Пороговая частота

Согласно уравнению (54.7), должна наблюдаться линейная зависимость / от ф, экстраполяция которой к / = О позволяет найти пороговую частоту юо при ф = 0 [c.292]

Экспериментальные данные (Дж. Баркер, Ю. В. Плесков) находятся в количественном согласии с уравнением (54.7) (рис. 149). Кроме того, как видно из рис. 149, экстраполяция к / = О дает практически одно и то же значение ймо для различных металлов (ртуть, амальгамы таллия и индия, свинец). Поскольку пороговая частота со,, непосредственно связана с работой выхода электрона из металла в раствор [c.292]

Последовательность импульсов с блока детектирования сравнивается с пороговой частотой генератора в блоке обработки информации, и по соотношению этих частот прибор выдает командный кодированный сигнал в виде I или О , с выводом на схему сигнализации. [c.251]

В эксперименте по фотоэмиссии электронов с поверхности натрия под действием излучения различной длины волны получены приведенные ниже значения потенциалов, при которых фотоэлектрический ток был снижен до нуля. Построить график зависимости напряжения от частоты и рассчитать а) пороговую частоту, б) постоянную Планка. [c.402]

Пороговая частота фотоэмиссии для лития составляет приблизительно 5200 А. Рассчитать скорость электронов, испускаемых при поглощении излучения длиной волны [c.404]

Здесь V — напряженность поля, которое необходимо для того, чтобы прекратить фотоэлектрический ток. Опыт со всей убедительностью показывает, что для каждого металла существует характеристическая пороговая частота V,, и свет с меньшей частотой уже не может вызвать фотоэлектрического эффекта. Так, например, для щелочных металлов активным является видимый свет, но для большинства других элементов требуется излучение ультрафиолетовой области спектра (более высокой частоты). Электроны освобождаются одновременно с освещением, п их число пропорционально интенсивности света. При этом скорость электронов не зависит от интенсивности, а прямо пропорциональна квадратному корню пз частоты падающего света. Большинство такого рода фактов нельзя объяснить с точки зрения классической электромагнитной теории света, согласно которой между освещением и освобождением электронов должен проходить определенный промежуток времени, а скорость электронов должна быть пропорциональной интенсивности падающего света. Несоответствие классической теории с опытом привело Эйнштейна [16] к заключению, что фотоэлектрический эффект является [c.100]

Пороговая частота Vg является важной характеристикой элементов, поскольку /г.Vo дает энергию, необходимую для вырывания электрона из твердого тела. Однако точное определение ( о = с/ о) — трудная экспериментальная задача. Частично это связано с тем, что фотоэффект очень чувствителен к загрязнениям, а частично потому, что ряд атомов обладает двумя или даже тремя пороговыми частотами, лежащими близко друг от друга. В табл. 5 собраны наиболее достоверные данные но предельным [c.101]

Объясните а) фотоэлектрическую пороговую частоту, б) туннельный аффект, в) соотношение де-Бройля. [c.131]

Для каждого вещества при Т = О существует минимальная (пороговая) частота излучения vo, способного вызвать ФЭ Я, о = сЬо— красная граница ФЭ кчй — пороговая энергия, или фотоэлектрическая работа выхода. [c.450]

Максимальная кинетическая энергия фотоэлектронов не зависит от интенсивности излучения и линейно связана с его частотой (т1) /2)макс = — о). Пороговая частота ФЭ строго определена только при Т = 0. При Т > О ФЭ наблюдается вблизи порога и при частотах V < vo. ФЭ из металлических фотокатодов при частотах излучения, не очень далеких от пороговой частоты (V l,5vo), хорошо описывается феноменологической теорией Фаулера [1], согласно которой [c.450]

Рис. 73. Экспериментальная кривая измерения задерживающего потенциала (необходимого для прекращения потока фотоэлектронов к аноду) как функции частоты света, вызывающего образование фотоэлектронов. Пороговая частота представляет собой частоту света, энергия одного кванта которого достаточна для выделения электрона из. данного металла квант света с большей частотой может выбить электроны из этого металла и придать электрону еще некоторую кинетическую энергию.

Значения пороговых частот получены при непосредственном исследовании графиков зависимости силы фототока от длины волны [7], но более точное опреде.чение производится по зависимости корня квадратного из величины фототока на один падающий фотон от энергии фотона [29], так как обычно получается линейная зависимость, позволяющая проводить точную экстраполяцию, в интервале от (/IV — еф) л 1,0 эВ до — еф. где еф — работа выхода. Определение с помощью функции Фаулера также требует знания плотности фотонов в каждой области частот. Калибровка иптенсивности пучка света, падающего из источника с монохроматором, в зависимости от выбранной длины волны обычно производится с помощью вакуумного термоэлектрического элемента (термостолбик) или калиброванной фотолампы. Фактически теория Фаулера предполагает измерение плотности поглощенных [c.155]

Фотоэлектрический эффект в полупроводниках (и диэлектриках) сложен. Функция Фаулера в данном случае неприменима, и даже пороговая частота, как правило, не связана с работой выхода по уравнению (21), хотя величину, получаемую из нее, часто называют фотоэлектрическая работа выхода . Минимальная энергия фотонов, необходимая для выбивания электрона, зависит от энергии самого высокого заполненного состояния. Обычно плотпость электронов в зоне проводимости мала и ею можпо пренебречь, и тогда фотоэлектрической работой выхода [c.158]

Представление о зоне остаточной деформации можно получить, изучая действие иглообразного индентора [42—43] или падающего тела [43—44] на монокристалл. Эксперименты показали, что укол кристалла индентором с давлением 10 бар приводит к появлению дислокаций, число которых увеличивается по мере приближения к месту соприкосновения. В области непосредственного контакта число дислокаций и других дефектов так велико, что можно говорить об аморфизованной зоне контакта. Соударение падающих тел с монокристаллом также вызывает образование аморфизованной зоны (рис. 6.11). Кристаллизант этой зоны имеет повышенную температуру и за время соударения успевает вступить в массообмен с падающим телом. Аналогичные явления должны наблюдаться при перемешивании суспензии, где, кроме того, происходит растворение аморфизованных зон с последующим заращиванием образовавшихся кратеров , движение точечных дефектов к границе раздела фаз с последующей их ликвидацией, а также перемещение дислокаций под влиянием ударных волн. По-видимому, в результате этих процессов при перемешивании, например совершенных кристаллов КаЗО в водном насыщенном растворе (г я 10 см, Т = 2Ъ °С), наблюдаются следующие явления [39, 40]. Перемешивание суспензии мешалкой с частотой, меньшей пороговой частоты в 2,7 об/с, соот- [c.165]

Пусть поверхность металла, занимающего полупространство а О (рис. 2.1), облучается монохроматическим светом с частотой (В. Если энергия кванта На (здесь % = й/2я — постоянная Планка) больше работы выхода электрона из металла во внешнюю среду IV, то становится энергетически возможен однофотонный внешний фотоэффект. Красная граница (пороговая частота) определяется условием и> = [c.30]

Таким образом, понятие пороговой частоты при фотоэмиссии из полупроводников оказывается связанным с механизмом генерации фотоэлектронов. [c.143]

Таким образом, в указанных условиях при фотоэлектронной эмиссии на межфазной границе полупроводник—электролит, в отличие от фотоэмиссии на границе металл — электролит, приложение к системе разности потенциалов ф не меняет радикальным образом закономерностей процесса Основные физические причины различия состоят в следующем. Во-первых, под действием приложенной разности потенциалов происходит изменение уровня Ферми относительно среды, в которую происходит эмиссия, что при фотоэмиссии из металлов является определяющим фактором. При фотоэмиссии из полупроводников определяющим является не положение уровня Ферми, а положение границ валентной зоны и зоны проводимости. Поэтому, несмотря на то, что при приложении потенциала ф положение уровня Ферми полупроводника смещается, значения пороговых частот oq и не меняются. Во-вторых, на границе металл—электролит падение потенциала сосредоточено в ионной обкладке двойного электрического слоя, размеры которой порядка атомных, в то время как на границе полупроводник — электролит оно происходит на расстояниях порядка существенно превышающих атомные размеры. Соответственно область падения потенциала в случае границы полупроводник — электролит всегда существенно превышает длину волны де Бройля электронов. [c.148]

Если де-бройлевская длина волны (/) эмитированного электрона больше ширины (б) поверхностного барьера, преодолеваемого этим электроном, то ток электродной фотоэмиссии не должен зависеть от формы потенциального барьера. Поэтому можно избежать использования модельной картины, описывающей поведение электрона внутри металла. С другой стороны, как показывает расчет, требуемое условие />б выполняется, если Д((о—Шо)>3 эВ, где fi=hl2n h — постоянная Планка со — круговая частота падающего на электрод света соо— наименьшая, пороговая частота, при которой оказывается возможным процесс электродной фотоэмиссии. Квантовая механика позволяет получить формулу для тока электродной фотоэмиссии [c.271]

Ток электродной фотоэмиссии пропорционален величине (Й.со — Асоо) /=, тогда как при фотоэмиссии электронов п вакуум (Асо—Ашо) -Физический смысл этого различия обусловлен значительным ослаблением сил зеркального изображения, препятствующих удалению электрона от металлической поверхности, при переходе от вакуума к раствору. Согласно уравнению (53.7) должна наблюдаться линейная зависимость от Е, экстраполяция которой к /=0 позволяет найти пороговую частоту og при =0 [c.271]

Для данной поверхности частота падающего света должна быть больше определенной величины, называемой пороговой частотой, для того, чтобы электроны испускались с поверхности. При частотах выше пороговой электроны выбиваются с избыточной кинетической энергией. Максимальную энергию электронов, выбитых в направлении, перпендикулярном поверхности, можно определить путем изменения полярности батареи (рис. 12.3) и нахоладения разности потенциалов, необходимой для полного прекращения тока во время освещения металлической поверхности. Установлено, что максимальная скорость испускаемых электронов зависит только от частоты света [c.367]

Более полное рассмотрение фотоэффекта связано с необходимостью учитывать зависимость пороговой частоты Vo от температуры металла и плоскости иоляризации падающего света. Прп этом температурная зависимость связывается с термоэлектронными явлениями — испусканием электронов нагретыми телами. Однако подробное рассмотрение этих интересных вопросов отвлекло бы нас слишком далеко от существа излагаемой здесь темы. [c.104]

Согласно классической электродинамике [65], электромагнитные волны могут распространяться в плазме пламени в случае, если их частота выше плазменной. Волны, частота которых ниже плазменной, будут отражаться от границы пламени. Таким образом, для данной концентрации электронов существует некоторая пороговая частота электромагнитных волн, равная плазменной, частоте /о=89601/се-, и, наоборот, для волн данной частоты существует предельная конце.нтрация электронов. Если концентрация элек- [c.63]

Заряжение частицы вследствие термоиопной эмиссии с ее поверхности [1, 6] происходит только при очень высо них температурах, обычно свыше 1000 К. Заряжение частиц вследствие фотоэмиссии существенно зависит от частоты источника света и от вещества данного аэрозоля [17]. Для капель воды существует пороговая частота, соответствующая длине волны 1750 А, а для кристалликов льда — длине волны 1800—2000 А [13]. В силу значительного поглощения солнечной радиации в озонном слое имеется только сравнительно незначительная солнечная радиация с длинами волн ниже 2920 А на поверхности Земли, с длинами волн ниже 2200 А на высоте 30 км и с длинами волн ниже 1600 А на высоте 110 км [18]. Поэтому фото-эмиссионное заряжение частиц в облаках обычно несущественно. Тем не мепее какая-то фотоионизация газа [18], конечно, имеет место и на небольших высотах. Электрические заряды, возникающие при этой фотоионизации, могут в конечном счете собираться аэрозольными частицами. [c.156]

Заметная фоточувствительность обнаружена у некоторых металлпч. электродов, свободных от поверхностных окислов и других химич. соединений полупроводникового характера, когда кванты света поглощаются поверхностными атомами металла к явлениям этого типа относится ускорение под действием света процесса выделения водорода на металлах. В простейшем случае фотоэффект рассматривается как эмиссия электронов пз металла в р-р, к-рая наступает прп пороговой частоте v [c.280]

Рассмотрим теперь зависимость фотоэмиссионного тока от разностей со — Юц и со — Начнем с анализа поведения I в окрестности пороговой частоты соц, когда энергетически возможна фотоэмиссия электронов, первоначально находившихся вблизи потолка валентной зоны. Величина ж-компоненты импульса этих исходных электронов Pix близка к нулю, и, во всяком случае, существенно меньше при X О величины У 2гПрХ, где — эффективная масса электрона в зоне проводимости. Вблизи потолка валентной зоны можно использовать приближение эффективной массы [c.145]

Из (8.11), в частности, видно, что, как уже отмечалось ранее, пороговая частота со,, определяется равенством Йсод = —= [c.145]

Здесь / — фотоэмиссионный ток А — константа, зависящая от свойств металла ф — потенциал электрода со — частота облучения ь — постоянная Планка не — заряд электрона частота Юо которой соответствует квант энергии ьсод, равный работе выхода из металла в рассматриваемую среду, называется пороговой частотой (или красной границей) фотоэффекта. Величина Шо(0) в уравнении (О соответствует работе выхода при некотором потенциале электрода, принятом за нуль отсчета. [c.25]

Как правило, min [е (р) —es(p)] = О, благодаря чему поглощение начинается с пороговой частоты ипор = min [es (р)—es(p)]. Зависимость коэффициента поглощения света Г от частоты вблизи порога (o) содор) обладает рядом общих для всех мета.илов черт, которые могут быть связаны с энергетической структурой электронного спектра [111]. Существенную роль в этом анализе играет положение точки ро в импульсном пространстве (ро — [c.364]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология