Дефекты определение

Таблица 36. Сравнение размеров дефектов, определенных по данным ВТК и

Экспериментальным путем можно установить изменение амплитуды ультразвукового импульса, отраженного от искусственного дефекта определенного типа при построчном сканировании за один проход от перечисленных выше граничных факторов. Влияние граничной поверхности на амплитуду исследовали на пластинах и сварных образцах толщиной 8—20 мм, выполненных автоматической дуговой сваркой. В сварных образцах по оси симметрии шва сверлили боковые отверстия диаметром 2,5 мм на разной глубине от поверхности усиления. Такие же отверстия сверлили и в пластинах. [c.205]

По алгоритму (рис. 13) определяется состояние НКТ наличие на теле трубы дефекта определенного вида. [c.21]

Здесь г - расстояние до дефекта, определенное через измерение времени f глубиномером, настроенным на скорость звука с - время пробега УЗ-импульса в акустической задержке (призме преобразователя, жидких контактных слоях и т.д.) а -угол ввода, определяемый выбором преобразователя. Для прямого преобразователя а = О и [c.213]

Таблица 9-8. Некоторые генетические заболевания, обусловленные дефектами определенных ( рментов

Фактор трансляции, будучи по сути аналогом времени, обеспечивает максимум "видности" дефектов определенного размера на определенной глубине. Для того, чтобы не вводить двойную калибровку по размерам дефекта и глубине, предложено использовать ранние времена наблюдения, при которых, как показано в главе 3, температурные сигналы слабо зависят как от поперечных размеров дефектов, так и от толщины дефектов, сохраняя сильную зависимость от их глубины залегания. [c.145]

На какой глубине в материале может быть еще однозначно выявлен отражатель (дефект) определенной величины [c.249]

Несмотря на то, что методы механики разрушения начали применяться на АЭС для обоснования допустимости дефектов еще с 70-х годов, большого распространения на АЭС России (ранее СССР) данные методы не получили. Такая ситуация приносит большие экономические убытки АЭС. Это обусловлено тем, что допустимые дефекты, определенные по методам механики разрушения, имеют сушественно большие размеры, чем по документам [3, 8]. [c.69]

Минимальное значение кривой убытков на рис. 41 соответствует нормам дефектов, определенным как допустимые дефекты в эксплуатации (при условии правильно выбранных коэффициентов запаса прочности). [c.133]

Различные структурные дефекты решетки избыточные атомы в междоузлиях, вакансии, дислокации, границы кристалла, оказывают значительное влияние на структурно-чувствительные свойства полупроводников. Многие полупроводниковые соединения являются фазами переменного состава с более или менее широкой областью существования. Свойства таких соединений определяются главным образом природой и концентрацией точечных дефектов. Управление структурно-чувствительными свойствами материалов сводится к выбору методов и установлению условий, обеспечивающих возможность контролируемого введения дефектов определенного типа в решетку кристалла либо в процессе его выращивания, либо при его последующих обработках. Однако для этого необходимо предварительно установить характер и степень изменения физических свойств при введении в решетку кристалла дефектов определенного типа (например, примесей) в зависимости от их концентрации. Сложность этой задачи заключается в том, что лишь в исключительных случаях удается изготовить кристалл, содержащий дефекты только [c.8]

Минимальный размер выявляемого дефекта для реальных дефектов определенного типа может быть установлен статистической обработкой результатов вскрытия большого числа проконтролированных изделий. Чаще всего минимальный размер оценивают по плоскодонным отражателям. Эхо-сигнал от минимального дефекта должен быть больше (определяемого максимальной акустической чувствительностью) и в два раза больше уровня шумов. Первым требованием ограничивается, в частности, возможность выявления дефектов, размеры которых меньше длины волны. При (1 X отражательная способность дефекта резко уменьшается. Чтобы повысить чувствительность и выполнить первое из указанных требований, необходимо увеличить двойной коэффициент преобразования преобразователя, коэффициент усиления дефектоскопа, амплитуду генератора, площадь пьезопреобразователя (если дефект находится в дальней зоне). Оптимальное значение частоты, соответствующее максимальной чувствительности, снижается по мере увеличения толщины изделия и затухания УЗК. При контроле изделий большой толщины наклонными преобразователями чувствительность повышается при уменьшении угла наклона. [c.243]

Каждый дискретный уровень прочности со своим максимумом на кривой распределения соответствует дефектам определенного тина, нанример, субмикротрещинам, микротрещинам или макротрещинам. У неорганических стекол и стекловолокон имеется пять, у полимерного волокна (капронового) —восемь, а у полимерных неориентированных аморфных пленок (например, полиэтилентерефталатных)—до четырех уровней прочности и долговечности. Это объясняется тем, что в случае полимерных волокон дискретность структуры приводит к дискретному распределению микротрещин и но их размерам, а это в свою очередь приводит к дискретному спектру прочности. Между данными, полученными методом малоуглового рентгеновского рассеяния и дискретным спектром прочности капронового волокна. [c.260]

Вода имеет структуру деформированного или растянутого льда I, в которой могут возникать дефекты. Определенное число молекул Н2О проходит через поверхности, окружающие тетраэдры, и занимает центры внедрения. Молекула из остова структуры, попадающая в полость [c.185]

Пока образование и дальнейшее превращение заряженного переходного комплекса не нарушают частных электронных равновесий в твердом теле и на его поверхности и не требуют локализации на каких-то специальных элементах структуры или на дефектах определенного типа, равновесная концентрация переходных комплексов Х+ или Х не должна зависеть от пути их образования и совершенно не важно, какие формы, имеющиеся в полупроводнике — электроны валентной полосы, дырки этой полосы, электроны полосы проводимости и т. д., фактически пере- дают свой заряд частицам, образующим переходный комплекс, который может представлять заряженную молекулу, атом, продукт ассоциации и т. д. [c.17]

Плотность скоплений [ск] дефектов, определенная методом просвечивающей электронной микроскопии [409] [c.289]

Представленный метод, являясь не корректным для определения дефектной структуры фазы, может с успехом использоваться для определения энергетических параметров дефектной структуры, если преобладающий тип дефектов определен. [c.90]

Задача получения люминофора с определенными свойствами сводится к контролируемому получению кристаллов или поликристаллического порошка с дефектами определенного рода. В частности, как вытекает из материалов первой части книги, для достижения максимального выхода люминесценции необходимо, чтобы максимальным было отношение концентрации центров свечения к концентрации центров тушения, Ссв/С . Первым условием решения этой задачи является тщательная очистка исходных материалов от всех примесей, влияющих на оптические свойства люминофоров, в особенности от примесей элементов-тушителей люминесценции. [c.230]

Ввиду того что точечные дефекты в кристаллах могут играть роль доноров или акцепторов, а отклонения от стехиометрии соответствуют повышению концентрации донорного или акцепторного дефекта, вопрос управления типом и величиной проводимости чистых полупроводниковых соединений может быть сведен к построению графика зависимости концентрации свободных носителей от условий, при которых обрабатывается или изготовляется кристалл. Отклонение от стехиометрии вызывает появление в каждом данном материале дефектов определенного типа, характеризуемых соответствующими энергиями ионизации. Концентрация же нейтральных дефектов, определяющих отклонение от стехиометрии, задается парциальными давлениями компонентов в паровой фазе, с которой взаимодействует кристалл, и температурой обработки. Следовательно, в качестве независимых переменных можно принять парциальное давление паров наиболее летучего компонента и температуру обработки кристалла. В качестве исследуемой величины возьмем концентрацию носителей, определяемую по измерениям эффекта Холла. Эксперименталь- [c.206]

В последние десятилетия все большее внимание уделяется и болезням обмена веществ. Из них следует в первую очередь упомянуть диабет, или сахарную болезнь, имеющую тенденцию все шире распространяться, поражая все большее число людей. Если в 1970 г. в ГДР было 320000 страдающих этим заболеванием, то в 1980 г. ожидают их уже до 530000 Мировое производство кристаллического инсулина из организмов животных составляет сейчас несколько тонн в год. В соответствии со все возрастающей потребностью в инсулине оно продолжает медленно расти и в скором будущем увеличится за счет создания синтетического инсулина. Кроме того, надеются, что в 80-е годы появятся новые диетические вещества, смягчающие воздействие на организм дефектов определенных ферментов. Примерно на [c.328]

Каждая труба, подлежащая эмалированию, подвергается визуальному осмотру наружной поверхности и осмотру внутренней поверхности с помощью перископа типа РВИ магнитной, рентгеновской или индукционной дефектоскопии для выявления скрытых дефектов определению микроструктуры металла трубы — не допускается крупных и мелких зерен в структуре металла. [c.171]

До расшифровки генетического кода было невозможно понять механизм синтеза белка и объяснить происхождение мутаций. Открытие генетического кода позволило ответить на вопрос о том, как связаны между собой дефекты определенных белков человека и наследственные заболевания. Кроме того, благодаря расшифровке генетического кода были созданы необходимые предпосылки для диагностики и лечения таких заболеваний. [c.94]

В табл, 5 показаны результаты анализа эксплуатационной надеж1юсти нагревательных печей установок типа 37. Более трети всех дефектов, определенных путем визуального осмотра и специальными методами технической диагностики, приходится на дефекты, главной причиной возникновения или появления которых является ползучесть. Растрескивание поверхности печных труб, являющееся следствием частых и резких колебаний температуры стенки трубы, составляет более 75% от всех дефектов, обусловленных ползучестью. [c.23]

Каждая из этих муфт предназначена для ремонта дефектов определенного типа и определенной длины. С помощью набора конструкций таких муфт могут быть отремонтированы такие дефекты, как коррозия, царапины, расслоения, дефекты сварных швов, вмятины, офры, комбинированные дефекты (типа вмятины с риской). Однако данные технологии имеют следующие основные недостатки [c.19]

Конечной целью медико-генетических исследований является создание методов лечения всех наследственных заболеваний. В табл. 21.1 перечислены продукты некоторых генов, коротко описаны симптомы заболеваний, которые обусловливаются мутациями в этих генах, указаны способы их лечения. Наследственные заболевания имеют сложные клинические проявления, и их лечение носит во многом симптоматический характер. Некоторые нарушения метаболизма корректируют назначением специальной диеты, что приводит к снижению уровня токсичных веществ в организме, накопление которых обусловливается мутациями в определенных генах. Так, при фенилкетонурии, которую выявляют у новорожденных с помощью специфического биохимического анализа крови, назначают безаланиновую диету. Для облегчения симптомов наследственных заболеваний, связанных с дефектом определенного белка, вводят внутривенно его функциональную форму, не вызывающую иммунной реакции. Такую заместительную терапию используют, например, ддя лечения гемофилии, тяжелого комбиниро- [c.483]

В табл. 7 приведены основные спектроскопические характеристики наблюдавшихся в кварце методом ЭПР центров непримесной природы, получившие в литературе название дефектов -типа. Связь между полосами оптического поглощения и спектрами ЭПР дефектов определенного типа зачастую неоднозначна, поскольку многие работы по изучению оптического поглощения проводились без ЭПР-измерений или ЭПР-исследова-ния — без оптических измерений. [c.147]

Синхронная оптическая стимуляция. Как отмечалось выше, периодические тепловые волны проникают тем глубже в твердое тело, чем ниже их частота. Тем не менее, дефекты определенного типоразмера могут потребовать оптимизации зондирующей частоты. В классической фототермии (photothermal radiometry) используют тепловые волны высоких частот, типичная глубина проникновения которых не превышает долей миллиметра. Снижение частоты и получение тепловых изображений большого формата при поточечной схеме сканирования потребовало бы недопустимо длинных времен контроля например получение изображения изделия, состоящего из 320 х 240 точек при реалистичном времени анализа каждой точки 10 с составило бы 9 суток. [c.146]

Постановка вопроса здесь такова Как близко пЬд иЙй перед повёрхностью может быть однозначно выявлен отра жатёль. (дефект) определенной величины и Какая минимальная толщина стенки может быть еще непосредственно измерена [c.250]

В расчетах надежности элементов КМПЦ бьша учтена фактическая выявляемость дефектов, определенная расчетным методом по результатам УЗ контроля в условиях АЭС. Расчетная кривая удовлетворительно совпала с экспериментальной, полученной на тест-образце в лабораторных условиях (рис. 156). В дальнейшем были проведены более детальные исследования выявляемости дефектов на Ду 800, в том числе и с привлечением фирмы TR (Швеция). Результаты этих исследований изложены в монографии [23 [c.324]

Как следует из табл. 47, во всех случаях конечные размеры дефектов, определенные с учетом их подрастания на конец 30-летнего срока эксплуатации КолАЭС (колонка 7 табл. 47), меньше допустимых значений, указанных в колонке 8. [c.334]

Сигналы проходных ВТП от дефектов. Определение сигналов ВТП от дефектов объекта представляет собой сложную задачу даже в случае обнаружения дефектов простой г еомефической формы. Математическая формулировка задач дефектоскопии приводит к краевым задачам теории электромагнитного поля с достаточно сложными фаничными условиями. [c.395]

Заметим, что наличие дефектов на поверхности еще не означает ее энер-гетическо неоднородности, которая предполагает наличие адсорбционных центров различных сортов. Мы получаем такую энергетически неоднородную поверхность, если в качестве адсорбционных центров фигурируют дефекты различных типов. Если же адсорбционными центрами являются дефекты только одного определенного типа, характеризующиеся одной и той же теплотой адсорбции д, то в этом случае наша поверхность, с адсорбционной точки зрения, является энергетически однородной. В дальнейшем, для простоты, будем иметь дело с энергетически однородной поверхностью. Иначе говоря, будем считать, что адсорбция газовых молекул может происходить не на любых дефектах поверхности, а только на дефектах определенного сорта. [c.365]

Дефектоскопия. При дефектоскопии полимерных материалов и изделий телевизионные системы могут быть использованы для отображения информации в цвете, накопления информации при сканировании контролируемых изделий, оценки степени опасности дефектов, определения глубины их залегания, среднего размера, площади дефекта и т. д. При накоплении и отображении информации используются системы памяти на основе передающей телевизионной трубки типа литокон и системы цветового контрастирования с непрерывным преобразованием первичных сигналов (см. разделы 5.2, 5.3). [c.263]

В стехиометрическом соединении МаХь, где а/6 = onst, между концентрациями точечных дефектов, образованных на обеих под-решетках должны существовать такие соотношения, которые обеспечивали бы постоянство числа а/Ь и, следовательно, различные точечные дефекты не могут вводиться или исчезать независимо друг от друга. Поэтому в данном случае нельзя приписать отдельным дефектам определенные значения химического потенциала. [c.198]

Лонг и Улиг [8], Улиг и Сава [16] также отдают предпочтение влиянию углерода или азота в механизме коррозионного растрескивания на механические свойства стали. Авторы утверждают, что для продления времени существования выходящих на поверхность дефектов, образующихся в процессе пластической деформации в вершине трещины, достаточно осуществления хемосорбции на этих дефектах определенных компонентов, ответственных за растрескивание. Такая хемосорбция понижает энергию, требующуюся для разрушения поверхности, [c.244]

Исследование степени совершенства монокристаллов (распределение скоплений одномерных и единичных двумерных и трехмерных дефектов, определение угла ра-зориентировки субзерен) по Лангу и Борману [c.25]

Стехиометричность и монослой. Хемосорбция часто происходит только на определенных участках, составляющих часть поверхности (грани определенных индексов, дефекты определенных типов, примеси). В этих случаях мономолекулярное покрытие всей поверхности, найденное независимо, перестает быть пределом для хемосорбции, и простая стехиометрия может оказаться нарушенной. Также неоднозначны медленность хемосорбции с неэкспоненциальной кинетикой, с резким самоторможением и с энергией активации. Изучение адсорбции на поверхности металлов и элементарных полупроводников, оголенных тренировкой в ультравакууме 10 — 10" " торр, показало широкую распространенность практически мгновенной хемосорбции многих веществ и при низких температурах [6]. Высокие теплоты этой адсорбции, иногда достигающие сотни и более килокалорий на моль, стехиометричность и другие признаки не оставляют сомнения в ее химической природе. Де Бур показал, что следует учитывать и возможность адсорбции с ДЯ дс "С 0. Такова, в частности, термохимия образования переходных комплексов хемосорбции, а в определенных случаях и некоторых других промежуточных лабильных форм катализа. Аномальные псевдоизобары могут появиться и из-за наложения на адсорбцию растворения или трехмерной фазовой реакции и т. д. В ограниченной применимости фен0ме1ЮЛ0гических признаков хемосорбции нет ничего удивительного. Решающими критериями должны быть характер сил, удерживающих молекулу или ее части, образовавшиеся при адсорбции поверхностью твердого тела, и изменишя, происходящие с молекулой при адсорбции. [c.13]

В случае врожденных дефектов определенную роль могут играть и случайные факторы [919]. Их нельзя назвать ни генетическими, ни чисто средовыми, они действуют стохастически. Например, можно себе представить, что некоторые пороки сердца возникают вследствие чисто случайной утраты синхронности в сложной динамической последовательности его сжатий и расширений. Таким образом, относительно низкую конкордантность генетически детерминированных врожденных дефектов у М3 близнецов можно по крайней мере частично объяснить случайными факторами. Другие факты дискордантности можно связать, как уже упоминалось ранее, с синдромом переливания , иногда наблюдаемого у М3 близнецов. [c.298]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология