Объемность кристаллов

Следует заметить, что образование тонких жидких слоев в контакте с кристаллической фазой при температуре, близкой к температуре плавления объемного кристалла, наблюдается не только для воды, но и для ряда других жидкостей [332, 333]. Следовательно, рассмотренные здесь явления переноса незамерзающих прослоек и пленок могут иметь более общее-значение. [c.115]

На изотерме адсорбции аргона была получена четкая ступень в области мономолекулярного заполнения, свидетельствующая о довольно высокой однородности тонкого слоя этилена и об уменьшении однородности по мере увеличения количества пред-адсорбированного этилена (рис. 11,34). По-видимому, и в этом случае избыток этилена при сильном охлаждении переходит в объемные кристаллы [377], что увеличивает неоднородность поверхности. [c.77]

В ЭТОМ случае монослой образовывался самопроизвольным распространением из порошка кристалликов, помещенных на поверхность воды. Двухмерное давление измерялось методом Вильгельми, с пластинкой, подвешенной на кварцевой пружинке [3]. Температура в этих опытах могла быть доведена до температуры плавления-объемного кристалла и даже выше, примерно на 20°. [c.56]

Необходимо еще указать на любопытный факт, что высокая вязкость моно-слоя, в конденсированном состоянии относимая обычно к твердо -кристалли-ческому состоянию, сохраняется до температур, значительно превышающих температуры плавления объемных кристаллов. Это ясно видно на примере монослоя тетрадецилового спирта, но имеет общее значение и для других спиртов. Кривая зг(=/(г) на рис. 3 показывает, что высокая двухмерная вязкость удерживается при- мерно на одном уровне до температуры 55°, при которой сразу падает практически до нуля (коэффициент затухания диска в монослое становится неотличимым, оу значения, соответствующего чистой воде). Интересно оценить порядок величины скачкообразного снижения поверхностной вязкости в этой точке. Вязкость. монослоя в интервале температур 36—55°, т. е. при температурах пп более низких, чем соответ- / ствует такому скачку, имеет значение 1—2 поверхностных пуаза. Вязкость же при 55,5°, т. е. сразу после спадания, составляет максимально [c.57]

На рис. 1,6 изображен объемный кристалл. На плоскости куба А расположены незавершенная плоскость Б (100) и примыкающий к ней незавершенный ряд (цепочка атомов) В. Присоединим к концу этого ряда очередной атом. Тогда, как видно из рисунка, у него будет 3 соседа на расстоянии го, 6 — на расстоянии 2 и 4 — на расстоянии гоУ или 3 6 4, т. е. половина числа соседей в середине [c.29]

На поверхности объемного кристалла, очевидно, должны сохраняться закономерности дальнейшего роста, подобные описанным выше. Каждая начавшая строиться атомная плоскость должна развиваться дальше, причем очередной ион должен присоединяться в положении 3. [c.505]

Рис. 120. Схема роста объемного кристалла.

Типичным продуктом такого процесса является лентовидный кристалл с гладкими гранями и зубчатыми краями в несколько метров длиной, несколько десятых миллиметра толщиной и меньше сантиметра шириной. Такие кристаллы имеют определенные преимущества в полупроводниковой тез нике (например, отпадает операция разрезания объемного кристалла), и в патентной литературе этому вопросу уделяется большое внимание. [c.239]

С замечанием [54], если вариант 1 практически не реализуется, можно согласиться, если иметь в виду рост объемных кристаллов. Положение, однако, существенно меняется при кристаллизации из расплава тонких слоев (жидкостная эпитаксия) в этом случае ва-риа-нты 1, 1а и 16 могут быть реализованы. Тенденция к реализации вариантов 4 и 5 проявляется по мере уменьшения объема жидкой фазы (например, при зонной перекристаллизации с градиентом температуры). [c.44]

Из этих рассуждений следует, что кристалл должен расти закономерно, за счет присоединения ионов в тех местах, где это сопровождается наибольшим выигрышем энергии, т. е. где больше вероятность восстановления. Однако нет никакого принципиального запрета очередному иону занять положение 2 или 1. Меньшая вероятность такого акта означает не запрет, а только то, что случается это реже. Если бы такие случаи, как присоединение иона в положение 1, не имели места вовсе, то двухмерный зародыш не мог бы развиться в объемный кристалл. Достаточно иону занять положение 1, как около него образуются места типа 3 и начинается рост второй плоскости решетки. Так образуется объемный кристалл. [c.504]

На рис. 120 показан объемный кристалл, рост которого наиболее вероятен в местах, отмеченных стрелками. Последовательное присоединение ионов к решетке в местах энергетически наиболее выгодных называется повторяющимся шагом Когда [c.505]

В случае кристаллических ориентированных полимеров устойчивость ориентации обеспечивается кристаллическим состоянием. Для дезориентации необходимо затратить работу для разрушения первичных и вторичных кристаллических структур, что и определяет устойчивость системы. С другой стороны, описанная ранее сложная структура кристаллов полимеров и их дефектность, наличие неупорядоченных областей допускают значительные упругие деформации. Таким образом, в кристаллических полимерах также удается достичь соединения устойчивости ориентации с необходимой упругостью. Однако глубокое развитие вторичных структур на их высших стадиях (соединение лепестков в объемные кристаллы или сферолиты) резко ограничивает подвижность структурных элементов и снижает деформируемость ориентированных систем. [c.126]

На поверхности объемного кристалла, очевидно, должны сохраняться закономерности дальнейшего роста, подобные описанным [c.480]

На рис. 120 показан объемный кристалл, рост которого наиболее вероятен в местах, отмеченных стрелками. Последовательное присоединение ионов к решетке в местах энергетически наиболее выгодных называется повторяющимся шагом . Когда постройка начатой плоскости доходит до конца, должен возникнуть зародыш новой плоскости. Однако это не означает, что такой зародыш не может появиться, когда начавшая расти плоскость еще не завершена. Вследствие этого может появиться несколько одновременно растущих плоскостей, как это изображено на рис. 120. Здесь плоскость а начала рост раньше других. Когда она еще не была построена, возник зародыш новой плоскости Ь, начавший свое развитие. На плоскости Ь изображен еще один зародыш с, положивший начало третьей плоскости. [c.480]

Маточный раствор содержит 1 объемн. % кристаллов. [c.155]

Обычно рост объемного кристалла выделяемого металла идет по всем направлениям, хотя скорость роста в отдельных направлениях более высокая. Наряду с образованием зародышей металла иногда имеет место процесс их окисления, т. е. растворения, и наблюдаемая скорость роста металлического осадка является разностью скоростей образования и растворения выделяемого металла. [c.160]

Рассмотрению монокристаллических ферритов-гранатов (объемных кристаллов и эпитаксиальных пленок) посвящены главы 4 и 5. [c.107]

Глава 4 ВЫРАЩИВАНИЕ ОБЪЕМНЫХ КРИСТАЛЛОВ ФЕРРИТОВ [c.126]

И Т. п. При нанесении на поверхность ГТС фталоцианинов из-за их малой растворимости модифицированный ими адсорбент содержит, по-видимому, помимо слоя адсорбированных плоских молекул фталоцианинов, и их объемные кристаллы. Так как развитые грани этих игольчатых кристаллов являются, по существу, углеводородными, кристаллы, по сравнению с плоским монослоем молекул фталоцианина (рис. 4.2), адсорбируют слабо. Поэтому адсорбция происходит, в основном, на плотном монослое адсорбированных на ГТС молекул фталоцианина. Однако из рис. 4.3 видно, что благодаря большим вандерваальсовым (а не коротким валентным, как в случае базисной грани ГТС) расстояниям между плоскоориентированными на ГТС молекулами фталоцианина средняя поверхностная концентрация силовых центров на модифицированной так поверхности ГТС значительно меньше, чем на самой ГТС. Это вызывает ослабление удерживания на модифицированной так ГТС. [c.78]

В процессе кристаллизации при прочих равных условиях решающую роль играет концентрация пара иода в ампуле. При л л 0,5—1,5 мг/см происходит рост объемных кристаллов с ровными зеркальными гранями, при 3—4 мг/см вследствие везрастаю-щей скорости переноса в образующихся кристаллах наблюдаются пустоты и раковины, при более высокой концентрации носителя происходит растравливание кристаллов парами иода. Наиболее благоприятные условия, приводящие к образованию достаточно крупных кристаллов, = 1 мг/см , /3 = 920— 930° С, — 900—910° С. При этом общее давление газообразных компонентов системы не превышает 3 атм (верхний предел давлений диффузионной области). В закрытом процессе перенос определяется диффузией при постоянном градиенте конце)1траций. Скорость переноса при диффузионном контроле обратно пропорциональна интегральному давлению в системе. Поскольку в данном синтезе давление сравнительно велико, то время процесса должно быть достаточно большим (не менее 6 ч) для получения кристаллов приемлемых размеров. По окончании процесса печь охлаждают таким образом, чтобы весь иод сконденсировался в области источника. После полного охлаждения ампулы ее извлекают из печи, вскрывают под тягой, полученные кристаллы отмывают спиртом от возможных следов иода. [c.82]

Известно, что низкомолекулярные соединения дают правильные объемные кристаллы. В полимерах же вследствие большой длины ценных молекул мала вероятность построения правильных объемных образований, т. е. следует принять, что кристаллические полимеры должны обладать некоторой, большей или меньшей, неупорядоченпостью. Если бы неупорядоченность кристаллических полимеров была невелика, то изотермы сорбции растворителя полимером мало отличались бы от изотермы сорбции па димере. Однако экспериментальные результаты свидетельствуют об обратном. Следовательно, кристаллическим полиамидам следует приписать значительную неупорядоченность, что хорошо согласуется с данными структурного анализа [4]. [c.285]

Далее, эти опыты обнаружили существенно новую зависимость двухмерной вязкости от длины цепи в гомологическом ряду. Так, Гаркинсом было найдено, что вязкость в области двухмерных давлений, соответствующих твердому конденсированному состоянию, падает с удлинением цепи в гомологическом ряду, т. е. что монослой октадецилового спирта обладает меньшей вязкостью, чем монослой тетрадецилового спирта. Этот факт Мур и Эйринг [4] объясняли более тесным переплетением более коротких цепей. Однако, согласно высказанному предположению [1], этот результат может быть следствием измерения вязкости моноолоев различных гомологов при несоответственных состояниях, а именно, что при одинаковых температурах измерения (20—25°) С -спирт находится значительно дальше от своей точки плавления (58°), чем Рдин1см С14-спирт (36°), и поэтому структуры монослоев различных гомологов могут быть не вполне одинаковы. Вероятно, что при. более высоких температурах структура монослоев приближается к структуре объемных кристаллов этих же спиртов, возникающей при температурах, близких к точке плавления. Это представление подтверждается кривыми температурной зависимости вязкости (рис. 3). Вязкость монослоя октадецилового спйрта (С в) достигает такой же величины (даже большей), как и вязкость монослоев низших гомологов — тетрадецилового (С14) и цетиловОго (С ) спиртов (вязкость последнего при повышении температуры также соответственно повышается), но при соответственно более высокой температуре, близкой к своей точке плавления. При приближении к температуре плавления объемного кристалла поверхностная вязкость уже перестает возра- [c.56]

Кривые двухмерного давления монослоев спиртов в равновесии с кристалликом в зависимости от температуры при столь высоких температурах, до настоящего времени никем не исследовались. Наши измерения показали, что в интервале температур ниже точки плав- ления объемного кристалла они резко отличаются от соответствующих кривых для жирнык кислот. Подробные данные будут приведены в одном из следующих сообщений. [c.57]

Возникает вопрос, в частности для спиртов, имеется ли точное соответствие между структурами объемного кристалла (определяемыми рентгенографически) и моноолоя. Казалось бы, на первый взгляд, что силы, связывающие молекулы в решзтке кристалла, должны быть в первом приближении одинаковыми для дв5 хмерного и трехмерного состояний, для двухмерного даже, вероятно, более слабыми вследствие влияния подкладки, стремящейся разъединить молекулы монослоя (распространение по повер ности). [c.58]

О качестве осадка бикарбоната натрия можно судить также по составу его суспензии, получаемой в карбонизационных колоннах, что используется при производственном контроле работы отделения карбонизации. При образовании илистого осадка бикарбоната его содержание в суспензии превышает 50 объемн. %. Состав суспензии считается нормальным, если она содержит около 30 объемн. % кристаллов NaH Og. [c.107]

Кроме Si, описываемым методом выращивают и другие полупроводники, в том числе Ge, GaAs, GaP и Ga(AsP) [123, 124], но большие объемные кристаллы до настоящего времени не удавалось вырастить. Обширный обзор по механизму и выращенным материалам составлен Вагнером [14]. Для образования жидкой капли должны быть выполнены соответствующие условия [c.338]

Требование строгого постоянства свойств (состава) связано в первую очередь с условиями обеспечения стабильности и воспроизводимости при массовом производстве приборов. Одновременно с этим необходимо учесть, что для создания различных типов приборов с каждым годом начинают приобретать все больший интерес кристаллы со специально созданными в них неоднородностями различного рода. К этим, так называемым программированным неоднородностям, относятся, например, грансбарьер-ные переходы [1]. Среди программированных неоднородностей особое место занимают неоднородности состава. Соответствующие программы могут представлять из себя закон изменения концентрации как примесных компонентов, так и основных сплавообразующих компонентов концентрированного твердого раствора. Программы эти могут быть двух типов. В первом типе программ изменение состава происходит на расстояниях порядка нескольких постоянных решетки — так называемые узкие программы. В программах другого типа, так называемых широких программах, изменение состава происходит на достаточно больших по сравнению с постоянной решетки расстояниях. Программы широкого типа могут быть осуществлены лишь при росте достаточно больших объемных кристаллов. Таким образом, одним из наиболее вероятных путей их создания является, очевидно, выраш.и-вание больших кристаллов из расплава. [c.107]

Рассмотрены кристаллохимия ферритов, механизм и кинетика их образования. Приведены основные сведения о фазовых соотношениях в ферритообразующих системах и их свойства. Особое внимание уделено процессам рекристаллизации ферритов, получению эпитаксиальных пленок из них, а также объемных кристаллов. В 1970 г. выходило учебное пособие Г. И. ЖУРавлева с аналогичным названием. Данное издание существенно переработано и дополнено описанием новых методов получения ферритовых порошков и изделий из них, роли рекристаллизации в управлении структурно-чувствительными свойствами ферритов, механизмов н кнлетнки их роста из расплавов и растворов, жидкофазной эпитаксии пленок, сведениями по технике безопасности. [c.2]

Последнее десятилетие в развитии ферритовой техники ознаменовано разработкой и созданием технологии монокристаллических ферритов — как объемных кристаллов, так и эпитаксиальных пленок. Интерес к последним определяется прогрессом в развитии средств автоматики и вычислительной техники, одним из основных направлений которого является разработка устройств памяти и логики, использующих движение доменов в магнитоодноосных материалах. Другим не менее важным направлением является применение эпитаксиальных ферритовых пленок в сверхвысокочастотной технике в качестве рабочих элементов в фильтрах, в модуляторах, линиях задержки, в магнитострикционных преобразователях и др. Кроме того, использование ферритовых пленок в качестве подложек интегральных СВЧ-схем позволяет создавать на них одновременно активные и пассивные, взаимные и невзаимные устройства. Необходимо заметить, что прогресс в области микроминиатюризации интегральных СВЧ-схем, схем ЭВМ в значительной мере зависит от разработки, исследования и внедрения в производство рациональных методов получения эпитаксиальных пленок ферритовых материалов, оптимизации их свойств и создания эффективной и надежной системы контроля этих свойств. [c.6]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология