Кристаллизация рост кристаллов

Ответственной стадией процесса является охлаждение мыльно-масляного расплава. Изменяя скорость охлаждения, можно значительно воздействовать на структуру, а следовательно, и на свойства смазок. Кристаллизация мыла, протекающая при охлаждении расплава, сопровождается образованием центров кристаллизации, ростом кристаллов и связыванием их друг с другом с образованием структурного каркаса смазки. В зависимости от типа и требуемого качества смазки охлаждение можно проводить с постоянным понижением температуры (медленно) или при резком перепаде температур (быстро) как в динамических, так и в статических условиях. При медленном охлаждении смазки в покое или перемешивании образуются крупные мыльные волокна, быстрое охлаждение способствует образованию мелких волокон. [c.255]

Структура. Образование осадка сопровождается несколькими сопутствующими процессами пересыщение, формирование центров кристаллизации, рост кристаллов, коллоидообразование, коагуляция, адсорбция. Осаждение ведут в условиях, обеспечивающих получение осадка, обладающего (по возможности) кристаллической структурой. [c.282]

Повышение температуры способствует образованию большого числа центров кристаллизации, т е получению мелких кристаллов Поэтому необходимо поддерживать предельно низкую температуру ванны сатуратора, не выше той, при которой уже не нарушается тепловое равновесие сатуратора и не обводняется ванна Не следует допускать местного переохлаждения маточного раствора при его циркуляции, так как это вызывает образование дополнительных центров кристаллизации Росту кристаллов спо- [c.231]

Более общие выражения могут быть найдены исходя из кинетики образования, роста кристаллов и их перекристаллизации. Захват микрокомпонента и его перераспределение происходит на всех стадиях образования осадка — зарождения центров кристаллизации, роста кристаллов и их перекристаллизации. Так как центры кристаллизации малы (10—100° А) и в процессе кристаллизации происходит их распад, небольшое количество микрокомпонента, попадающего в кристалл на стадии образования центров, не влияет на его конечное распределение между раствором и твердой фазой. [c.59]

Таким образом, массовая кристаллизация из пересыщенных растворов включает три этапа — возникновение центров кристаллизации, рост кристаллов и перекристаллизацию. При этом процессы могут протекать поочередно или одновременно. [c.463]

При решении о пригодности той или иной реакции осаждения для проведения анализа необходимо учитывать ряд факторов одним из них является, естественно, растворимость, другие — это физические свойства,, а также химическая чистота и устойчивость. На физические свойства осадка оказывает влияние способ осаждения, а также специфические характеристики осаждаемого соединения. Говоря точнее, на свойства осадков влияют процессы образования центров кристаллизации, роста кристаллов и старения. Именно этим вопросам и посвящена данная глава кроме того, в ней рассматриваются свойства коллоидных систем. [c.159]

Совершенно по особому проходят в гелях и процессы кристаллизации. Рост кристаллов внутри студней протекает спокойно, путем медленной диффузии. Поэтому в студнях удается выращивать очень крупные кристаллы многих веществ. Так, в студне кремниевой кислоты удалось вырастить кристаллы золота (до 3 мм величиной), крупные кристаллы меди, серебра и других металлов, а также некоторых химических соединений (оксалат бария, фторосиликат бария). [c.486]

Если в процессе кристаллизации рост кристаллов происходит на готовых зародышах, то изменение доли закристаллизовавшегося расплава во времени описывается уравнением [c.72]

Получены также отдельные крупные кристаллы цеолитов типа NaA и NaX размером до 140 мкм [41] наряду с кристаллами 30— 60 мкм. В этом случае для синтеза применены растворы алюмината и метасиликата натрия и триэтаноламин, используемый в качестве стабилизатора для поддержания однородной по щелочности среды при кристаллизации. Рост кристаллов происходит при 85—100 °С в течение 2—3 недель для цеолита NaA и за 3—5 недель — для NaX. [c.26]

Сам термин массовая кристаллизация появился не случайно. Его введение связано с теми особенностями, которыми обладает процесс образования кристаллических осадков в промышленных условиях. К ним, в частности, относятся образование большого числа центров кристаллизации, рост кристаллов в условиях конкуренции, соударений и сложных концентрационных и температурных полей, перекристаллизация и т. п. Перечисленные особенности и всевозрастающая роль кристаллизации в химической технологии заставили решать проблему превращения этого процесса из искусства в науку. Для ее решения стали проводить исследования самого различного плана, связанные с производством различного рода удобрений, химических реактивов, ряда органических продуктов и других соединений. Новым стимулом к развитию исследований по кристаллизации послужило производство веществ особой чистоты в связи с использованием кристаллизационных методов очистки. [c.9]

Поскольку при массовой кристаллизации рост кристаллов происходит одновременно по различным механизмам, причем скорость каждого из указанных процессов неодинакова и зависит, как правило, от конкретных условий гидродинамики процесса, нельзя использовать уравнения скорости роста граней или массы кристаллов, теоретически выведенные для одной определенной модели [43, 44]. В случае сложного механизма роста рекомендуется использовать уравнение следующего вида [43] [c.50]

Твердые полимеры не могут, как правило, быть получены н чисто кристаллич. состоянии и всегда содержат ту или иную долю аморфной фракпии. В отличие от молекул низкомолекулярных в-в макромолекулы обычио входят в кристалл в многократно сложенном виде. Для нек-рых блоксополимеров наблюдаются специфич. кристаллич. структуры, обра.зованные аморфными элемептами, упакованными ы правильном трехмерном порядке. См. также Кру1сталлимеская структура, Кристаллохимия, Кристаллизация, Рост кристаллов. [c.287]

Многосекционная кристаллизация. Рост кристаллов не всегда происходит достаточно быстро, чтобы можно было получить крупные кристаллы в одном кристаллизационном аппарате. В таких случаях применяется последовательная многосекционная (многокорпусная) кристаллизация. Маточный раствор, выходящий из предыдущего аппарата (корпуса) и содержащий кристаллическую фазу, непрерывно перетекает в последующий аппарат, где продолжается образование и рост новых зародышей, а также рост кристаллов, поступивщих из предыдущего аппарата. Условия кристаллизации в каждом из аппаратов обычно неодинаковы. Некоторые из них задаются независимо (давление в аппаратах при вакуум-кристаллизации), другие являются функциями процесса (температура и концентрация маточного раствора в аппаратах). [c.153]

Дайте определения или охарактеризуйте следующие термины коллоид, пересыщение, коагуляция, пептизация, противоионы, соосаждение, окклюзия, броуиовское движение, образование центров кристаллизации, рост кристалла, гомогенное осаждение, послеосаждение, поверхностная адсорбция, механический захват. [c.234]

Особенпо ярко выражены П. я. замедления процессов обмена — перехода вещества из одной фазы в другую (испарения, растворения, кристаллизации — роста кристаллов повой фазы)—под влиянием адсорбционных слоев. Так, монослои новерхностно-активиого вещества — цетилового спирта, на новерхности воды могут значительно замедлять испарение воды из водоемов. На обычных же поверхностях раздела П. я. определяют скорость процессов межфазного обмена. П. я. определяют основные свойства дисперсных систем. [c.52]

Рост кристаллов, согласно литературным данным, может определяться различными процессами [15]. Он может лимитироваться диффузией, кинетикой зародышеобразова-ния на гранях, наличием дислокаций и дефектов в кристаллической решетке. При массовой кристаллизации рост кристаллов происходит, как правило, при значительных пересышениях. В реальных условиях, кроме пересыщения, на их рост влияет ряд других факторов. В частности, к ним относятся температура, интенсивность и характер перемешивания раствора, наличие различных примесей, конструкция кристаллизатора и т. п. Все это делает применение теории роста кристаллов Гиббса—Фольмера в реальных условиях затруднительным, поскольку она построена на предпосылках, относящихся в основном к идеальным системам. Так, например, кинетика роста кристаллов, согласно термодинамической теории Гиббса—Фольмера, определяется образованием двухмерных зародышей. Возникновение же последних связывается с величиной максимального изменения свободной энергии системы представляющей собой тот энергетический барьер, преодоление которого необходимо для образования зародыша. В реальных условиях величина определяется не [c.8]

Полученный экспериментальный материал, показывающий определяющую роль электрического рельефа поверхности в процессах кристаллизации, приводит к необходимости рассмотрения с новых позиций теории Косселя—Странского и дислокационной теории роста кристаллов. Действительно, неактивность поверхности кристаллов-подложек или затравок (кроме элементов геометрического рельефа), постулированная в этих теориях для процессов кристаллизации, не подтверждается экспериментально. Наоборот, установлено, что активность поверхности кристаллов определяется их дефектной структурой, представляющей собой в первую очередь электрически активные точечные дефекты и их микро- и макроскопления. Активность геометрического рельефа (будь это линейные ступени роста или незарастающие ступеньки на месте выхода винтовых дислокаций) проявляется, как показали многочисленные эксперименты, через его электрический рельеф. Поэтому только в том случае, если электрические свойства элементов геометрического рельефа наиболее благоприятны для кристаллизации, рост кристаллов может протекать по механизму Косселя—Странского или по механизму дислокационной теории. Таким образом, эти теории следует рассматривать как относящиеся только к частным случаям роста кристаллов. [c.202]