Перенос заряда гексаном

Определение констант равновесия комплексообразования. Спектрофотометрический метод широко применяется не только для определения констант ионизации кислот и оснований, но и может быть использован для нахождения констант равновесия процессов образования различных комплексов. На примере взаимодействия иода с циклогексеном в гексане рассмотрено применение УФ-спектроскопии для определения константы равновесия реакции образования комплексов донорно-акцепторного типа. На рис. 13 приведены УФ-спектры растворов иода и циклогексана в гексане и их смеси. Поглощение в области 300 нм связано с образованием комплекса с переносом заряда [c.26]

Ниже на примере взаимодействия иода с циклогексеном в гек-сане рассмотрено применение УФ-спектроскопии для определения константы равновесия реакции образования комплексов до-норно-акцепторного типа. На рис. 12 приведены УФ-спектры растворов иода и циклогексена в гексане и их смеси. Поглощение 330 370 ъ области 300 нм связано с образованием комплекса с переносом заряда [c.32]

Энтальпии образования таких комплексов с переносом заряда представляют интерес как для неоргаников, так и для химиков-органиков. Для многих неорганических систем, особенно в химии координационных соединений и неводных растворов, для понимания многих явлений необходимо располагать сведениями о донорных и акцепторных свойствах. Поскольку рассмотренные выше аддукты растворимы в ССЦ или гексане, эти данные могут быть легче интерпретированы, чем результаты, полученные в полярных растворителях, где имеют место значительные эффекты сольватации. Вследствие подобных эффектов сольватации структурная интерпретация влияния заместителей на рК и на данные по константам устойчивости становится очень спорной. Типичные данные для систем донор—Ь, приведенные в табл. 6-4, позволяют судить о большом разнообразии систем, которые могут быть исследованы таким путем. [c.176]

В последние годы установлено, что в твердых органических и полу-органических системах наблюдается высокая электронная проводимость. Этими системами являются твердые донорно-акцепторные комплексы, которые в растворе дают характеристический спектр переноса заряда. Перенос заряда первоначально постулировался Малликеном [119] для объяснения поведения иода в различных растворителях. Подробное рассмотрение теории переноса заряда не входит в задачу этой главы, однако следует отметить, что основой теории является предположение о существовании очень слабо ионного основного и сильно ионного возбужденного состояний комплексов. Именно переходы между этими двумя состояниями обусловливают цвет растворов иода, изменяющийся от фиолетового в цикло-гексане до темно-коричневого в бензоле. Позже эта теория была применена ко многим другим комплексам в растворе. Очень серьезный обзор работ в этой области опубликован Мак-Глинном [109]. [c.47]

Либби и др. [23] провели очень интересный эксперимент по облучению малых концентраций гексана в жидком ксеноне при —80°. Димеры и гексены образуются с выходами, сравнимыми с выходами в чистом гексане, что свидетельствует о полном переносе энергии или заряда от ксенона к гексану даже при концентрациях порядка [c.230]

Приготовьте раствор иода (0,25 г 0,001 моля) в 100 мл гексана-В мерной колбе на 10 мл разбавьте 0,1 мл полученного раствора гексаном и доведите объем до метки. Раствор налейте в спектрофотометрическую кювету толщиной 10 мм и запишите спектр в области 250—600 нм в кювете сравнения — гексан. Повторите опыт, используя в качестве разбавителя ароматические углеводороды, а в качестне эталона — разбавленный раствор иода в гексане. Сравните полученные спектры и объясните полосы поглощения. Определите положение максимума полосы поглощения комплекса с переносом заряда. Рассмотрите причины наблюдаемых различий для разных ароматических растворителей. [c.111]

При исследовании галогенирова-ния олефинов в неполярных раство-Рис. 6.5. Зависимость логарифма рителях обнаружены комплексы С константы скорости реакции бро- переносом заряда между различны-мирования циклогексена в гексане ми галогенами И олефинами 1425, от обратной температуры. a i [c.132]

Одним из наиболее удобных и эффективных методов исследования комплексов иода с ароматическими углеводородами является УФ-снектроскопия в УФ-спектрах комплексов появляется новая интенсивная полоса, отсутствующая в спектрах исходных компонентов. Исследования в растворе (бензол, гексан, гептан, I4) показали, что спектр комплекса СеНв-1г имеет полосу переноса заряда в области 287—297 нм [22]. При комплексообразовании полоса поглощения иода = 520 нм) смещается в сторону больших ча- [c.313]

Данные УФ-спектроскопии свидетельствуют, что в системах типа ароматический углеводород — тетрагалогенид образуются комплексы состава 1 1. Растворы I4 и СВг в смешанных растворителях, содержащих ароматический углеводород и гексан (или циклогексан), поглощают в области 230—300 нм сильнее, чем исходные компоненты [44, 99, 115—117]. Эти изменения в спектрах были приписаны появлению полос переноса заряда [44, [c.321]

Взаимодействие растворенного вещества с растворителем проявляется при многих спектроскопических измерениях, включая измерения ДОВ и КД. Действительно, изменеипе природы растБ0рИ1еля может влиять на эффект Коттона, так как при этом вводятся такие новые факторы, как образование комплексов растворенное вещество— растворитель, диполь-дипольное взаимодействие, образование водородных связей, конформационное равновесие, перенос заряда и т. д. [17—21, 534—539]. До некоторой степени это наблюдается в случае о-( + )-камфоры 1, которая имеет молекулярную амплитуду а — 64° в этаноле, а = + 69° в диоксане и а = -[- 73° в гексане. Следовательно, выбор растворителя имеет большое значение. [c.80]

Окуда [48] наблюдал для адсорбированного и-диметилфенилен-диамина в присутствии кислорода процесс образования стабильного продукта окисления с полосой 440 нм и полосой у 705 нм, которая присутствует также и на силикагеле и не изменяется обратимо с изменением давления О2. Эта последняя полоса приписывается переносу заряда между диамином и Oj. Для дифениламина первая полоса поглощения 280 нм (в газообразной фазе и в гексане) оказывается смещенной к 300 нм в случае адсорбции на алюмосиликагеле ]81]. Эти относительно малые батохромные сдвиги указывают на присутствие физически адсорбированных молекул. Однако для адсорбированного состояния можно наблюдать также полосу 370 нм для дифениламина [81] и 410 нм для бензидина [27], которые указывают на другой тип взаимодействия с поверхностью как силикагеля, так и алюмосиликагеля. Подобная полоса поглощения в видимой области была обнаружена Окуда и Тачибапа [83] в условиях, когда обезгаженный алюмосиликагель погружался в виде взвеси в раствор и-фенилендиамина в циклогексане. Полоса 470 нм катион-радикала (HjN—Ph—NH2) появляется вместе с одиночной линией ЭПР. Более сильная полоса 324 нм приписывается физически адсорбированной молекуле диамина. [c.254]

Питропропен дает в к-гексане полосу при 229 нм с е = 8700. По-видимому, эта полоса также может быть обусловлена вкладом перехода с переносом заряда [118). Недавно была изучена дисперсия оптического вращения серии алифатических нитросоединений, главным образом нитростероидов [c.32]

Либби и др. [23] провели очень интересный эксперимент по облучению малых концентраций гексана в жидком ксеноне при —80°. Димеры и гексены образуются с выходами, сравнимыми с выходами в чистом гексане, что свидетельствует о полном переносе энергии или заряда от ксенона к гексану даже при концентрациях порядка 0,04 мольной доли гексана. В пределах ошибок опыта распределение изомеров димера, по-видимому, не зависит от концентрации гексана. Стоун [101] облучал различные парафины в жидком криптоне при —190° и нашел для гексана С(Н2) = 1,7 независимо от концентрации в диапазоне 3—10 электрон. %. В аналогичных экспериментах с циклогексеном он практически не обнаружил убыли образования циклогексена по сравнению с чистым твердым состоянием, но димера, дициклогексила, образуется меньше. В присутствии таких акцепторов электронов, как 0,3% СС14 или СвНв, это уменьшение даже сильнее. Результаты для циклогексана не обязательно противоречат данным Либби, не обнаружившего уменьшение димеров в жидком ксеноне, поскольку димеры в циклогексане образуются во вторичном процессе путем соединения радикала с радикалом при плавлении. [c.230]

Поскольку захват электрона р-каротиком в гексане протекает очень быстро, сформирова вш и и с я в момент возбуждения пик прн 880 нм принадлежит анион-радикалу -каротина. Это подтверждается также экспериментом, проведенным в условиях насыщения гексана N , являющегося акцептором электрона. Полоса при 880 нм исчезает, в то время как пик при 1040 нм остается практически без изменений (рис. 3.7, б) Таким образом, оставшееся поглощение (с максимумом при 1040 нм) возникает в результате переноса на каротин положительного заряда. Чтобы окончательно выяснить природу продукта, которому соответствует поглощение при 1040 пм, Дэйв и Лэнд 12531 провели эксперимент с р-каротином в циклогек- [c.136]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология