Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Дефекты плоские

    Продольные и кольцевые сварные соединения сосудов и аппаратов обычно контролируют с применением форматной пленки, которую размещают с внутренней стороны изделия. Расширяется применение панорамного просвечивания кольцевых сварных соединений (см. рис. 76 и 83, г). При просвечивании швов надежно выявляются газовые поры, шлаковые включения и другие дефекты объемной формы. Трещины, несплавления по кромке шва и другие дефекты плоской формы выявляются в том случае, если плоскость их раскрытия совпадает с направлением излучения. Перед проведением контроля сварной шов и околошовная зона должны быть очищены от шлака, брызг расплавленного металла и других [c.123]


    Существуют дополнительные признаки, позволяющие квалифицировать тип дефекта. Если эти признаки говорят о том, что дефект плоский, т, е. с большим значением г/, то его, как правило, не допускают. Остается, однако, задача, как выбрать измеряемые параметры для дефектов других типов, чтобы нормы браковки по показаниям дефектоскопических методов оптимально соответствовали установленным нормам. Задача эта относится к теории оптимальных решений или математической теории игр. Многочисленные исследования показали, что чем крупнее дефект, тем меньше вероятность его появления, Хорошей аппроксимацией распределения дефектов по реальным размерам (параметру X) является экспоненциальное распределение (рис, 1.13, а) [c.50]

Рис. 6.3. Схема подключения электродов (а) и эквивалентная электрическая схема (б) при поиске дефектов плоского ОК методом электрического сопротивления Рис. 6.3. <a href="/info/147982">Схема подключения</a> электродов (а) и <a href="/info/15317">эквивалентная электрическая схема</a> (б) при поиске <a href="/info/23322">дефектов плоского</a> ОК <a href="/info/215746">методом электрического</a> сопротивления
    Для обнаружения дефектов плоской формы, например горячих трещин, нужно применять наклонные искатели и использовать наклонное зеркало, образованное поверхностью испытываемого образца и поверхностью трещины. Тем не менее об- [c.512]

    Трещины и другие дефекты заданных размеров и ориентации вводили в сварные швы в заданных местах. Термин полномасштабный отражает тот факт, что образец приблизительно в масштабе I I соответствует выбранному элементу оборудования АЭС. Например, представленный на рис. 53 тест-образец главного циркуляционного трубопровода (ГЦТ) реактора ВВЭР-440 изготовлен из той же марки стали и электродов, что и трубопроводы на АЭС. Размеры трубы (диаметр и толщина стенки) также соответствуют ГЦТ. Данный тест-образец имеет два сварных шва, в который введены 26 дефектов плоского и объемного типов. [c.155]

    Возможные дефекты плоских приводных ремней [c.130]

    Дефект плоских окрашенных поверхностей в виде периодических неровностей с относительно большими шагами [c.12]

    Для этого лист шкурки кладут на плоскую поверхность, смачивают изооктаном и круговыми движениями шлифуют все шесть сторон пластинки, удаляя пятна и дефекты. [c.236]


    Рассматривается наиболее неблагоприятный (в плане прочности) случай, когда царапина (риска) расположена в продольном направлении (рис.4.34,а). Это обусловлено тем, что окружные напряжения, действующие перпендикулярно ослабленному дефектом сечению, в два раза больше, чем продольные напряжения. В силу того, что труба длинная, то в продольном направлении деформации практически отсутствуют (плоская деформация). Радиальные напряжения на внутренней поверхности равны действующему давлению, которые пренебрежительно малы в сравнении с действующими окружными и продольными напряжениями. На внешней поверхности радиальные напряжения равны нулю. Таким образом, в данном случае имеет место плоское напряженно-деформированное состояние металла. [c.288]

    Разрывные мембраны изготовляются из тонколистового металлического проката. Первоначально их делали плоскими (рис. 25.3, а), теперь им придают при изготовлении куполообразную форму (рис. 25.3,6), подвергая мембрану нагружению давлением, составляющим около 90% от разрывного. При этом исчерпывается почти весь запас пластических деформаций металла, что увеличивает быстродействие мембраны и позволяет при изготовлении обнаружить скрытые дефекты материала и отбраковывать мембраны, непригодные для эксплуатации. [c.306]

    Дефекты кристаллической решетки могут сводиться к смещению узловых частнц в междоузлия, при этом отдельные узлы решетки остаются незанятыми (образование так называемых вакансий) и в решетку могут внедряться инородные частицы, располагающиеся либо в узлах, либо в междоузлиях. Дислокации и плоские дефекты у реальных кристаллов весьма существенно влияют на механические свойства твердых материалов. [c.72]

    Рассмотрим протяженные дефекты > О. В этом случае для оценки напряженно-деформированного состояния можно воспользоваться моделями в виде пластины в условиях плоской деформации рис. 2,а). [c.8]

    Рассматривается наиболее неблагоприятный ( в ]шане прочности) случай, когда царапина (риска) расположена в продольном направлении (рис.2 ). Это обусловлено тем, что окружные напряжения, действующие перпендикулярно ослабленному дефектом сечению, в два раза больше, чем продольные напряжения, В силу того, что труба длинная, то в продольном направлении деформации практически отсутствуют ( плоская деформация ), Радиальные [c.34]

    Испытания на естественное атмосферное старение стандартизованы для резин, пластиков и лакокрасочных покрытий. Образцы закрепляют на стендах, которые располагают лицевой стороной к югу на открытой площадке, удовлетворяющей требованиям, предъявляемым к метеорологическим площадкам, или на плоской крыше здания. В процессе экспонирования проводят периодический осмотр внешней поверхности образцов, отмечая изменение внешнего вида, цвета, образование трещин и т. п. дефектов поверхности, а также определяют физико-механические и другие свойства материала. Систематически фиксируют метеорологические данные температуру и влажность воздуха, количество часов солнечного сияния, интенсивность суммарной прямой и рассеянной солнечной радиации, количество осадков, направление и силу ветра. В районах с большим [c.127]

    Дифракция на краю (ребре) разреза и полосе. Бесконечно тонкий разрез имитирует реальные дефекты типа расслоения, протяженной трещины или непровара, а его ребро — край соответствующих дефектов. Расчет поля дифракции в этом случае обычно ведут по методу Зоммерфельда, являющемуся развитием теории Юнга на случай плоского препятствия. От каждой точки ребра (рис. 1.17) дифрагированная волна распространяется в виде конуса, одна из образующих которого (соответствующая максимуму) служит продолжением луча падающей продольной волны. Трансформированная поперечная волна образует другой конус. [c.47]

    Для отражателей плоской формы (диск, полоса, бесконечная плоскость) амплитуда отражения зависит от наклона их плоскости к оси преобразователя. Рассмотрим в приближении Кирхгофа отражение от плоского непротяженного дефекта размером Lj=2b, наклоненного к оси преобразователя под углом <р (рис. 2.18, б). [c.120]

    Рассмотрим случай плоского отражателя, параллельного поверхности образца (ф = 0), по которой перемещается преобразователь (рис. 2.19). Когда размер отражателя значительно меньше размера преобразователя, то диаграмма направленности преобразователя значительно уже, чем диаграмма направленности вторичного излучателя — дефекта. Такой отражатель можно считать точечным, Ф 1. При перемещении преобразователя по поверхности образца амплитуда изменяется в соответствии с изменением поля излучения — приема преобразователя на заданном расстоянии г (кривые / и 2). В дальней зоне согласно (2.25) [c.121]

    Решение. Рассмотрим поле излучения преобразователя как поле расхождения лучей в двух плоскостях. В плоскости, перпендикулярной оси цилиндра, отражение происходит как от цилиндра бесконечной длины, а в плоскости, параллельной оси цилиндра, — как от плоского дефекта шириной Ьь. В результате формула для амплитуды сигнала в дальней зоне имеет вид [c.123]


    Согласно Тейлору реакции протекают на особых местах поверхности катализатора, так называемых активных центрах. Даже в чистом металле дтомы, расположенные на дефектах решетки, на реС рах и вершинах кристаллитов, ведут себя иначе, чем атомы, расположенные на плоской поверхности. Неоднородность поверхности характеризуют различными методами, изучением зависимостей дифферешщальной теплоты адсорбции или энергии активации при термодесорб1лии от степени заполнения. На изобарах адсорбции может наблюдаться несколько максимумов, что свидетельствует о наличии нескольких типов хемосорбции. В некоторых случаях неоднородность катализатора можно измерить индикаторами Гаммета, другими основаниями, с помощью инфракрасного спектра для выявления числа и силы кислотных центров. В случае бифункциональных катализаторов подбором соответствующих ядов можно оценить соотношение шФаллических и кислотных центров. Центрами могут служить группы или кластеры [c.90]

    При контроле по совмещенной схеме контактным способом после зондирующего импульса наблюдают отражения ультразвуковых импульсов (иногда многократные) в пьезоэлементе, протекторе, демпфере, призме. Это помехи преобразователя (см. рис. 2.3). По мере удаления во времени от зондирующего импульса эти помехи уменьшаются и исчезают. При контроле преобразователем с акустической задержкой (иммерсионной жидкостью, призмой) помехи, непосредственно следующие после зондирующего импульса, не мешают контролю, так как в это время ультразвуковой импульс распространяется не в ОК. Однако в этом случае выявлению дефектов вблизи поверхности мешает интенсивный импульс, отраженный от этой поверхности (начальный импульс) и сопровождающие его многократные отражения в элементах преобразователя. Такой импульс наблюдают даже при наклонном падении пучка на контактную поверхность, поскольку падающая волна является не безграничной плоской волной, а пучком лучей, имеющим боковые лепестки, в том числе перпендикулярные поверхности. [c.126]

    Плоским дефектом кристаллической решетки является двойникование — поворот узлов одной части кристалла в положение, симметричное другой его части. Возникновение таких дефектов связано с изменением энергии на значение порядка 10 Дж. [c.172]

    При контроле эхометодом уровень фиксации настраивают по, искусственному отражателю, выполняемому в контрольном образце, близком по качеству поверхности и акустическим свойствам материала к ОК. В СССР принята настройка чувствительности по искусственному дефекту в виде отверстия с плоским дном. Мерой, чувствительности служит площадь дна этого отверстия Зо. При использовании других отражателей рекомендуют сопоставлять их с площадью дна плоскодонного отверстия. [c.190]

    Найденную таким образом площадь плоскодонного отверстия называют эквивалентной плош,адью дефекта. Ее отношение к реальной площади дефекта называют коэффициентом выявляемости. Установлены приближенные значения этой величины для некоторых типов ОК. В поковках и прокате, где реальные дефекты, как правило, имеют плоскую форму и ориентированы перпендикулярно направлению ультразвука (как и дно плоскодонного отверстия), среднее значение этой величины обычно лежит в пределах 0,15...0,4. В сварных швах, где форма и ориентация дефектов разнообразны, это значение 0,01. ..0,1. Более точное значение коэффициента выявляемости может быть установлено для конкретного типа ОК, однако даже в этом случае среднеквадратическое отклонение составляет 50... 100%. [c.192]

    На рис. 3.2 показаны результаты измерения условной протяженности плоских дискообразных искусственных дефектов диаметром д. с помощью названных критериев по данным эксперимента рис. 2.19. [c.193]

    Дефекты в кристаллах могут возникнуть при механических воздействиях, деформациях, когда появляются всевозможные макродефекты (трещины, сдвиги и т. п.). В процессе выращивания кристаллов несоблюдение необходимых условий может вызвать образование линейных дефектов, перемещений (дислокаций) целой группы частиц. К сложным искажениям кристалла относятся плоские дефекты, при наличии которых поликристаллические тела могут состоять из набора блоков, зерен, соединенных между собой и произвольно ориентированных. [c.141]

    Применение второго способа во всех вариантах измерения к округлым дефектам неэффективно, так как при этом измеряется лишь диаграмма направленности преобразователя. Сравнив два способа оценки размеров применительно к плоским дефектам, перпендикулярным направлению акустической оси, отметим, что первый из них целесообразно применять к точечным дефектам, а второй — к протяженным. Из рассмотренных критериев определения края дефекта наилучшее приближение к истинным размерам дефекта дает способ 6 дБ . Однако реальный протяженный дефект может иметь разную отражательную способность в разных точках своей поверхности. В результате амплитуда эхосигнала при перемещении [c.194]

    Таким образом, появляется возможность определять форму дефекта по спектру эхосигнала. Однако возможны ошибки, связанные с тем, что дефекты могут иметь как плоские, так и округлые участки. Для наиболее точного распознавания образа дефекта следует получать спектры сигналов от дефекта, рассматривая его под различными ракурсами. Обработка такой обширной информации [c.199]

    Оценки, выполненные на реальных дефектах и их моделях, показывают, что при изменении ракурса озвучивания на 15° и трехкратной модуляции частоты достоверность определения характера дефектов (с точки зрения отнесения их к классу округлых, плоских или промежуточных) достигает 85... 90%. При этом обработку информации ведут на ЭВМ путем сравнения со спектрами сигналов дефектов, по которым проводилось обучение. [c.199]

    Поковки наиболее ответственного назначения (например, детали оборудования атомных электростанций) контролируют так, чтобы каждый объем озвучивался в трех взаимно перпендикулярных направлениях (рис. 3.7), Это повышает вероятность обнаружения различно ориентированных плоских дефектов. Пример такого контроля прямым преобразователем показан на рис, 3,7, а. [c.200]

    СКИХ деформаций сдвига. Это вызовет при охлаждении кристал- лов образование структурных дефектов — дислокаций, плотность которых только по этой причине может достигнуть весьма больших значений (до 10 м" ). Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл — расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Чтобы избежать этих недостатков и создать достаточно однородное распределение температуры в расплаве и кристалле, последний в процессе роста вращают со скоростью до 50 об/мин, а тигель вращают в обратном направлении со скоростью до 30 об/мип. [c.59]

Рис. 39. Краевые (а) и винтовые (б) дислокации и плоские дефекты (в) кристалло в Рис. 39. Краевые (а) и винтовые (б) дислокации и <a href="/info/23322">плоские дефекты</a> (в) кристалло в
    Соотношения интенсивностей полос ЭПР поглощения используются при анализе макроструктуры мицелл, образуемых ВМС нефти [247, 252], в частности, при изучении размещения парамагнитных центров в слоистой асфальтеновой системе и внутренних дефектов (деформационных пустот) в плоских полициклоароматических слоях, а также для решения отдельных вопросов генезиса смолисто-асфальтовых веществ нефти [248, 250, 253]. [c.32]

    По-видимому, большая часть микроэлементов, в особенности это касается переходных металлов, в асфальтенах координационно связана по донорно-акцепторному типу. При этом в роли доноров электронов могут выступать гетероатомы, включенные в полициклоароматические системы асфальтенов, и в некоторой степени углеродные радикальные центры, образованные дефектами этих систем [913]. Атомы металла в таких случаях могут размещаться как внутри молекулярных асфальтеновых слоев, так и в межслоевом пространстве [12, 914]. Внутрислоевые комплексы более прочны и устойчивы к действию деметаллирующих агентов. Особо прочные комплексы образуются в том случае, когда донорные центры располагаются в плоском молекулярном асфаль-теновом слое внутри окна с размерами, близкими к ковалентному диаметру связываемого металла (аналогично структуре II) [263, 893]. На основании изучения распределения микроэлементе при гёль-хроматографии асфальтенов делается однозначный вывод о том, что Ге, Со, Нд, 2н, Сг и Сн внедрены в пустоты слоистой структуры асфальтенов, ограниченные атомами 3, N или О [761- [c.169]

    ГЧ УЛьпые кристаллы. Кристаллы, состоящие из соверщенно оди-нaк JBыx элементарных ячеек, называются идеальными. Образующиеся в реальных условиях кристаллы могут несколько отличаться от кристаллов идеальных. Реальные кристаллы построены из некоторого числа блоков правильного кристаллического строения, расположенных приблизительно параллельно друг другу, ио все же несколько дезориентированных. Это явление называется мозаичностью структуры кристаллов, которая ведет к возникновению дислокаций, т. е. линейных, а также поверхностных и объемных дефектов структуры, образующихся 1з процессе роста кристаллов или же при пластической деформации. Помимо дислокаций в реальных кристаллах образуются также участки неупорядоченности, локализованные обычно около отдельных узлов решетки, — так называемые плоские дефекты. [c.72]

    Представление о строении плоских дисков нашло экспериментальное подтверждение. Одновременно оказалось, что структура стержня содержит, по всей видимости, наряду с выпрямленными цепями большое число складчатых цепей и дефектов. При отжиге число таких складчатых цепей увеличивается. Риджике и Манделькерн [17] подвергли отжигу при температуре 142 С кристаллы полиэтилена, полученные в условиях вызванной течением кристаллизации, и заметили, что у них наблюдается хвост (остаток), плавящийся при температуре 152 °С, что указывает на существование в них участков полностью выпрямленных цепей. Критическая скорость вращения мешалок, при которой начинается формирование структур типа шиш-кебаб , связана, по-видимому, с возникновением в растворе вихрей Тейлора [18], являющихся следствием ветвления встречных течений. [c.51]

    Мезофазные сферы в момент их возникновения и при последующем росте, по данным световой микроскопии в поляризованном свете, а также дифракционного и рентгеноструктурного анализов, являются оптически одноосными положительными кристаллами гегсагональной системы. Показанные на рис. 2-4, а изгибы слоев приводят к тому, что на краях они перпендикулярны к касательной поверхности сферы. Это, по-видимому, способствует начальной коалесценции. В условиях относительно низкой подвижности мезофазы и случайной взаимной ориентации коалесцирующих сфер образования простой слоистой структуры не происходит. При этом возникают структуры, отличающиеся множеством дефектов упаковки слоев линейных, изгибов, нарушений непрерывности. Исследования профилей рефлексов (002) рентгенограмм мезофазы с учетом эффектов гьбсорбции и поляризации рентгеновских лучей, а также фактора рассеяния атомов углерода показывают, что средние значения межслоевого расстояния 002 равны примерно 0,350 нм [2-89]. Отдельные пачки слоев с разными значениями межслоевого расстояния имеют размеры до 2 нм. При нагревании сферы мезофазы могут расщепляться и приобретать относительно плоскую конфигурацию. То же происходит и при графитации мезофазы. Флуктуация межслоевых расстояний у графитирующейся мезофазы наивысшая. [c.46]

    Анализ отражения от наклонного плоского дефекта с помощью дифракционных теорий [10] представляет поле отражения как сумму геометрически отраженной волны и двух дифракционных волн 9Т краев дефекта, ближнего и дальнего к преобразователю. Поведение каждой из них подчиняется закономерностям, рассмотренным в п. 1.4.1. Наличие двух источников дифракционных волн вызывает их интерференцию, под влиянием которой амплитуда эхо-сигнала осциллирует с изменением частоты, размера дефекта и угла падения на него. Возникновение осцилляций следует также из формул (2.25) с учетом (2.26) поскольку Ф — осциллирующая функция с аргументом Ь 81пб. Имеется существенное различие в результатах расчетов методом Кирхгофа и по дифракционной теории [7]. Согласно первому амплитуда максимумов осцилляций уменьшается с увеличением аргумента, а согласно второму— остается постоянной. Последний результат подтверждается экспериментом. [c.122]


Смотреть страницы где упоминается термин Дефекты плоские: [c.531]    [c.223]    [c.190]    [c.51]    [c.442]    [c.379]    [c.108]    [c.90]   
Курс общей химии (0) -- [ c.81 ]

Курс общей химии (0) -- [ c.81 ]

Предмет химии (0) -- [ c.81 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Линейные и плоские дефекты

Плоские ремни дефекты



© 2024 chem21.info Реклама на сайте