Ромбоэдрический графит

Необходимо отметить, что ромбоэдрический графит, по-видимому, представляет собой промежуточное состояние при переходе графита в турбостратное состояние при измельчении [94]. Дефекты изомерных связей скорее всего следует ожидать вблизи дислокационных линий [414]. Слабые связи могут образовываться в области плоскостей двойникования графита [813] (см. выше). [c.22]

Графит представляет собой слоистую структуру, в которой плоскости образованы конденсированными бензольными кольцами (длина связи С—С 0,145 нм) и расположены одна от другой на расстояниях 0,341 нм. Последние связи непрочны и это определяет легкое скольжение слоев друг относительно друга под действием механической силы. Структура графита относится к ромбоэдрической. [c.175]

Ромбоэдрическая структура имеет также слои плоских шестигранных сеток. Однако зти слои сдвинуты в направлении, перпендикулярном к оси с, иначе, чем в гексагональном графите каждый четвертый слой повторяет первый. Содержание ромбоэдрической модификации в естественных графитах может достигать 30%. В искусственном графите ромбоэдрическая структура, как прави- [c.7]

Графит состоит из непрерывного ряда слоев, параллельных основной плоскости, гексагонально связанных атомов углерода. Ближайшее расстояние между атомами в плоскости составляет 0,142 нм, а между соседними слоями 0,3345 нм. Величина энергии связи между атомами углерода в плоскости составляет по различным данным от 340 до 420 кДж/г-атом, а величина энергии связи между слоями не превышает 4,2-8,4 кДж/г-атом, Возможны два типа идеальной кристаллической решетки фафита гексагональная с четырьмя атомами углерода в элементарной ячейке и ромбоэдрическая структура. [c.7]

В графе 2 приняты следующие сокращения кб.—кубическая гекс.—гексагональная мн.—моноклинная ромб,-ромбическая ромбоэдр. — ромбоэдрическая тетраг. —тетрагональная. [c.230]

Так как связь между двумя слоями в графите ромбоэдрической упаковки точно такая же, как и в нормальной упаковке, то подобный дефект не будет способствовать внедрению брома. [c.68]

Как будет описано ниже в I. 2, в естественных условиях графит встречается в отложениях, из которых можно выделить частички, представляющие собой почти совершенные кристаллы. Микроскопические исследования показывают, что они представляют собой плоские пластинки, у которых углы между боковыми гранями составляют 60° [767]. Структура кристаллического графита одна из первых изучалась с помощью рентгеновских лучей [223, 277, 478], причем впоследствии исследования были повторены с большей точностью (см., например, [68, 397, 678, 759, 1036]). Из этих исследований следовало, что атомы углерода в графите располагаются в параллельных слоях. Расстояние между слоями в элементарной ячейке в направлении оси с при комнатной температуре равно 3,3538 А [296]. Несколько отличное значение с получено для цейлонского естественного графита (с = 3,3544 А), что обусловлено, по-видимому, различиями геологического происхождения, а, возможно, является результатом влияния ромбоэдрической формы (см. ниже) [1088]. [c.9]

Почти полное отсутствие ромбоэдрической упаковки в искусственном графите и переход ромбоэдрической структуры в гексагональную при нагревании до 2000—3000°С свидетельствуют о большей стабильности последней модификации [94, 585]. [c.11]

Различное чередование слоев в монокристаллическом графите было обнаружено при наблюдении явления дифракции электронов. Этот факт использовался в качестве доказательства присутствия ромбоэдрической структуры в графите [61]. [c.28]

В другой идеализированной ромбоэдрической решетке были обнаружены такие же слои шестигранных сеток, однако каждый третий слой находится в таком отношении ко второму, в каком второй находится к первому. Поэтому вдоль оси с получается следующая последовательность слоев ab , ab . Относительное содержание этой модификации из-за смещения слоев друг относительно друга изменяется при механической и химической обработке графита. Ромбоэдрическая упаковка, встречающаяся в графите после шлифовки, также обусловлена деформацией сдвига или кручения [6, с. 114]1 Почти полное отсутствие ромбоэдрической упаковки слоев в искусственном графите и переход ромбоэдрической структуры в гексагональную при нагревании до температуры 2000—3000 °С свидетельствуют о большей стабильности последней модификации [7]. [c.20]

Если слоистое соединение, полученное на базе ромбоэдрического графита, разлагается при нагревании, то слои Р исчезают, а графит регенерируется в более устойчивой гексагональной форме. Как уже говорилось, образование сложного соединения приводит к изменению положения слоев в графите, и при разложении такого соединения слои приобретают более устойчивую последовательность по сравнению с первоначальной. Это можно сравнить с превращениями, совершающимися с участием паровой фазы или промежуточного раствора. [c.140]

Графит имеет серо-черный цвет с металлич. блеском жирный на ощупь. Кристаллич. структура гексагональная, а = 2,462A, с = 6,701A. Кристаллич. решетка состоит из бесконечных плоских параллельных слоев, образованных правильными шестиугольниками из атомов У., с расстоянием С—С 1,42А. Слои отстоят друг от друга на 3,35A. Атом С каждого слоя расположен против центра шестиугольника соседнего т. обр., положение слоев повторяется через один (см. Кристаллы). Внутри слоя атомы С связаны между собой ковалентными р -гибридными связями, связь между слоями осуществляется силами Ван-дер-Ваальса. Такая структура определяет сильную анизотропию физич. свойств графита. Известна также ромбоэдрич. (трехслойная) модификация графита, отличающаяся от гексагональной (двухслойной) только тем, что положение плоских слоев в ее структуре повторяется через 2 слоя. Физич. и химич. свойства обеих модификаций очень близки. Ромбоэдрический графит, содержание которого в нек-рых природных образцах достигает 30%, при нагревании до 2000—3000° переходит в гексагональный. Образуется ромбоэдрич. модификация графита при небольших механич. деформациях гексагональной формы. Так, измельчеиие графита повышает долю ромбоэдрич. модификации с 4—5% до 15%. [c.154]

В пробах графита, очищенных флотацией и хи.м и-ческим способом, пр,исутствует ромбоэдрическая модификация, в то время как после термической очистки образцы полностью состоят из гексагонального графита. Однако после измельчения и в тех,, и в других графитах (появляется ромбоэдрическая модификация. Во,з-,никновение ро,мбоэдр1ической модифи,каци,и в гексагональном графите в результате измельчения следует рассматривать как появление дефекта упаковки. Кол,иче-ственная характеристика этой модификации (а) может служить мерой нарушений в структуре, возникающих три диспергировании. [c.150]

Сдвиг атомов каждого последующего параллельного слоя происходит по осям X п Y таким образом, что атомы каждого третьего слоя находятся под атомами каждого первого. Таким образом, если первый слой решетки обозначить А, второй В, то распределение слоев в кристалле описывается как АВ АВ. ....Вектор переноса атомов углерода равен 0,1418 нм и соответствует трансляции решетки, обозначаемой знаками V - Весь кристалл графита описывается в виде уЛ у Д- Расстояние между совпадающими по расположению атомов слоями равно 0,6708 нм. В натуральном и искусственном графитах обнаруживается другая кристаллическая модификация — ромбоэдрическая (рис. 1-5, б) [1-2]. Параметры ее решетки а = 0,246 нм и с = 0,335 X 3 = 1,005 нм. В этой модификации, обозначаемой как AB AB . ... или S7 S/AAA, величина трансляции Л и V равна 0,4118 нм. Ромбоэдрическая модификация появляется в хорошо кристаллизованном натуральном графите, подвергнутом механическим воздействиям, например помолу. Его образование связано с относительно большими деформациями сдвига [1-3]. При таких деформациях в гексагональном графите могут наблюдаться фазовые вкрапления ромбоэдрического гра( )ита на протяжении примерно десяти последовательно располагающихся слоев. Его содержание в зависимости от ряда условий находится в пределах 5-22% (объем). В монокристаллах гексагонального графита методом микродифракции электронов обнаруживается около 5% ромбоэдрического графита. В кристаллах мозаичной структуры также можно предполагать присутствие его небольших количеств, неразрешаемых рентгеноструктурным анализом. Указанная модификация соответствует метастабильному состоянию и полностью исчезает при нагреве до 3000 С. [c.23]

Обработка природного графита, имеющего после измельчения до 30% ромбоэдрической модификации, оксихлоридом С12О7 позволяет полностью перевести ее в графит с гексагональной структурой [6-29]. [c.277]

В ромбоэдрической модификации, соответствующей пространственной группе / 3/п—параметр а = 0,246 нм и угол составляет 39,49°. В ромбоэдрической структуре слои смещены друг относительно друга также на 0,1418 нм, причем каждый четвертый слой по расположению атомов повторяет первый. Ромбоэдрическая структура обычно встреча1ет-ся в природном графите, где ее содержание может достигать до 30 %. В искусственных графитах она практически не наблюдается. [c.13]

При температуре выше 2000 С графит с ромбоэдрической упаковкой углеродных атомов переходит в фафит с гексагональной кристаллической решеткой. Крнсталлофафически обе структуры идеального фафита рассматриваются как бесконечные сетки, состоящие из гексагонов, расположенных в параллельных слоях. Однако в структуре полимерного углерода фафитовые участки имеют конечные размеры. И их удобно рассматривать как. макромолекулы углерода. [c.8]

Свойства. Черно-коричневые блестящие кристаллы, несколько похожие на графит. Не растворяются в воде, кислотах и щелочах. При указанных выше условиях образуете высокотемпературная ромбоэдрическая модификация (Р-КЬзВгя), пр. гр. КЗт (а=7,080 А с=38,975 А), d 5,4 (25 С). Получаемая при более низких температурах а-модификация имеет область гомогенности вплоть до состава NbBгз,o4- [c.1550]

В действительности существуют две модификации графита, различающиеся расположением слоев. Ни в одном случае атомы углерода одного слоя не располагаются непосредственно над атомами углерода следующего слоя, а, как показано на рис. 11.2, атомы углерода следующего слоя смещены относительно предыдущего. Этот тип расположения, который можно обозначить в общем виде АВАВ..., является наиболее устойчивым и характерен для гексагональной формы графита. Р1звестна также ромбоэдрическая форма, часто присутствующая в природном графите, в которой порядок распо>тожения слоев АВСАВС, т. е. каждый третий слой совпадает. По-видилюму, отдельные участки ромбоэдрической структуры при механической деформации могут образовывать гексагональные кристаллы и люгут быть возвращены к обычной конфигурации АВАВАВ... нагреванием. [c.126]

Рис. 4.13. Структура графита а—плоская сетка с плотнейшей упаковкой атомов (слой) б—расположение плоских сеток в гексагональном графите (АВАВ) в—структура ромбоэдрического графита (повторяется каждый четвертый слой АВСАВС).

В другой идеализированной ромбоэдрической решетке были обнаружены такие же слои плоских шестигранных сеток [580, 597, 598]. Однако каждый третий слой находится в таком отношении ко второму, в каком второй относится к первому. Поэтому вдоль оси с получается следующая последовательность аЬсаЬс. Слабые линии на порошковых рентгенограммах, соответствующие второй структуре, указывают на то, что естественные гр>а фиты, например цейлонский, баварский, корейский и траванкорский, могут содержать оба типа упаковок (ср. данные Финча и Уилмана [286]). Возможно, что и пиролитический графит также обнаруживает слабые дифракционные линии, соответствующие этой структуре [140]. [c.11]

Относительное смещение слоев может происходить при образовании соединения, когда расстояние между слоями в направлении оси с несколько увеличивается, а затем сокращается в процессе восстановления. Внедрение и удаление дополнительных атомов может привести к движению дислокаций между соседними слоями. Скольжение сеток наблюдается также, когда графит, состоящий из совокупности ромбоэдрических и гексагональных областей, вступает сначала в соединение с кристаллическим хлористым железо.м (см. разд. V. 5), а затем РеС1з удаляется при нагреве в потоке хлора при температуре 100—600°С. Подобная обработка позволяет получить графит с чисто гексагональной структурой [928], содержащий всего около 1,4% остаточного хлора. [c.12]

Однако более поздние исследования показали, что процентное содержание ромбоэдрической структуры в образцах графита не является постоянным 38—40]. Хорошо закристаллизованный графит содзржит меньше ромбоэдрической структуры, чем менее совершенный графит [38]. Высокотемпературная обработка графита приводит к превращению ромбоэдрической модификации в гексагональную модификацию графита [40—43]. Заметим, что образованию гексагональной структуры предшествует возникновение ряда промежуточных форм, в чередовании слоев которых нет или почти нет закономерности. Период повторяемости слоев у промежуточных структур уменьшается по мере увеличения совершенства форм от бесконечности (турбострат-ная структура) до трех меж-слоевых расстояний (ромбоэдрическая структура) и, наконец, до двух межслоевых расстояний у гексагональной структуры графита. Заметим также, что возможен и обратный переход. [c.26]

Кроме описанной гексагональной модификации графита существует еще и ромбоэдрическая, так называемый р-графит [8]. В нем повторяемость базисных плоскостей имеет место не через одну (как в гексагональном графите), а через две плоскости [7], [9]. Ромбоэдрическая разновидность термодинамически неустойчива в области от 0° до 360СРС. Под действием кислот и высокотемпературной прокалки (2000°—3000° С) она переходит в гексагональную [8], [9]. В природных графитах содержится больше (до 30%) ромбоэдрической модификации [10—11], чем в искусственно приготовленных [9]. Механические воздействия,, например помол графита или выдержка его под давлением [9], вызывают смещение плоскостей и способствуют формированию ромбоэдрической структуры. [c.153]

При рассмотрении графита всегда необходимо точно знать его форму. В настоящее время известны а-и р-графит. Они идентичны по своим физическим свойствам, за исключением их кристаллической структуры, и все сказанное далее одинаково относится к обеим формам. Атомные плоскости в а-графите располагаются в последовательности АВАВАВА, напоминающей гексагональную плотную упаковку атомов в металлах, в Э-графите они располагаются в последовательности АВСАВСАВСА, напоминающей кубическую плотную упаковку. Элементарные ячейки этих материалов имеют гексагональную и ромбоэдрическую симметрию соответственно. Установлено, что некото- [c.136]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология