Фаза подстройка

Рассмотренное выше комплексное 2М-фурье-преобразование имеет один существенный недостаток — его результатом является массив данных только с двумя независимыми компонентами Sr(uJi, uJ2) и (ill)- Очевидно, для того чтобы иметь возможность раздельной подстройки фазы по двум частотным переменным, необходимо иметь четыре независимые компоненты сигнала. Это позволит независимо по обоим измерениям вычислять необходимые для подстройки фазы линейные комбинации вещественных и мнимых частей. Этому требованию удовлетворяет введение гиперкомплексного 2М-фурье-преобразования [6.64], основные принципы которого мы кратко изложим в данном разделе. В оставшейся части книги это преобразование нигде не используется. [c.370]

Для того чтобы стабилизировать частоту клистрона с точностью приблизительно одной части на миллион, напряжение отражателя модулируется промежуточной частотой в 10 кгц. Если частота клистрона отклоняется (за счет флуктуации подаваемого на клистрон напряжения) от значения, соответствующего типу колебаний согласованного резонатора, то контрольный сигнал 10 кгц отражается от резонатора в фазе, которая зависит от направления отклонения частоты клистрона. Этот сигнал детектируется, усиливается и выпрямляется так, чтобы скорректировать напряжение на отражателе клистрона и вновь привести его частоту к частоте, соответствующей типу колебаний согласованного резонатора. Этот метод называется автоматической подстройкой частоты (АПЧ). Тракт АПЧ схематически представлен на рис. 21. Поскольку в методе АПЧ частота резонатора используется как опорная (для сравнения), то дисперсионный сигнал в этом случае наблюдаться не может и наблюдается только сигнал поглощения. В случае стабилизации отдельного резонатора сравнения можно наблюдать и % я х - [c.65]

В аппаратуре ЭПР фазовращатели успешно применяются в маломощных мостах. Они могут включаться между циркулятором (или двойным Г-мостом) и рабочим резонатором для подстройки фазы СВЧ-мощности, подводимой к резонатору таким путем можно настроиться либо на сигнал поглощения или дисперсии, либо-на их комбинацию. Другими словами, это дает возможность наблюдать действительную или мнимую %" часть магнитной восприимчивости. [c.127]

Можно предположить, что наиболее благоприятные условия образования надмолекулярных структур в полимере возникают, когда подвижность макромолекул в расплаве полимера сочетается с их упорядоченным расположением друг относительно друга. При фазовом превращении, в частности при кристаллизации расплава, это условие, по-видимому, соблюдается в очень узких слоях на границах кристаллической поверхности структурообразователя и незакристаллизованного полимера. Взаимодействие полимера с поверхностью структурообразователя путем физической и химической адсорбции приводит к закреплению агрегатов макромолекул полимера. Далее, при движении фронта кристаллизации на границе кристаллической фазы полимера на очень короткое время возникают подвижные заготовки из упорядоченных макромолекул типа пачек, которые быстро подстраиваются к поверхности комплекса полимер — структурообразователь. Фронт такой агрегации (подстройки) при этом синхронно движется непосредственно за фронтом фазового превращения. Подвижность заготовок , т. е. ослабленная связь с твердой пов е ШЙ №К> комплекса полимер — структурообразователь , ИР ко-торой они образуются, обеспечивает релаксацию напряжений при росте макромолекулярных структур. Таким представляется механизм процесса структурообразования, вызванный введением структурообразователей в кристаллический полимер. [c.25]

Добротность контура должна быть ниже механической добротности излучателя, чтобы исключить его влияние на автоматическую подстройку частоты. Контур может быть использован также для корректировки сдвига фаз, вносимых системой передатчик — приемник магнитострикционного излучателя, а также другими реактивными элементами схемы. [c.92]

Регуляция экспрессии генов посредством сайт-специфической инверсии, вероятно, не является широко распространенным способом генетической регуляции у прокариотических организмов. Судя по всему, эволюция большинства регуляторных механизмов прокариот была направлена на создание систем быстрого изменения уровня экспрессии тех или иных генов в ответ на быстрые изменения в окружающей среде. В то же время система вариации фаз организована таким образом, что соответствующие изменения происходят с очень низкой вероятностью и не могут служить целям быстрого реагирования на изменения окружения. Система сайт-специфической инверсии скорее предназначена не для оперативной подстройки к изменяющимся условиям среды, а для подготовки целой популяции клеток к встрече с новыми условиями окружения посредством расширения возможностей генетической вариабельности в популяции. [c.202]

Важность установки опорной фазы приемника лока обсуждается в гл. 5, Обычно фаза подбирается просто по максимуму сигнала. Однако такая установка ие будет правильной, если форма линин сигнала дейтерия существенно отличается от лоренцевой. Лучше поступить следующим образом после обнаружения сигнала лока подстроить его фазу, затем подстроить градиенты 2 и и снова вернуться к фазе. Неправильно установленная фаза может привести к нестабильности амплитуды сигнала. Такую нестабильность легко спутать с насыщением. При неправильно установленной фазе могут также отсутствовать заметные изменения амплитуды лока при подстройке шиммов. Понять причину такой нечувствительности может только оператор, достаточно освоившийся со спектрометром. Совершенно неправильная фаза сделает стабилизащ1Ю поля вообще невозможной. Методика предварительной настройки фазы до обнаружения сигнала лока зависит от конкретного спектрометра, поэтому следует внимательно изучить руководство к вашему прибору. [c.74]

Коррекция фазы по v, обычно не нужна, поскольку отсутствуют источники фазовых искажений, которые встречаются в Vj. Таким образом, фазовое соотношеиие между двумя импульсами, определяющее форму модуляции каждой компоненты, составляет точно величину О нли 90° (в предположении, что спектрометр настроен правильно ), поэтому не возникают не зависимые от частоты фазовые ошибки. Не требуется также задержка перед началом выборки данных по координате Vj, так как ty может начинаться с нуля это устраняет частотно-зависимые фазовые ошибки. На практике на некоторых спектрометрах нельзя стартовать по г, с нулевого значения. Только в данном случае noipe-буется зависимая от частоты коррекция фазы (в обозначениях гл. 4, разд. 4.3.5, а должна иметь нулевое значение, а Р необходимо подбирать), Это определяется при исследовании сечении по координате Vj, однако не является такой проблемой, как подстройка фазы по Vj, потому что может потребоваться лишь незначительная коррекция. [c.295]

Теперь мы имеем в своем распоряжении две назависимые фазовые переменные, соответствующие мнимым единицам j и i. Это позволяет осуществлять независимую подстройку фазы по двум частотным осям путем использования линейных комбинаций всех четырех компонент функции S( oi, шг). [c.371]

Существенной спецификой обладают внутримолекулярные водородные связи, в которых движение протона может сопровождаться одновременной подстройкой л-электронной системы (т. е. те водородные связи, в которых предполагается включение протона в квазиароматический цикл). Характерной особенностью этих молекул является аномально-малая интенсивность полосы валентного колебания v(AH) в ИК-спектрах поглощения. Это, вероятно, объясняется тем, что при колебаниях протона синхронная подстройка электронного облака вдоль кольца, замыкаемого водородной связью, уменьшает осциллирующий дипольный момент, индуцированный неноделенной парой акцепторного атома [112]. При внутримолекулярном переходе протона в таких молекулах происходит образование пе цвиттер-ионной, а молекулярной структуры. Характерным примером являются хелатные енольные формы р-дикарбонильных соединений, наличие двух равновесных положений протона в которых (при некоторых заместителях X, У, Z) было доказано методом фотоэлектронной спектроскопии в газовой фазе [ИЗ]. Работы по спектрам ЯМР этих молекул, цитированные в разделе 4, также дают веские доводы в пользу потенциала с двойной ямой. Интересный случай представляет собой таутометрия некоторых о-оксиазосоединений, которую долгое вре- [c.238]

Непрерывное зондирование плазмы, получающейся при ионизации минеральной части бочатского угля (рис. 7), было осуществлено по той же схеме измерения [2] при ручной подстройке контура в резонанс в диапазоне температур 1750—1550° С. Температура уменьшилась со скоростью 0,6° С/сек, концентрация конденсированной фазы в потоке — со скоростью 0,06%/сек. Результаты непрерывного зондирования показывают, что метод куметра может быть применен при переменной температуре и концентрации ионизирующейся присадки для оценки величины проводимости плазмы и сдвига равновесия ионизации во времени. Вместе с тем кривая непрерывного зондирования показывает, что кинетику процесса ионизации в коллоидной плазме можно изучать не только в условиях термостатирования, но и при переменных температурах и концентрациях исходных реагирующих вегцеств. Полученная кривая полностью отражает найденные в условиях квазистационарного режима закономерности изменения проводимости аэрозоля, показывая изменение кажущейся энергии активации от 9 до 5 эв при [c.168]

Между тем, влияние боковых стенок получает вполне убедительное объяснение, если исходить из представления о предпочтительном масштабе конвекции. В отличие от случая бесконечного слоя, в ограниченной области подстройка валов под оптимальное волновое число не обязательно требует значительных изменений поля скоростей. Как отмечают сами авторы работы [275], в определенных пределах плавную подстройку валов в основном объеме резервуара могут обеспечить пофаничные слои у боковых стенок. И даже если нельзя приблизиться к оптимуму путем такой плавной подстройки без изменения числа валов, процесс рождения и исчезновения валов также происходит легче в пограничных слоях, где скорость течения понижена (это показано численным интегрированием уравнения диффузии фазы [276]). Понятно, что если пограничные слои оказывают некоторое сопротивление перестройке валов, эта перестройка может иметь пороговый характер — происходить лишь при достаточно больших значениях неоптимальности к-кр. При этом будет существовать полоса допустимых волновых чисел, более узкая, чем в случае структур, заполняющих весь бесконечный слой. Все сказанное должно относиться и к случаю полубесконечной структуры с одной стенкой если ее изначальное волновое число лежит вне указанной полосы, структура будет перестраиваться, и стационарные режимы невозможны. [c.178]

Если опорное напряжение сдвинуто относительно модулирующего напряжения на 90°, то выделяется на его выходе емкостная составляющая. Для простоты опорное напряжение с фазой, равной 0° и 90°, формируют из напряжения модуляции. Но при этом отделение эффективно, если омическое сопротивление раствора пренебрежимо мало. Тогда фаза модулирующего напряжения ИМП почти совпадает с фазой модулирующего напряжения на ИЭ. В противном случае фазы различаются, и соответственно фаза опорного напряжения не будет совпадать с фазой измеряемой составляющей. В связи с этим иногда в усилителе опорного напряжения или в усилителе сигнала применяют регулировку для подстройки фазы опорного напряжения под фазу сигнала или наоборот. Более перспективным является использование для формирования опорного напряжения сигнала, снимаемого с ЭС. Это имеет смысл при применении трехэлектродной ячейки. Для научных целей сигнал с усилителя иногда подают на два фазовых детектора опорное напряжение одного устанавливается в фазе с активной составляющей сигнала, другого-с емкостной составляющей сшнала. [c.91]

Синглетный характер спектра а + X -формы при низкой температуре и его обратимый переход в дублет при повышении температуры (см. рис. 5) можно объяснять подстройкой , подключением к системе сопряженных пептидно-водородных связей при низкой температуре подвижных участков структуры, принадлежащих нерегулярной фазе. Возможно, что наличие в этом образце участков двух фаз, а и X , с одинаковой направленностью пептидио-водород-ных связей требует появления лишь небольших перемычек для образования единой системы, по которой делокалпзован электрон, что и реализуется при низких температурах. [c.308]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология