Ассоциация точечных дефектов

В настоящее время большое внимание уделяют ассоциации точечных дефектов. Ее простейший пример — образование парных вакансий, описываемое квазихимическим уравнением 2 [изолированная вакансия] [парная вакансия] [c.275]

Наряду с перечисленными типами протяженных дефектов особое место занимают различные образования, возникающие при ассоциации точечных дефектов. Дело в том, что точечные дефекты можно рассматривать как невзаимодействующие частицы лишь в области весьма малых концентраций, не превышающих 0,1% (ат.). [c.47]

АССОЦИАЦИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ [c.145]

Ассоциации точечных дефектов [c.172]

Точечные дефекты и ассоциация в кристаллах играют важную роль в теории твердого тела и объяснении электрических явлений в полупроводниках, проводимости твердых тел, фазовых превращений, оптических свойств, химической связи в кристаллах. [c.116]

Приведен обзор работ по исследованию структуры кристаллов с преимущественно ионным типом связи (фториды, окислы, сложные кислородсодержащие соединения), содержащих примеси трехвалентных редкоземельных элементов (ТН +). Малая ширина линий поглощения и люминесценции, высокая чувствительность спектрального положения, числа и интенсивности линий ТН + к тонким изменениям структуры кристалла в целом и структуры ближайших координационных сфер примесных ионов — все это делает возможным с помощью спектроскопических методов анализировать детали кристаллической структуры и равновесия примесных дефектов. Изложен теоретический метод расчета равновесия ассоциация — диссоциация точечных дефектов в примесных кристаллах. Обоснован метод анализа примесных комплексов по концентрационной зависимости спектров поглощения — метод концентрационных серий. Показано, что концентрации сложных примесных комплексов зависят от концентрации примеси, от температуры равновесия, присутствия дополнительных примесей и порядкового номера редкоземельного иона. Получено хорошее совпадение теоретических и экспериментальных концентрационных изотерм комплексов разной структуры. Определены энергии связи в парных и более сложных комплексах в кристаллах флюорита и показано, что энергии связи зависят от температуры равновесия. Показано, что характер спектров поглощения и люминесценции трехвалентных редкоземельных ионов, в частности ширина спектральных линий, отражает структурную упорядоченность кристалла, а число линий характеризует число кристаллографических неэквивалентных положений. В некоторых случаях по спектрам поглощения можно судить о механизме встраивания примесей в поверхность растущего кристалла. Так, оказалось, что при росте кристалла флюорита с примесью фтористого неодима примесь встраивается в кристаллическую решетку в виде парных и четверных комплексов. [c.405]

Несмотря на кажущуюся простоту описываемого явления, данный механизм характерен для очень небольшого количества атомов при их диффузии в кремнии. Здесь серьезную роль играет и соотношение объемов окта- и тетраэдрических пустот и объема атома-диффузанта, наличие в кристалле точечных дефектов и их ассоциаций, соотношение прочности связей Es -si/ D-sl и ряд других факторов. [c.155]

Ассоциации точечных и линейных дефектов [c.139]

Другие виды взаимодействия точечных дефектов. Ряд фактов говорит о том, что ассоциация дефектов может иметь место и при изовалентном замещении атомов основной решетки активатором и сопутствующими примесями. Одной из причин этого является действие сил деформации, приводящее к тому, что крупному примесному атому, вызывающему сжатие решетки, выгодно располагаться по соседству с атомом, радиус R которого меньше радиуса вытесняемого им атома основания люминофора. Этот эффект называется объемной компенсацией [116] (о подобном явлении уже шла речь при рассмотрении сегрегации примесей вокруг дислокаций). [c.160]

О старении люминофоров. Иногда свойства люминофоров претерпевают заметные изменения во времени даже при хранении в условиях, которые исключают какие-либо внешние воздействия, вызывающие фотолиз, хемосорбцию и т. п. явления. Такие изменения, объединяемые термином старение люминофоров (обычно они состоят в уменьшении выхода люминесценции), в большинстве случаев обусловлены теми же процессами, какие происходят при отжиге, а именно ассоциацией, сегрегаций и осаждением точечных дефектов, перемещением дислокаций, приводящим к изменению их плотности или к образованию новых границ блоков и т. п. Разница лишь в том, что при комнатной температуре процессы такого рода протекают значительно медленнее, чем при температуре отжига. Повышенная плотность линейных и поверхностных дефектов как и [c.313]

Простейшие примеры квазихимической теории точечных дефектов используют как метод исследования возможных равновесий в кристаллах элементарных полупроводников. Задача несколько осложняется, когда между дефектами и примесями, или между различными примесями могут возникать ассоциации например, нары вакансия — донор или акцептор Ад, и донор О (примесь в междоузлии). Образование ассоциации приводит к изменению концентраций ионизированных примесей и часто к заметному изменению свойств кристалла. Поскольку энергия образования ассоциаций обычно невысока, а их концентрация растет пропорционально концентрациям изолированных дефектов или примесей, то кинетика их образования довольно резко зависит от температуры. Во многих случаях обратимые изменения свойств легированных кристаллов при их термообработках обусловлены образованием комплексов. В элементарных полу- [c.191]

В настоящее время считается, что диффузия связана с существованием в кристалле точечных дефектов и их различных ассоциаций (например, парных вакансий, комплексов вакансия — примесь и т. д.). Диффузию можно рассматривать как серию последовательных перескоков атомов с их нормальных узлов на соседний вакантный узел. Переход атома из нормального узла на соседнюю вакансию приводит к перемещению вакансии. После этого другой атом может занять новый вакантный узел, в ре- [c.367]

Наряду с квазихимическим описанием процессов ассоциации, наиболее обстоятельно данном Крегером [3], были предложены статистические модели, учитывающие парные взаимодействия точечных дефектов [38—40]. [c.102]

Следует отметить, что растворенные в матрице добавки не всегда присутствуют в форме изолированных точечных дефектов. Наличие эффективного заряда обусловливает сильную тенденцию дефектов к ассоциации, характер которой определяет многие свойства твердых фаз [30]. Наконец, упорядоченное распределение микродобавок в матрице, как правило, приводит к образованию структур сдвига [82]. [c.244]

Проблема 3 — взаимодействие дефектов кристаллической решетки. От правильного ее решения зависит правильное представление реальной структуры нестехиометрических фаз. Сверхструктуры, структуры сдвига, образование зародышей новой фазы и реконструированные превращения не могут быть объяснены без предположения взаимодействия (иногда ассоциации) между точечными и валентными дефектами. (Более подробно о взаимодействии дефектов см. гл. П). [c.15]

Аннигиляция или ассоциация точечных дефектов с образованием кластеров. Антиструктурные дефекты типа ионов, занимающих несвойственные им кристаллографические позиции, не единственный тип точечных дефектов в ферритах. Как отмечалось в гл. II, ферритам магния и лития свойственно разупорядочение типа Френкеля, а ферритам меди и никеля — разупорядочение типа Шоттки. Поэтому целесообразно рассмотреть процесс аннигиляции точечных дефектов в более общем виде, как это сделал Шмальц-рид [6]. [c.164]

Перейдем к вопросу о кинетике ассоциации дефектов с образованием кластеров. Примером такой ассоциации является формирование сверхструктуры, рассмотренной выше. Ассоциация точечных дефектов, по-видимому, весьма характерна для ферритов и всегда предшествует фазовому переходу или фазовому распаду. Характерный пример — поведение марганецсодержащих ферритов со структурой шпинели и граната, ванадата и хромита железа. В марганецсодержащих ферритах с избытком кислорода доказано существование парных взаимодействий Мп —Мп +, которые при понижении температуры становятся зародышами сначала микро-, а затем макрокластеров с тетрагональной структурой. Примечательно, что микрокластеры очень плохо взаимодействуют с кубической матрицей. [c.166]

По-видимому, сейчас еще рано говорить о том, какие ассоциации точечных дефектов образуются в 1102+6, во всей области гомогенности двуокиси урана и как эти локальные перегруппировки изменяются под воздействием температуры. Ясно пока, что в системе иОг+б,, как и в системе Ре1 жО, обнаружено и подтверждено экспериментально существование ассоциатов-кластеров, сегрегации, субмикронеоднородностей, микродоменов, островков, блоков и т. п. Поэтому одной из важнейших задач является всемерное развитие прецизионных рентгеновских, нейтронографических и резонансных (ЯМР, ЯГР и т. п) методов, позволяющих исследовать локализацию атомов. [c.190]

Если точечные дефекты, присутствующие в кристаллической решетке, занимают соседние кристаллические позиции, то возникает ассоциация дефектов. Так как свойства ассоциата, как правило, отличаются от свойств монодефекта, целесообразно рассмотреть ассоциаты как самостоятельный тип дефектов. [c.104]

Захваченная примесь имеет высокую подвижность в свежеобразованной твердой фазе вследствие повышенного содержания точечных дефектов в объеме частиц. Это создает условия для отбора рав-ловесных конфигураций в приповерхностной зоне. По мере уменьшения скорости роста возможность достижения равновесия увеличивается, и особенности захвата примеси разными пирамидами, а также нормальная и тангенциальная неоднородности распределения примеси в их объеме сглаживаются. При весьма малой скорости роста характер неоднородности зависит от содержания примеси в системе. При малом содержании примеси, когда ассоциация ее молекул [c.22]

Образование ассоциативных центров при электростатическом взаимодействии точечных дефектов. Как было показано, при активации люминофоров иновалентными примесями возникают противоположно заряженные дефекты. Вследствие кулоновского взаимодействия они обнаруживают тенденцию к ассоциации друг с другом с образованием сложных, ассоциативных центров, подобных так называемым ионным парам в растворах электролитов [5]. Такого рода процессы наблюдаются в системах, содержащих активатор и соактиватор, например [c.145]

В кристаллах возможна также ассоциация между атомами примеси и дислокациями, сходная по природе с рассмотренной выше ассоциацией между точечными дефектами. Впервые такое явление наблюдалось в металлах подробно этот вопрос обсужден в работе Ван Бюрена [118]. В случае неметаллов ассоциация указанного типа встречается как в ионных, так и в ковалентных кристаллах. Примером ассоциации в ионном кристалле может служить взаимодействие между атомами донора и линейными дислокациями в германии [119]. При этом доноры препятствуют движению дислокаций [119, 120] и уменьшают необычно высокую скорость травления кристалла вблизи дислокаций [121]. [c.233]

Другие примеры [4, 5, 9, 13—20] стационарная симметрия любого кристалла есть результат усреднения по времени искаженных колебаниями решетки диссимметричных мгновенных состояний. Сегнетоэлектричес-кий кристалл, разбитый на домены, стремится сохранить и даже увеличить симметрию параэлектрической фазы на уровне доменной структуры (симметризации выражаются здесь в дроблении макроскопических размеров образца минимальными периодами повторяемости доменной структуры). Вблизи полиморфного фазового перехода у любого кристалла наблюдаются структурные флуктуации, представляющие собой форму существования высокосимметричной фазы внутри низкосимметричной, и наоборот. Диссимметризация кристалла точечными дефектами сопровождается образованием их симметричных ассоциаций (кластеров) при этом в кристаллических матрицах при стремлении систем к равновесию наблюдается симметризация дислокационных ансамблей, ориентировок твердофазных выделений и т. д. [c.58]