород, и кислород, и следы других элементов. Правда, их можно удалить, но и тогда углерод угля не станет самостоятельной модификацией элементарного углерода. Это было установлено лишь во второй четверти нашего века. Структурный анализ показал, что аморфный углерод — это по существу тот же графит. А значит, никакой он не аморфный, а кристаллический только кристаллы его очень мелкие и больше в них дефектов. После этого стали считать, что углерод на земле существует в двух элементарных формах — в виде графита и алмаза. [c.88]

В работе [525], носящей в большой степени обзорный характер, вопрос о ступенчатой рекомбинации радикалов обсужден наиболее полно. На основании имеющихся в литературе данных и своих результатов по гибели свободных радикалов в облученных органических кристаллах автор пришёл к выводу о том, что значительная часть радикалов при действии излучения образуется и стабилизируется вблизи различного рода нарушений кристаллической структуры. Следует отметить, что прямые исследования структуры органических кристаллов и ее связи с кинетикой гибели стабилизирующихся радикалов в литературе до работ [221, 248, 250, 525— 529] практически отсутствовали. Обратимся непосредственно к данным работы [525], которые экспериментально подтверждают высказывавшееся до этого в работах 505, 530—533] предположение о том, что гибель стабилизированных радикалов связана с различной молекулярной подвижностью в области структурных дефектов кристаллической матрицы. О степени молекулярной под- [c.164]

Хемосорбированные на поверхности кристалла частицы трактуются как особого рода структурные дефекты, представляющие собой локальные нарушения в строго периодической структуре поверхности. При такой трактовке, проведенной впервые Ф. Ф. Волькенштейном в 1948 г. [259] и по существу общепринятой в настоящее время, хемо-сорбированная частица и решетка адсорбента выступают в виде единой квантовомеханической системы. За хемосорбированными частицами обеспечивается роль центров локализации для свободных электронов или дырок кристаллической решетки. Хемосорбированные частицы выступают как акцепторы или доноры электронов. В общем случае одна и та же хемосорбированная частица на одном и том же адсорбенте может быть одновременно и акцептором и донором примеры подобных акцепторно-донорных дефектов хорошо известны в теории твердого тела. [c.124]

Этот процесс возникновения вариантов структурной формы связан с образованием разного рода так называемых дефектов , которые в действительности должны рассматриваться как неотъемлемая особенность реального кристалла. [c.220]

Характер распределения примесей в объеме выращенного монокристалла определяется, с одной стороны, особенностями процесса кристаллизации (сегрегация примеси по длине и в поперечном сечении монокристалла, слоистое распределение, проявление эффекта грани , образование примесных субструктур и включений), а с другой стороны,— процессами, происходящими в самом кристалле при охлаждении от температуры плавления (распад пересыщенных твердых растворов, взаимодействие примесных атомов со структурными дефектами, а также между собой и с атомами основного вещества с образованием различного рода ассоциаций и т. д.). Определяющими факторами возникновения того или иного вида примесной неоднородно- [c.94]

Поскольку важнейшие св-ва монокристаллов и поликристаллич. материалов являются структурно-чувствительными, т. е. определяются наличием определенного рода Д., разработаны методы, позволяющие получать как монокристаллы с миним. концентрацией Д., так и материалы с заданным типом и концентрацией Д. Необходимый уровень концентрации точечных Д. в кристаллах можно обеспечить, кроме допирования, обработкой их в атмосфере, содержащей собственные атомы структуры при фиксированном парциальном давлении паров, изменением условий кристаллизации, путем пластич. деформации или, наоборот, отжигом. Облучение, воздействие электрич. или магнитным полем, хим. обработка кристалла также м. б. использованы в качестве способов получения дефектов. Можно устранить образование нежелательных Д., намеренно создавая в кристалле безвредные с точки зрения техн. св-в Д. Напр., прозрачную керамику на основе Zr02 удалось получить, легируя последний УзО, и создавая тем самым структуру с высокой концентрацией Д,, являющуюся энергетически более выгодной, чем структура с внутр. порами, межкри-сталлитными границами и дислокациями. [c.31]

Как правило, упорядоченная структура вещества не имеет бесконечной протяженности монокристаллы встречаются реже по-ликристалличесних структур. В связи с этим размер кристалла считается важным структурным параметром. Кроме того, кристаллическое состояние не является идеальным, так как обычно в веществе имеются дефекты решетки, влияющие на его свойства. Дефекты решетки могут возникать из-за колебаний частиц в ней под действием тепловой энергии. Эти дефекты, называемые дефектами первого рода [14], не нарушают дальний координационный порядок решетки, в то время как дефекты второго рода нарушают его в значительной степени. Хоземан и Багчи [15] показали, что для описания этих дефектов полезно применять представление о па-ракристаллических искажениях. Согласно этому понятию, можно определить размер Ь кристалла, тип и степень деформации решетки в данном направлении путем анализа интегральной ширины бР-рефлексов, отнесенных к определенному направлепию, как функции порядка рефлекса к. Дефекты первого рода не приводят к зависимости ширины рефленса от порядка Н, тогда как в присутствии дефектов второго рода ширина увеличивается с возрастанием Л. В соответствии с представлением о паракристаллических искажениях интегральную ширину рефлекса можно выразить через размер Ь кристалла и относительную флуктуацию среднего размера решетки I по уравнению [c.21]

Ряд Boii TB Т. т. не зависит илп в очень слабой степени завпсит от наличии дефектов структуры. Такие Boii Tna Т. т. наз. структурно-нечувствительными. К ним относятся упругие, оптические, тепловые и электрич. свойства. Другие свойства Т. т., т. наз. структурно-чувствительные, существенно зависят от характера, числа и распределения дефектов. К этим свойствам относятся пластичность, прочность, химич. активность, кинетика разного рода диффузионных процессов в Т. т. (см. Дефекты структуры. Дислокации в кристаллах и Механические свойства материалов). [c.22]

Как правило, в кристаллах всегда наблюдаются структурные дефекты, несовершенная ориентация, повороты одних элементарных областей относительно других, так называемая мозаичная структура (стр. 90 и рис. 233), не говоря уже о том, что даже при тщательном выращивании кристаллов очень трудно избежать появления включений и других негомогенностей. Такого рода нарушения заметно влияют на многие физические свойства кристаллов, как теплопроводность и электропроводность, на все виды диффузии, способность к обмену местами, многие явления изменения окраски, фотоэлектрические свойства, отчасти и на ферромагнетизм, а также на механическую прочность все перечисленные свойства чзтстви-тельны к нарушениям. Указанные выше механические напряжения, [c.289]

Различают два вида дефектов кристалла точечные (по нашей терминологии, дефекты 1-го рода), охватывающие один-два структурных узла или междуузлия в элементарной ячейке, и протяженные (по нашей терминологии, дефекты 2-го рода) — дислокации, трещины, мйкрокаверны. Особо следует рассматривать поверхностные дефекты (см. [1], [7], [8], [13]). [c.102]

Различают два вида перекристаллизации — оствальдовскую и структурную [23]. Все, сказанноэ выше, относится к первой из них. Что же касается структурной перекристаллизации, то она связана с несовершенством поверхности частиц твердой фазы, наличием на ней различного рода дефектов. Структурная перекристаллизация приводит к перераспределению вещества по массе отдельных кристаллов. Этот тип перекристаллизации обусловлен стремлением частиц перейти в энергетически более выгодное состояние. [c.96]

Для предвидения каталитического действия очень существенна правильная оценка роли химического состава и структурных нарушений кристаллов катализатора. Одно врелГя очень больдгое значение придавалось особым каталитическим свойствам атомов, расположенных в углах или на ребрах кристаллов катализатора и вблизи всякого рода структурных дефектов. Около 20 лет назад в лаборатории докладчика были начаты систематические исследования активности металлических и окисных катализаторов, отнесенной к единице поверхности и названной нами удельной каталитической активностью, при щирокой вариации дисперсности и температур предварительной обработки катализаторов. При этих исследованиях было исключено влияние диффузионных торможений и использованы надежные методы определения поверхности активного компонента катализатора. [c.439]

Таким образом, обработка в взмельчительных аппаратах является не только способом получения веществ в мелкодисперсном состояний, но и способом генерации различного рода структурных дефектов в объеме и активных состояний на поверхности кристалла, повышающих реакционную способность твердыж тел. [c.26]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология