Полупроводники электронные

Роль активных центров играют нри этом электроны в зоне проводимости. В соответствии с опытом реакция ускоряется при наличии в полупроводнике электронно-донорных примесей. [c.457]

Существуют факты, которые указывают на важную роль свободных и слабо связанных электронов катализатора в каталитической реакции. К их числу можно отнести высокие каталитические свойства переходных металлов, обладающих незавершённой -оболочкой и возможностью перехода электронов в другую электронную оболочку каталитическую активность полупроводников, электроны которых могут осуществлять переходы между уровнями заполненной и свободной зоны и уровнями примесей наблюдающийся в некоторых случаях параллелизм между каталитическими свойствами и такими свойствами веществ, как электрическая проводимость и работа выхода электрона и т. п. Влияние работы выхода электрона на каталитическую активность иллюстрирует разложение пероксида водорода на меди или никеле. Одна из стадий этой реакции состоит в диссоциации молекулы пероксида водорода [c.360]

Концентрация носителей на поверхности полупроводникового кристалла существенно зависит от концентрации адсорбированных в окисной пленке молекул окислителей или восстановителей, кислот или оснований, а также молекул воды и других полярных веществ. При этом молекулы кислот и окислителей увеличивают концентрацию дырок, а молекулы восстановителей, оснований, воды и других полярных веществ обогащают поверхность полупроводника электронами. [c.212]

Когда под влиянием повышения температуры из заполненной зоны полупроводника электрон переходит в зону проводимости, на его месте в заполненной ( нижней) энергетической зоне остается вакансия— дырка . Ток в таких веш,ествах переносится как электронами, так и дырками, которые могут, вообще говоря, рекомбинировать. [c.283]

Теория энергетических зон предусматривает еще один существенный процесс, происходящий в полупроводниках. При нагревании или освещении полупроводника электроны переходят в зону проводимости и оставляют свободные места в валентной зоне, которая оказывается частично незаполненной. Эти свободные места (под действием электрического поля). могут заполняться электронами нижележащих уровней, [c.266]

Полупроводники. Известны два вида полупроводников — электронные и протонные полупроводники. В электронных полупроводниках истинными носителями тока являются электроны в протонных полупроводниках — протоны. Среди простых жидкостей и их растворов протонных полупроводников нет, поэтому ограничимся описанием свойств только жидких электронных полупроводников. [c.163]

Рассеяние носителей заряда происходит и на других нарушениях решетки, например на дислокациях. Дислокацию в полупроводнике электронного типа можно уподобить линейному отрицательному заряду в виде бесконечно длинного цилиндра радиуса Я, вокруг которого имеется положительный пространственный заряд. Расчет показывает [Ю], что при рассеянии носителей заряда на дислокациях время релаксации не зависит от температуры кристалла, а определяется плотностью дислокаций Мо и скоростью ь рассеиваемого заряда, согласно выражению [c.251]

Волновые и корпускулярные свойства света. Впервые двойственная природа микрообъектов была установлена для света. С одной стороны, для него характерны явления интерференции и дифракции, что присуще любому волновому процессу. С другой стороны, имеются факты, которые указывают на корпускулярные свойства света. К ним относится фотоэффект — явление испускания металлами и полупроводниками электронов под действием света, открытое в 1889 г. Столетовым. [c.49]

Термоэлемент (рнс. 6) состоит из двух с различной проводимостью полупроводников — электронного (—) и дырочного (+). Они последовательно соединяются металлическими пластинами, образующими спаи. При прохождении постоянного электрического тока один из спаев охлаждается и имеет температуру а другой — нагревается и имеет температуру Т . При [c.14]

При регулярном расположении атомов в цепочке или в кристалле электронные энергетические уровни образуют зоны, заполненные электронами в соответствии с принципом Паули. У проводников (металлов) свободная зона, зона проводимости, непосредственно примыкает к заполненной. У диэлектриков разность энергий заполненной и свободной зон весьма велика. Электронные полупроводники занимают промежуточное положение, у них расстояние между зонами имеет величину порядка тепловой энергии кТ, и, следовательно, нагревание может сообщать полупроводнику электронную проводимость. Ее зависимость от температуры выражается формулой [c.109]

Полупроводники обладают проводимостью, отличающейся от валентной, энергетическим уровнем порядка кТ, где к — константа Больцмана. При возрастании температуры полупроводника электроны в нем лег-I че передвигаются и сопротивление [c.34]

Способность металлов испускать электроны под действием света называется внешним фотоэлектрическим эффектом. При освещении веществ, являющихся изоляторами и полупроводниками, электроны не могут покинуть поверхность вещества, но они получают энергию, достаточную для отрыва от атомов и передвижения внутри вещества. Возрастание проводимости изоляторов и проводников при освещении их светом называется внутренним фотоэлектрическим эффектом. [c.42]

Пока образование и дальнейшее превращение заряженного переходного комплекса не нарушают частных электронных равновесий в твердом теле и на его поверхности и не требуют локализации на каких-то специальных элементах структуры или на дефектах определенного типа, равновесная концентрация переходных комплексов Х+ или Х не должна зависеть от пути их образования и совершенно не важно, какие формы, имеющиеся в полупроводнике — электроны валентной полосы, дырки этой полосы, электроны полосы проводимости и т. д., фактически пере- дают свой заряд частицам, образующим переходный комплекс, который может представлять заряженную молекулу, атом, продукт ассоциации и т. д. [c.17]

В соответствии с такой классификацией каталитических процессов катализаторы также разделялись на две большие группы 1) катализаторы-проводники электрического тока, т. е. металлы и полупроводники, электроны которых принимают активное участие в окислительно-восстановительных реакциях 2) ка-тализаторы-непроводники, т. е. ионные кристаллы, ионные аморфные тела (гели) без свободных носителей тока в -объеме. Электропроводность этих тел может быть ионной, но она заметно проявляется лишь при высоких температурах, которые не достигаются в катализе. Катализаторы -второго рода пригодны для тех же реакций, которые катализируются кислотами в случае гомогенного катализа. [c.213]

Нри возбуждении диэлектрика или полупроводника электрон с некоторого уровня е валентной зоны может перейти на уровень г) зоны проводимости. Разность энергий [c.66]

В зависимости от природы электрода и реакции в электрохимической реакции на полупроводниковом электроде могут участвовать электроны из зоны проводимости (в дальнейшем электроны ), из валентной зоны ( дырки ) или те, и другие. Концентрация неосновных носителей в полупроводниках (электронов в полупроводниках р-типа или дырок в полупроводниках п-ти-па) всегда намного меньше концентрации основных носителей и тем более концентрации электронов в металлах. Поэтому специфические особенности реакций на полупроводниковых электродах выражены более резко при участии в них неосновных носителей. [c.294]

Между металлом и полупроводником имеется, однако, существенная разница. В случае полупроводника электроны и дырки возникают в результате возбуждения примесных центров или дефектов и число их ограничено. Оно может быть во много раз меньше общего числа катионов. [c.193]

Промежуточное место между металлическими проводниками и изоляторами занимают полупроводники, к которым относятся металлоподобные металлоиды, как кремний и германий, и многие химические соединения. В атомах полупроводников электроны свя- [c.613]

Теория энергетических зон предусматривает еще один существенный процесс, происходящий в полупроводниках. При нагревании или освещении полупроводника электроны переходят в зону проводимости и оставляют свободные места в валентной зоне, которая оказывается частично незаполненной. Эти свободные места (под действием электрического поля) могут заполняться электронами нижележащих уровней, а вновь освобождающиеся места — электронами еще ниже расположенных уровней. Таким образом, свободное место, получившее название дырки , может перемещаться в кристаллической решетке полупроводника в направлении, противоположном перемещению электрона. В действительности движение дырки — это перемещение [c.245]

Объяснение термоэлектронной эмиссии оксидных катодов на основе зональной теории полупроводников. Электронная теория металлов Зоммерфельда, хорошо объясняющая количественно термоэлектронную эмиссию из металлов, не учитывает наличия кристаллической решётки металла, а также наличия иных электронов, кроме электронов проводимости. [c.45]

Интересно сравнить этот рисунок с рис. 4.5, на котором изображены аналогичные графики для нестехиометрического полупроводника. При сравнении бросается в глаза аналогичный ход прямых для доминирующих заряженных дефектов в каждой из различных областей давлений I—III. Существенное отличие обоих типов нестехиометрических соединений наблюдается только в области I, прилегающей к стехиометрическому составу. Здесь оба соединения имеют различный тип доминирующих собственных дефектов полупроводник —электронные дефекты, ионный кристалл — ионные. В областях же II и III при больших откло- [c.155]

Избыточные по отношению к стехиометрическому составу атомы элементов, из которых построена решетка, в зависимости от их природы являются либо донорами, либо акцепторами электронов. Если полупроводники представляют собой соединение металла с металлоидом (окислы, сульфиды), то избыток атомов металлов создает в полупроводнике электронную проводимость, избыток атомов металлоидов—дырочную проводимость. [c.456]

О.ЛЯ границы полупроводник (электронный)—электролит. [c.157]

Отмеченные выше свойства электрохимических систем впервые были объяснены в 1887 г. Аррениусом при использовании (в дальнейшем экспериментально вполне подтвержденной) гипотезы о том, что электролиты в водных растворах диссоциируют на электрически заряженные ионы. Поэтому электрохимические системы можно определить также при помощи утверждения, что в них при прохожде. НИИ тока происходит перенос заряда ионами, в то время как в металлах и полупроводниках — электронами. [c.239]

На границе электроны из л-полупроводника переходят в р-по-лупроводник, в результате этого обе фазы вблизи границы лишаются носителей электричества (п-полупроводник электронов, р-полупроводник дырок). Если .наложить внешнее поле таким образом, чтобы д-полупроводник был заряжен положительно относительно р-полупроводника, то, как и в рассмотренном выше случае границы металл—полупроводник, сопротивление контактного слоя В озрастает и ток будет запираться . [c.521]

Как отмечалось в гл. 17, электроны в атомах движутся со скоростями, составляющими заметную долю от скорости света. Следовательно, для описания атомных систем необходимым оказалось одновременное привлечение и квантовой механики, и теории относительности. Слияние двух важнейших разделов механики привело к рождению квантовой теории электромагнитного поля—кван-тпвой электродинамики. Олин из важнейших выводов квантовой электродинамики — представление о двойственной природе быстродвижуи ихся микрообъектов, которые проявляют себя и как частицы корпускулы), и как волны. Такая двойственная природа впервые была установлена для света. Разрабатывая теорию света, ученые первой половины XIX в. доказали, что он представляет собой электромагнитные колебания и проявлениями его волновой природы являются преломление, интерференция, дифракция и др. Однако с позиций волновой природы не удавалось объяснить открытый в 1889 г. А. Г. Столетовым фотоэффект (испускание металлом или полупроводником электронов под действием света). Считалось, что энергия электромагнитных колебаний накапливается постепенно, по мере поступления, между началом освещения и моментом вылета электрона должно проходить длительное время. Опыт же показывал, что фотоэффект можно наблюдать в момент освещения металла. [c.201]

При фотовозбуждении полупроводника электроны валентной зоны, поглотив кванг света, переходят в зону проводимости, оставляя в валентной зоне положительно заряженные дырки. Электроны проводимости и дырки могуг вступать в электрохим. р-ции, соотв. катодные и анодные, обусловливающие фототок. Скорость р-ций и, следовательно, фототок увеличиваются с концентрацией фотогенерир. электронов и дырок (см. Электрохимия полупроводников). [c.185]

В твердотельном детекторе используется процесс образования в полупроводнике электронно-дырочных пар при попадании в него электронов с высокой энергией. Электронная структура полупроводника включает незаполненную зону проводимости, разделенную запрещенной зоной от полностью заполненной валентной зоны. Когда электроны с высокой энергией испытывают неупругое соударение, электроны переходят в зону проводимости, где они могут свободно перемещаться, оставляя на ста-)ых местах в валентной зоне дырки, которые также могут пе-земещаться под действием приложенного поля (рис. 4.20) 85, 86]. Предоставленные сами себе свободный электрон и дырка в конечном итоге рекомбинируют. Приложенным полем электрон и дырка могут быть разделены. Это поле может быть [c.129]

Миогочисленные исследования электронных свойств твердых катализаторов показали, что электроны, принадлежащие разным ионам, могут быть обобществлены (зонная модель). Передвижение электрона по решетке обусловливает проводимость твердого тела. В полупроводниках электрон перескакивает из валентной зоны или с энергетического уровня примеси, в1веденной в полупроводник, в зону проводимо сти. Создание разнообразных дефв1К-тов в решетке способствует образованию не одиночных энергетических уровней, а узких зон, в которых транспортирование электрона облегчено. [c.147]

Р=1 тор. Если рассматриваемый полупроводник — электронный, то при Р=0 уровень Ферми на поверхности смещается на AFs=kT при смещении ypoBHHI p на AF р +ЮА Г. При смещении же уровня Ферми в объеме вниз на 20 кТ, 10-5 кТ. [c.152]

V2O5 — полупроводник электронного типа. Электропроводность его быстро растет с повышением температуры. При 100° С удельная электропроводность а 1,27- 10 ом -см . Особенно резкое возрастание электропроводности наблюдается при образовании следов низших окислов во время восстановления [297]. [c.542]

Как и в металлах, в полупроводниках электроны занимают определенные энергетические уровни (рис. 5), но в полупровюяраике зона, занятая электронами, и зона, свободная от них, расположены не вплотную друг к другу, а на определенном расстО ЯНии. Это расстояние названо запрещенной зоной . Под этим термином подразумевается, что в такой зоне не могут находиться электроны. [c.15]

Полное представление о том, что понимают под электронным фактором в адсорбции и катализе на полупроводниках, уже было дано в предыдущей главе. В разд. 5.2.4.1 говорилось, как происходят различные электронные перегруппировки после адсорбции на полупроводниках р- и и-тинов и как каталитическую активность полупроводниковых окислов можно интерпретировать на основании данных о свойствах точечных дефектов, существующих в таких твердых телах (разд. 5.3.2) или на основании представлений теории Волькенштейна (или электронной теории разд. 5.3.3). В разделе 5.3.2.3 обобщены данные о некоторых современных методах оценки каталитической активности полупроводников. Напомним, что для полупроводников электронный фактор и роль дефектов кристаллической решетки в катализе являются в большей или меньшей степени синонимами. [c.271]

Введение в современную теорию растворов (1976) -- [ c.6 , c.163 ]

Введение в кинетику гетерогенных каталитических реакций (1964) -- [ c.63 , c.65 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.520 , c.523 , c.557 , c.580 , c.581 , c.583 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология