Переходы в двухуровневой системе

Как для представленной на рис. 1.1 двухуровневой системы при спине 1= 2, так и для более сложных систем, когда />7г, правило отбора для разрешенных переходов Д/п/= 1. [c.11]

Рис. 8.2.13. Схема переходов в двухуровневой системе

Переходы в двухуровневой системе нри наличии диссипативных процессов [c.382]

В двухуровневой системе на твердом теле получить инверсное состояние уровней невозможно, так как, согласно статистике Эйнштейна, вероятность перехода атома под влиянием излучения с верхнего уровня на нижний равна вероятности перехода атома с нижнего уровня на верхний, т. е. как бы мы ни увеличивали энергию внешнего электромагнитного поля, населенность возбужденного уровня не может превысить населенности основного уровня, а может лишь с ней сравняться. [c.433]

Рассмотрим вначале поглощение и излучение линий атомов в самом общем виде на примере простей-щей двухуровневой системы, используя метод, развитый Эйнштейном при выводе формулы Планка (рис. 1.4). Согласно этому методу, вероятность перехода атома из состояния с энергией 1 в состояние с [c.26]

Переходы в двухуровневой системе 375 [c.375]

Широко известные соотношения Пиментела для интерпретации сдвигов электронных полос при образовании ВС получены с использованием двухуровневой схемы для свободных молекул в конденсированной среде, что нельзя считать правильным, так как в общем случае любая конденсированная система описывается четырехуровневой схемой [13, 301. Другой и, видимо, наиболее существенный недостаток работы [29] состоит в том, что переходы, соответствующие в действительности чисто электронным (О—0-вибронным) полосам поглощения и флуоресценции, Дж. Пиментел неправильно отождествил с глобальными максимумами полос, что внесло путаницу в интерпретацию результатов, полученных позднее рядом авторов (см., например, [31]). [c.46]

Рассмотрим теперь другой подход. Он также будет двухуровневым и основывается на принципе закрепления. Пусть опять закреплены переменные (VI,55), (VI,56), (VI,73), (VI,74). Проведем синтез подсистемы (первый уровень). На второй уровень вынесем задачу оптимизации всей системы S. При этом в подсистеме будут оптимизироваться только технологические параметры —длины, диаметры и число трубок, расходы пара в нагревателе и охлаждающей воды в холодильнике, а в подсистеме 5i — все варьируемые параметры. После решения этой задачи получим новые значения переменных (VI, 55), (VI, 56), (VI, 73), (VI, 74) на входе и выходе ТС (подсистемы S ) и можно опять переходить к первому уровню — решению задачи синтеза ТС, и т. д. (рис. 45). Преимущество этого подхода перед предыдущим состоит в том, что критерий оптимизации в данном случае является достаточно гладкой функцией, для минимизации которой можно использовать квазиньютоновские методы 1-го порядка. Легко видеть, что описанная двухуровневая процедура применима с небольшими изменениями и в случае, когда Sa—произвольная подсистема. [c.226]

Заметим, что соотношения (8.6) получены с использованием двухуровневой схемы для конденсированной системы как при наличии, так и в отсутствие водородной связи. Действительно, из рис. 8.5 видно, что в рассматриваемом приближении частота чисто электронного перехода одинакова для поглощения и испускания и равна при наличии водородной связи Уе, а в отсутствие водородной связи V ( ->оо). В общем случае для любой конденсированной системы частоты чисто электронного перехода в поглощении (V ) и испускании (vp различаются между собой, даже если они совпадали в газовой фазе (см. рис. 1.9). [c.228]

Дальнейшее упрощение задачи заключается в том, что бесконечная система (2.17) заменяется конечной. Аргументируют это тем, что переходы существенны только в конечное число состояний. Например, в том случае, когда ограничиваются исследованием переходов между двумя состояниями, а все остальные переходы считаются маловероятными, то такое приближение называют двухуровневым, или приближением двух состояний. В этом случае система (2.17) имеет вид [c.43]

Если условие резонанса выполняется, например, для перехода О—1 одной определенной моды с невозбужденными другими нормальными колебаниями, то уже для перехода 1—2 (или для перехода О—1 той же моды, но при другой суммарной колебательной энергии молекулы в начальном состоянии) расстройка резонанса вследствие ангармонизма колебаний весьма существенна. Если бы поглощение света происходило только за счет переходов О—1 при невозбужденных остальных осцилляторах, то суммарный процесс поглощения осуществлялся бы путем нагревания двухуровневой подсистемы О—1 с последующей передачей энергии от этой подсистемы в остальную, более холодную часть системы при столкновениях. Столкновения при этом явились бы необходимым звеном всего процесса перераспределения энергии. [c.154]

Искомое радиационное поле определяется амплитудой вероятности Ils, где первый индекс относится к атому-эмиттеру, второй — к атому-абсорбенту (система двухуровневая с переходом 2 1) и третий — к s-той стоячей волне. Пусть совокупность абсорбента образует сферический слой, в центре которого находится единственный эмиттер. Тогда производную по времени ans можно представить в виде [c.301]

Для возбуждения переходов на образец, помещенный в постоянное однородное магнитное поле, необходимо воздействовать переменным магнитным полем Bv = B°v os(2лv/- -6), сравнимым по энергии с зеемановских уровней системы. Резонансное поглощение электромагнитного излучения происходит при условии, что вектор осциллирующего магнитного поля перпендикулярен направлению постоянного магнитного поля 8,-1 В и для рассматриваемой двухуровневой системы удовлетворяется равенство [c.11]

Рис. 8.2.21. Зависимости эффективности фотоионизации оптически тонкого слоя от средней за импульс скорости переходов Wi), измеренной в единицах 1/То (То = 30 не), для различных схем после оптимизации, состоящей в том, что скорости возбуждающих переходов взяты в пять раз больше, чем на ионизирующем, ( н — насыщение двухуровневой системы, 1 — одноступенчатая схема, 2 — двухступенчатая, 3 — трёхступенчатая, ЗМ — трёхступенчатая с возбуждением из нижнего метастабильного состояния, 4 — четырёхступенчатая схема)

Такую восприимчивость будут давать Ni молекул в нижнем состоянии двухуровневой системы с магнитодипольным моментом перехода [c.50]

В отсутствие столкновительной дезактивации (рис. 4.12). При увеличении плотности энергии лазерного импульса выше порога наблюдается люминесценция и химические превращения. Квантовая эффективность резко возрастает пропорционально п-ой степени плотности энергии (на начальном участке п З). Величину плотности энергии, где квантовая эффективность ниже экспериментального предела обнаружения продуктов, и называют порогом. При ступенчатом многофотонном поглощении лазерного ИК-излучения многоатомными молекулами не наблюдается существенного снижения коэффициента поглощения с ростом энергии возбуждения, в отличие от двухуровневой системы или ангармонического осциллятора, для которых характерно наличие эффекта насыщения. Такое поведение многоатомных молекул свидетельствует о постепенном возбуждении все более высоких колебательных уровней. Вследствие взаимодействия различных типов колебаний молекулы между собой образуется квазиконтинуум высших колебательных уровней молекулы и не наблюдается снижения поглощения из-за изменения резонансной частоты для переходов между верхними уровнями, типичного для простых молекул. Ангармоничность может также компенсироваться за счет вращательной энергии. Постепенно молекула набирает энергию, превышающую порог ее диссоциации. Эта энергия фактически распределена по многим степеням свободы молекулы, поскольку в квазиконтинууме участвуют многие составные колебания. Для диссоциации необходимо, чтобы эта энергия сконцентрировалась на одной связи. При этом константа скорости диссоциации должна превышать обратную величину длительности лазерного импульса (т. е. быть больше [c.228]

Метод получения возбужденных атомов Na (З Рз/г) с временем жизни 16,6 не оптической накачкой пучка Na(25i/2) описан в работе [159]. В этом методе переходы =2)- Р /2 (Р = 3) рассматриваются как простая двухуровневая система, возвращение в исходное состояние в которой происходит самопроизвольно. Это означает, что достичь максимально возможной плотности возбужденных состояний можно только накачкой тех уровней, которые спонтанно дезактивируются на те уровни сверхтонкой структуры (Р), с которых они были возбуждены. Такими уровнями, входящими в закрытый цикл накачки, являются состояния Р = 2 основного состояния 3 51/2 и f = 3 возбужденного состояния З Рз,2- Для достижения максимальной эффективности возбуждения необходимо иметь ширину полосы возбуждающего излучения меньше, чем 60 мГц, для разделения уровней сверхтонкой структуры P iF = 2) и Рз/2(Р=3). Кроме того, угловая расходимость пучка Na вдоль направления лазерного пучка вызывает допплеровский сдвиг, значительно больший, чем 60 мГц и тогда часть излучения будет затрачиваться на возбуждение состояния Р ,2 Р = Ъ). Это приводит к необходимости организации взаимного перпендикулярного пересечения лазерного пучка с пучком атомов. Однако и в этом случае возможна потеря части излучения на возбуждение с уровня 3 51/2 ( =1) основного состояния. Эти особенности получения атомов Na(32Pi/2) учтены в работе [160], где [c.178]

Следовательно, оптимальной по быстродействию при отсутствии ограничений на число уровней является структура в виде бинарного дерева, и это хорошо согласуется с результатами, известными из теорш алгоритмов и баз даншк. Однако, характер зависимости С от / показывает, что самый большой выигрыш дает переход от одноуровневой к двухуровневой структуре, переход к трехуровневой структуре сопровождается гораздо меньшим эффектом, а дальнейшее наращивание числа уровней очень слабо улучшает значение критерия. Кроме того, в действительности при увеличении числа уровней в системе возрастают затраты на передачу информации между уровнями, которые вместе с друхими факторами снижают оперативность иерархической системы. Поэтому весьма вероятно, что в реальной системе зависимость О от / имеет минимум в области значений от двух до четырех, в зависимости от обпхей размерности системы. [c.95]

При стационарном эффекте Джозефсона разность потенциалов на переходе равна нулю и пары туннелируют без изменения энергии из одного сверхпроводника в другой Если же на переходе появляется разность потенциалов, то туннелирующая пара с зарядом 2е может перейти по другую сторону барьера лишь с поглощением (энергетический переход вверх — см. гл. VIII, 5) или испусканием (переход вниз) фотона. Закон сохранения энергии должен выполняться, и поэтому энергия кванта йсо = 2бУ, где V — падение напряжения на переходе. (рис. 212, в). Это — двухуровневая квантовая система с двумя дискретными уровнями (и предельно узкими), переходы вниз обязательно излучательные. [c.529]

Оригинальный метод наблюдения ХПЯ предложили Фишер н Ляроф [191]. Известно, что если на двухуровневую систему подействовать мгновенно сильным когерентным перемеиным полем на частоте перехода между уровнями, то система приближается к новому стационарному состоянию путем затухающих осцилляций (переходные процессы). В ЯМР-спектроскопии такие осцилляции впервые наблюдал Торри [192], позднее они были обнаружены в лазерах и микроволновой спектроскопии. В ЯМР переходные осцилляции представляют собой начальную фазу движения вектора намагниченности и проявляются как переходные нутации, которые накладываются на прецессию вектора вокруг направления поля. [c.193]

Проанализируем в рамках рассматриваемой нами двухуровневой модели убыль числа возбужденных частиц вследствие люминесценции и рассмотрим связь люминесцентного времени жизни Тдюм возбужденного состояния 2 с другими квантовыми параметрами. Пусть в момент времени i = О, который соответствует времени прекращения возбуждения системы, засе.лепность возбужденного уровня равна N . Вследствие спонтанного перехода 2— 1 за период времени от I щ) I сИ на уровне 2 произойдет уменьшение числа частиц на величину — равную [c.22]

В случае же переноса электрона одноэлектронная функция Ф, описывает начальное состояние 0 А, когда электрон локализован на доноре, а Ф/ соответствует состоянию ОА . Пайдем вероятность перехода между состояниями г и /. Согласно принципу суперпозиции (см. (ХП.1.25)), в двухуровневом приближении полная волновая функция системы ОА) имеет вид [c.376]

Помимо того, перспективным направлением развития системы "Инфоплан" представляется переход от двухуровневой структуры, включающей РАО "Газпром" и дочерние предприятия, к трехуровневой структуре с централизованным администрированием. В последнюю будут входить предприятия и организации, находящиеся в составе дочерних предприятий РАО "Газпром". Тогда автоматизированный сбор данных будет осуществляться в два этапа сначала их поступление в дочерние предприятия из подведомственных предприятий и организаций, затем в РАО "Газпром" из дочерних предприятий. [c.20]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология