Сложные тетраэдрические фазы

СЛОЖНЫЕ ТЕТРАЭДРИЧЕСКИЕ ФАЗЫ [c.18]

Так, например, метод поперечного замещения не выясняет принципиальной разницы в ширине области гомогенности двойных и тройных фаз с одной стороны и более сложных тетраэдрических фаз с другой. [c.19]

К настоящему времени удалось экспериментально доказать существование сложных тетраэдрических фаз до шестерных включительно. Тем самым возможность получения новых полупроводниковых материалов неизмеримо расширилась. [c.41]

Опыт показал, что в действительности некоторые элементы IV и V групп периодической системы в сложных тетраэдрических фазах могут играть роль катиона и аниона одновре- [c.41]

Как будет видно из дальнейшего, по табл. 9 можно выбрать ряд типов бинарных соединений, ограниченных определенными пределами среднего числа электронов на атом. При этом можно предполагать с большой степенью вероятности, что среди представителей этих типов будут вещества с полупроводниковыми свойствами, а также со структурой, родственной цинковой обманке. Далее можно показать, что не только алмазоподобные полупроводники, но и ряд родственных по структуре веществ образуют тройные и более сложные аналоги по тем же законам, что были обнаружены при образовании сложных тетраэдрических фаз. [c.44]

Можно предположить, что каждое из таких бинарных веществ имеет ряд тройных и более сложных аналогов, образованных по тем же правилам, которые были использованы для образования сложных тетраэдрических фаз. Взяв за основу правило нормальной валентности и равенство определенному значению среднего числа электронов на атом (от 2 до 6), можно графически и аналитически показать все возможные типы аналогов для каждой из групп соединений, родственных цинковой обманке. Некоторые из тройных аналогов уже получены они кристаллизуются в предсказанной структуре и являются полупроводниками. [c.46]

Одно и то же вещество в твердом и жидком состояниях имеет различную плотность. Обычно плавление сопровождается некото рым увеличением межатомных расстояний, понижением координа ционного числа, т. е. образованием более рыхлой структуры. Вследствие этого плотность жидкости, как правило, меньше, чем плотность соответствующего кристалла. Однако если кристаллы имеют недостаточно плотную упаковку (например, многие ковалентны кристаллы с тетраэдрическими связями), то при плавлении возможно увеличение координационного числа. Тогда плотность жидкого вещества больше плотности его кристаллов. Подобного рода аномалии обнаруживают, например, германий, кремний, галлий, висмут, вода и многие сложные полупроводниковые фазы. [c.240]

Не все разделы освещены автором с одинаковой полнотой. Так, соединения типа А В , уже очень давно известные химикам, описаны более кратко, чем сложные соединения. Избыточные тетраэдрические фазы, изученные слабо с точки зрения полупроводниковых свойств, но упоминаемые в многочисленной литературе, представлены только в виде таблиц с соответствующими ссылками. За недостатком места мало освещены вопросы легирования и взаимодействия примесей. Магнетохимия алмазоподобных полупроводников, важная, но специфическая и очень мало разработанная область, не отражена совсем. [c.3]

Хотя все вышесказанное относилось к бинарным тетраэдрическим фазам, однако, как правило, и более сложные фазы образуются теми элементами, энергетические атомные характеристики которых соответствуют вышеприведенному правилу. [c.18]

Таким образом, можно считать, что вопрос об участия тех или иных элементов в образовании тетраэдрических структур в какой-то степени ясен. Но проблема образования более сложных, чем бинарные, тетраэдрических фаз имеет и другой аспект. В этом аспекте представляется необходимым особо рассмотреть возможность образования тетраэдрических фаз элементами, принадлежащими к различным группам периодической системы, в различных соотношениях. [c.18]

Если попытаться извлечь из имеющегося экспериментального материала некоторые очевидные условия образования тетраэдрических фаз и последовательно применить их к вопросу о числе и виде многокомпонентных тетраэдрических фаз, то решение этого вопроса оказывается более строгим и исчерпывающим [19]. Известно, что сходство в свойствах элементов, находящихся в одной группе таблицы Менделеева, связано с тем, что число валентных электронов у них одинаковое. Поэтому, когда встает вопрос о составе сложных соединений, состоящих из элементов различных групп и обладающих такими же свойствами как и простые вещества, естественно предположить, что в среднем число валентных электронов на атом у сложных веществ должно быть таким же, как у простых. [c.19]

Для решения первого вопроса составим формулы всех возможных бинарных соединений с нормальной валентностью и выпишем их вместе с элементами семи групп, участвующих в образовании тетраэдрических фаз в порядке возрастания среднего числа электронов на атом (табл. 9). Часть включенных в таблицу бинарных соединений не существует, однако, как отмечалось выше, они могут оказаться компонентами более сложных фаз и поэтому заранее исключать их из рассмотрения не следует. [c.43]

Руководствуясь правилами построения аналогов, соответствующими приведенным в 2, можно вывести формулы четверных и более сложных тетраэдрических дефектных и избыточных фаз. Однако в этом нет необходимости, поскольку они будут представлять собой комбинации двойных и тройных фаз, исчерпывающий перечень которых дан в табл. 10. Как видно, табл. 10 может служить для выбора направления поисков новых полу- [c.53]

Как известно, сходство элементов одной группы проявляется лишь в том случае, когда они реализуют валентность одного и того же вида. Сложные вещества могут относиться к одному и тому же классу, если составляющие их элементы реализуют валентность одного типа (нормальную, неполную и т. д.). Эти требования могут быть проиллюстрированы на примере наиболее изученного семейства тетраэдрических фаз. [c.54]

Перечисленными шестью типами дефектных тройных фаз исчерпываются известные к настоящему времени вещества. Как видно из их описания, во всех типах найдены вещества с тетраэдрической конфигурацией атомов в структуре. Четверные и более сложные гетеровалентные дефектные тетраэдрические фазы изучены мало [413], однако первые результаты весьма интересны. [c.167]

Такая ситуация сложилась благодаря исследованию более сложных, чем бинарные тетраэдрических фаз, из которых первыми по времени были твердые растворы на основе изовалентного замещения. Именно на примере этих тетраэдрических фаз переменного состава была подтверждена экспериментально важная мысль, лежавшая в основе исследования сложных полупроводниковых систем. Мысль эта имеет первоисточником высказанное еще Гольдшмидтом предположение о том, что в веществах с тетраэдрическим строением индивидуальность отдельных структурных единиц отступает на задний план перед всей постройкой кристалла в целом [3]. [c.204]

Рост термической и гидротермальной стабильности цеолита связан со сложными структурными и химическими преобразованиями. Продукт, подвергнутый различным обработкам, вероятно, состоит более чем из одной фазы. Однако рост стабильности, по-видимому, связан с удалением алюминия из определенных положений в каркасе, вызванным гидролизом аммонийных форм цеолита. Уменьшение постоянной элементарной ячейки обусловлено удалением атомов алюминия из тетраэдрических мест кар- каса и замещением на атомы кремния. Присутствие гидроксильных групп в вакантных тетраэдрических местах не должно было бы приводить к уменьшению параметров элементарной ячейки. [c.528]

Основное отличие структур а и б, с одной стороны, и структуры в, с другой, состоит, очевидно, в том, что первые требуют присутствия дополнительного атома. Данные Леонарда и др. [117], полученные методом рентгеновской флуоресценции, свидетельствуют, что при содержании окиси алюминия менее 30 мол.% основная часть алюминия имеет тетраэдрическую координацию, хотя с увеличением концентрации окиси алюминия в дегидратированном геле растет количество структурных ячеек из двух (или более) тетраэдров АЮ4, соединенных ребрами. Эту структуру можно рассматривать как пару соседних льюисовских центров [118]. В образцах алюмосиликатов с 21 мол.% окиси алюминия Леонард и др. [119] обнаружили фазы, сходные с муллитом и т)-окисью алюминия. Описанная выше модель тетраэдров, связанных вершинами, вполне приемлема, если концентрация окиси алюминия меньше 20 мол.%, но при концентрации более 30 мол.%, несомненно, присутствуют и более сложные структуры. [c.79]

Тетраэдрическое расположение атомов в структуре алмаза и цинковой обманки требует среднего числа валентных электронов на атом, равного четырем. Отсюда, для сложных фаз этой группы, являющихся аналогами элементов четвертой группы, можно сформулировать следующее правило состав их должен быть таким, чтобы среднее число валентных электронов на атом равнялось четырем. Это правило сразу же резко ограничивает число возможных сочетаний элементов различных групп, среди которых следует искать фазы-аналоги четвертой группы. Например, число сочетаний по два элемента из семи различных групп таблицы Менделеева будет равно [c.20]

Вышеописанным способом мы определили число возможных типов сложных тетраэдрических фаз. Однако этот способ учиты- [c.38]

В системе т41п5Ь-(1—т) А з5ЬТе4 вблизи 1п5Ь имеются гомогенные сплавы, в которых, по-видимому, места анионов занимают сурьма и теллур, а места катионов — серебро, индий и сурьма [22, 23]. Таким образом, в кристаллографически равноценных позициях оказываются сурьма и индий, что не наблюдается в бинарных тетраэдрических фазах. Последнее обстоятельство наводит на мысль, что, по-видимому, в сложных тетраэдрических фазах вариации состава узлов могут быть более широкими, чем в простых. [c.42]

Эти фазы оказываются зеркальным изображением относительно четвертой группы таблицы Менделеева приведенных выше двухкатионных тетраэдрических фаз. Попытки получения веществ таких типов показали, что почти все они являются неустойчивыми или кристаллизуются в сложных структурах. [c.22]

Все это дает основание наряду с группой алмазоподобных полупроводников рассматривать крнсталлохимически родственные им дефектные и избыточные тетраэдрические фазы с отличным от четырех средним числом валентных электронов на атом. Отсюда возникает вопрос о пределах изменения среднего числа электронов на атом, в которых еще можно ожидать образования дефектных или избыточных тетраэдрических фаз с полупроводниковыми свойствами, а вслед за ним вопрос о возможных Т1шах дефектных или избыточных сложных веществ с тетраэдрическим (в основе) расположением атомов в структуре. [c.43]

В четверных и более сложных системах, где широкие области гомогенности недефектных тетраэдрических фаз являются правилом (см. 2, разд. Г), а, корме того, возможны гомогенные области другого характера, описанные выше закономерности приобретут еще более сложный вид. [c.192]

Изучение реакции фенилацетата с метоксид-ионом в газовой фазе показало, что присоединение даже одной молекулы растворителя к нуклеофильному агенту может резко изменять направление реакции [671, 672]. Известно, что щелочной гидролиз сложных эфиров в растворах протекает путем атаки нуклеофильного агента на карбонильный атом углерода (в результате чего образуется тетраэдрическое промежуточное соединение) с последующим расщеплением связи ацил— кислород (механизм Вас2) см. реакцию (5.138а). [c.351]

Пентаоксид фосфора. Структурная химия этого оксида в жидком состоянии довольно-таки сложна. Помимо стеклообразной формы и фазы высокого давления [1] имеются три модификации, устойчивые при атмосферном давлении. Как отмечено в гл. 3, эти трп кристаллические модификации отражают различные способы соединения тетраэдрических групп РО4 через три вершины с образованием а) конечных молекул Р4О10 [2] той же конфигурации, что и в парообразном состоянии (рис. 19.8, в) б) слоистой структуры [3], осгюванпой на простейшей плоской 3-связанной сетке в) трехмерного каркаса [c.621]

Пентаоксид фосфора. Структурная химия этого оксида в жидком состоянии довольно-таки сложна. Помимо стеклообразной формы и фазы высокого давления [1] имеются три модификации, устойчивые при атмосферном давлении. Как отмечено в гл. 3, эти три кристаллические модификации отражают различные способы соединения тетраэдрических групп РО4 через три вершины с образованием а) конечных молекул Р4О10 [c.621]

Упорядочение в бинарном ОЦК растворе замещения может рассматриваться в простой решетке Изинга (ОЦК решетке). Ситуация оказывается, однако, более сложной, если мы рассматриваем растворы внедрения в ОЦК решетке. В 11 уже отмечалось, что в этом случае решетка Изиига является сложной. Она представляет собой три смещенных относительно друг друга ОЦК решетки октаэдрических междоузлий и шесть ОЦК решеток тетраэдрических междоузлий. Точно так же, как и в I l, мы здесь для краткости будем рассматривать растворы внедрения, в которых атомы внедрения могут заполнять преимущественно то.тько одну подрешетку октаэдрических междоузлий. Такие растворы внедрения изоморфны с растворами замещения в ОЦК решетке и могут быть рассмотрены с ними единым образом. При этом, однако, надо иметь в виду, что каждой полученной таким образом фазе внедрения можно сопоставить другие фазы внедрения, в которых атомы внедрения точно таким же образом распределены в остальных октаэдрических или тетраэдрических ОЦК подрешетках междоузлий. [c.139]

Структура твердого ХеРе сложна в элементарной ячейке содержится 144 молекулы ХеРе [14,23]. Известны четыре фазы твердого гексафторида ксенона так, кубическая фаза состоит из пирамидальных катионов ХеРз, связанных в кристалле свободными атомами фтора. Очевидно, эти мостиковые связи должны иметь сильно ковалентный характер. В результате ксенонсодержащие частицы оказываются объединенными в тетраэдрические и октаэдрические фрагменты (рис. 6.14,а, б), всего 24 тетраэдра и 8 октаэдров на одну элементарную ячейку, очень эффективно упакованных как псевдосферы в структуру АиСиз (рис. 6.14,в). Изучение структуры твердого ХеРе подтвердило устойчивость квадратно-пирамидального иона Хер5. [c.157]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология