Центр окрашивания

Экспериментальные работы позволили установить, на каких дефектах преимущественно зарождаются частицы конденсата в условиях вакуумного декорирования. Путем сравнения исследуемых образцов с эталонами отмечено, что происходит образование частиц золота на атомах примесей, вакансиях, центрах окрашивания, а также на поверхностных дефектах деформационного происхождения и дефектах роста. Выявить весь спектр точечных дефектов можно с помощью методики многократного декорирования. Она состоит в том, что вначале конденсируется одна порция вещества. Затем проводится повторное декорирование, но уже при более высокой температуре. В процессе многократного декорирования выявляются как сильные центры зарождения частиц, так и более слабые. Эта методика пригодна для наблюдения миграции точечных дефектов и их скоплений. [c.161]

При нагревании хлористого натрия в атмосфере паров натрия испаряются атомы хлора, и электроны занимают их места, образуя так называемые / -центры, или центры окрашивания. При этом возникает поглощение в видимой части спектра. Расстояние до зоны проводимости оказывается у электрона такого центра все же достаточно большим (более 1 эВ), поэтому электронная проводимость возникает лишь при повышенных температурах. [c.656]

В другом типичном направлении исследований радиационных эффектов были получены данные, подтверждающие, что на силикагеле, обработанном в вакууме при темиературе выше 400°С, ирн облучении возникают центры окрашивания, которые при взаимодействии с водородом обесцвечиваются. Присутствие таких добавок, как НгО или 5Рб, которые захватывают электроны в процессе облучения кремнезема, способствуют образованию центров окрашивания. Эффективное значение сродства для образования положительно заряженных электронных дырок составляет ИэВ [492]. -Облучение кремнезема приводит к об- [c.990]

Соотношение между биографическим и тепловым беспорядком зависит, естественно, от биографии и температуры образца. В некоторых случаях биографический беспорядок значительно преобладает над тепловым — в этом случае общий беспорядок практически не меняется с температурой. С этим случаем мы имеем дело, повидимому, в полупроводниках, В других случаях, наоборот, можно пренебречь биографическим беспорядком по сравнению с тепловым, тогда весь беспорядок практически имеет тепловое происхождение. Этот случай характерен для щелочно-галоид-ных кристаллов, о чем свидетельствует экспоненциальное возрастание центров окрашивания с температурой. [c.364]

А. Центры окрашивания в ионных кристаллах нестехиометрических [c.60]

Более подробно с вопросом о центрах окрашивания в кристаллах галогенидов щелочных металлов можно ознакомиться по литературе [44, 55]. [c.94]

Рис. 29. Модели некоторых центров окрашивания в кристаллах галогенидов щелочных металлов.

Теперь задача состоит в установлении возможных механизмов указанных трех процессов, которые были бы совместимы с наблюдаемыми свойствами центров окрашивания и объясняли бы, почему третий процесс не наблюдается в азиде натрия. В области экситонных пиков и области спектра, где энергия фотонов меньше, чем у последних, имеются три важные длины волны в применяемом излучении, действие которых следует рассмотреть в первую очередь. Волна 5461 А высвечивает такие центры [c.166]

Центры окрашивания в галогенидах щелочных металлов. [c.270]

Торговые названия наиболее важных акриловых волокон, производящие их фирмы, а также коэффициент насыщения волокна основными красителями, характеризующий число кислотных центров окрашивания в волокне [4], приведены ниже [c.164]

То, что окись амина действительно действует как катионный краситель, видно из следующего эксперимента. Центры окрашивания в волокне блокируются или насыщаются путем обработки волокна избытком бесцветного катионактивного агента. Такое блокированное волокно может теперь окрашиваться дисперсными, но не катионными красителями. Л -Окисные красители не окрашивают блокированное волокно и, таким образом, ведут себя подобно обычным катионным красителям или солям аминов. [c.202]

Поликатионные красители не получили широкого применения для синтетических волокон. Они дают ровные окраски, но обычно красят слабо, выбираются недостаточно хорошо и имеют ограниченную возможность повышения густоты оттенка при увеличении концентрации красителя в ванне. Причина этого в том, что положительные физические свойства большинства кислотно-модифицированных синтетических волокон определяются их гидрофобной природой. Введение кислотных центров окрашивания увеличивает гидрофильность полимера и делает его более подверженным гидролизу и химическим разрушающим воздействиям. Отличная прочность к стирке катионных красителей на синтетических волокнах в действительности объясняется тем, что гидрофобное волокно окрашивается при более высоких температурах, чем температура обычной стирки. [c.203]

Таким образом, число центров окрашивания в синтетических полимерах нужно поддерживать на таком минимальном уровне, который позволяет достигать оптимума и свойств волокна, и прочности окрасок. Число этих центров обычно точно соответствует возможности получения глубокого черного цвета. Поликатионные красители, которые занимают более одного центра окрашивания, обладают поэтому прирожденным ограничением возможности их использования и способны блокировать другие красители. [c.203]

Краткое описание процессов взаимодействия излучения с веществом с образованием центров окрашивания будет дано далее в 1 гл. X. [c.110]

Вскоре после открытия гидратированного электрона в воде было обнаружено, что этот короткоживущий продукт может в определенных условиях стабилизироваться в твердой фазе, образуя центры окрашивания типа /"-цент-ров, как это имеет, например, место при облучении стеклообразных замороженных растворов щелочей или перхлората лития при температуре 77°К [11,12]. В соответствии с теорией стабилизация должна происходить на [c.44]

При обработке кристаллов, содержащий Р-центры (окрашивание в парах металла или облучение светом из Р-полосы), в спектре ЩГК возникает ряд полос, связанных с переходами в так называемых Р-агрегатных центрах, т. е. дефектах, содержащих два или более Р-центров в соседних анионных узлах. Простейший из них М (Рг)-центр (аналог молекулы водорода) (рис. 5.1). Заметим, что такой тип дефекта вне кристалла не существует, так что аналогия с молекулой Нз не является слишком полной. Симметрия М-центра в ЩГК определяется группой 2л и совпадает с локальной симметрией центра грани куба в идеальном кристалле. Более сложный агрегат из трех Р-центров [c.249]

Определение основано на измерении кривой ток — время (см. рис. XV.7). Для гомогенных кристаллов бромистого калия, содержащих избыток Вгг и помещенных в электрическое поле, центры окрашивания, связанные с избытком брома, вытягиваются из кристалла. Кристалл обесцвечивается за время ti, когда ток достигает стационарного значения (вследствие ионной проводимости стехиометрического кристалла). Число окрашенных центров, равное половине числа растворенных атомов брома, равно удвоенной и разделенной на заряд электрона (l,59-10 i /сг/ гон) заштрихованной площади на рис. XV.7 [67]. Концентрация избыточного брома определяется по. интенсивности полосы поглощения с помощью дисперсионной формулы [c.399]

Возникающие таким образом центры окрашивания перемещаются в поле в направлении от электрода, где они образовались F-центры движутся от [c.604]

Нитевидные кристаллы. В последнее время в изучении оптических явлений в НК наметилась некоторая закономёрность [8]. До недавнего времени в основном изучали люминесценцию и особенности образования центров окрашивания при рентгеновском облучении НК- [c.500]

Это, очевидно, имеет место для других типов центров окрашивания с захваченными электронами. Например, если кристалл, уже содержащий Т -цептры, облучить светом, в / -полосе появляется широкая полоса в красной области. Эта новая полоса называется / -полосой. Было показано экспериментально, что под действием каждого случайного кванта излучения исчезают два Т -центра поэтому полагают, что квант ионизирует -центр и высвобождающийся электрон блуждает по кристаллу до тех пор, пока его не захватит другой /"-центр. Такая анионная вакансия с двумя захваченными электронами называется Р -центром. /" -Центры являются долгоживущими только при низких температурах. Другие центры в кристаллах галогенидов щелочных металлов, которые, как полагают, вызывают видимые абсорбционные полосы, называют Е -центрами, если каждый из них имеет один электрон на две анионные вакансии Н -центрами, если он имеет два электрона на две анионные вакансии, и М-центра-ми, если один электрон приходится на две анионные вакансии и одну катионную вакансию. Эти группы вакансий тесно связаны друг с другом. [c.94]

В некоторых случаях можно получить серию центров окрашивания, аналогичных рассмотренным выше, нагрев кристалл в газообразном галогене. Такие центры называются У-центрами они должны состоять из дырок, связанных с -катионными вакансиями. Однозначно модель F-цeнтpoв не установлена. [c.94]

Исключая азид серебра [65], в литературе отсутствуют данные по диффузии или электропроводности азидов, которые позволили бы сделать заключение о состоянии собственной неупорядоченности в азидах металлов. Разумное предположение о существовании в азидах щелочных металлов разупорядоченпости типа Шот-ки [82] находит некоторое подтверждение в опытах по исследованию центров окрашивания (раздел 4) и измерениях времени релаксации на кристаллах, дотированных марганцем [84]. Однако, по-видимому, представление о том, что число переноса катиона всегда больше, чем аниона не имеет какого-либо значения. [c.139]

Хотя мы и не разделяем пессимизма авторов, ранее рассматривавших вопрос [16], которому посвящен раздел 4.4, все же необходимо согласиться, что исследователи пришли к общему мнению лишь относительно самых общих черт спектров (облученных и термообработанных) образцов азидов. Кроме того, идентификация отдельных типов центров окрашивания иногда выглядит недостаточно обоснованной. В частности в более ранних работах исследователи слишком упрощали вопрос об образовании Г-центров в азидах. Из азидов щелочных металлов больше всего опытов проведено с азидами калия и натрия однако Хийл и Прингль [37] провели также предварительные исследования азидов рубидия и цезия. Образование центров окрашивания обычно вызывалось ультрафиолетовым облучением при 77° К и выше [27, 47а], [c.148]

В первой фазе исследования проводились при комнатной температуре. Фотолизу подвергались мелкокристаллические препараты азидов натрия, калия и бария для облучения использовалась ртутная лампа низкого давления, 90% излучения которой приходится на линию 2537 A и 10% — на 1849 A. Томпкинс и соавторы интересовались собственными свойствами чистых соединений. Поэтому они применяли излучение низкой интенсивности и поддерживали глубину разложения в узких пределах. В типичных опытах глубина разложения ограничивалась долями поверхностного монослоя или эквивалентного количества в объеме. Используя простые представления о реакциях в твердых веществах, эти авторы разработали механизмы процессов, широко принятые в то время и позволяющие объяснить полученные результаты. Скоро, однако, были опубликованы первые работы по исследованию центров окрашивания [27, 76], которые привели к идентификации последних [41] и показали, что первоначальный механизм Томпкинса является слишком упрощенным, а при больших глубинах разложения вообще неприменимым. [c.163]

Воздействие рентгеновских или 7-лучей на ионные кристаллы часто приводит к их окрашиванию. Обычно центры окрашивания дают сигнал ЭПР. В этом плане детально исследованы кристаллы галогенидов щелочных металлов и окись магния [4, 57]. В КС1 сигнал от центров окрашивания, или F-центров (анионные вакансии), широкий и расположен вблизи g = gg. Уширенность линии связана с неоднородными взаимодействиями электрона с ядерным спином ионов калия [57]. Опыты с применением метода двойного резонанса, позволяющие определить константы сверхтонкого взаимодействия, показали, что волновая функция электрона на F-центре действительно достаточно диффузна для того, чтобы могло иметь место взаимодействие со всеми соседними ионами калия [4]. [c.456]

Последний результат, впрочем, не вызывает особенных недоумений, если связывать появление дымчатой окраски рентгенизированных кристаллов кварца с присутствием в кристалле статистически распределенных в его объеме неоднородностей, связывающих электроны, вырванные рентгеновскими лучами из атомов кристалла, или, как на этом особенно настаивает Г. Г. Леммлейн [23], с наличием потенциальных центров окрашивания, находящихся в виде микропримесей в [c.55]

С ростом температуры наблюдается также ослабление влияния облучения на самодиффузию анионов, что может быть следствием убыдающей с ростом температуры устойчивостью первичных радиационных дефектов, образование которых предшествует как появлению молекулярного галогена, так и нейтральных атомов металла в решетке кристалла при ионизации. Сюда следует отнести центры окрашивания типа F, V, М и т. д. Когда время жизни таких дефектов становится близким ко времени ожидания элементарного акта диффузии, описываемое влияние рентгеновского облучения па диффузию не должно наблюдаться. [c.110]

Обычными аналитическими опытами можно установить, что окраска соли определяется металлическим серебром, при этом выделяется свободный галоид. Воздействие света на серебряногалоидную соль сопровождается разложением ее и образова нием коллоидных частиц серебра, которые и являются центрами окрашивания. Следует отметить, что видимое почернение получается при экспозициях светочувствительного слоя, в тысячи раз превышающих те, которые используют в фотопроцессах. [c.120]

А. К- Вишневский [112] в 1943 г. исследовал адсорбцию 1г на К1, обогашенном сверхстехиометрическим калием, т. е. содержащим так называемые центры окрашивания . Он также наблюдал увеличение адсорбционной способности при освещении адсорбента фотоэлектрически активными частотами, т. е. частотами, поглощаемыми центрами окрашивания и вызывающими фотопроводимость. [c.143]

Микроскопический коэффициент диффузии Dr соответствует микроскопической подвижности или, как ее иногда называют, подвижности электронов по Холлу. Эффективный же коэффициент диффузии Dere/[F>4 отвечает направленной подвижности электронов [35]. Если F-центры вызывают оптическое поглощение — как это имеет место в случае F-центров у галогенидов щелочных металлов — коэффициент диффузии может быть найден по скорости перемещения центров окрашивания. Диффузия, а следовательно, и направленная подвижность может быть изучена путем измерения концентрации электронов. Исследования подобного рода основываются на изменении во времени потенциала электрода, чувствительного только к электронам (т. е. инертного электронного проводника, например РЬ или С) [36] в таком случае [c.578]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология