Дефекты, влияние точечные

Влияние точечных дефектов кристаллов на свойства твердого тела. Дефекты того или иного типа влияют на свойства твердого тела в зависимости от их положения в кристаллической решетке и числа подобных нарушений в единице объема кристалла. Обычно говорят о концентрации дефектов, относя их количество или к единице объема, или к одному молю вещества. [c.87]

Рейф [97] наблюдал влияние точечных дефектов на линии ядерного резонанса Вг , Вг , На2 и ЬР в кубических.кристаллах. Для различного количества примесей в А Вг было обнаружено отчетливое влияние температуры на ширину линии и время спин-решеточной релаксации за счет рекомбинации и диффузии вакансий. [c.45]

В работе [58] предпринята попытка оценить влияние точечных дефектов поверхности на хемосорбцию водорода. Эта работа представляет особый интерес в связи с тем, что может служить прототипом квантовохимического исследования влияния промотирования на свойства гетерогенных катализаторов с целью предсказания их каталитической активности. В качестве первого примера в [58] рассмотрена адсорбция водорода на германии (кластер VI), изучены следующие дефекты а) вакансия атома Ое в центре фрагмента, б) дефект Шотки — добавочный атом Ое в междоузлии, в) твердый раствор замещения, в котором центральный атом Ое замещен атомами 81, Оа, Аз. Результаты рас- [c.68]

Влияние точечных дефектов на форму и подвижность дислокации в кристалле [c.289]

З.2.1. Влияние точечных дефектов в металлах на каталитические реакции [c.234]

З.4.2. Влияние точечных дефектов [c.244]

В противоположность поверхностной энергии жидкостей измерить свободную поверхностную энергию кристаллов значительно труднее, при этом данные, полученные различными методами, колеблются в широких пределах, часто различаясь в несколько раз. Этот разброс обусловлен прежде всего влиянием условий опыта и влиянием реальной структуры кристаллов. Наличие различных элементарных дефектов (например, точечные дефекты, отдельные дислокации или их скопления возле границ зерен и т. д.) и микроскопических нарушений (например, микротрещины, которые являются источником концентрации напряжений) или других видов неоднородности (например, скопления химических загрязнений) влияет на поверхностную энергию. В ряде случаев разброс вызывается влиянием адсорбционных явлений на границе фаз кристалл — окружающая среда, так как теоретические значения а справедливы для поверхности раздела кристалл — вакуум. В то же время во многих случаях измеряют значения поверхностных энергий не достаточно чистых поверхностей. Поэтому для различных граней кристалла, существует только несколько достоверных значений а. [c.256]

Влияние точечных дефектов на свойства кристаллов весьма существенно. [c.313]

Очень велико влияние точечных дефектов на электропроводность кристал- [c.313]

ВЛИЯНИЕ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ [c.46]

В образцах с малым содержанием химических доноров или акцепторов 10 слГ ) число оборванных связей при плотности дислокаций 10 —10 см может значительно превышать концентрацию основных носителей. Это позволяет выделить дислокационные эффекты даже в том случае, когда они сочетаются с влиянием точечных дефектов. [c.247]

Б. И. Смирнов. Доклад на совещании Влияние точечных дефектов на механические свойства и подвижность дислокаций в щелочногалоидных кристаллах . М., 1971. [c.274]

Другой подход был предложен еще Россом и Андерсоном и состоял в предположении, что колебательное движение гостевых молекул может влиять на фононный спектр каркаса, тем самым снижая теплопроводность клатратного кристалла (т. е. понижение теплопроводности по сравнению со льдом связывалось с дополнительным рассеянием акустических фононов, обусловленным наличием взаимодействия гость—хозяин). В третьем подходе (Амад и Филипс, 1987 г.) пониженная теплопроводность связывалась как с наличием в гидратах точечных дефектов, так и с протонной неупорядоченностью каркаса (что не вполне убедительно, так как протонная неупорядоченность наблюдается и во льду /л, а влияние точечных дефектов на теплопроводность— только при очень низких температурах). [c.63]

Дефектность кристаллической решетки алита. Внедрение примесных ионов в кристаллическую решетку минерала приводит к созданию локальных дефектов, изменяющих ее энергию. Твердые растворы трехкальциевого силиката обладают значительным количеством точечных дефектов, таких, как вакансии, свободные носители заряда (электроны и дырки), центры термолюминесценции, парамагнитные центры, полученные при облучении образцов. Для определения концентрации точечных дефектов в алите промышленных клинкеров необходимо либо выделить минерал из клинкера, либо учесть влияние дефектности строения остальных фаз, что в настоящее время чрезвычайно затруднительно. [c.235]

Рассмотрим, какие искажения вносят тепловые и примесные дефекты в структуру кристаллов, а также влияние подобных искажений на свойства твердых тел. Тепловые дефекты возникают как следствие тепловых колебаний частиц в узлах пространственной решетки кристалла. Обычно тепловые колебания частиц не приводят к нарушениям идеальной структуры кристалла. Исключения возникают, если та или иная частица или группа частиц приобретают повышенный запас кинетической энергии и покидают узлы кристаллической решетки. В зависимости от геометрии возникающих при этом дефектов их можно разделить на три группы точечные, линейные и поверхностные. [c.79]

Несомненно, каждый реальный кристалл обладает всеми перечисленными дефектами и его свойства в связи с этим должны существенно отличаться от свойств идеализированных кристаллов, модели которых были рассмотрены выше. Дефекты структуры действительно оказывают сильное влияние на многие свойства твердых тел. К ним относятся прочность, электропроводность, механические и электромагнитные потери, каталитические свойства и др. Эти свойства получили название структурно чувствительных. Для описания таких свойств рассмотренные выше модели являются малоподходящими. Однако часто оказывается, что ответственным за какое-либо определенное свойство реального кристалла является один тип дефектов. Это может быть обусловлено тем, что какой-либо дефект присутствует в гораздо большей концентрации, чем прочие, либо же тем, что на данное свойство прочие дефекты влияют в значительно меньшей степени. В таких случаях конкретное структурно чувствительное свойство можно достаточно удовлетворительно объяснить усовершенствованной моделью, включающей модель рассматриваемого дефекта (точечного или протяженного). [c.69]

Одним из типов дефектов, обнаруживаемых в кристаллах, являются вакансии кристаллической решетки или точечные дефекты, при которых недостает одного атома в узле кристаллической решетки, обычно занимаемом таким атомом окружающие атомы медленно перемещаются в направлении к этому незанятому узлу. Вакансии образуются в результате термического возбуждения, при зтом число вакансий на единицу объема в металле приблизительно равно числу атомов на единицу объема пара, находящегося в равновесии с данным металлом. В больших количествах вакансии могут возникать под влиянием бомбардировки металла частицами высокой энергии или под действием рентгеновских лучей. [c.508]

Вследствие нарущения равновесных условий роста и захвата примесей при кристаллизации, а также под влиянием разл. рода внеш. воздействий идеальная трехмерно-перио-дич. атомная структура К всегда имеет те или иные нарушения. К ним относят точечные дефекты - вакансии, замещения атомов осн. решетки атомами примесей, внедрение в решетку инородных атомов, дислокации и др. (см. Дефекты в кристаллах). Введение небольшого числа атомов примеси, замещающих атомы осн решетки, используют в технике для придания нужных физ св-в К., как, напр., в случае легирования. [c.540]

Удельное электросопротивление металлов р существенным образом зависит от концентрации дефектов кристаллического строения. Хорошо известно, что на величину р влияют точечные дефекты и дислокации. Однако влияние границ зерен на величину электросопротивления поликристаллических материалов исследовано весьма слабо. Подобные результаты могут быть получены исследованием зависимостей величины электросопротивления р от среднего размера зерен ё. В обычных поликристаллах с размером зерен в десятки и сотни микрометров эффект, связанный с границами зерен, мало существен в связи с невысокой протяженностью границ зерен в структуре. С другой, стороны, в случае наноструктурных металлов размер зерен становится соизмеримым с величиной свободного пробега электронов проводимости. В связи с этим проблема электросопротивления наноструктурных металлов приобретает большой интерес как с физической, так и с практической точек зрения. [c.162]

Влияние дефектов на анизотропию свойств кристаллов. Не только оси дислокаций располагаются по определенным кристаллографическим направлениям. Очень часто и точечные дефекты выстраиваются в ряды определенного символа. Следствием этого может служить повышенная [c.264]

Наличие в кристаллах точечных дефектов по Шоттки и Френкелю оказывает существенное влияние на многие свойства кристаллических тел. В частности, их присутствие в кристалле и способность к миграции обусловливают ионную электрическую проводимость и процессы массопереноса (диффузии) в кристаллической решетке (в бездефектном идеальном кристалле процесс массопереноса практически невозможен). В связи с этим присутствие точечных дефектов сильно ускоряет такие важные в технологии силикатов и тугоплавких неметаллических материалов процессы, как твердофазовые реакции, спекание, рекристаллизацию и т. д., скорость которых определяется скоростью диффузии материальных частиц. Образование дефектов по Шоттки приводит к возрастанию объема кристалла (кристалл как бы распухает за счет достраивания с поверхности атомами, удаляющимися из узлов решетки) и понижению его плотности (образование дефектов по Френкелю во всяком случае в первом приближении не приводит к изменению плотности). [c.87]

В [425, с, 510/327] предлагается способ и автоматическая установка для контроля сварных точек, основанные на изучении возможных дефектов точечной сварки и их влияния на прохождение УЗ. При контроле хорошо сваренной точки (рис. 5.60, а) наблюдается последовательность эхосигналов, соответствующих многократному прохождению импульсов че- [c.630]

В. я. Хаимов-Мальков [78] рассмотрел процессы диффузии в монокристаллах лейкосапфира, согласно которым собственные точечные дефекты могут взаимодействовать с примесными атомами (центрами), меняя их валентное состояние и пространственную конфигурацию. В результате образуется малоподвижный примесно-дефектный комплекс. Такой процесс описывается в рамках твердофазных химических реакций. Изменение валентного состояния примеси и, следовательно, структуры примесного центра, приводит к соответствующему изменению объема кристалла, определяемого с помощью дилатометра. То есть в конечном счете по этой причине возникают механические напряжения, обладающие значительными градиентами и оказывающие влияние на процесс диффузии. [c.77]

Лукьянов В.Ф. выделяет три характерных типа расположения инициаторов разрушения точечный, линейный и плоскостной [158]. К первому типу относят дефекты и концентраторы малой протяженности, расположенные так, чг их взаимное влияние на процесс разрущения исключено. Линейные инициаторы — это дефекты или концентраторы, ориентированные вдоль линии. Взаимное влияние соседних очагов разрушения способствует возникновению трещин на различных участках линии инициатора, их подрастанию и слиянию, с образованием протяженной магистральной трещины. К плоскостным инициаторам относят скопления дефектов, расположенных в плоскости, нормальной к направлению главного напряжения (рис. 10.3.1). Переход к ускоренному росту наступает для плоскостного и линейного инициаторов раньше и идет интенсивнее, чем для точечного [158]. [c.376]

Ухара и сотр. [67—72] выполнили недавно ряд исследований по катализу, исиользуя обработанные холодным способом мета.ллы. Образцы меди, платины и никеля после холодной обработки были отожжены нри различных температурах и затем использовались как катализаторы в системах газ — твердое тело для дегидрирования этанола и орто-пара превращения водорода, а также в ряде других систем жидкость — твердое тело для реакций гидрирования коричной кислоты, разложения диазониевых солей и электролитического получения газообразного водорода из растворов. Они нашли, что почти без каких-либо исключений всегда происходит заметное уменьшение каталитической активности металлов после отжига их при температуре, при которой, согласно данным других авторов [73—76], дислокации в твердых телах уничтожаются. Мы еще вернемся к краткому обсуждению результатов этой работы, когда будем рассматривать влияние точечных дефектов [c.232]

НЫХ примеров, показывающих влияние точечных дефектов на каталитическую активность металлов. Для полупроводников вообще очень трудно, если не бессмысленно, проводить различие между точечными дефектами и так называемыми электронными факторами. Следовательно, чтобы определить роль точечных дефектов в случае таких соединений необходимо рассмотреть значительное число результатов, полученных д.пя чистых и легированных окислов, сульфидов, хлоридов и т. п., а также для многих различных несовершенных кристаллов, классификация которых дана в разд. 5.2.3. Однако при рассмотрении металлов совершенно резонно говорить о роли точечных дефектов как таковых, хотя при окончательном анализе получаемых данных иногда трудно провести различие между влиянием на катализ группы точечных дефектов и дислокационных нетель [15]. Работы Робертсона и сотр. [85—87], наблюдавших явление, названное ими каталитической сверхактивностью , и упомянутые ранее работы Ухара [67—70] хорошо иллюстрируют значение точечных дефектов в катализе на металлах. [c.234]

Поле деформаций вокруг дислокации приводит к появлению неоднородных изменений плотности кристалла, определяющихся суммой главных напряжений, вызывающих рассеивание света дислокациями [14]. Экспериментальные исследования этого явления не доведены до изучения эффектов от индивидуальных дислокаций, так как они сильно усложняются влиянием точечных дефектов, декорирующих дислокации [15, 16]. Большие градиенты напряжений, а значит, показателя преломления света в направлении, перпендикулярном дислокации, вызывают значительные искривления траектории световых лучей, падающих на кристалл параллельно дислокацион- [c.242]

Ускорение ползучести в условиях действия адсорбционноактивных сред отмечалось неоднократно. В работе [261] рассматривается один из возможных механизмов влияния снижения свободной поверхностной энергии на некоторые механические характеристики твердых тел, в том числе и на скорость ползучести. Сущность механизма заключается в том, что свободная поверхность, наряду с межзеренной, рассматривается как основной источник точечных дефектов (вакансий) в объеме поликристалла. Мощность этого источника зависит от равновесной концентрации С - изломов на поверхностных ступенях атомарной высоты. Элементарный акт образования вакансии на поверхности заключается в переходе атома твердого тела на излом атомарной ступени. Следовательно, поток вакансий с поверхности кристалла в его объем должен возрастать при уменьшении поверхностной энергии о в соответствии с выражением 1п (—с1кТ). [c.90]

Другим направлением проводимых исследований является изучение процессов дефектообразования при ионной имплантации пластин арсенида галлия. Прямые экспериментальные исследования с привлечением современных методов дополнялись расчетами по модельным компьютерным программам. Было изучено влияние режимов имплантации, типа и режимов постимплантационного отжига на структуру имплантированных слоев. Установлено влияние поверхности подложки на концентрацию и тип точечных дефектов, образующихся при имплантации. Показано, что в процессе активирующего отжига происходит пространственное разделение межузельных атомов и вакансий и обогащение поверхностного слоя последними. Изучены механизмы влияния дислокационной структуры подложек на характер распределения имплантированной примеси и радиационных дефектов по площади подложек. Результаты исследований представляют практический интерес при разработке процессов импланта-ционного легирования полупроводников. [c.158]

Локальные давления в кристаллической решетке возникают также в окрестности точечных дефектов — вакансий и примесных атомов. Связанная с вакансиями избыточная энергия решетки не превосходит 1 эВ на одну вакансию, т. е. почти на порядок меньше, чем для единичной Дислокации. Хотя суммарная энергия кристалла, связанная с вакансиями, может достигать существенной величины, эффект их влияния на растворение ничтожно мал. Действительно, подстановка этого значения энергии моновакансии в уравнения, аналогичные (111), дает совершенно ничтожную величину эффекта, а образование дивакансий, тривакан-сий и т. д. ничего не меняет, поскольку в отличие от плоских скоплений дислокаций энергия каждой кооперированной вакансии меньше, чем изолированной. Во всяком случае эффект не может превосходить величины, соответствующей равномерно распределенным в объеме дислокациям. [c.114]

ДЕФЕКТЫ в кристаллах (от лат. <1еГес1из - недостаток, изъян), нарушения полностью упорядоченного расположения частиц (атомов, ионов, молекул), характерного для идеального кристалла. Образуются в процессе роста кристалла из расплава или р-ра, а также под влиянием внеш. воздействий (тепловых, электрич., мех., при разл. видах облучения), при введении примесей. Различают точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двухмерные) и объемные (трехмерные) Д (см. рис. 1). [c.29]

Спектры люминесценции допированного BI4Ge30i2 изучены в [340]. Показано, что ионы редкоземельных элементов действуют как доминирующие центры рекомбинации и определяют спектр эмиссии. Это объясняют прямым переносом заряда от внутренних дефектных ловушек к редкоземельным центрам рекомбинации. Влияние добавок ионов меди и иттербия на сцинтилляционные свойства ортогерманата висмута показано в [341]. Область гомогенного и гетерогенного захвата примесей, точечных и линейных дефектов, связанных с люминесценцией чистых монокристаллов Bi4Ge30i2, а также допированных ванадием, иттербием, хромом и железом, изучены в [342]. Исследован спектральный состав быстрой катодолюминесценции. Обнаружены изменения интенсивности и длины волны катодолюминесценции в зависимости от типа примесей и конфигурации дислокаций. [c.297]

Точечные повреждения — питтинги — зарождаются в дефектах (несплошностях) оксидной пленки в тех местах конструкций, где имеются различные переходы, выступы и т. п., и при наиболее подходящих для этого локальных условиях внешней агрессивной среды. Такими местами конструкций могут быть выступающие болты и головки заклепок, а также направляющие и острые ребра. Кроме того, пиггинг может вызываться внешними элементами, оседающими на конструкцию, например, когда какие-либо вещества оседают на ее поверхность. На возникновение питтингов оказывает влияние также структура металлической поверхности, даже защищенной оксидной пленкой. Так, они могут возникать в местах выхода на поверхность гетерогенных составляющих сплава, в границах его фаз и зерен. Твердые неметаллические включения, возникающие в сталях и сплавах при выплавке, литье и термической обработке, также могут оказаться местами зарождения питтингов. [c.61]

Особый интерес представляет механическая активация твердых тел и реакций с их участием, так как установлено, что часть механической энергии, подведенной к твердому телу во время активации, усваивается им в виде новой поверхности, линейных и точечных дефектов. Кроме того, известно, что химические свойства кристаллов определяются наличием в них дефектов, их природой и концентрацией. С помощью механической активации удается использовать в химии ряд физических явлений, происходящих в твердьгх телах при больших скоростях деформации. К ним относятся изменение структуры твердьгх тел ускорение процессов диффузии при пластической деформации образование активных центров на свежеобразованной поверхности возникновение импульсов высоких локальных температур и давлений и т. д. Впервые к использованию этих эффектов в химии подошли исследователи, изучавшие влияние ударных волн и высоких давлений со сдвиговыми деформациями на свойства твердых тел. Однако указанные эффекты можно получить и с использованием измельчительного оборудования, что с практической точки зрения более целесообразно и осуществимо, особенно для непрерывных процессов. В результате совершенствования этого оборудования появились аппараты с высокой интенсивностью подвода энергии, и роль этих эффектов при измельчении сильно возросла. [c.803]

При изучении диффузии точечных дефектов существует два взаимодополняющих подхода. В первом случае учитывается влияние нарушений кристаллической решетки, а во втором — влияние кристаллической решетки на состояние дефектов. При этом симметрия играет центральную роль (при классификации как собственных, так и несобственных дефектных состояний). Совокупность элементов симметрии, присущих любой точке кристаллической решетки, образует группу симметрии, которая позволяет упрострггь решение задачи, если использовать теорию групп. Эксперимен-тальнью методы определения симметрии дефекта основаны на определении его анизотропных характеристик путем поляризованного возбуждения, либо с помощью различного рода воздействий, например, механических (одноосное сжатие), а также магнитными, электрическими, световыми полями. Во всех случаях возбуждения информацию о симметрии дефекта дает расщепление вырожденных уровней. [c.81]