Проводимость образца

Ни один из методов повышения объемной проводимости образца, за некоторым исключением, не позволяет ничего получить допол,нительно ни по разрешению, ни по информации к тому, что получается ва образцах с правильно нанесенным покрытием. [c.184]

С увеличением количества бора в исходной шихте значение энергии активации для высокотемпературной области уменьшается. Снижение эффекта компенсации при введении в шихту с бором титана также приводит к уменьшению величины энергии активации, как уже отмечалось, к повышению проводимости образцов. Другая особенность температурной зависимости сопротивления легированных бором кристаллов заключается в резком из- [c.457]

Определив x = Q t)/ t) для любой температуры, можно рассчитать и 72 = /( ) Рассчитанная таким путем зависимость совпадает с экспериментально полученной путем исследования динамической электрической проводимости образца при изменении температуры со скоростью Р=4г ДРУгой [c.203]

Произведение из такого коэффициента и концентрации соответствующего иона представляет собой долю этого иона в удельной проводимости раствора. Эти коэффициенты приведены во втором столбце табл. 13.3. В третьем столбце таблицы даны концентрации ионов, определенные другими аналитическими методами, в сильно разбавленных водных растворах, по составу близких к анализируемым. Данные последнего столбца получены умножением величин концентраций на соответствующий коэффициент. Вычисленная удельная проводимость образца дана в последней строке. Измеренная удельная проводимость раствора должна совпадать с этой суммой с точностью до 2%. Если точность меньше, то это указывает на ошибку при одном из анализов. [c.202]

Ниже рассмотрен стандартный метод, применявшийся многочисленными исследователями ири изучении электризации нефтепродуктов. Принципиально прибор представляет собой конденсатор стандартного размера, в котором в качестве диэлектрика применяется углеводородная жидкость. Как видно из рис. 2, одна обкладка, или электрод конденсатора, состоит из сферического наконечника, помещенного в жидкости в центре прибора вторую обкладку образуют стенки аппарата. К центральному электроду подводится небольшое известное напряжение и отмечается время, необходимое для уменьшения этого напряжения до определенной стандартной доли его начальной величины. Зная емкость системы и диэлектрическую проницаемость жидкости, легко можно вычислить удельную проводимость образца. [c.278]

С целью установления корреляций селективности с электропроводностью были определены величины удельной электропроводности обоих образцов окиси иттрия в вакууме, а также после модифицирования водой и водородом, т. е. тех образцов, на которых определялась каталитическая активность и были изучены изменения проводимости в ходе реакции. Для того чтобы при этом оценить влияние каждого из реагентов, измерялись изменения электропроводности при адсорбции воды, этилена, альдегида, водорода и спирта. Все эти вещества вызывают увеличение электропроводности п-проводящей окиси иттрия, т. е. они являются донорами электронов. Исходные температурные зависимости электропроводности" обоих образцов в. вакууме отличаются на два порядка в области каталитических температур, причем электропроводность образца 2 больше проводимости образца 1 (рис. 5). Энергии активации проводимости обоих образцов в области температур катализа одинаковы и равны 1,68 эв. [c.188]

I ом см в 70% — ниже 5 10 сл . Эти значения свидетельствовали о весьма высокой степени чистоты топлив. Между тем, проводимость образцов топлив, отобранных в аэропортах, была выше, чем в емкостях нефтеперерабатывающих заводов. [c.161]

На рис. 45 приведены данные о проводимости образцов реактивных топлив, отобранных в различных аэропортах. [c.162]

Примеси, повышающие проводимость образца (например, угольный или графитовый порошок, порошки некоторых металлов). [c.129]

В то же время если азид нагревают при 180° в течение времени, достаточного для разложения, скажем, на 0,5%, то при медленном ох-лаждении электропровод-, ность на аррениусовском графике изменяется но пря- мой, наклон которой соот- ветствует энергии актива- ции в 0,39 эв. Эта кривая, по- . лучаемая нри медленном ох-лаждении, может быть вновь получена как после быстрого, так и после медленного нагревания. Если теперь этот или аналогичный образец быстро охлаждают (2 град--жин ), например до 100°, то наклон кривой соответствует 0,78 эв, после чего проводимость образца в условиях постоянной температуры повышается во времени за примерно 12 час она достигает значения, которое [c.181]

Электропроводность зерен скелета можно вычислить, исходя из проводимости образца с остаточным водонасыщением къ ск и пористостью, равной пористости скелета породы к ск, по формуле [c.96]

Испытания образца МББА, проведенные в камере без мембран, позволили измерить электрические параметры исходного образца — удельное сопротивление и электрическую прочность. Некоторое увеличение наклона кривой с ростом напряжения (рис. 2, кривая /), указывало на то, что проводимость образца определялась примесями [6] и предельная напряженность еще не достигнута прн 15 кв. см- К [c.58]

Вещество, повьинающее проводимость образца (графитовый порошок, металлы в виде порошка). [c.118]

Тип проводимости и дифференциальную термо-э. д. с. определяют термозондом (рис. 46). Термозонд состоит из медного стержня 2 диаметром 5 мм, на конце которого впрес-созана вольфрамовая игла 1. Вблизи иглы в медном стержне в специальном отверстии закреплена ХА-термопара 4 для измерения температуры иглы. Стержень 2 обогревается печью -3, состоящей из керамического полого цилиндра, на который намотана нихромовая спираль. Питание печи осуществляется через автотрансформатор. Образец 5 помещают на массивный медный блок 6, находящийся при комнатной температуре. Иглу опускают на образец при помощи манипулятора (препаратоводп-тель СТ-])). Возникающую термо-э. д. с. измеряют низкоомным потенциометром Р-306. Знак термо-э. д. с., а следовательно, и тип проводимости образца определяют предварительной калибровкой установки по кремнию п- и р-типа. Дифференциальную термо-э.д.с. а (мкВ/град) определяют по формуле [c.83]

Электролитическое травление и полирование широко применяются для исследования свойств и обработки полупроводниковых материалов и в технологии изготовления полупроводниковых приборов. В случае полупроводников процесс анодного растворения оказывается сильно зависящим от типа проводимости образца. Травление и полирование полупроводников п-типа в общем случае протекает значительно труднее, чем р-типа. Влияние типа проводимости на скорость анодного растворения наиболее изучено для германия. На образцах германия прямым экспериментом было доказано участие дырок в анодном процессе (Брэттен, Гэрретт). [c.217]

Результаты исследования нефтей и остатков во многом зависят от характеристик резонатора. На его добротность и частотные характеристики влияет диэлектрическая проницаемость и проводимость образца. На эти показатели большое влияние оказывают вода и соли, которые могут црисутствовать в нефти. В присутствии воды возрастают диэлектрические потери, нарушается точность настройки и ухудшается добротность резонатора. Соли, растворенные в воде, обладают значительной проводимостью, что определяет большое рассеяние СВЧ - энер-гаи образцом, содержащим такие растворы. От этого увеличивается нахрузка на клистрон, разохревается корпус резонатора, что ведёт к нарушению стабильности частотных характеристик во времени. Применение цилиндрических резонаторов, обладащих более высокими добротностью и чувствительностью, ведёт к геометрическим затруднениям и, как их следствие, к увеличению габаритов и стоимости магнита. Ддя исследования нефтей наиболее приемлемы резонаторы прямоугольные, с модой 3 2. [c.72]

Логично предположить, что на окиси иттрия имеет место адсорбция водорода в виде протонов и она является причиной увеличения проводимости окиси иттрия. Этот тип адсорбции не дает заметных полос поглощения в инфракрасном спектре, однако увеличение проводимости образца сопровождается при снятии инфракрасных спектров уменьшением пропускания. Важно также отме- [c.189]

Размер этой диафрагмы определяет коэффициент отражения резонатора. Размер диафрагмы, требуемый для нулевого коэффициента отражения, т. е. для случая согласованного резонатора, зависит от диэлектрических потерь и потерь проводимости образца в резонаторе и регулируется штырем, который частично выдвигается поперек диафрагглы. Регулировкой положения штыря резонатор обычно можно настроить по отношению к мосту. Посредством подвижного поршня (рис. 21) мост слегка разбалансируется как радиочастотный контур в методе ЯМР. После этого поглощение в методе ЭПР наблюдается так же, как в ЯМР по линии ЭПР на экране катодного осциллографа или путем выпрямления переменных компонент и регистрации первой производной сигнала ЭПР на самописце. [c.65]

Для примесных полупроводников возможны два случая. Если эффективные дефекты, возникающие под действием облучения, обладают тем же характером (донорным или акцепторным), что и существовавщие до этого дефекты или примеси, т. е. если они изменяют концентрацию основных носителей тока, то эффект облучения будет очень слаб в этом твердом теле. Концентрация нарущений, существовавщих до облучения, часто составляет 10 — 10 8 на 1 г, т. е. она больше, чем концентрация дефектов, получающихся при облучении. Если образованные дефекты оказывают влияние на концентрацию второстепенных носителей тока, то происходят очень значительные изменения в свойствах твердого тела. Действительно, если учесть, что произведение числа электронов проводимости на число дырок постоянно при данной температуре пр = N ), то изменение числа второстепенных носителей тока приведет к одновременному изменению числа главных носителей тока. Поскольку концентрация второстепенных носителей тока может быть очень низка, даже меньше 10 ° г , то возможно, что в противоположность предыдущему случаю эффекты будут значительны для относительно малых доз радиационной энергии могут наблюдаться изменения типа проводимости образца. Например, в случае германия, когда произведение пр равно 6-10 6, акцепторные уровни (вакансии), образующиеся под действием радиации, играют доминирующую роль [70]. После облучения германия -типа возникает большое число дырок в результате концентрация носителей тока п, а следовательно, и проводимость быстро убывают если доза рассеянной энергии достаточна для создания примерно Ю з эффективных акцепторных дефектов, полупроводник становится собственным полупроводником, причем его проводи- [c.217]

Филдинг и сотр. [24, 65] измеряли температурную зависимость электросопротивления и коэффициента Холла поликристаллического GaSe с дырочной проводимостью. Образцы при комнатной температуре имели удельное электросопротивление 14,5 ом-см, коэффициент Холла 285 см щ)л и подвижность дырок 20 см в-сек. При температурах в интервале 100—1000° К электросопротивление [c.55]

Свойства TlSe изучены очень детально. Получены оптические, фотоэлектрические, электрические и другие полупроводниковые характеристики TlSe. Стехиометрический TlSe является дырочным полупроводником с малой подвижностью носителей тока. Избыток компонентов и многократная зонная чистка не меняют типа проводимости. Образцы электронного типа были получены введением элементов IV группы до 0,1 ат. %. Точечные выпрямляющие диоды, изготовленные из таких образцов, показывали коэффициент выпрямления, равный —180. [c.187]

Темповая электропроводность образцов IrigSg, полученных прямым синтезом при давлении серы от 5 до 10 ат [591 ], составляет —10" ом -см , а образцов, приготовленных сублимацией InjSg в HaS, от 1 до 100 олг -сл . При освещении проводимость образцов возрастала. Зависимость электропроводности от температуры в интервале 340—490° С имела резкий излом при 420° С, который, по-видимому, соответствует фазовому переходу из неупорядоченного состояния в упорядоченное с падением элек- [c.231]

Ток проводимости образцов СиТпЗег после травления не изменялся. [c.331]

Исследования электропроводности смешанных окислов НЮа— СаО показали, что максимальной электропроводностью обладают образцы, содержащие 12,5—15 мол.% СаО [59, 69]. Возрастание электропроводности в области малых количеств СаО объясняется увеличением доли ионной проводимости образца вследствие образования твердого раствора типа флюорита. Минимум электропроводности связан с образованием гафната кальция состава СаНЮз (рис. 18). [c.140]

Смотреть страницы где упоминается термин Проводимость образца: [c.255] [c.267] [c.84] [c.481] [c.255] [c.179] [c.184] [c.256] [c.171] [c.276] [c.14] [c.171] [c.115] [c.175] [c.486] [c.483] [c.232] [c.92] [c.315] [c.120] [c.280] [c.358] [c.92] [c.187] [c.384]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология